Nama :

NIM :

A. Transistor efek medan sambungan ( junction field-effect = JFET )

JFET (junction field effect transistor ) atau yang disebut juga dengantransistor efek medan
persambungan merupakan salah satu jenis transistorunipolar yang pengoperasiannya
dikendalikan oleh tegangan (voltage-controlled device), tentu hal tersebut sangat berbeda
dengan sebuah transistor yangpengoperasiannya dikendalikan oleh arus listrik ( current -
controlled device).JFET adalah perangkat semikonduktor tiga terminal yang dapat digunakan
sebagai saklar elektronik dikontrol , amplifier , atau resistor tegangan dikendalikan .\
Tidak seperti transistor bipolar , JFET secara eksklusif tegangan - dikontrol dalam
bahwa mereka tidak membutuhkan arus biasing . Muatan listrik mengalir melalui saluran
semikonduktor antara sumber dan tiriskan terminal . Dengan menerapkan tegangan bias balik
ke terminal gerbang , saluran tersebut " terjepit " , sehingga arus listrik terhambat atau dimatikan
sama sekali . Sebuah JFET biasanya pada saat tidak ada perbedaan potensial antara gerbang dan
sumber terminal . Jika perbedaan potensial dari polaritas yang tepat diterapkan antara gerbang
dan sumber terminal , JFET akan lebih resistif terhadap aliran arus , yang berarti lebih sedikit
saat ini akan mengalir dalam saluran antara sumber dan tiriskan terminal . Dengan demikian ,
JFET kadang-kadang disebut sebagai perangkat penipisan -mode .
JFET dapat memiliki tipe-n atau tipe-p channel . Dalam tipe-n , jika tegangan
diterapkan ke pintu gerbang kurang dari yang diterapkan ke sumber , saat ini akan berkurang (
sama dalam tipe-p , jika tegangan diterapkan ke pintu gerbang lebih besar daripada diterapkan
ke sumber ) . Sebuah JFET memiliki impedansi masukan yang besar ( kadang-kadang di urutan
1.010 ohm ) , yang berarti bahwa ia memiliki efek yang dapat diabaikan pada komponen
eksternal atau sirkuit terhubung ke gerbang .
 Simbol JFET (Junction Field Effect Transistor)

Simbol JFET (junction field-effect transistor) untuk kanal-N dan kanal-P ditunjukkan pada
gambar diatas. Dalam simbol tersebut, arah tanda panah pada gate merupakan arah arus pada
persambungan seandainya diberi bias maju. Tetapi perlu diingat bahwa daerah kerja JFET adalah
bila persambungan tersebut diberi bias mundur. Oleh karena itulah, maka arus gate IG adalah nol
(sangat kecil) dan akibatnya resistansi input dari JFET adalah tinggi sekali (dalam orde puluhan
mega ohm).

Konstruksi JFET (Junction Field Effect Transistor) Kanal N

Konstruksi dasar komponen JFET (junction field-effect transistor) kanal-N adalah seperti
pada gambar diatas. Terlihat bahwa sebagian besar strukturnya terbuat dari bahan tipe-N yang
membentuk kanal. Bagian atas dari kanal dihubungkan ke terminal yang disebut Drain (D) dan
bagian bawah dihubungkan ke terminal yang disebut Source (S). Pada sisi kiri dan kanan dari
kanal-N dimasukkan bahan tipe P yang dihubungkan bersama-sama ke terminal yang disebut
dengan Gate (G).
Beberapa karakteristik JFET adalah sebagai berikut:
1. Dibuat saluran tipis dari sumber (source) S ke saluran/pembuangan (drain)D.
2. Sekeliling saluran (channel) berupa sambungan p-n dengan panjar mundur pada daerah
deplesi.
3. Lebar daerah deplesi akan bertambah jika tegangan sambungan dibuat lebih negatif.
4. Kemampuan saluran untuk menghantar (dalam hal ini saluran-n) tergantung lebarnya.
5. Lebar saluran dapat diubah-ubah dengan mengatur lebar daerah deplesi yaitu sepanjang
sambungan panjar-mundur.
6. Lebar dari daerah deplesi atau kemampuan menghantar pada saluran dapat dikontrol
dengan memberikan tegangan eksternal pada gerbang (gate) G.
Arus yang mengalir pada saluran adalah berupa pembawa muatan yang bergerak
(mobile), yaitu dalam hal ini berupa elektron. Perhatikan bahwa tanda panah pada simbol selalu
mengarah ke material tipe-n; dengan demikian dapat dibuat juga jenis saluran-p. Dengan > 0 DS
v , ujung D akan positif terhadap S dan elektron akan mengalir dari S ke D atau muatan positif
mengalir dari D ke S dan arus drain D i berharga positif.
B. Trasistor efek medan semi-konduktor metal-oksida ( metal-oxide semiconductor field
effect transistor = MOSFET
Transistor efek-medan semikonduktor logam-oksida (MOSFET) adalah salah satu
jenis transistor efek medan. Prinsip dasar perangkat ini pertama kali diusulkan oleh Julius Edgar
Lilienfeld pada tahun 1925 . MOSFET mencakup kanal dari bahan semikonduktor tipe-N dan
tipe-P, dan disebut NMOSFET atau PMOSFET (juga biasa nMOS, pMOS). Ini adalah transistor
yang paling umum pada sirkuit digital maupun analog, namun transistor sambungan dwikutub
pada satu waktu lebih umum.
Berbagai simbol digunakan untuk MOSFET. Desain dasar umumnya garis untuk
saluran dengan kaki sumber dan cerat meninggalkannya di setiap ujung dan membelok kembali
sejajar dengan kanal. Garis lain diambil sejajar dari kanal untuk gerbang. Kadang-kadang tiga
segmen garis digunakan untuk kanal peranti moda pengayaan dan garis lurus untuk moda
pemiskinan.

Kanal-P

Kanal-N

Sambungan badan jika ditampilkan digambar tersambung ke bagian tengan kanal

dengan panah yang menunjukkan PMOS atau NMOS. Panah selalu menunjuk dari P ke N,
sehingga NMOS (kanal-N dalam sumur-P atau substrat-P) memiliki panah yang menunjuk
kedalam (dari badan ke kanal). Jika badan terhubung ke sumber (seperti yang umumnya
dilakukan) kadang-kadang saluran badan dibelokkan untuk bertemu dengan sumber dan
meninggalkan transistor.
Struktur MOSFET dan formasi kanal

Sebuah transistor efek-medan semikonduktor–logam–oksida (MOSFET) adalah

berdasarkan pada modulasi konsentrasi muatan oleh kapasitansi MOS di antara elektrode
badan dan elektrode gerbang yang terletak di atas badan dan diisolasikan dari semua daerah
peranti dengan sebuah lapisan dielektrik gerbang yang dalam MOSFET adalah sebuah
oksida, seperti silikon dioksida. Jika dielektriknya bukan merupakan oksida, peranti
mungkin disebut sebagai FET semikonduktor–logam–terisolasi (MISFET) atau FET
gerbang–terisolasi (IGFET). MOSFET menyertakan dua saluran tambahan yaitu sumber
dan cerat yang disambungkan ke daerah dikotori berat tersendiri yang dipisahkan dari
daerah badan. Daerah tersebut dapat berupa tipe-p ataupun tipe-n, tetapi keduanya harus
dari tipe yang sama, dan berlawanan tipe dengan daerah badan. Daerah sumber dan cerat
yang dikotori berat biasanya ditandai dengan '+' setelah tipe pengotor. Sedangkan daerah
yang dikotori ringan tidak diberikan tanda.
Jika MOSFET adalah berupa salur-n atau NMOS FET, lalu sumber dan cerat adalah
daerah 'n+' dan badan adalah daerah 'p'. Maka seperti yang dijelaskan di atas, dengan
tegangan gerbang yang cukup, di atas harga tegangan ambang, elektron dari sumber
memasuki lapisan inversi atau salur-n pada antarmuka antara daerah-p dengan oksida.
Kanal yang menghantar ini merentang di antara sumber dan cerat, dan arus dialirkan
melalui kanal ini jika ada tegangan yang dikenakan di antara sumber dan cerat.
Jika tegangan gerbang dibawah harga ambang, kanal kurang terpopulasi dan hanya
sedikit arus bocoran praambang yang dapat mengalir dari sumber ke cerat.
C. Transistor satu sambungan (Unijunction Transistor = UJT)
UniJunction Transistor mempunyai tiga saluran, sebuah emitor (E) dan dua basis
(B1 dan B2). Basis dibentuk oleh batang silikon tipe-n yang terkotori ringan. Dua
sambungan ohmik B1 dan B2 ditambahkan pada kedua ujung batang silikon. Resistansi di
antara B1 dan B2 ketika emitor dalam keadaan rangkaian terbuka dinamakan resistensi
antarbasis (interbase resistance).
Cara kerja UniJunction Transistor yaitu UJT dipanjar dengan tegangan positif di
antara kedua basis. Ini menyebabkan penurunan tegangan disepanjang peranti. Ketika
tegangan emitor dinaikkan kira-kira 0,7V diatas tegangan difusi P (emitor), arus mulai
mengalir dari emitor ke daerah basis. Karena daerah basis disupply sangat ringan, arus
tambahan (sebenarnya muatan pada daerah basis) menyebabkan modulasi konduktifitas
yang mengurangi resistansi basis di antara pertemuan emitor dan saluran B2. Pengurangan
resistansi berarti pertemuan emitor lebih dipanjar maju, dan bahkan ketika lebih banyak
arus diinjeksikam. Secara keseluruhan, efeknya adalah resistansi negatif pada saluran
emitor. Inilah alasan mengapa UJT sangat berguna, terutama untuk sirkuit osilator
sederhana.
Penggunaan UniJunction Transistor yaitu pada osilator relaksasi, selain
penggunaan pada osilator relaksasi, penggunaan UJT dan PUT yang paling penting adalah
untuk menyulut tiristor (seperti SCR, TRIAC, dll). Faktanya, tegangan DC dapat
digunakan untuk mengendalikan sirkuit UJT dan PUT karena waktu hidup peranti
meningkat sesuai dengan peningkatan tegangan kendali DC. Penggunaan ini penting untuk
pengendalian AC arus tinggi. Salah satu contoh Aplikasi Unipolar Junction Transistor
adalah sebagai Osilator Relaksasi. Osilator Relaksasi adalah Osilator dimana kondensator
diisi sedikit demi sedikit dan lalu dikosongkan dengan cepat.
 Struktur dasar Uni Junction Transistor atau UJT dapat dilihat pada gambar dibawah
ini. Pada dasarnya UJT terdiri dari semikonduktor jenis Silikon yang bertipe N yang
didoping ringan dan sepotong Silikon bertipe P yang berukuran kecil dengan doping tinggi
(berat) di satu sisinya untuk menghasilkan sambungan tunggal P-N (P-N Junction).
Sambungan Tunggal inilah yang kemudian dijadikan terminologi UJT yaitu Uni Junction
Transistor. Di kedua ujung batang silikon yang bertipe N, terdapat dua kontak Ohmik yang
membentuk terminal B1 (Basis 1) dan (Basis 2). Daerah Semikonduktor yang bertipe P
menjadi Terminal Emitor (E) pada UJT tersebut.
Berikut ini adalah Bentuk dan Struktur dasar serta Simbol Uni Junction Transistor
(Transistor Sambungan Tunggal).

Cara Kerja Uni Junction Transistor (UJT)

Saat Tegangan diantara Emitor (E) dan Basis 1 (B1) adalah Nol, UJT tidak
menghantarkan arus listrik, Semikonduktor batang yang bertipe N akan berfungsi sebagai
penghambat (memiliki resistansi yang tinggi). Namun akan ada sedikit arus bocor yang
mengalir karena bias terbalik (reverse bias).
Pada saat tegangan di Emitor (E) dan Basis 1 (B1) dinaikan secara bertahap,
resistansi diantara Emitor dan Basis 1 akan berkurang dan arus terbalik (reverse current)
juga akan berkurang. Ketika Tegangan Emitor dinaikan hingga ke level bias maju, arus
listrik di Emitor akan mengalir. Hal ini dikarenakan Hole pada Semikonduktor yang di
doping berat bertipe P mulai memasuki daerah semikonduktor tipe N dan bergabung
kembali dengan Elektron yang di Batang Semikonduktor bertipe N (yang di doping ringan).
Dengan demikian Uni Junction Transistor atau UJT ini kemudian mulai menghantarkan
arus listrik dari B2 ke B1.