LAPORAN PRAKTIKUM ELEKTRONIKA DASAR II

RANGKAIAN PENGUAT COMMON DRAIN

Disusun oleh :

Nama : Tio M.H Ambarita

NPM : F1C019027

Hari / Tanggal : Selasa /03 November 2020

Dosen Pembimbing : Suwardi,S.Pd, M.Sc

Asisten Dosen : 1. Ihdili Sadiki (F1C017008)

2.Defriansyah (F1C017002)

3. Muhammad Hasan (F1C017013)

4. Rama Ramdany (F1C017053)

JURUSAN FISIKA

LABORATORIUM ELEKTRONIKA DAN INSTRUMENTASI

FAKULTAS MATEMATIKA DAN ILMU PENGETAHUAN ALAM

UNIVERSITAS BENGKULU

2020

TIO M.H AMBARITA F1C019027

 RANGKAIAN PENGUAT COMMON DRAIN

I.TUJUAN.
1.Mendemonstrasikan prinsip kerja dan karakteristik dari rangkaian penguat common drain.

2.Investigasi pengaruh dari penguatan tegangan.

II.DASAR TEORI.
JFET mempunyai tiga terminal yaitu source(S),drain(D), dan gate(G).Ketiga terminal
ini dapat dipandang ekuivalen dengan emmiter collector dan base pada transistor BJT.Bahan yang
menghubungkan source dan drain adalah kanal(channel) Jika bahan ini tipe-p,maka devais disebut
JFET kanal-p,demikian juga bila bahan tipe-n, maka disebut JFET kanal-n.Konstruksi JFET berbeda
dengan transistor bipolar.Pada transistor bipolar terdapat tiga bahan terpisah(dua bahan tipe-p, satu
bahan tipe-n atau dua bahan tipe-n,satu bahan tipe-p),sedangkan pada JFET hanya mempunyai dua
bahan yaitu satu bahan tipe-ndan satu bahan tipe-p. Pada konstruksi JFET kanal-n, bagian terbesar dari
struktur adalah bahan tipe-n yang membentuk saluran atau kanal (channel)antara lapisan dari bahan
tipe-p.Bagian ujung atas dan bawah dari kanal tipe-n terhubung pada terminal drain(D) dan source(S)
melalui suatuohmic contact.Dua bahan tipe-p itu menyambung satu sama lain dan terhubung pada
terminalgate(G).Daerah deplesi (depletion region) merupakan daerah kosong yang menghubungkan
antara bahan tipe-n dan bahan tipe-p pada saat JFET tidak mendapatkan aliran tegangan.Demikian
juga sebaliknya untuk konstruksi JFETkanal-p.

Gambar rangkaian common source Gambar rangkaian common drain

Konsep dari analisa sinyal kecil FET adalah untuk membuat rangkaian penguat
sinyal-kecil yang menghasilkan penguatan tegangan (voltage gain) dengan impedansi masukan yang
tinggi.FET bekerja dengan mengendalikan arus keluaran (drain) dari tegangan masukan yang kecil
gate-source),hal inilah yang menyebabkan mengapa FET disebut devais terkendali tegangan.Untuk
melakukan analisa AC dari rangkaian FET,perlu ditentukan terlebih dahulu rangkaian pengganti AC
dari rangkaian FET tersebut.Hal yang utama dalam analisa AC rangkaian FET adalah bahwa tegangan
AC digunakan pada terminal gate-source untuk mengendalikan arus antara terminal source.Parameter
penting yang terdapat pada FET adalahtranskonduktansi (gm),yang didefinisikan sebagai arus drain-
source AC dibagi dengan tegangan gate-source AC.Transkonduktansi dapat mengindikasikan efektif
atau tidaknya tegangan gate-source dalam mengendalikan arus drain.Untuk menganalisis penguat
JFET(Tjahjo kartiko dirgotoro,2006 Hal:122).

TIO M.H AMBARITA F1C019027

 Rangkaian penguat common drain sering disebut juga source follower,karena
amplitudo tegangan pada source mendekati sama dengan a mplitudotegangan pada gate (input), dan
sephase (in-phase).Dengan kata lain,tegangan source mengikuti tegangan input gate.Penggunaan
rangkaian ini utamanya untuk memberikan resistansinoutput yang relatif rendah. memperlihatkan
rangkaian penguat common drain dengan kapasitor kopling input (C1) dan kapasitor kopling output
(C2).

Gambar rangkaian common drain.

Analisa AC

Untuk menganalisa secara ac dari rangkaian penguat tersebut,maka dibuat

rangkaian ekivalen ac,yaitu dengan mengasumsikan semua kapasitor (kopling input dan output)
menjadi short (XC 0, pada frekuensi sinyal),dan sumber dc menjadi ground.Gambar (a), (b)dan (c)
memperlihatkan urutan penyederhanaan rangkaian ekivalen ac dari rangkaian penguat tersebut.

(a) ( b) (c)

Penguatan Tegangan (AV)

Dari gambar rangkaian ekivalen ac(gambar 3.2) maka dengan teorema rangkaian
listrik dapat ditentukan penguatan tegangannya adalah sebagai berikut :

Av=Vout/Vin…………………………………………(1)

=gm.Rsn/1+gm.Rsn………………………………..(2)

Dimana:

Rsn=Rl//Rs//rd…………………………………….….(3)

Pada bebrapa aplikasi rd>>Rs sehingga rd dapat diabaikan oleh karena itu;

Rsn=Rl//Rs……………………………………………(4)

Untuk kondisi tidak berbeban dan Rd diabaikan maka

Rsn=RL……………………………………………….(5)

TIO M.H AMBARITA F1C019027

Konstruksi JFET (Junction Field Effect Transistor)

Kanal N Konstruksi dasar komponen JFET (junction field-effect transistor) kanal-

N adalah seperti pada gambar diatas.Terlihat bahwa sebagian besar strukturnya terbuat dari bahan tipe-
N yang membentuk kanal.Bagian atas dari kanal dihubungkan ke terminal yang disebut Drain (D) dan
bagian bawah dihubungkan ke terminal yang disebut Source (S).Pada sisi kiri dan kanan dari kanal-N
dimasukkan bahan tipe P yang dihubungkan bersama-sama ke terminal yang disebut dengan Gate
(G)(Sumadi,1983-1984 Hal 34-35).

Transistor adalah komponen semikonduktor yang terdiri dari pahan semikonduktor

tipe P dan diapit oleh duabahan tipe N (transistor NPN) atau terdiri atas sebuah bahan tipeN dan dan
diapit oleh dua bahan tipe P (transistor (PNP)sehingga transistor mempunyai tiga terminal yang
bersangkutan dari masing-masing bahan tersebut.Ketiga terminal transistordikenal dengan Emitor (E)
Basis (B) dan kolektor (C).Emitormerupakan bahan semikonduktor yang diberi tingkat dopingsangat
tinggi.Bahan kolektor diberi doping dengan tingkat yang sedang sedangkan basis adalah bahan dengan
dopingyang sangat rendah .Fungsi transistor sangatlah besar dan mempunyaiperanan penting untuk
memperoleh kinerja yang baik bagi sebuah rangkaian elektronika.Dalam dunia elektronika, fungsi
transistor ini adalah sebagai berikut,Sebagai sebuah penguat(amplifier),Sirkuit pemutus dan
penyambung(switching),Stabilisasi tegangan (stabilisator) sebagai perata arus.Menahansebagian arus,
Menguatkan arus,Membangkitkan frekuensirendah maupun, tinggi, Modulasi sinyal dan berbagai
fungsilainnya.Dalam rangkaian analog, transistor digunakan dalamamplifier (penguat) Rangkaian
analog ini meliputi pengeras suara, sumber listrik stabil,dan penguat sinyal radio.Dalam rangkaian-
rangkaian digital,transistor digunakan sebagaisaklar berkecepatan tinggi.Beberapa diantara transistor
dapatjuga dirangkai sedemikian rupa sehingga fungsitransistor menjadi sebagai logic gate, memori,
dan komponenkomponen lainnya.Transistor merupakan komponen dasar yang biasanyadigunakan
untuk sistem penguat.Saat digunakan sebagaipenguat,transistor harus berada di daerah kerja aktif.
Nilai ambang pada transistor merupakan nilai saat arus mulaimengalir pada basis,yang artinya
tegangan pada basis telah melebihi potensial barrier minimum.Hasil bagi antara sinyal output dengan
sinyal input inilah yang disebut sebagai faktorpenguatan arus. Dalam penggunaannya transistor dapat
berfungsi sebagai saklar dengan memanfaatkan daerahpenjenuhan atau daerah saturasi,dan daerah
penyumbatan ataucut-off. Pada daerah saturasi nilai resistansi padapenyambungan kolektor dan emitor
akan sama dengan nol dikeadaan standar.Sedangkan pada daerah penyumbatan, nilairesistensi
penyambungan kolektor dan emitor akan samadengan tak hingga atau terminal kolektor dan emitter
terbukayang menyebakan tegangan pada kolektor dan emitor samadengan tegangan sumber.Jenis-Jenis
Transistor dan cara kerja transistor pada umumnya dibagi menjadi dua jenis yaitu; Transistor Bipolar
(dwi kutub) dan Transistor Efek Medan (FET – FieldEffect Transistor). Transistor Bipolar adalah jenis
transistoryang paling banyak di gunakan pada rangkaianelektronika. Jenis-Jenis Transistor ini terbagi
atas 3 bagian lapisan material semikonduktor yang terdiri dari dua formasilapisan yaitu lapisan P-N-P
(Positif-Negatif-Positif) danlapisan N-P-N (Negatif-Positif-Negatif). Sehingga menurutdua formasi

TIO M.H AMBARITA F1C019027

lapisan tersebut transistor bipolar dibedakankedalam dua jenis yaitu transistor PNP dan transistor
NPN.

Penguat Daya

Penguat daya (power amplifier)berfungsi untuk memperkuat ataumemperbesar sinyal

masukan.Di dalambidang audio, penguat daya akanmenguatkan sinyal suara sehinggaoutputnya akan
menjadi sinyal yang lebihbesar lagi.Penguat daya terdiri dari beberapajenis yang dapat diklasifikasikan
berdasarkan letak titik kerja transistor (titikQ), yang dikenal dengan kelas amplifier,seperti kelas A,
kelas AB, kelas B, kelas Cdan kelas D. Penguat kelas A merupakankelas penguat yang desainnya
palingsederhana dan paling umum digunakan.Kelas A merupakan penguat terbaik,karena memiliki
tingkat distorsi sinyal yang rendah dan memiliki linieritas yang tertinggi dari semua kelas
penguatlainnya.Letak titik kerja berada di tengah kurva karakteristik.Penguat kelas B dibuat untuk
mengatasi masalah efisiensi dan pemanasan yang berlebihan padapenguat kelas A.Letak titik kerja
berada diujung kurva karakteristik, sehingga hanya menguatkan setengah input gelombang.Penguat
kelas AB adalah gabungan kelasA dan kelas B.Titik kerja penguat kelasAB berada di antara titik kerja
kelas A danB, sehingga penguat kelas AB dapatmenghasilkan penguat sinyal yang tidakterdistorsi dan
mendapatkan efisiensiyang lebih tinggi dari kelas B.Penguiat kelas C menguatkan sinyalinput kurang
dari setengah gelombangsehingga distorsi pada outputnya menjadisangat tinggi. Penguat kelas C
seringdigunakan untuk aplikasi khusus padapemancar frekuensi radio. Penguat kelas D menggunakan
penguatan dalam bentukpulsa, atau yang biasa disebut dengan teknik Pulse Width Modulation
(PWM),dimana lebar pulsa akan proporsionalterhadap amplitudo sinyal input yang pada tingkat
akhirnya sinyal PWM akanmenggerakan transistor switching ON dan,OFF sesuai lebar pulsanya.

Pada umumnya, karakteristik dari transistor akan Ib, Ic,serta Ie akan dapat
diketahui dalam perhitungan sehinggamempengaruhi besar kemampuannya dalam memperkuat
arusserta tegangan. Karakteristik transistor terdiri dari tiga macam,yaitu Common Emitter(CE),
Common Base(CB), dan CommonColector(CC). Transistor dengan karakteristic CE
memilikikemampuan penguat arus yang sangat tinggi. Hal inidikarenakan emitor yang berada di
dalam transistor tersebutditahan. Strukturnya terdiri dari gerbang input dan output padakaki emitor.
Dimana inputnya berupa basis dan outputnyaadalah kolektor. Apabila transistor ini diberikan
teganganmelalui basis maka yang terjadi adalah arus akan mengalirmelalui basis dan dinamakan
sebagai arus basis.Pada dasarnya apabila tegangan input yang masukangkaian semakin besar, maka
yang terjadi adalah teganganpada basis, collector, serta emitter juga semakin besarsehingga ketika
dilakukan perhitungan arus pada masingmasing juga semakin besar.Akibatnya, penguatarusjuga
semakin besar bergantung pada tegangan input yangdihasilkan.Tegangan maju yang diberikan pada
persambungan emiter-basis akan mengurangi potensialpenghalang Vo, sehingga pembawa muatan
mayoritas dariemitor dapat dengan mudah berdifusi ke basis. Namun karenabasis sangat tipis dan
memiliki konduktivitas yang rendah,maka sebagian besar pembawa muatan akan tertarik kekolektor.
Di samping itu juga dikuatkan oleh teganganpenghalang basis-kolektor yang semakin besar akibat
adanyabias mundur.Pada percobaan ini karena emitter menjadi yang digroundkan maka transistor
memiliki karakterisik sebagaicommon emitter (CE).CE lebih kuat dalam menguatkan aruskarena
elektron pada emitter sangat tinggi apabiladibandingkan dengan collector atau base. Sedangkan nilai
betakadang-kadang mengacu kepada hFE atau arus maju transistordalam konfigurasi common emitter.
Beta tidak memilikisatuan unit karena merupakan perbandingan yang tetap antarandua arus, yakni Ic
dan Ib sehingga perubahan yang kecil padaarus basis akan menyebabkan perubahan yang besar pada
dan kode komponen yang sama akan memiliki banyak variasidalam nilai Beta. Karena percabangan
basis-emitterdi"bias"kan maju, maka tegangan emitter (Ve) akan menjadisatu persimpangan egangan
tang berbeda dengantegangan basis. Jika tegangan yang melalui emitter diketahui,maka arus emitter
(Ie) dapat ditemukan dengan menggunakanhukum ohm. Arus kolektor (Ic) dapat diperkirakan, karena
nilainya selalu hampir sama dengan arus percobaan yang telah dilakukan, makadidapatkan bahwa

TIO M.H AMBARITA F1C019027

karakteristik transistor adalah sebagai penguat arus dan konfigurasi common emitter adalahkonfigurasi
transistor yang paling kuat dalam menguatkanarus (Sulistiwiyati,2017 Hal 1-4).

Bias Transistor

Untuk dapat bekerja, sebuahtransistor membutuhkan tegangan biaspada basisnya. Kebutuhan tegangan
biasini berkisar antara 0.5 sampai 0.7 Volttergantung jenis dan bahan semikonduktor yang
digunakan.Untuk transistor NPN, tegangan biaspada basis harus lebih positif dari emitor.Dan untuk
transistor PNP, tegangan biaspada basis harus lebih negatif dari emitor.Semakin tinggi arus bias pada
basis,maka transistor semakin jenuh (semakinON) dan tegangan kolektor-emitor (VCE)semakin
rendah

(Tasdik Darmana,2017 Hal 88-89).

Berdasarkan sistem pertanahan transistor (dikenal dengan istilah grounding) penguat transistor dibagi
menjadi tiga jenis, yaitu:
1.Common Emitter

Common Emitter adalah penguat yang kaki emitornya di ground-kan atau dibumikan,Lalu input
dimasukkan ke basis dan output diambil dari kaki kolektor. Penguat CommonEmitter mempunyai
karakter sebagai penguat tegangan. Konfigurasi ini memiliki resistansiinput yang sedang,
transkonduktansi yang tinggi, resistansi output yang tingi dan memilikipenguatan arus (AI), serta
penguatan tegangan yang tinggi (AV).

2.Common Collector

Common Collector adalah penguat yang kaki kolektornya di ground-kan ataudibumikan, lalu input
dimasukkan ke basis dan output diambil dari kaki emitor. Penguat Common Collector mempunyai
karakteristik sebagai penguat arus.

3.Common Base

Common Base adalah penguat yang kaki basis transistornya di ground-kan, lalu inputnya dimasukkan
ke emitor dan output-nya diambil dari kaki kolektor. Penguat Common Basemempunyai karakter
sebagai penguat tegangan.(Sutono,2017 Hal:10).

TIO M.H AMBARITA F1C019027

III.METODOLOGI PERCOBAAN.

3.1.Alat dan Bahan.

1.Kit praktikum penguat common drain.

2.Multimeter.

3.Catudaya.

4.Sinyal Generator.

5.Osiloskop.

TIO M.H AMBARITA F1C019027

3.2 Langkah Percobaan

1.)Kit praktikum penguat common drain di ambil.

2.)Chanel 1 ke input amplifier (Vi) dan channel dihubungkan ke hambatan beban RL=1KΩ,Dengan
menggunakan osiloskop.

3.)Rangkaian percobaan dihubungkan dengan sinyal generator,seperti gambar 2,gelombang sinus

dipilh dan diatur yang besarnya level tegangan output sehinga mencapai 1Volt peak-to-peak,pada
frekuensi 5kHz.

4.)Bentuk gelombang Vi digambarkan dan vout dari display osiloskop pada kertas grafik
digambarkan,sinyal output (Vo) diyakinkan lebih kecil dibandingkan level sinyal input(Vi),dan bentuk
gelombang vi dan vo adalah sephase(in-phase).

5.)Penguatan tegangan yang terjadi dihitung,dengan cara membagi tegangan peak-to-peak vo,dengan
tegangangan peak-to-peak Vi,dan hasilnya dicatat pada table 1.

6.)Hasil penguatan tegangan dibandingkan yang dapat secara simulasi dan praktek kemudian
hitunglah errornya dan hasilnya dicatat pada table 1.

7.)Hambatan beban RL dilepaskan ,kemudian hitunglah penguatan tegangan tanpa beban tersebut
kedalam table 1.

8.)Teori penguatan dihitung secara teori tanpa beban tersebut,dan hasilnya dicatat pada table 1.

TIO M.H AMBARITA F1C019027

IV.HASIL DAN ANAILISA DATA
4.1.DATA PERCOBAAN

KONDISI Vi Vo Penguatan
Simulasi
Dengan RL
(1) 1V 1V 1

(2) 1,4V 0,8V 1,75

(3) 1,1V 0,8V 1,375
Tanpa RL
(1) 1,1V 0,8V 1,22

(2) 1,2V 1V 1,2

(3) 1V 1V 1

4.2.PERHITUNGAN DAN RALAT

1).Vi=div x volt/div Vo=2 x 0,5=1volt

=2 x 0,5=1volt Vo=4 x 0,2=0,8 volt

2).Vi=11 x 0,1=1,1 volt Vo=8 x 0,1=0,8 volt

3).Vi=7 x 0,2 =1,4 volt

TANPA RL

Vi=11 x 0,1=1,1volt Vo=9 x 0,1=0,9volt

Vi=6 x 0,2=1,2 volt Vo=5 x 0,2=1volt

Vi=2 x 0,5=volt Vo=2 x 0,5=1volt

TIO M.H AMBARITA F1C019027

4.3.Grafik

Grafik Rangkaian penguat common drain.

TIO M.H AMBARITA F1C019027

4.4.PEMBAHASAN

Pada percobaan ini,membahas rangkaian penguat common drain.Dimana common

drain atau sering juga disebut dengan source follower adalah amplitude tegangan pada source
mendekati sama dengan amplitude tegangan pada gate (input),dan sephase (in-phase).Dengan kata
lain,tegangan source mengikuti tegangan input gate.JFET adalah komponen tiga terminal dimana salah
satu terminal dapat mengontrol arus antaradua terminal lainnya. JFET terdiri atas dua jenis, yakni
kanal-N dan kanal-P, sebagaimana transistor terdapat jenis NPN dan PNP.Umumnya yang akan
dibahas pada bab ini adalah kanal-N,karena untuk kanal-P adalah kebalikannya Konstruksi dasar
komponen JFET kanal-N terlihat bahwa sebagian besar strukturnya terbuat dari bahan tipe-N yang
membentuk kanal Bagian atas dari kanal dihubungkan ke terminal yang disebut Drain (D) dan bagian
bawah dihubungkan ke terminal yang disebut Source (S).Pada sisi kiri dan kanan dari kanal-N
dimasukkan bahan tipe P yang dihubungkan bersama-sama ke terminal yang disebut dengan Gate
(G).Pada saat semua terminal belum diberi tegangan bias dari luar,maka pada persambungan P danN
pada kedua gate terdapat daerah pengosongan.Hal ini terjadi sebagaimana pada pembahasan diode
persambungan.Pada daerah pengosongan tidak terdapat pembawa muatan bebas,sehingga tidak
mendukung aliran arus sepanjang kanal.JFET kanal N dengan VGS = 0 dan VDS >0 Apabila antara
terminal D dan S diberi tegangan positip (VDS = positip) dan antara terminal Gdan S diberi tegangan
nol (VGS = 0), maka persambungan antara G dan D mendapat bias negatip,sehingga daerah
pengosongan semakin lebar.Sedangkan persambungan antara G dan S daerahpengsongannya tetap
seperti semula saat tidak ada bias.Untuk membuat VGS = 0 adalah dengan caramenghubungkan
terminal G dan terminal S.

Dengan adanya VDS bernilai positip, maka elektron dari S akan mengalir menuju D
melewatikanal N,karena kanal-N tersedia banyak pembawa muatan mayoritas berupa elektron.
Dengan kata lainarus listrik pada drain (ID) mengalir dari sumber VDS dan arus pada source (IS)
menuju sumber.Aliran elektron ini melewati celah yang disebabkan oleh daerah pengosongan sebelah
kiri dan kanan.Tegangan VDS yang diperlukan untuk membuat arus ID menjadi jenuh (titik pinch-
off)tergantung dari harga VGS-nya. Bila VGS =0, maka VDS yang diperlukan adalah sebesar Vp Bila
VGSdibuat semakin negatip, maka VDS yang diperlukan adalah semakin kecil.Daerah operasi yang
linier adalah sesudah titik pinch-off dan dibawah daerah break-down. Padadaerah ini arus ID jenuh
dan tergantung dari harga VGS dan tidak tergantung dari VDS, sesuai denganpersamaan Shockley.
Daerah antara titik pinch-off dan break-down ini disebut juga dengan daerah aktifatau daerah jenuh,
dimana JFET banyak dipakai sebagai penguat. Sedangkan sebelum titik pinch-offdisebut dengan
daerah ohmik atau daerah yang dikendalikan tegangan (voltage-controlled region),dimana JFET
berlaku seperti resistor variabel. Secara kelistrikan antara terminal gate dengan kanal-N tidak ada
hubungan. Hal ini membuatimpedansi dari D-MOSFET sangat tinggi, lebih tinggi dari impedansi
input JFET. Dengan demikian dalampembiasan dc, arus gate IG dianggap sama dengan nol (IG = 0).
Istilah MOSFET (metal-oxidesemiconductor FET) ini timbul karena dalam konstruksinya terdapat
metal dan oksida silikon. Dalamliteratur lama MOSFET ini disebut dengan IGFET (insulated-gate
FET) karena memang terminal gatenyaterisolasi dengan kanal-N.Penjelasan cara kerja dan
karakteristik D-MOSFET kanal-N dimulai dengan memberikan VGS = 0dan VDS positip seperti pada
gambar 1.9. Pemberian VGS = 0 dilakukan dengan cara menghubungkan terminal G dengan S.
Biasanya terminal SS dihubungkan ke terminal S.Tegangan positip VDS akanmenarik elektron bebas
pada kanal-N dari source menuju drain, sehingga mengalir arus ID. Hal ini samaseperti pada JFET.
Bila VDS diperbesar hingga mencapai Vp, maka arus ID akan jenuh (tidak naik lagi)yang disebut
dengan IDSS.Apabila VGS dibuat negatip, maka muatan negatip pada terminal gate akan menolak
elektronbebas pada kanal-N menjauhi daerah kanal-N dan menuju daerah substrat-P. Hal ini
akanmengosongkan kanal-N dari elektron bebas, sehingga arus ID semakin kecil.

TIO M.H AMBARITA F1C019027

V.Penutup
5.1 Kesimpulan

Dari perancangan yang telah dilakukan dengan menerapkan teori tentang transistor, maka
dapatdisimpulkan sebagai berikut :

1.Nilai tahananan R1 dan R2 akanmenentukan besarnya arus basisyang akan menggerakan transistor
pada kondisi aktif.

2.Nilai kapasitor pada rangkaianpenguat daya tidak mempengaruhi titik kerja transistor, karena
mempunyai nilai reaktansi kapasitif yang sangat kecil.

5.2 Saran

Teknologi FET ini sebaiknya terus di kembangkan dan pembaharuan untuk meningkatkan kualitasnya
diadakan supaya menjadi lebih baik.

TIO M.H AMBARITA F1C019027

 DAFTAR PUSTAKA
Sulistiwiyati,2017.BJT DC Analasis.Fakultas matematika dam ilmu pengetahuan alam:Institu
teknologi sepuluh November.

Sumardi,1983.Teknik Mosfet Dalam Pembuatan Untai Terpadu (IC).Media Teknik:UGM.

Sutono,2017.Modul Elektronika.Bimasakti:Surabaya

Tasdik Darmana,2017.Perancangan Rangkaian Penguat Daya Dengan Transistor.Sekolah Tinggi

Teknik:PLN

Tjahjo Kartiko,2006.Studi Penguat Cascade Dua Tingkat Mengguanakan JFET.Teknik

Elektro:Universitas Kristen Petra.

TIO M.H AMBARITA F1C019027

LAMPIRAN

TIO M.H AMBARITA F1C019027

TIO M.H AMBARITA F1C019027