PERCOBAAN V

FIELD EFFECT TRANSISTOR

A. Tujuan
1. Mempelajari tingkah laku dari sebuah field effect transistor dalam konfigurasi
common source dan common drain
2. Menyorot perbedaan antara FET dan transistor bipolar.

B. Alat dan Bahan

1. Komputer
2. Uni Train Interface SO4203-2A
3. Uni Train Experimenter SO4203-2B
4. Uni Train Extended Supply SO4203-2D
5. Uni Train Power Supply SO4203-2A
6. Uni Train FET Card SO4203-7J
7. Uni Train Set of Cables SO5146-1L
8. Uni Train Connection Plugs SO5124-7B
9. Optional Metrahit Multimeter LM2319
10. Circuit Wizard

C. Dasar Teori
C.1 Pengertian FET (Field Effect Transistor)
FET adalah satu komponen semikonduktor dimana fungsi komponen tidak
ditentukan oleh persambungan P-N seperti dalam transistor biasa, tetapi satu saluran dari
semikonduktor N saja atau satu saluran dari semikonduktor P saja yang menentukan sifat
komponen. Berarti hanya terdapat satu jenis pembawa muatan mayoritas. Oleh sebab itu
FET juga disebut sebagai transistor unipolar. Sifat dari saluran arus tersebut tidak
dikendalikan oleh arus, tetapi oleh satu medan listrik. Karena yang mengendalikan FET
adalah medan listrik dan bukan arus, maka pada sambungan pengendalian (dalam
transistor biasa yang dibentuk oleh basis) tidak ada arus, tetapi hanya dibutuhkan voltase
tertentu. Supaya tidak ada arus yang mengalir pada sambungan pengendali maka
sambungan tersebut harus diisolasi terhadap saluran arus. Terdapat tiga jenis isolasi, yaitu
isolasi oleh sambungan P-N yang dibias balik, isolasi oleh isolator (paling sering oksida
logam) dan isolasi oleh sambungan logam-semikonduktor yang dibias balik. Oleh sebab
itu terdapat tiga jenis FET yang umumnya dipakai, yaitu: JFET, MOSFET, dan MeSFET.
Dalam JFET (Junction Field Effect Transistor) terdapat isolasi oleh sambungan P-N
(junction), dan dalam MOSFET (Metal- Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor)
terdapat isolasi oleh oksida logam, sedangkan dalam MeSFET (Metal–Semiconductor
Field Effect Transistor) terdapat isolasi oleh sambungan semikonduktor logam
(Muhammad,2022:25-26)

C.2 Jenis-Jenis FET (Field effect transistors)

a. Konstruksi dan karakteristik JFET

JFET adalah komponen tiga terminal dimana salah satu terminal dapat
mengontrol arus antara dua terminal lainnya. JFET terdiri atas dua jenis yakni
kanal-N dan kanal-P, sebagaimana transistor terdapat jenis NPN dan PNP.
Umumnya yang akan dibahas pada bab ini adalah kanal-N, karena untuk kanal-P
adalah kebalikannya.

Gambar 5.1 Konstruksi JFET kanal N

Konstruksi dasar komponen JFET kanal-N seperti pada gambar 5.1.
terlihat bahwa sebagian besar strukturnya terbuat dari bahan tipe-N yang membentuk
kanal. Bagian atas dari kanal dihubungkan ke terminal yang disebut Drain (D) dan
bagian bawah dihubungkan ke terminal yang disebut Source (S). Pada sisi kiri dan
kanan dari kanal-N dimasukkan bahan tipe P yang dihubungkan bersama-sama ke
terminal yang disebut dengan Gate (G). Pada saat terminal belum diberi tegangan
bias dari luar, maka pada persambungan P dan N pada kedua gate terdapat
daerah pengosongan. Pada daerah pengosongan tidak terdapat pembawa muatan
bebas, sehingga tidak mendukung aliran arus sepanjang kanal. Simbol JFET untuk
kanal-N dan kanal-P ditunjukkan pada gambar (a) dan (b) dibawah ini. Dalam
 simbol tersebut, arah tanda panah pada gate merupakan arah arus pada
persambungan seandainya diberi bias maju.

Tetapi perlu diingat bahwa daerah kerja JFET adalah bila persambungan tersebut diberi
bias mundur. Oleh karena itulah, arus gate IG adalah nol (sangat kecil) dan akibatnya
resistansi dari JFET tinggi.

Gambar 5.2 Simbol JFET (a) kanal-

N, (b) kanal-P
b. Konstruksi dan karakteristik MOSFET
MOSFET (Metal-Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) adalah
suatu transistor dari bahan semikonduktor (silicon) dengan tingkat konsentrasi
ketidakmurnian tertentu. Dimana tingkat ketidakmurnian konsentrasi ini akan
menentukan jenis transistor tersebut.

Gambar 5.3 MOSFET

MOSFET dibagi menjadi 2 bagian diantaranya, sebagai berikut:
1. D-MOSFET (Depletion-metal-oxide semiconductor Field Effect Transistor).
Istilah MOSFET (metal-oxide semiconductor FET) ini timbul karena
dalam konstruksinya terdapat metal dan oksida silikon. Dalam literatur lama
MOSFET ini disebut dengan IGFET (insulated-gate Field Effect Transistor)
karena memang terminal gate terisolasi dengan kanal-N. D-MOSFET kanal-N
dibuat diatas bahan dasar silikon tipe P yang biasanya disebut dengan substrat.
Pada kebanyakan komponen diskret, substrat ini dihubungkan ke terminal yang
disebut SS (substrat) sebagai terminal keempat. Terminal drain (D) dihubungkan
ke bahan tipe N melaui kontak metal demikian juga dengan terminal source (S).
Antara bahan N drain dan bahan-N source dihubungkan kanal yang terbuat juga
dari bahan-N. secara kelistrikan antara terminal gate dengan kanal- N tidak ada
hubungan. Hal ini membuat impedansi dari D- MOSFET sangat tinggi, lebih
tinggi dari impedansi input JFET.

Gambar 5.4 Konstruksi D-MOSFET kanal-N

Konstruksi dan prinsip kerja D-MOSFET kanal P adalah kebalikan dari D-
MOSFET kanal-N yang sudah dijelaskan diatas. Simbol D-MOSFET kanal-N dan
kanal-P adalah seperti ditunjukkan berturut-turut pada gambar dibawah ini. Bila
terminal SS tidak terhubung di dalam, maka D-MOSFET menjadi komponen
empat terminal. Berbeda dengan simbol JFET yang tanda panahnya pada gate,
untuk gate D-MOSFET tidak ada panahnya karena gate dengan kanal bukanlah P-
N junction.
 Gambar 5.5 Simbol D-MOSFET (a) kanal-N dan (b) kanal-P

2. E-MOSFET (Enhancement-metal-oxide semiconductor Field Effect Transistor)

E-MOSFET sering disebut sebagai tipe peningkatan yang terdiri atas kanal-
N dan kanal-P. Pada dasarnya kanal-N dan kanal- P pada E-MESFET hanya
berbeda polaritas, maka dari itu disini hanya akan membahas pada bagian kanal-N
saja. Seperti halnya pada D-MESFET, E-MESFET ini juga dibuat atas bahan dasar
silikon tipe-P yang disebut dengan substrat. Pada umumnya substrat P ini
dihubungkan ke terminal SS melalui kotak metal. Terminal SS beberapa MOSFET
terhubung langsung di dalam komponen, sehingga yang keluar tinggal tiga
terminal saja, yaitu Source (S), Drain (D) dan Gate (G).

Gambar 5.6 Konstruksi E-MOSFET kanal-N

Source (S) dan Drain (D) masing-masing dibuat dengan menumbuhkan
doping bahan-N dari susbstrat-P, sehingga dapat dihubungkan keluar menjadi
terminal S untuk source dan D untuk drain melalui kontak metal. Sedangkan
 terminal Gate (G) dibuat melaui kontak metal yang diletakkan ditengah-tengah
antara Source dan Drain. Antara gate dan substrat P terdapat silikon dioksida
(SiO2) yang berfungsi sebagai isolasi (dielektrikum). Hal demikian sama seperti
pada D-MESFET. Impedansi input E- MESFET juga sangat tinggi. Perbedaan
utama antara keduanya adalah bahwa pada D-MESFET terdapat kanal yang
menghubungkan S dan D, sedangkan pada E-MESFET tidak terdapat kanal
tersebut. Dengan demikian aliran elektron dari source yang akan menuju drain
harus melalui substrat-P (Surjono, 2018: 13-17)

Gambar 5.7 Simbol E-MESFET

(a) kanal-N dan (b) kanal-P

C.3 Kelebihan dan kekurangan FET

Jika dibandingkan dengan transistor bipolar FET memiliki beberapa kelebihan

dan kelemahan. yaitu :

1. Salah satu kelebihan FET adalah dapat bekerja dengan baik dirangkaian
perangkat elektronika yang bersinyal rendah seperti pada perangkat komunikasi
dan alat alat penerima (receiver). FET juga sering digunakan pada rangkaian-
rangkaian elektronika yang memerlukan impedansi yang tinggi.
2. Kekurangan FET pada umumnya tidak dapat digunakan pada perangkat atau
rangkaian elektronika yang bekerja untuk penguatan daya tinggi seperti pada
perangkat komunikasi berdaya tinggi dan alat-alat pemancar (Transmitter).

C.4 Perbedaan FET (Field Effect Transistor) dan BJT (Bipolar JunctionTransistor)
Perbedaan utama antara kedua jenis transistor tersebut adalah bahwa dalam
transistor bipolar arus output (IC) dikendalikan oleh arus input (IB). Sedangkan
 dalam FET arus output (ID) dikendalikan oleh tegangan input (VGS), karena arus
input adalah nol. Sehingga resistansi input FET sangat besar, dalam orde puluhan
Megaohm. Disamping itu, FET lebih stabil terhadap temperatur dan konstruksinya
lebih kecil serta pembuatannya lebih mudah dari transistor bipolar, sehingga amat
bermanfaat untuk pembuatan keping rangkaian terpadu. FET bekerja atas aliran
pembawa mayoritas saja, sehingga FET cenderung membangkitkan noise lebih
kecil dari pada transistor bipolar. Disamping itu transistor bipolar mempunyai
respon frekuensi yang kebih lebar (Satrio,2015:11)

 C.5 Kurva karakteristik JFET dapat digambarkan dalam dua bentuk yaitu :
1. ID = f (VDS) dengan tegangan VGS tertentu dan berbeda-beda
2. ID = f (VGS)
a. Gate - Source terhubung singkat (VGS = 0 volt)

Gambar 5.8 Gate - Source terhubung singkat (VGS = 0 volt)

Karakteristik Drain dalam bentuk ID = f (VDS)
Vp = Pinch Off Voltage = Tegangan Penjepit
IDss = Arus drain dalam keadaan gate-sorce terhubung singkat   
         (short Circuited, SS)
b. Gate – Source Terbias Balik
 Gambar 5.9 Gate – Source Terbias Balik
Karakteristik drain dalam bentuk ID = f(VDS) untuk VGS tertentu.
Karakteristik Drain juga digambarkan dalam hubungan antara ID dengan
VGS atau ID = f(VGS)

Gambar 5.10 Gate – Source Menurun

Karakteristik drain dalam bentuk ID = f(VGS)
Keterangan :
IDSS = arus drain dalam keadaan VGS = 0 volt
VGS OFF = tegangan VGS yang menyebabkan ID = 0
D. Langkah Percobaan

C.1 Common Source Circuit

1. Menyambungkan sebuah Experimenter ke Uni Train Interface dan memasang

kartu eksperimen Field effect transistors SO4201-7J.
2. Memasang jumper yang diperlihatkan sebagai garis utuh dalam diagram
rangkaian dan menyambungkan kartu ke Uni Train Interface seperti yang
diperlihatkan dalam daftar koneksi.  
 List of connections

From To

Interface S (ANALOG
MP3
OUT)

Interface (ANALOG MP5 (may be

OUT) omitted)

Interface S (ANALOG
Interface A+
OUT)

Interface (ANALOG
Interface A-
OUT)

MP2 (operating point) /

Interface B+
MP7 (output)

Interface A- Interface B-

Jumpers

B1, B2 (initially)
B4 (added later)
3. Menutup setiap instruments virtual yang mungkin telah dibuka dan membuka
instruments virtual dari menu Instruments:
- Voltmeter B
- Function Generator
- Oscilloscope (menutup Voltmeter terlebih dahulu)  dan menyesuaikannya
seperti yang terlihat pada tabel.

Pengaturan

Range 10V,
DC & AV for operating point measurement,
Voltmeter B

AC & Vpp for gain measurement,

A Volts/div 100mV AC   Red,

B Volts/div 500 mV AC   Blue,
Oscilloscope Time/div 500μs,
Mode X/T,
Trigger A, rising edge

Voltage 1:10, 20%

Frequency 1 kHz
Function generator
Mode SINE
Power ON

4. Karena voltmeter dan oscilloscope tidak dapat digunakan bersamaan, mungkin

akan membantu untuk menyimpan suatu ruang kerja dengan voltmeter terpasang
dan satu lagi dengan pengaturan untuk oscilloscope. Sehingga kita dapat bertukar
 diantara ruang kerja dari pada harus membuka tutup VI dan menyesuaikan
pengaturan mereka tiap waktu.

5. Dengan memasang jumper B1 dan B2, gunakan potentiometer R3 untuk mengatur

sebuah level operasi setengah dari tegangan power supply VB di drain pada FET
(MP2) yang diukur terhadap ground (MP5). Setelah itu, menentukan tegangan
VGS antara gate dan source. Mendeskripsikan metode yang digunakan untuk
mengukurnya.
6. Memberikan sebuah gelombang sinusoidal 1 kHz dengan amplitude sinyal 400
mV ke input pada MP3. Merekam input (MP3-MP5) dan tegangan output (MP7-
MP5) pada oscilloscope dan menyalinnya ke Grid 1.

Grid 1

7. Menentukan penguatan tegangan pada rangkaian.

8. Menambahkan jumper B4 agar source terhubung ke ground melalui capacitor C4.

Memberikan gelombang sinusoidal yang sama 1 kHz dengan amplitude sinyal
 400 mV ke input pada MP3. Merekam input dan tegangan output pada
oscilloscope dan menyalinnya ke Grid 2.

Grid 2

9. Menentukan penguatan tegangan pada rangkaian dengan capacitor pada source.

10. Apa yang dapat disimpulkan dari hasil yang telah didapatkan?
11. Mendeskripsikan bagaimana rangkaian beroperasi, menyorot kesamaan dan
perbedaan dengan rangkaian penguat menggunakan transistors bipolar.
C.2 Common Drain
Circuit

1. Menyambungkan sebuah Experimenter ke Uni Train Interface dan memasang

kartu experiment Field effect transistors SO4201-7J.
2. Memasang jumper yang diperlihatkan sebagai garis utuh dalam diagram
rangkaian dan menghubungkan kartu ke Uni Train Interface seperti yang
diperlihatkan dalam daftar koneksi.  
 List of connections

From To

Interface S (ANALOG OUT) MP3

Interface (ANALOG OUT) MP5 (may be omitted)

Interface S (ANALOG OUT) Interface A+

Interface (ANALOG OUT) Interface A-

MP6 (operating point) /

Interface B+
MP8 (output)

Interface A- Interface B-

Jumpers

B1, B2, B3

3. Menutup setiap virtual instruments yang mungkin telah dibuka dan membuka
virtual instruments berikut dari menu Instruments:
-VoltmeterB  
-FunctionGenerator  
-Oscilloscope (menutup voltmeter terlebih dahulu)  
dan menyesuaikannya seperti yang terlihat pada tabel.
 Pengaturan

Range 10V,
DC & AV for operating point
Voltmeter B
measurement,
AC & Vpp for gain measurement,

A Volts/div 500 mV AC   Red,

B Volts/div 500 mV AC   Blue,
Oscilloscope Time/div 500μs,
Mode X/T,
Trigger A, rising edge

Voltage 1:10, 20%

Frequency 1 kHz
Function generator
Mode SINE
Power ON

4. Karena voltmeter dan oscilloscope tidak dapat digunakan bersamaan, mungkin

akan membantu untuk menyimpan suatu ruang kerja dengan voltmeter terpasang
dan satu lagi dengan pengaturan untuk oscilloscope. Sehingga kita dapat bertukar
diantara ruang kerja daripada harus membuka tutup VI dan menyesuaikan
pengaturan mereka tiap waktu.

5. Dengan memasang jumper B1, B2 dan B3, menggunakan potentiometer R3 untuk

mengatur sebuah level operasi setengah dari tegangan power supply VB di drain
pada FET (MP2) yang diukur terhadap ground (MP5). Setelah itu, menentukan
tegangan VGS antara gate dan source. Mendeskripsikan metode yang digunakan
untuk mengukurnya..
6. Memberikan sebuah gelombang sinusoidal 1 kHz dengan amplitude sinyal 400
mV ke input pada MP3. Merekam input (MP3-MP5) dan tegangan output (MP8-
MP5) pada oscilloscope dan menyalinnya ke Grid 1.

Grid 1

7. Menentukan penguatan tegangan pada rangkaian.

8. Mendeskripsikan bagaimana rangkaian beroperasi, menyorot kesamaan dan
perbedaan dengan rangkaian penguat menggunakan transistors bipolar.
9. Merangkum perbedaan antara rangkaian common source dan common drain
dengan mengisi tabel berikut dengan karakteristik yang telah diamati selama
percobaan.

Common Common
 
source drain

Input resistance re

Output resistance ra

Voltage gain vu

Phase difference  ° °

10. Menyarankan bebarapa aplikasi untuk rangkaian common source dan common
drain dengan sebuah FET.