PERCOBAAN V

FIELD EFFECT TRANSISTOR

A. Tujuan
Tujuan dari modul ini adalah mempelajari tingkah laku dari sebuah field
effect transistor dalam konfigurasi common source dan common drain dan
menyorot perbedaan antara FET dan transistor bipolar Optional MetraHit.

B. Alat dan Bahan

1. Komputer
2. Uni Train Interface SO4203-2A
3. Uni Train Experimenter SO4203-2B
4. Uni Train Extended Supply SO4203-2D
5. Uni Train Power Supply SO4203-2A
6. Uni Train FET Card SO4203-7J
7. Uni Train Set of Cables SO5146-1L
8. Uni Train Connection Plugs SO5124-7B
9. Multimeter LM2319

C. Dasar Teori
C.1 Pengertian FET (Field Effect Transistor)

FET adalah satu komponen semikonduktor dimana fungsi komponen

tidak ditentukan oleh persambungan P-N seperti dalam transistor biasa, tetapi
satu saluran dari semikonduktor N saja atau satu saluran dari semikonduktor P
saja yang menentukan sifat komponen. Berarti hanya terdapat satu jenis
pembawa muatan mayoritas. Oleh sebab itu FET juga disebut sebagai transistor
unipolar. Sifat dari saluran arus tersebut tidak dikendalikan oleh arus, tetapi
oleh satu medan listrik. Karena yang mengendalikan FET adalah medan listrik
dan bukan arus, maka pada sambungan pengendalian (dalam transistor biasa
yang dibentuk oleh basis) tidak ada arus, tetapi hanya dibutuhkan voltase
tertentu.

Supaya tidak ada arus yang mengalir pada sambungan pengendali maka
sambungan tersebut harus diisolasi terhadap saluran arus. Terdapat tiga jenis
isolasi, yaitu isolasi oleh sambungan P-N yang dibias balik, isolasi oleh isolator
(paling sering oksida logam) dan isolasi oleh sambungan logam-semikonduktor
yang dibias balik. Oleh sebab itu terdapat tiga jenis FET yang umumnya
dipakai, yaitu: JFET, MOSFET, dan MeSFET. Dalam JFET (Junction FET)
terdapat isolasi oleh sambungan P-N (junction), dan dalam MOSFET (Metal-
Oxide-Semiconductor FET) terdapat isolasi oleh oksida logam, sedangkan
dalam MeSFET (Metal–Semiconductor FET) terdapat isolasi oleh sambungan
semikonduktor logam (Muhamad,2022:25-26)

C.2 Jenis-Jenis FET (Field effect transistors)

a. Konstruksi dan karakteristik JFET

JFET adalah komponen tiga terminal dimana salah satu terminal

dapat mengontrol arus antara dua terminal lainnya. JFET terdiri atas dua
jenis yakni kanal-N dan kanal-P, sebagaimana transistor terdapat jenis
NPN dan PNP. Umumnya yang akan dibahas pada bab ini adalah kanal-N,
karena untuk kanal-P adalah kebalikannya.

Gambar 5.1 Konstruksi JFET kanal N

Konstruksi dasar komponen JFET kanal-N seperti pada gambar
5.1. terlihat bahwa sebagian besar strukturnya terbuat dari bahan tipe-N yang
membentuk kanal. Bagian atas dari kanal dihubungkan ke terminal yang
disebut Drain (D) dan bagian bawah dihubungkan ke terminal yang disebut
Source (S). Pada sisi kiri dan kanan dari kanal-N dimasukkan bahan tipe P
yang dihubungkan bersama-sama ke terminal yang disebut dengan Gate (G).
Pada saat terminal belum diberi tegangan bias dari luar, maka pada
persambungan P dan N pada kedua gate terdapat daerah pengosongan.
Pada daerah pengosongan tidak terdapat pembawa muatan bebas, sehingga
tidak mendukung aliran arus sepanjang kanal.
 Simbol JFET untuk kanal-N dan kanal-P ditunjukkan pada gambar
(a) dan (b) dibawah ini. Dalam simbol tersebut, arah tanda panah pada gate
merupakan arah arus pada persambungan seandainya diberi bias maju. Tetapi
perlu diingat bahwa daerah kerja JFET adalah bila persambungan tersebut
diberi bias mundur. Oleh karena itulah, arus gate IG adalah nol (sangat kecil)
dan akibatnya resistansi dari JFET tinggi.

Gambar 5.2 Simbol JFET (a) kanal-N, (b) kanal-P

b. Konstruksi dan karakteristik MOSFET
MOSFET (Metal-Oxide Semiconductor FET) adalah suatu
transistor dari bahan semikonduktor (silicon) dengan tingkat konsentrasi
ketidakmurnian tertentu. Dimana tingkat ketidakmurnian konsentrasi ini
akan menentukan jenis transistor tersebut.

Gambar 5.3 MOSFET

MOSFET dibagi menjadi 2 bagian diantaranya, sebagai berikut:
1. D-MOSFET (Depletion-metal-oxide semiconductor FET).
Istilah MOSFET (metal-oxide semiconductor FET) ini timbul
karena dalam konstruksinya terdapat metal dan oksida silikon. Dalam
literatur lama MOSFET ini disebut dengan IGFET (insulated-gate FET)
karena memang terminal gatenya terisolasi dengan kanal-N. D-MOSFET
kanal-N dibuat diatas bahan dasar silikon tipe P yang biasanya disebut
dengan substrat. Pada kebanyakan komponen diskret, substrat ini
dihubungkan ke terminal yang disebut SS (substrat) sebagai terminal
keempat. Terminal drain (D) dihubungkan ke bahan tipe N melaui kontak
metal demikian juga dengan terminal source (S). Antara bahan N drain dan
bahan-N source dihubungkan kanal yang terbuat juga dari bahan-N.secara
kelistrikan antara terminal gate dengan kanal- N tidak ada hubungan. Hal
ini membuat impedansi dari D- MOSFET sangat tinggi, lebih tinggi dari
impedansi input JFET.

Gambar 5.4 Konstruksi D-MOSFET kanal-N

Konstruksi dan prinsip kerja D-MOSFET kanal P adalah kebalikan
dari D-MOSFET kanal-N yang sudah dijelaskan diatas. Simbol D-
MOSFET kanal-N dan kanal-P adalah seperti ditunjukkan berturut-turut
pada gambar dibawah ini. Bila terminal SS tidak terhubung di dalam,
maka D-MOSFET menjadi komponen empat terminal. Berbeda dengan
simbol JFET yang tanda panahnya pada gate, untuk gate D-MOSFET tidak
ada panahnya karena gate dengan kanal bukanlah P-N junction.

Gambar 5.5 Simbol D-MOSFET (a) kanal-N dan (b) kanal-P

2. E-MOSFET (Enhancement-metal-oxide semiconductor FET)
E-MOSFET sering disebut sebagai tipe peningkatan yang terdiri
atas kanal-N dan kanal-P. Pada dasarnya kanal-N dan kanal- P pada E-
MESFET hanya berbeda polaritas, maka dari itu disini hanya akan
membahas pada bagian kanal-N saja. Seperti halnya pada D-MESFET, E-
MESFET ini juga dibuat atas bahan dasar silikon tipe-P yang disebut
dengan substrat. Pada umumnya substrat P ini dihubungkan ke terminal SS
melalui kotak metal. Terminal SS beberapa MOSFET terhubung langsung
di dalam komponen, sehingga yang keluar tinggal tiga terminal saja, yaitu
Source (S), Drain (D) dan Gate (G).

Gambar 5.6 Konstruksi E-MOSFET kanal-N

Source (S) dan Drain (D) masing-masing dibuat dengan
menumbuhkan doping bahan-N dari susbstrat-P, sehingga dapat
dihubungkan keluar menjadi terminal S untuk source dan D untuk drain
melalui kontak metal. Sedangkan terminal Gate (G) dibuat melaui kontak
metal yang diletakkan ditengah-tengah antara Source dan Drain. Antara
gate dan substrat P terdapat silikon dioksida (SiO2) yang berfungsi sebagai
isolasi (dielektrikum). Hal demikian sama seperti pada D-MESFET.
Impedansi input E- MESFET juga sangat tinggi. Perbedaan utama antara
keduanya adalah bahwa pada D-MESFET terdapat kanal yang
menghubungkan S dan D, sedangkan pada E-MESFET tidak terdapat kanal
tersebut. Dengan demikian aliran elektron dari source yang akan menuju
drain harus melalui substrat-P (Surjono, 2018: 13-17)
 Gambar 5.7 Simbol E-MESFET (a) kanal-N dan (b) kanal-P

c. Kelebihan dan kekurangan FET

Jika dibandingkan dengan transistor bipolar ,FET memiliki beberapa
kelebihan dan kelemahan. Salah satu kelebihan FET adalah dapat bekerja
dengan baik dirangkaian perangkat elektronika yang bersinyal rendah seperti
pada perangkat komunikasi dan alat alat penerima (receiver). FET juga sering
digunakan pada rangkaian-rangkaian elektronika yang memerlukan
impedansi yang tinggi. Namun pada umumnya FET tidak dapat digunakan
pada perangkat atau rangkaian elektronika yang bekerja untuk penguatan
daya tinggi seperti pada perangkat komunikasi berdaya tinggi dan alat-alat
pemancar (Transmitter)

C.3 Perbedaan FET (Field Effect Transistor) dan BJT (Bipolar Junction
Transistor)
Perbedaan utama antara kedua jenis transistor tersebut adalah
bahwa dalam transistor bipolar arus output (IC) dikendalikan oleh arus
input (IB). Sedangkan dalam FET arus output (ID) dikendalikan oleh
tegangan input (VGS), karena arus input adalah nol. Sehingga resistansi
input FET sangat besar, dalam orde puluhan Megaohm. Disamping itu,
FET lebih stabil terhadap temperatur dan konstruksinya lebih kecil serta
pembuatannya lebih mudah dari transistor bipolar, sehingga amat
bermanfaat untuk pembuatan keping rangkaian terpadu. FET bekerja atas
aliran pembawa mayoritas saja, sehingga FET cenderung membangkitkan
noise lebih kecil dari pada transistor bipolar. Disamping itu transistor
bipolar mempunyai respon frekuensi yang kebih lebar (Satrio,2015:11)
D. Langkah Percobaan

C.1 Common Source

C ircuit

1. Menyambungkan sebuah Experimenter ke Uni Train Interface dan

memasang kartu eksperimen Field effect transistors SO4201-7J.
2. Memasang jumper yang diperlihatkan sebagai garis utuh dalam diagram
rangkaian dan menyambungkan kartu ke Uni Train Interface seperti yang
diperlihatkan dalam daftar koneksi.  
 List of connections

From To

Interface S (ANALOG
MP3
OUT)

Interface (ANALOG MP5 (may be

OUT) omitted)

Interface S (ANALOG
Interface A+
OUT)

Interface (ANALOG
Interface A-
OUT)

MP2 (operating point) /

Interface B+
MP7 (output)

Interface A- Interface B-

Jumpers

B1, B2 (initially)
B4 (added later)

3. Menutup setiap instruments virtual yang mungkin teah dibuka dan

membuka membuka virtual instruments dari menu Instruments:
- Voltmeter B
- Function Generator
- Oscilloscope (menutup Voltmeter terlebih dahulu)  dan
menyesuaikannya seperti yang terlihat pada tabel.
 Pengaturan

Range 10V,
DC & AV for operating point
Voltmeter B
measurement,
AC & Vpp for gain measurement,

A Volts/div 100mV AC   Red,

B Volts/div 500 mV AC   Blue,
Oscilloscope Time/div 500μs,
Mode X/T,
Trigger A, rising edge

Voltage 1:10, 20%

Frequency 1 kHz
Function generator
Mode SINE
Power ON

4. Karena voltmeter dan oscilloscope tidak dapat digunakan bersamaan,

mungkin akan membantu untuk menyimpan suatu ruang kerja dengan
voltmeter terpasang dan satu lagi dengan pengaturan untuk oscilloscope.
Sehingga kita dapat bertukar diantara ruang kerja daripada harus membuka
tutup VI dan menyesuaikan pengaturan mereka tiap waktu.

5. Dengan memasang jumper B1 dan B2, gunakan potentiometer R3 untuk

mengatur sebuah level operasi setengah dari tegangan power supply VB di
drain pada FET (MP2) yang diukur terhadap ground (MP5). Setelah itu,
menentukan tegangan VGS antara gate dan source. Mendeskripsikan
metode yang digunakan untuk mengukurnya.
6. Memberikan sebuah gelombang sinusoidal 1 kHz dengan amplitude sinyal
400 mV ke input pada MP3. Merekam input (MP3-MP5) dan tegangan
output (MP7-MP5) pada oscilloscope dan menyalinnya ke Grid 1.

Grid 1

7. Menentukan penguatan tegangan pada rangkaian.

8. Menambahkan jumper B4 agar source terhubung ke ground melalui

capacitor C4. Memberikan gelombang sinusoidal yang sama 1 kHz dengan
amplitude sinyal 400 mV ke input pada MP3. Merekam input dan
tegangan output pada oscilloscope dan menyalinnya ke Grid 2.

Grid 2

9. Menentukan penguatan tegangan pada rangkaian dengan capacitor pada

source.
10. Apa yang dapat disimpulkan dari hasil yang telah didapatkan?
11. Mendeskripsikan bagaimana rangkaian beroperasi, menyorot kesamaan
dan perbedaan dengan rangkaian penguat menggunakan transistors
bipolar.
C.2 Common
Drain Circuit

1. Menyambungkan sebuah Experimenter ke Uni Train Interface dan

memasang kartu experiment Field effect transistors SO4201-7J.
2. Memasang jumper yang diperlihatkan sebagai garis utuh dalam diagram
rangkaian dan menghubungkan kartu ke Uni Train Interface seperti yang
diperlihatkan dalam daftar koneksi.  
 List of connections

From To

Interface S (ANALOG OUT) MP3

Interface (ANALOG OUT) MP5 (may be omitted)

Interface S (ANALOG OUT) Interface A+

Interface (ANALOG OUT) Interface A-

MP6 (operating point) /

Interface B+
MP8 (output)

Interface A- Interface B-

Jumpers

B1, B2, B3

3. Menutup setiap virtual instruments yang mungkin telah dibuka dan

membuka virtual instruments berikut dari menu Instruments:
- Voltmeter B  
- Function Generator  
- Oscilloscope (menutup voltmeter terlebih dahulu)  
dan menyesuaikannya seperti yang terlihat pada tabel.
 Pengaturan

Range 10V,
DC & AV for operating point
Voltmeter B measurement,
AC & Vpp for gain
measurement,

A Volts/div 500 mV AC   Red,

B Volts/div 500 mV AC
Oscilloscope Blue,
Time/div 500μs,
Mode X/T,
Trigger A, rising edge

Voltage 1:10, 20%

Frequency 1 kHz
Function generator
Mode SINE
Power ON

4. Karena voltmeter dan oscilloscope tidak dapat digunakan bersamaan,

mungkin akan membantu untuk menyimpan suatu ruang kerja dengan
voltmeter terpasang dan satu lagi dengan pengaturan untuk oscilloscope.
Sehingga kita dapat bertukar diantara ruang kerja daripada harus membuka
tutup VI dan menyesuaikan pengaturan mereka tiap waktu.

5. Dengan memasang jumper B1, B2 dan B3, menggunakan potentiometer

R3 untuk mengatur sebuah level operasi setengah dari tegangan power
 supply VB di drain pada FET (MP2) yang diukur terhadap ground (MP5).
Setelah itu, menentukan tegangan VGS antara gate dan source.
Mendeskripsikan metode yang digunakan untuk mengukurnya..
6. Memberikan sebuah gelombang sinusoidal 1 kHz dengan amplitude sinyal
400 mV ke input pada MP3. Merekam input (MP3-MP5) dan tegangan
output (MP8-MP5) pada oscilloscope dan menyalinnya ke Grid 1.

Grid 1

7. Menentukan penguatan tegangan pada rangkaian.

8. Mendeskripsikan bagaimana rangkaian beroperasi, menyorot kesamaan
dan perbedaan dengan rangkaian penguat menggunakan transistors
bipolar.
9. Merangkum perbedaan antara rangkaian common source dan common
drain dengan mengisi tabel berikut dengan karakteritik yang telah diamati
selama percobaan.

Common Common
 
source drain

Input resistance re

Output resistance ra

Voltage gain vu

Phase difference  ° °

10. Menyarankan bebarapa aplikasi untuk rangkaian common source dan

common drain dengan sebuah FET.