FIELD EFFECT TRANSISTOR Dan

MOSFET

Pengertian FET
FET singkatan dari Field Effect Transistor, adalah suatu komponen
semi konduktor yang cara kerjanya berdasarkan pengendalian arus
drain dengan medan listrik pada gate. FET disebut transistor unipolar
karena cara kerjanya hanya berdasarkan aliran pembawa muatan
mayoritas saja. Sedangkan transistor disebut bipolar junction transistor
karena bekerja berdasarkan aliran pembawa muatan mayoritas dan
minoritas.

898 89
9
Field Effect Transistor (FET) merupakan suatu jenis transistor khusus.
Tidak seperti transistor biasa, yang akan menghantar bila diberi arus basis,
transistor jenis ini akan menghantar bila diberikan tegangan (jadi bukan
arus). Kaki-kakinya diberi nama Gate (G), Drain (D) dan Source (S).
Kanal n dibuat dari bahan semikonduktor tipe n dan kanal p dibuat dari
semikonduktor tipe p. Ujung atas dinamakan Drain dan ujung bawah
dinamakan Source. Pada kedua sisi kiri dan kanan terdapat implant
semikonduktor yang berbeda tipe. Terminal kedua sisi implant ini
terhubung satu dengan lainnya secara internal dan dinamakan Gate.
Field efect (efek medan listrik) berasal dari prinsip kerja transistor ini yang
berkenaan dengan lapisan deplesi (depletion layer). Lapisan ini terbentuk
antara semikonduktor tipe n dan tipe p, karena bergabungnya elektron dan
hole di sekitar daerah perbatasan. Sama seperti medan listrik, lapisan
deplesi ini bisa membesar atau mengecil tergantung dari tegangan antara
gate dengan source.
Beberapa Kelebihan FET dibandingkan dengan transistor biasa ialah antara lain penguatannya
yang besar, serta desah yang rendah. Karena harga FET yang lebih tinggi dari transistor, maka
hanya digunakan pada bagian-bagian yang memang memerlukan. Ujud fisik FET ada berbagai
macam yang mirip dengan transistor. Seperti halnya dengan transistor, ada dua jenis FET yaitu
Kanal N dan Kanal P. Kecuali itu terdapat beberapa macam FET ialah Junktion FET (JFET) dan
Metal Oxide Semiconductor FET (MOSFET).
MOSFET

909 90
 Symbol MOSFET

Metal Oxide Semiconductor FET (MOSFET) adalah suatu jenis FET yang
mempunyai satu Drain, satu Source dan satu atau dua Gate. MOSFET
mempunyai input impedance yang sangat tinggi. Mengingat harga yang
cukup tinggi, maka MOSFET hanya digunakan pada bagian bagian yang
benar-benar memerlukannya. Penggunaannya misalnya sebagai RF
amplifier pada receiver untuk memperoleh amplifikasi yang tinggi dengan
desah yang rendah.
MOSFET (Metal oxide FET) memiliki drain, source dan gate. Namun
perbedaannya gate terisolasi oleh suatu bahan oksida. Gate sendiri terbuat
dari bahan metal seperti aluminium. Oleh karena itulah transistor ini
dinamakan metal-oxide. Karena gate yang terisolasi, sering jenis transistor
ini disebut juga IGFET yaitu insulated-gate FET.
Dalam pengemasan dan perakitan dengan menggunakan MOSFET perlu
diperhatiakan bahwa komponen ini tidak tahan terhadap elektrostatik,
mengemasnya menggunakan kertas timah, pematriannya menggunakan
jenis solder yang khusus untuk pematrian MOSFET. Seperti halnya pada
FET, terdapat dua macam MOSFET ialah Kanal P dan Kanal N.
Jenis-jenis Field Effect Transistor (FET) dan Cara Kerjanya

Pada dasarnya terdapat dua jenis klasifikasi utama pada Field Effect Transistor atau
FET ini, kedua jenis tersebut diantaranya adalah JFET (Junction Field Effect
Transistor) dan MOSFET (Metal Oxide Semiconduction Field Effect Transistor).

1. Junction FET (JFET)

Cara Kerja JFET pada prinsipnya seperti kran air yang mengatur aliran air pada
pipa. Elektron atau Hole akan mengalir dari Terminal Source (S) ke Terminal Drain
(D). Arus pada Outputnya yaitu Arus Drain (ID) akan sama dengan Arus Inputnya
yaitu Arus Source (IS). Prinsip kerja tersebut sama dengan prinsip kerja sebuah pipa
air di rumah kita dengan asumsi tidak ada kebocoran pada pipa air kita.

Besarnya arus listrik tergantung pada tinggi rendahnya Tegangan yang diberikan
pada Terminal Gerbangnya (GATE (G)). Fluktuasi Tegangan pada Terminal Gate
(VG) akan menyebabkan perubahan pada arus listrik yang melalui saluran IS atau ID.
Fluktuasi yang kecil dapat menyebabkan variasi yang cukup besar pada arus aliran
pembawa muatan yang melalui JFET tersebut. Dengan demikian terjadi penguatan
Tegangan pada sebuah rangkaian Elektronika.

919 91
Junction FET atau sering disingkat dengan JFET memiliki 2 tipe berdasarkan tipe
bahan semikonduktor yang digunakan pada saluran atau kanalnya. JFET tipe N-
Channel (Kanal N) terbuat dari bahan Semikonduktor tipe N dan P-Channel (Kanal
P) yang terbuat dari Semikonduktor tipe P.

1.1. JFET Kanal-N

Berikut dibawah ini adalah gambar struktur dasar JFET jenis Kanal-N.

Saluran atau Kanal pada jenis ini terbentuk dari bahan semikonduktor tipe N dengan
satu ujungnya adalah Source (S) dan satunya lagi adalah Drain (D). Mayoritas
pembawa muatan atau Carriers pada JFET jenis Kanal-N ini adalah Elektron.

Gate atau Gerbang pada JFET jenis Kanal-N ini terdiri dari bahan semikonduktor
tipe P. Bagian lain yang terbuat dari Semikonduktor tipe P pada JFET Kanal-N ini
adalah bagian yang disebut dengan Subtrate yaitu bagian yang membentuk batas di
sisi saluran berlawanan Gerbang (G).

Tegangan pada Terminal Gerbang (G) menghasilkan medan listrik yang

mempengaruhi aliran pada pembawa muatan yang melalui saluran tersebut.
Semakin Negatifnya VG, semakin sempit pula salurannya yang akhirnya
mengakibatkan semakin kecil arus pada outputnya (ID).

929 92
 1.2. JFET Kanal-P

Berikut dibawah ini adalah gambar struktur dasar JFET jenis Kanal-P.

Saluran pada JFET jenis Kanal-P terbuat dari Semikonduktor tipe P. Mayoritas
pembawa muatannya adalah Hole. Bagian Gate atau Gerbang (G) dan Subtrate-nya
terbuat dari bahan Semikonduktor tipe N.

Di JFET Kanal-P, semakin Positifnya VG, semakin sempit pula salurannya yang
akhirnya mengakibatkan semakin kecilnya arus pada Output JFET (I D).

Dari Simbolnya, kita dapat mengetahui mana yang JFET Kanal-N dan JFET Kanal-
P. Anak Panah pada simbol JFET Kanal-N adalah menghadap ke dalam sedangkan
anak panah pada simbol JFET Kanal-P menghadap keluar.

2. Metal Oxide Semiconduction Field Effect Transistor (MOSFET)

Seperti halnya JFET, Saluran pada MOSFET juga dapat berupa semikonduktor tipe-
N ataupun tipe-P. Terminal atau Elektroda Gerbangnya adalah sepotong logam
yang permukaannya dioksidasi. Lapisan Oksidasi ini berfungsi untuk menghambat
hubungan listrik antara Terminal Gerbang dengan Salurannya. Oleh karena itu,
MOSFET sering juga disebut dengan nama Insulated-Gate FET (IGFET). Karena
lapisan Oksidasi ini bertindak sebagai dielektrik, maka pada dasarnya tidak akan
terjadi aliran arus antara Gerbang dan Saluran. Dengan demikian, Impedansi Input
pada MOSFET menjadi sangat tinggi dan jauh melebihi Impedansi Input pada JFET.
Pada beberapa jenis MOSFET Impedansi dapat mencapai Triliunan Ohm
(1012 Ohm). Dalam bahasa Indonesia, MOSFET disebut juga dengan Transistor
Efek Medan Semikonduktor Logam-Oksida.

939 93
Salah kelemahan pada MOSFET adalah tipisnya lapisan Oksidasi sehingga sangat
rentan rusak karena adanya pembuangan elektrostatik (Electrostatic Discharge).

Seperti yang disebut sebelumnya, bahwa MOSFET pada dasarnya terdiri dari 2 tipe
yaitu MOSFET tipe N dan MOSFET tipe P.

2.1. MOSFET tipe N

MOSFET tipe N biasanya disebut dengan NMOSFET atau nMOS. Berikut dibawah
ini adalah bentuk struktur dan Simbol MOSFET tipe N.

2.2. MOSFET tipe P

MOSFET tipe P biasanya disebut dengan PMOSFET atau pMOS. Dibawah ini
adalah bentuk struktur dan Simbol MOSFET tipe P.

949 94
 Kelebihan dan Kelemahan FET

Jika dibandingkan dengan Transistor Bipolar, FET memiliki beberapa kelebihan dan
kelemahan. Salah satu kelebihan FET adalah dapat bekerja dengan baik di
rangkaian elektronika yang bersinyal rendah seperti pada perangkat komunikasi dan
alat-alat penerima (receiver). FET juga sering digunakan pada rangkaian-rangkaian
elektronika yang memerlukan Impedansi yang tinggi. Namun pada umumnya, FET
tidak dapat digunakan pada perangkat atau rangkaian Elektronika yang bekerja
untuk penguatan daya tinggi seperti pada perangkat Komunikasi berdaya tinggi dan
alat-alat Pemancar (Transmitter).

CARA MENGETES TRANSISTOR FET ( MOSFET )

MENGGUNAKAN MULTITESTER
Cara memeriksa transistor FET (MOSFET) menggunakan multitester

Cara kerjanya FET ( Field Efect Transistor) ini hampir mirip dengan transistor
bipolar (transistor biasa yang sering kita jumpai). Jika transistor bipolar
membutuhkan tegangan yang dapat menyediakan arus drive yang cukup untuk
Basis agar dapat menghandle arus Colektor – Emitor.

959 95
Maka FET ini hanya membutuhkan tegangan drive dan hampir sama sekali tidak
membutuhkan arus drive untuk Gate, untuk dapat mengontrol arus Source –
Drain.
Persamaannya dari FET dengan Transistor bipolar ini dilihat dari pinnya adalah
sebagai berikut :

1). Gate (G) «=» Basis (B)

2). Source (S) «=» Colektor (C)
3). Drain (D) «=» Emitor (E)

Mengukur/mengetes kondisi MOSFET berbeda dengan transistor atau diode,

berikut ini langkah langkahnya :

Cara mengontrol / mengukur FET jenis POSITIF ( P-CHANEL ) sebagai

berikut :

1). Ambil OHM-meter dan set pada posisi 10x

2). Pegang ujung logam probe merah dengan ujung jari tangan kiri dan
tempelkan (tahan terus-menerus) pada kaki (D)

969 96
3). Tangan kanan pegang probe hitam tetapi jangan menyentuh ujung probe
(pegang bagian plastiknya saja).

4). Probe hitam tempelkan sesa'at saja pada kaki (G) dengan cepat

5). Segera pindahkan probe hitam ke kaki (S), maka jarum harus bergerak
kekanan.

Jika jarum tidak bergerak sama sekali berarti FET kehilangan N faktor
penguatannya.

a). Lepaslah probe kabel hitam

b). Sentuh kaki (G) Gate dengan ujung jari tangan, maka jarum harus tidak
bergerak sama sekali jika probe kabel hitam ditempelkan kekaki Source (S).

Jika jarum menyimpang berarti FET short atau bocor rusak.

Cara mengontrol / mengukur FET jenis Negatif ( N-CHANEL ) sebagai

berikut :

1. Arahkan multimeter analog pada posisi ukur 10K

2. Tempelkan ujung tester negatif(hitam) ke kaki DRAIN

3.Tempelkan ujung tester positif(merah) ke kaki SOURCE

4.Dalam posisi 2 dan 3,sentuh bersamaan kaki GATE dan DRAIN menggunakan
jari.

979 97
jarum meter akan bergerak kira kira setengah dari skala penuh.

Untuk menghilangkan efek listrik statis pada MOSFET:

1.Tempelkan ujung tester negatif (hitam) ke kaki DRAIN (D)

2.Tempelkan ujung tester positif (merah) ke kaki GATE (G)

3. Dalam posisi 1 dan 2, sentuh kaki Gate (G) dengan jari tangan. Efek listrik
statis akan hilang, coba dengan menempelkan ujung probe tester merah ke kaki
SOURCE (S) , maka jarum meter tidak bergerak.

Pengetesan diatas untuk MOSFET N-Chanel,yg umum di pasaran,misalnya

2SK2746, IRFP460, IRF630, IRFZ44, IRF830, IRL3025 dll
Umumnya Mosfet ini dipakai di GACUN, Inverter, power supply jenis SMPS dan
lain sebagainya...
Jika semua kondisi diatas terpenuhi, maka MOSFET dalam keadaan sehat

Penjelasan :
a). Gate (G) sebagai kontrol input mempunyai kapasitansi yang sangat kecil
sekali. Kapasitansi Gate (G) ini bisa menyimpan muatan listrik.

b). Pada saat probe kabel hitam ditempelkan pada Gate (G), maka kapasitansi
Gate (G) mendapat muatan positif. Tegangan positif ini mengakibatkan resistansi
antara Source (S) – Drain (D) droop, sehingga jarum bergerak

c). Pada saat Drain (D) disentuh sentuh dengan jari, maka muatan positif akan
hilang terbuang melalui sentuhan jari. Dan resistasi antara Source (S) dan Drain
(D) akan berubah menjadi sangat besar sekali, sehingga jarum tidak bergerak.

Mengetes Mosfet Secara Akurat Menggunakan Multimeter Analog

989 98
Langkah Pengujian Mosfet
1. Atur multimeter analog pada posisi pengkukuran ohm meter X10Ω

2. Tempatkan probe tester warna hitam pada pin Drain, dan probe merah pada pin
Gate. Ini akan melepaskan kapasitansi dalam MOSFET.

3. Selanjutnya probe tester warna merah tempelkan ke pin Source, sementara probe
hitam menempel pada pin Drain.

4. Dengan probe warna merah masih menempel pada pin Source dan probe warna
hitam menempel pada pin Drain; sekarang gunakan ujung jari Anda untuk menyentuh
pin Gate dan pin Drain secara bersama-sama. Jarum multmeter analog harus bergerak
menuju ke sekitar posisi tengah pada indikator meter.

999 99
5. Lepaskan probe tester warna merah dari pin Source dulu sebentar, lalu tempelkan
kembali ke pin Source – hasilnya jarum multimeter analog harus bergerak
menyimpang ke posisi tengah indikator meter.

6. Untuk mengosongkan MOSFET kembali; lepaskan probe warna merah dari pin
Source kemudian tempelkan ke pin Gate – ini akan melepaskan kapasitansi dalam
Mosfet lagi, dan jika Anda menempelkan kembali probe merah pada pin Source dan
probe hitam ke pin Drain, maka jarum indikator meter tidak boleh bergerak karena
Anda tadi sudah membuangnya dengan menyentuhkan probe warna merah pin Gate.
7. Jika Anda menemukan pergerakan jarum indikator multitester sesuai deperti
pengetesan MOSFET diatas, maka artinya MOSFET masih normal alias bisa bekerja
dengan baik. Dan jika jarum indikator multitester bergerak semua ke arah angka 0
dan tidak kembali, maka bisa dipastikan MOSFET sudah kosleting.

100 10
101 10
102 10