BAHAN AJAR

Paket Keahlian : Teknik Elektronika Industri

Kelas / Semester : XI ELIN / I

Mata Pelajaran : Dasar Listrik dan Elektronika

Kompetensi Dasar : 3.1 Menerapkan komponen FET dan

MOSFET sebagai penguat daya
4. 1Membuat rangkaian dengan
menggunakan FET dan MOSFET sebagai
penguat daya
Tujuan Pembelajaran : Setelah melaksanakan proses pembelajaran
diharapkan siswa dapat:
1. Menjelaskan pengertian FET
2. Menguraikan jenis-jenis FET
3. Menjelaskan perbedaan FET dan BJT
4. Menjelaskan sifat FET
5. Menjelaskan pengertian MOSFET
6. Menguraikan jenis-jenis MOSFET
7. Menjelaskan fungsi MOSFET
8. Menggambarkan simbol MOSFET
9. Menjelaskan konfigurasi dasar
MOSFET
10. Menerapkan rangkaian penguat
MOSFET berdasarkan contoh
1. PENGERTIAN FET
FET singkatan dari Field Effect Transistor, adalah suatu komponen semikonduktor yang
cara kerjanya berdasarkan pengendalian arus drain dengan medan listrik pada gate. FET disebut
transistor unipolar karena cara kerjanya hanya berdasarkan aliran pembawa muatan mayoritas
saja. Sedangkan transistor disebut bipolar junction transistor karena bekerja berdasarkan aliran
pembawa muatan mayoritas dan minoritas.
Transistor efek medan (field effect transistor = FET) yang mempunyai fungsi yang
hampir sama dengan transistor bipolar meskipun demikian antara FET dan transistor bipolar
terdapat beberapa perbedaan yang mendasar.
Perbedaan utama antara kedua jenis transistor tersebut adalah bahwa transistor bipolar
arus output (IC) dikendalikan oleh arus input (IB). Sedangkan dalam FET arus output (ID)
dikendalikan oleh teganga input (VGS), karena arus input adalah nol. Sehingga resistansi input
FET sangat besar, dalam orde puluhan mega ohm.
Disamping itu FET lebih stabil terhadap temperatur dan kontruksinya lebih kecil serta
pembuatannya lebih mudah dari transistor bipolar, sehingga sangat bermanfaat untuk pembuatan
rangkaian terpadu. FET bekerja atas aliran pembawa mayoritas saja, sehingga FET cenderung
membangkitkn noise lebih kecil dari pada transistor bipolar.
Ada analogi yang sangat mirip antara JFET dengan BJT. Banyak formula-formula dalam
rangkaian JFET mirip dengan formula pada BJT, yaitu dengan menganalogikan sbb:

JFET adalah komponen tiga terminal dimana salah satu terminal dapat mengontrol arus antara
dua terminal lainnya. JFET terdiri atas dua jenis, yakni kanal-N dan kanal-P, sebagaimana
transistor terdapat jenisNPN dan PNP. Umumnya yang akan dibahas pada materi ini adalah
kanal-N, karena untuk kanal P adalah kebalikannya.
Namun pada umumnya transistor bipolar lebih peka terhadap input atau dengan kata lain
penguatannya lebih besar. Disamping itu transistor bipolar mempunyai linieritas yang lebih baik
dan respon frekuensi yang lebih lebar.
2. JENIS-JENIS FET

keluarga FET yang terpenting adalah JFET (Junction Field-Effect Transistor) dan
MOSFET (Metal-Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor). JFET terdiri atas kanal-P dan
kanal-N. MOSFET terdiri atas MOSFET tipe pengosongan (D-MOSFET = Depletion-
Modemetal-Oxide Semiconductor FET) dan MOSFET tipe peningkatan (E-MOSFET =
Enhancement-mode Metal-Oxide semiconductor FET). Masing-masing tipe MOSFET ini masih
terbagi juga dalam kanal-P dan kanal-N.
Secara skematik pengelompokkan FET dan peta tegangan output (dengan source di
ground kan) diberikan berikut ini:

Gambar. Penggolongan FET dan petetegangan input/output

Sedangkan diagram skematik dari berbagai tipe FET ditunjukkan pada gambar berikut
ini.
 Gambar. Diagram skematik FET

3. PERBEDAAN FET dan MOSFET

Transistor jenis BJT (NPN dan PNP) dan UJT (FET dan MOSFET) memiliki cara kerja yang
sama, namun dengan karakteristik yang berbeda. Berikut ini beberapa perbedaan antara
Transistor BJT dan UJT (FET)

1. Konversi: Transistor BJT mengkonversi arus menjadi arus, FET mengkonversi tegangan
menjadi arus
2. Arus input: BJT membutuhkan arus input, FET tidak membutuhkan arus input
3. Input/output: Hubungan input/output BJT adalah linear direpresentasikan oleh sebuah
garis lurus, namun hubungan input/output sebuah FET tidak linear untuk sinyal-sinyal
besar (bertegangan tinggi). Hal ini dapat mengakibatkan terjadinya distorsi pada sinyal-
sinyal besar yang diumpankan ke sebuah FET
4. Kecepatan: FET dapat melaksanakan proses pensaklaran secara lebih cepat dibandingkan
BJT, namun demikian kedua jenis transistor ini dirasa cukup cepat untuk memenuhi
kebutuhan sebagian besar aplikasi elektronik
5. Tegangan input: sebuah FET menjadi aktif ketika tegangan gate-sourcenya melampaui
suatu tegangan ambang. Tegangan gate dapat memiliki nilai yang berada dalam kisaran
antara tegangan ambang dan tegangan sumber, ketika FET dalam keadaan aktif.
Tegangan basis-emitor BJT akan selalu mendekati nilai 0,7 V, ketika BJT dalam keadaan
aktif, terlepas dari berapa besar arus inputnya
6. Resistor input: sebuah FET tidak membutuhkan sebuah resistor di depan terminal
gatenya. Hal ini dapat menjadikan rangkaian yang bersangkutan jauh lebih sederhana
7. Tahanan output: kebanyakan FET memiliki tahanan yang sangat rendah ketika berada
dalam keadaan aktif, biasanya kurang dari 1 Ohm. Hal ini membuat komponen-
komponen ini sangat cocok untuk digunakan dalam rangkaian saklar transistor.

a. STRUKTUR FET
Kalau diperhatikan dari struktur keluarga transistor seperti yang terlihat pada gambar 1, FET
berbeda dengan transistor bipolar (BJT) karena bukan pertemuan dari 3 lapis seperti layaknya
diode atau Bipolar junction Transistor, FET merupakan uni polar.
 Pada gambar 2a menunjukkan struktur suatu FET saluran N. FET ini terdiri dari batang
semi konduktor type N yang pada kedua sisinya diapit oleh bahan semi konduktor type P. FET
memiliki 3 elektroda, yakni; Source (S), Gate (G), dan Drain (D). Antara (G) dan (S) dipasang
tegangan UGG yang merupakan reverse bias bagi gate (G). Karena dioda antara (G) dan (S)
mengalami reverse bias, maka timbulah Depletion Layer pada junction (Gambar 2b), supaya
terjadi aliran antara (S) dan (D), maka antara kedua elektroda ini dipasang sumber tegangan
(UDD). Besar kecilnya arus yang mengalir tergantung dari lebarnya Depletion Layer tadi. Jika
UGG besar, Depletion Layer akan menjadi sedemikian lebarnya sehingga hampir menutup
saluran antara (D) dan (S). Karena pada Depletion Layer tidak ada pembawa muatan, berarti
bahwa jumlah pembawa muatan pada saluran menjadi kecil. Jika UGG kecil, Depletion Layer
cukup tipis dan saluran antara (S) dan (D) cukup lebar, dengan demikian arus yang mengalir
cukup besar. Jadi tegangan gate menentukan besarnya arus yang mengalir antara (D - S). Karena
G dalam kondisi reverse bias, arus (G) dianggap sama dengan nol.
terminal tempat pembawa muatan mayoritas masuk ke kanal untuk menyediakan arus
melalui kanal. Drain adalah terminal arus meninggalkan kanal. Gate adalah elektroda yang
mengontrol konduktansi antara Source dan Drain. Sinyal input diberikan pada terminal Drain.
Sedangkan substrate atau bulk umumnya dihubungkan dengan source. Material pada substrate
biasanya netral atau di dope sedikit.
Umumnya sinyal input diberikan pada terminal Gate. Dalam rangkaian input, terminal
Gatedan kanal bertindak seolah-olah bagai kapasitor plat sejajar, dan konduktivitas kanal dapat
diubah oleh tegangan Gate terhadap Source. Untuk kanal-n, tegangan positif pada Gate
menginduksi muatan negatif pada kanalsehingga ada aliran elektron dari Source ke Drain.

4. SIFAT DASAR FET

Untuk mengetahui sifat dasar FET dibutuhkan rangkaian penguji FET seperti yang ditunjukkan
pada gambar 4, pada kaki gate di berikan tegangan yang dapat diatur tegangannya mulai 0 V
sampai ke minus (- V/ bias negatif), sedangkan pada kaki D-S diberikan supply positif. Pada
Gambar 5 menunjukkan bahwa makin negatif tegangan Gate-Source UGS, maka makin kecil
pula arus Drain ID. Pada kondisi normal JFET selalu bekerja pada bagian karakteristik linier
datar, atau dengan kata lain JFET dioperasikan pada tegangan Drain yang lebih besar dari
tegangan knee K., tetapi lebih kecil dari tegangan breakdown-nya.
Lihat Gambar 5.5, UDS harus dibuat lebih besar dari 4 Volt tetapi lebih kecil dari 30 V.
Dengan demikian UGS harus letakkan antara ( 0 s/d 4V ). Tegangan knee untuk lengkung
karakteristik yang paling atas disebut pinch off voltage (Up),jadi bila pada lembar data
tertulis Up=4 Volt, JFET tersebut harus dioperasikan dengan tegangan UDS yang lebih besar
dari 4 Volt. Dari gambar kurva 1.5, dapat kita lihat bahwa pada tegangan UGS= -4 V arus
drain hampir = 0. Nilai UGS yang menyebabkan ID = 0 ini disebut Gate Source Cut Off
Voltage (UGS = Off). Up dan UGS (off) memiliki hubungan penting yaitu nilai mutlak Up
= nilai mutlak UGS (off) hanya tandanya yang berbeda;
Up = 4 V UGSoff = -4 VHal ini berlaku untuk semua JFET dan harus diingat bahwa pada
lembaran data JFET hanya akan disebutkan nilai (UGS off) saja. Lengkung karakteristik
yang paling atas dibuat dengan tegangan gate = 0, keadaan sama dengan keadaan dimana gate
dihubung singkat dengan source. Arus drain hampir datar dan dianggap sama, walau
tegangan drain diubah-ubah dan pada lembar data arus ini disebut Idss. Pada gambar
kurva tampak bahwa jarak antara garis-garis mendatar itu tidak sama meskipun selisih UGS
untuk tiap-tiap garis tetap 1 Volt.
 Harga Batas
Harga batas adalah suatu keterangan tentang data-data komponen FET dan Mosfet yang
harus di penuhi dan tidak boleh dilampaui batas maksimumnya serta tidak jauh berkurang
dari baras minimumnya .Adapun harga batas tersebut antara lain memuat tentang : VDS mak
, ID mak , Tj mak , PTOT mak , VGS (off) / VGTH , IDSS / ID on , GFS , RDS , CISS ,
CRSS .Keterangan tentang harga batas dan bagaimana cara menggunakannya bias dilihat
pada Tabel 5.1 di bawah. Dengan mengetahui data harga batas tersebut, kita dapat mengganti
FET dengan Type yang lain , asal data harga batas dan typenya sama

5. PENGERTIAN MOSFET
Metal-oxide semiconductor FET (disingkat MOSFET) adalah peranti semikonduktor yang
dapat dioperasikan dalam mode peningkatan (enhancement) lebar kanal. Artinya MOSFET tidak
dibatasi untuk bekerja dengan gate berbias balik (Thomas, 2002: 81), namun MOSFET juga
dapat bekerja dengan gate berbias maju. Karakter tersebut di atas adalah yang menjadikan
MOSFET berbeda dengan JFET. Dimana supaya dapat bekerja dengan baik, maka kaki terminal
gate (G) JFET harus berbias balik
Kemudian secara struktur, MOSFET dan JFET berbeda. Pada MOSFET, bagian gate
diisolasi dari saluran (kanal), sehingga MOSFET juga terkadang disebut dengan IGFET
kepanjangan dari insulated-gate FET. Bahan yang digunakan untuk mengisolasi terminal gate
dengan bagian kanal MOSFET adalah silikon dioksida (SiO2).
MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) adalah suatu transistor dari
bahan semikonduktor (silikon) dengan tingkat konsentrasi ketidakmurnian tertentu. Tingkat
dari ketidakmurnian ini akan menentukan jenis transistor tersebut, yaitu transistor MOSFET
tipe-N (NMOS) dan transistor MOSFET tipe-P (PMOS). Bahan silicon digunakan sebagai
landasan (substrat) dari penguras (drain), sumber (source), dan gerbang (gate). Selanjutnya
transistor dibuat sedemikian rupa agar antara substrat dan gerbangnya dibatasi oleh oksida
silikon yang sangat tipis. Oksida ini diendapkan di atas sisi kiri dari kanal, sehingga
transistor MOSFET akan mempunyai kelebihan dibanding dengan transistor BJT (Bipolar
Junction Transistor), yaitu menghasilkan disipasi daya yang rendah.

6. JENIS-JENIS MOSFET
Seperti halnya JFET, MOSFET juga memiliki dua jenis yaitu MOSFET Depletion-Mode (D-
MOSFET) dan MOSFET Enhancement-Mode (E-MOSFET) yang masing-masing juga memiliki
tipe kanal-n dan tipe kanal-p.
D-MOSFET pada kondisi normal adalah dalam kondisi ‘ON’ dan beroperasi seperti suatu JFET,
sedang E-MOSFET pada kondisi normal adalah dalam kondisi ‘OFF’ artinya arus drain-source
(IDS) seperti penaikan tegangan pada terminal gate. Tidak ada aliran arus ketika terminal gate
mendapat tegangan.
 Gambar 1. Bentuk fisik MOSFET IRF530

Bila dilihat dari cara kerjanya, transistor MOS dapat dibagi menjadi dua, yaitu:
1) Transistor Mode Pengosongan (Transistor Mode Depletion)
Pada transistor mode depletion, antara drain dan source terdapat saluran yang
menghubungkan dua terminal tersebut, dimana saluran tersebut mempunyai fungsi
sebgai saluran tempat mengalirnya elektron bebas. Lebar dari saluran itu sendiri dapat
dikendalikan oleh tegangan gerbang. Transistor MOSFET mode pengosongan terdiri dari
tipe-N dan tipe-P, simbol transistor ditunjukkan dalam Gambar 1.

Ketika tidak ada tegangan pada Gate maka kondusi channel berada pada kondisi maksimum.
Karena tegangan pada gerbang positif atau negative konduksi pada channel menurun.
2) Transistor Mode peningkatan (Transistor Mode Enhancement)
Transistor mode enhancement ini pada fisiknya tidak memiliki saluran antara drain dan
sourcenya karena lapisan bulk meluas dengan lapisan SiO2 pada terminal gate.
Transistor MOSFET mode peningkatan terdiri dari tipe-N dan tipe-P, simbol transistor
ditunjukkan dalam Gambar 2.ae
STRUKTUR MOSFET
1. N-Channel Mosfet
Struktur N-Channel Mosfet atau disebut dengan NMOS terdiri dari subtract tipe P dengan daerah
Source dan Drain deberi Difusi N+. Diantara daerah Source dan Drain terdapat sebuah celah sempit
dari subtract P yang di sebut dengan channel yang di tutupi oleh isolator yang terbuat dari Si02

n-channel mosfet
2. P-Channel MOSFET

P-Channel MOSFET memiliki wilayah P-Channel diantara Source dan Drain. Dia memiliki
empat terminal seperti Gate, Drain, Source dan Body. Struktur Transistor PMOS terdiri atas tipe-
n dengan daerah Source dan Drain diberi difusi P+.

p-channel mosfet
 7. Fungsi Transistor MOSFET
Kemampuan MOSFET untuk mengubah antara kedua keadaan memungkinkannya
memiliki dua fungsi dasar: "switching" (elektronika digital) atau "penguat" (elektronika
analog). Kemudian MOSFET memiliki kemampuan untuk beroperasi dalam tiga wilayah
yang berbeda:
1. Daerah Cut-off - dengan VGS  < Vambang, tegangan gerbang-sumber jauh lebih rendah
daripada tegangan ambang transistor sehingga transistor MOSFET diaktifkan
"sepenuhnya-OFF" sehingga, ID  = 0 , dengan transistor berfungsi seperti saklar terbuka.
2. Daerah Linear (Ohm) - dengan VGS  > Vambang dan VDS  < VGS transistor berada di
daerah resistansi konstannya berperilaku sebagai tahanan yang dikendalikan tegangan yang
nilai resistifnya ditentukan oleh tegangan gerbang, tingkat VGS .
3. Daerah Saturasi - dengan VGS  > Vambang transistor berada dalam wilayah arus konstan
dan oleh karena itu "sepenuhnya-ON". Arus Drain ID  = Maksimum dengan transistor yang
berfungsi sebagai saklar tertutup.

8. SIMBOL Transistor MOSFET

Gambar 2. Konstruksi MOSFET

Pada gambar 2 di atas, tampak bahwa lapisan isolasi antara gate dengan bagian lain dari
komponen terbuat dari bahan silicon dioxide (SiO2). Sedangkan terminal gate terbuat dari bahan
konduktor logam (metal). Selain itu, tampak juga bahwa konstruksi D-MOSFET memiliki kanal
secara fisik antara terminal drain dan source. Namun pada konstruksi E-MOSFET tidak terdapat
kanal secara fisik, karena kanal pada E-MOSFET terbentuk bergantung pada tegangan gate. Pada
gambar 2 di atas, juga terlihat terdapat terminal substrat. Substrat merupakan pondasi dari
konstruksi bangunan MOSFET.
 Gambar 3. Simbol MOSFET

Gambar 3 di atas merupakan gambar simbol MOSFET jenis D-MOSFET (kanal N dan
kanal P) dan E-MOSFET (kanal N dan kanal P).

Kurva Karakteristik MOSFET

Semakin diperbesar harga VGS ke arah positip, semakin banyak jumlah pembawa muatan
elektron bebas pada kanal N, sehingga semakin besar arus ID. D-MOSFET yang bekerja dengan
VGS positip ini disebut dengan mode peningkatan, karena jumlah pembawa muatan elektron
bebas pada daerah kanal-N ditingkatkan dibanding saat VGS = 0. Pada saat memperbesar VGS
positip ini perlu diperhatikan kemampuan arus ID maksimum agar tidak terlampaui. Besarnya
arus maksimum dari setiap D-MOSFET dapat dilihat pada buku data.

Kurva karakteristik output dan kurva transfer D-MOSFET kanal-N dapat dilihat pada gambar
berikut.

Kurva Karakteristik D-MOSFET

Terlihat bahwa D-MOSFET ini dapat bekerja baik pada mode pengosongan (saat VGS negatip)
maupun pada mode peningkatan (VGS positip). Oleh karena itu DMOSFET ini sering juga
disebut dengan DE-MOSFET (depletion-enhancement MOSFET). Persamaan Shockley
(persamaan dibawah) juga masih berlaku pada D-MOSFET ini baik pada mode pengosongan
maupun pada mode peningkatan.

Konstruksi dan prinsip kerja D-MOSFET kanal-P adalah kebalikan

dari D-MOSFET kanal-N yang sudah dijelaskan di depan. Demikian juga polaritas tegangan
VGS, VDS, dan arus ID juga berlawanan dengan yang ada pada D-MOSFET kanal-N.

9. Rangkaian Penguat MOSFET

Dalam tutorial sebelumnya tentang Penguat (Amplifier) FET, kita melihat bahwa penguat
single stage sederhana dapat dijalankan dengan menggunakan sambungan efek medan
transistor, atau JFET.

Tapi ada jenis medan efek transistor lainnya yang bisa digunakan untuk membangun dan
penguat, dan dalam tutorial ini kita akan membahas Penguat MOSFET.

Transistor efek-medan semikonduktor logam-oksida, atau Metal Oxide Field Effect Transistor
(MOSFET), adalah pilihan yang sangat baik untuk penguat linier sinyal kecil karena impedansi
inputnya sangat tinggi sehingga mudah bias.

Tapi untuk sebuah MOSFET untuk menghasilkan penguatan linier, ia harus beroperasi di
daerah jenuh, tidak seperti Bipolar Junction Transistor (BJT). Tapi seperti itu juga perlu bias di
sekitar titik-Q terpusat.

MOSFET berjalan melalui daerah konduktif atau jalur yang disebut "kanal/saluran". Kita bisa
membuat kanal konduktif ini lebih lebar atau lebih kecil dengan menerapkan potensi gerbang
yang sesuai. Medan listrik yang diinduksi di sekitar terminal gerbang dengan penerapan
tegangan gerbang ini mempengaruhi karakteristik kanal listrik, demikian namanya bidang-efek
transistor.

Dengan kata lain, kita dapat mengendalikan bagaimana MOSFET beroperasi dengan membuat
atau "meningkatkan" kanal konduktif antara sumber dan daerah drain yang menghasilkan jenis
MOSFET yang biasa disebut MOSFET kanal-n mode-Enhancement, yang berarti bahwa kecuali
jika kita bias mereka positif di gerbang (untuk kanal negatif), tidak ada arus kanal yang akan
mengalir.

Ada variasi besar dalam karakteristik berbagai jenis MOSFET, dan karenanya biasing sebuah
MOSFET harus dilakukan secara individual. Seperti halnya konfigurasi common emitter bipolar,
common source penguat MOSFET perlu bias pada nilai diam yang sesuai. Tapi pertama-tama
mari kita mengingatkan diri kita akan karakteristik dan konfigurasi dasar MOSFET.

Enhancement Kanal-N MOSFET 

Perhatikan bahwa perbedaan mendasar antara Bipolar Junction Transistor dan FET adalah bahwa
BJT memiliki terminal berlabel Collector, Emitter dan Base, sementara MOSFET memiliki
terminal yang diberi label drain, Source dan Gate/gerbang.

Juga MOSFET berbeda dari BJT karena tidak ada hubungan langsung antara gerbang dan kanal,
tidak seperti Junction bse-emitter dari BJT, karena elektroda gerbang logam diisolasi secara
elektrik dari kanal konduktif yang memberinya nama sekunder dari Insulated Gate Field Effect
Transistor, atau IGFET.

Kita dapat melihat bahwa untuk kanal-N MOSFET (NMOS) di atas material semikonduktor
substrat adalah tipe-p, sedangkan sumber dan elektroda drain adalah tipe-n. Tegangan supply
akan positif. Biasing terminal gerbang positif menarik elektron di dalam substrat semikonduktor
tipe-p di bawah daerah gerbang ke arahnya.

Kelebihan elektron bebas ini di dalam substrat tipe-p menyebabkan kanal konduktif muncul atau
tumbuh karena sifat listrik dari daerah tipe p membalik, mengubah secara efektif substrat tipe-p
menjadi bahan tipe-n yang memungkinkan arus kanal mengalir.
Kebalikannya juga berlaku untuk kanal-P MOSFET (PMOS), di mana potensi gerbang negatif
menyebabkan terbentuknya lubang di bawah daerah gerbang karena mereka tertarik pada
elektron di sisi luar elektroda gerbang logam. Hasilnya adalah bahwa substrat tipe-n menciptakan
kanal konduktif tipe-p.

Jadi untuk transistor MOS tipe-n kita, semakin positif potensi yang kita pasang di gerbang
semakin besar penumpukan elektron di sekitar daerah gerbang dan semakin lebar kanal menjadi
konduktif. Ini meningkatkan aliran elektron melalui kanal yang memungkinkan lebih banyak
arus kanal mengalir dari kanal ke sumber yang mengarah ke Enhancement MOSFET.

Penguat Enhancement MOSFET

Peningkatan (Enhancement) MOSFET, atau eMOSFET, dapat digolongkan sebagai perangkat

normally-off (tidak-konduksi), yang hanya mereka lakukan saat tegangan positif gerbang-ke-
sumber yang sesuai diterapkan, tidak seperti MOSFET tipe Depletion yang normally-on pada
perangkat yang melakukan kapan Tegangan gerbangnya nol.

Namun, karena konstruksi dan fisik dari jenis MOSFET tambahan, ada tegangan gerbang-ke-
sumber minimum, yang disebut tegangan ambang VTH yang harus diterapkan ke gerbang
sebelum mulai melakukan pengaliran arus yang mengalir.

Dengan kata lain, sebuah enhancement MOSFET tidak dilakukan ketika tegangan sumber
gerbang, VGS kurang dari tegangan ambang, VTH tapi seiring gerbang maju bias meningkat, arus
drain, ID (juga dikenal sebagai arus drain-sumber IDS) juga akan meningkat, mirip dengan
transistor bipolar, membuat ideal eMOSFET untuk digunakan dalam rangkaian penguat
MOSFET.

Karakteristik kanal konduktif MOS dapat dianggap sebagai resistor variabel yang dikendalikan
oleh gerbang.

Jumlah arus pengaliran yang mengalir melalui kanal-n ini oleh karena itu bergantung pada
tegangan sumber gerbang dan salah satu dari banyak pengukuran yang dapat kita gunakan
dengan menggunakan MOSFET adalah dengan merencanakan grafik karakteristik transfer untuk
menunjukkan hubungan i-v antara arus drain dan tegangan gerbang seperti ditunjukkan.

Karakteristik i-v Kanal-N eMOSFET 

Dengan tegangan arus drain VDS tetap terhubung di seluruh eMOSFET, kita dapat memplot nilai
arus drain, ID dengan nilai VGS bervariasi untuk mendapatkan grafik karakteristik MOSFET maju
DC. Karakteristik ini memberikan transkonduktansi, gm dari transistor.

Transkonduktansi ini menghubungkan arus output dengan tegangan input yang mewakili
mencapai transistor. Kemiringan kurva transkonduktansi pada suatu titik di sepanjang itu
karenanya diberikan sebagai: gm = ID/VGS untuk nilai konstan VDS.

Jadi misalnya, asumsikan transistor MOS melewati arus drain 2mA saat VGS = 3v dan arus drain
14mA saat VGS = 7v. Kemudian:

Rasio ini disebut transistor transkonduktansi statis atau DC yang merupakan unit Siemens (S),
sebagai Amp per Voltnya. Tegangan gain dari penguat MOSFET berbanding lurus dengan
transkonduktansi dan nilai resistor drain.

Pada VGS = 0, tidak ada arus yang mengalir melalui kanal transistor MOS karena efek medan di
sekitar gerbang tidak cukup untuk membuat atau "membuka" kanal tipe-n. Kemudian transistor
berada di daerah cut-off yang berperan sebagai open switch.

Dengan kata lain, dengan tegangan nol gerbang diterapkan kanal-n eMOSFET dikatakan normal-
off dan kondisi "OFF" ini ditunjukkan oleh garis kanal yang rusak pada simbol eMOSFET (tidak
seperti tipe Depletion yang memiliki garis kanal terus menerus).

Seperti yang kita ketahui sekarang secara bertahap meningkatkan tegangan sumber-gerbang
positif VGS, efek medan mulai meningkatkan konduktivitas daerah kanal dan di sana menjadi titik
di mana kanal mulai menjalankan. Titik ini dikenal sebagai tegangan ambang VTH.
Saat kita meningkatkan VGS lebih positif, kanal konduktif menjadi lebih lebar (kurang tahan)
dengan jumlah arus drain, ID meningkat sebagai hasilnya. Ingat bahwa gerbang tidak pernah
melakukan arus apapun karena listriknya terisolasi dari kanal yang memberi penguat MOSFET
impedansi input yang sangat tinggi.

Oleh karena itu enhancement MOSFET Kanal-N akan berada dalam mode cut-off saat tegangan
sumber-gerbang, VGS kurang dari tingkat tegangan ambang batasnya, VTH dan kanalnya berjalan
atau jenuh saat VGS berada di atas ambang batas ini. Ketika transistor eMOS beroperasi di daerah
saturasi arus drain, ID diberikan oleh:

Arus Drain eMOSFET 

Perhatikan bahwa nilai parameter k (konduksi parameter) dan VTH (tegangan ambang) bervariasi
dari satu eMOSFET ke yang berikutnya dan tidak dapat diubah secara fisik karena merupakan
spesifikasi spesifik dari material dan geometri perangkat yang ada dalam pembuatan transistor.

Kurva karakteristik perpindahan statis di sebelah kanan umumnya berbentuk parabola (hukum
kuadrat) dalam bentuk dan kemudian linier. Kenaikan arus drain, ID untuk peningkatan tegangan
gerbang-sumber, VGS menentukan kemiringan atau gradien kurva untuk nilai konstan VDS.

Kemudian kita dapat melihat bahwa mengubah sebuah eMOS transistor "ON" adalah proses
bertahap dan agar kita untuk menggunakan MOSFET sebagai penguat kita harus bias gerbang
terminal di beberapa titik di atas ambang batas tingkat.

Ada banyak cara yang berbeda untuk melakukan ini dengan menggunakan dua tegangan supply
terpisah, untuk drain umpan balik biasing, ke biasing dioda zener, dll. Namun, bagaimanapun
metode biasing yang kita gunakan, kita harus memastikan bahwa tegangan gerbang lebih positif
daripada sumber dengan jumlah yang lebih besar dari VTH. Dalam tutorial penguat MOSFET ini
kita akan menggunakan rangkaian pembagi tegangan universal yang sekarang dikenal.

DC Biasing MOSFET 

Rangkaian biasing pembagi tegangan universal adalah teknik biasing yang populer yang
digunakan untuk menetapkan kondisi operasi penguat transistor bipolar yang diinginkan seperti
penguat mosfet.

Keuntungan dari jaringan pembagi tegangan adalah bahwa MOSFET, atau memang transistor
bipolar, dapat bias dari satu supply DC. Tapi pertama-tama kita perlu tahu dimana bias gerbang
penguat MOSFET kita.

Sebuah perangkat MOSFET memiliki tiga wilayah operasi yang berbeda. Wilayah ini disebut:
Ohmik/Daerah Triode, Saturation/Daerah Linier dan Pinch-off point. Agar MOSFET beroperasi
sebagai penguat linier, kita perlu menetapkan titik operasi diam yang terdefinisi dengan baik,
atau titik-Q, sehingga harus bias beroperasi di daerah jenuh. titik-Q untuk MOSFET diwakili
oleh nilai DC, ID dan VGS yang memposisikan titik operasi terpusat pada kurva karakteristik
output MOSFET.

Seperti yang telah kita lihat di atas, daerah saturasi dimulai ketika VGS adalah di atas VTH ambang
batas. Oleh karena itu jika kita menerapkan sinyal AC kecil yang dilapiskan pada bias DC ini di
input gerbang, maka MOSFET akan bertindak sebagai penguat linear seperti yang ditunjukkan.

Titik DC Bias eMOSFET

Rangkaian common-source NMOS di atas menunjukkan bahwa tegangan input sinusoidal, Vi ada
dalam rangkaian dengan sumber DC. Tegangan gerbang DC ini akan diatur oleh rangkaian bias.
Maka total sumber-gerbang tegangan akan menjadi jumlah VGS dan Vi.

Karakteristik DC dan karena itu titik-Q (titik diam) semua fungsi dari tegangan gerbang VGS,
tegangan supply VDD dan resistansi beban RD.

Transistor MOS bias berada dalam daerah saturasi untuk menentukan arus drain yang diinginkan
yang akan menentukan transistor titik-Q. Karena nilai sesaat dari VGS meningkat, titik bias
bergerak ke atas kurva seperti yang ditunjukkan sehingga arus drain yang lebih besar mengalir
saat VDS menurun.

Demikian juga, karena nilai sesaat dari VGS menurun (selama setengah negatif dari gelombang
sinus input), titik bias bergerak ke bawah kurva dan hasil VGS yang lebih kecil menghasilkan arus
drain yang lebih kecil dan peningkatan VDS.

Kemudian untuk membangun ayunan output yang besar, kita harus bias transistor jauh di atas
ambang batas untuk memastikan bahwa transistor tetap berada dalam kejenuhan selama siklus
input sinusoidal penuh.

Namun, ada batas jumlah bias gerbang dan arus drain yang bisa kita gunakan. Untuk
memungkinkan ayunan tegangan maksimum dari output, titik Q harus diposisikan sekitar
setengah jalan antara tegangan supply VDD dan tegangan ambang VTH.
Jadi misalnya, mari kita asumsikan kita ingin membuat satu tahap sumber NMOS common-
source penguat. Tegangan ambang, VTH dari eMOSFET adalah 2,5 volt dan tegangan supply,
VDD adalah +15 volt. Maka titik bias DC akan menjadi 15 - 2.5 = 12.5v atau 6 volt ke nilai
integer terdekat.

Karakteristik MOSFET ID - VDS

Kita telah melihat di atas bahwa kita dapat membangun sebuah grafik dari MOSFET meneruskan
karakteristik DC dengan menjaga tegangan supply, VDD konstan dan meningkatkan tegangan
gerbang, VG.

Tetapi untuk mendapatkan gambaran lengkap tentang pengoperasian transistor MOS tipe-n yang
akan digunakan dalam rangkaian penguat MOSFET, kita perlu menampilkan karakteristik output
untuk nilai yang berbeda dari kedua VDD dan VGS.

Seperti pada NPN Bipolar Junction Transistor, kita dapat membangun satu set kurva
karakteristik output yang menunjukkan arus drain, ID untuk meningkatkan nilai positif dari
VG untuk transistor MOS mode kanal-N peningkatan seperti ditunjukkan.

Kurva Karakteristik eMOSFET Tipe-N

Perhatikan bahwa perangkat eMOSFET kanal-p akan memiliki rangkaian kurva karakteristik
arus yang sangat mirip namun polaritas tegangan gerbang akan terbalik.

Dasar Penguat MOSFET Common-Source
Sebelumnya kita melihat bagaimana cara menetapkan kondisi operasi DC yang diinginkan untuk
bias tipe-n eMOSFET. Jika kita menerapkan sinyal waktu kecil yang bervariasi ke input, maka
pada keadaan yang tepat,

Rangkaian mosfet dapat bertindak sebagai penguat linier yang menyediakan transistor titi-Q di
suatu daerah di dekat pusat daerah jenuh, dan sinyal inputnya cukup kecil. agar output tetap
linear. Pertimbangkan rangkaian penguat MOSFET dasar di bawah ini.

Rangkaian Dasar Penguat (Amplifier) MOSFET

Konfigurasi penguat MOSFET common-source yang sederhana ini menggunakan satu supply di
kanal drain dan menghasilkan tegangan gerbang yang dibutuhkan, VG menggunakan pembagi
resistor. Kita ingat bahwa untuk MOSFET, tidak ada arus yang mengalir ke terminal gerbang dan
dari sini kita dapat membuat asumsi dasar berikut tentang penguat MOSFET kondisi operasi DC.

Kemudian dari sini kita dapat mengatakan bahwa:

dan MOSFET gerbang-ke-sumber tegangan, VGS diberikan sebagai:

Seperti yang telah kita lihat di atas, untuk pengoperasian MOSFET yang tepat, tegangan sumber
gerbang ini harus lebih besar dari tegangan ambang MOSFET, yaitu VGS > VTH. Karena IS = ID,
tegangan gerbang, VG oleh karena itu sama juga:

Untuk mengatur tegangan penguat MOSFET ke nilai ini kita memilih nilai resistor, R1 dan R2
dalam jaringan pembagi tegangan ke nilai yang benar. Seperti yang kita ketahui dari atas, "tidak
ada arus" mengalir ke terminal gerbang dari perangkat MOSFET sehingga rumus untuk
pembagian tegangan diberikan sebagai:

Penguat MOSFET Tegangan Gerbang Bias  

Perhatikan bahwa persamaan pembagi tegangan ini hanya menentukan rasio dari dua resistor
bias, R1 dan R2 dan bukan nilai aktualnya. Juga diinginkan untuk membuat nilai dari kedua
resistor ini seluas mungkin untuk mengurangi kehilangan daya I2R dan meningkatkan resistansi
input penguat MOSFET.

Contoh Penguat MOSFET No.1

Penguat MOSFET common-source yang sama harus dibangun dengan menggunakan eMOSFET
kanal-n yang memiliki parameter konduksi 50mA/V2 dan tegangan ambang 2,0 volt. Jika
tegangan supply adalah +15 volt dan resistor bebannya adalah 470 Ohm, hitunglah nilai resistor
yang dibutuhkan untuk bias penguat MOSFET pada 1/3Vdd. Gambarlah diagram rangkaian.

Nilai yang diberikan: VDD = +15v, VTH = +2.0v, k = 50mA/V2 dan RD = 470Ω.

1. Arus drain, ID
2. Tegangan Sumber-gerbang, VGS

3. Tegangan Gerbang, VG

Dengan demikian menerapkan KVL melintasi MOSFET, tegangan sumber drain, VDS diberikan
sebagai:

4. Resistansi Sumber, RS

Rasio resistor pembagi tegangan, R1 dan R2 yang diperlukan untuk memberikan 1/3VDD dihitung
sebagai:

Jika kita memilih: R1 = 200kΩ dan R2 = 100kΩ ini akan memenuhi kondisi: VG = 1/3VDD. Juga
kombinasi resistor bias ini akan memberikan resistansi input pada penguat MOSFET sekitar
67kΩ.
Kita dapat mengambil skema ini selangkah lebih maju dengan menghitung nilai kapasitor
kopling input dan output. Jika kita mengasumsikan frekuensi cut-off yang lebih rendah untuk
penguat MOSFET kita katakanlah, 20Hz, maka nilai dari dua kapasitor memperhitungkan
impedansi input dari jaringan biasing gerbang dihitung sebagai:

Kemudian rangkaian akhir untuk rangkaian Penguat (Amplifier) MOSFET single stage

diberikan sebagai:

Single Stage Penguat MOSFET

Aplikasi Rangkaian MOSFET

1. Rangkaian MOSFET pengendali Kecepatan MOTOR

Mosfet pada umumnya di gunakan untuk driver pengendali kecepatan motor. dengan input PWM
pada Gate maka akan mengontrol tegangan yang lewat melalui Source ke Drain. Besar kecil nya
tegangan yang di lalui source dan Drain ini ditentukan besar kecil nya nilai PWM yang di input
di Gate. Lebih Jelas nya lihat gambar rangkaian di bawah ini
 mosfet pwm motor

Untuk aplikasi pengontrolan kecepatan motor dengan menggunakan MOSFET dan Arduino dan
ATmega bisa kita lihat di artikel selanjutnya.

2. Rangkaian MOSFET Sebagai Switch

Karena MOSFET juga bisa bekerja selayaknya Transistor, maka MOSFET juga bisa diguanakan
sebagai switch. Pada MOSFET N-Channel, ketika ada tegangan pada Gate, maka tegangan dari
Source akan mengalir ke Drain. begitu juga sebalik nya. Ketika tidak ada Tegangan pada Gate
maka tegangan dari source tidak akan mengalir. Untuk Rangkaian nya bisa dilihat pada gambar
rangkaian di bawah ini.