Laporan Praktikum Elektronika Industri

JFET & BJT Sebagai DC Switch

Politeknik Elektronika Negeri Surabaya

Electronic Engineering Polytechnic Institute of Surabaya

Dosen Pengampu :
Dr. Eng. Agus Indra Gunawan ST, M.Sc.

Disusun oleh :
Mukhamad Ali Fiqri (1103181044)

Surabaya
2019
 JFET Sebagai DC Switch

I. Tujuan
1. Untuk memahami prinsip dasar saklar elektronik menggunakan transistor BJT & JFET.
2. Untuk dapat melakukan analisa dan menyimpulkan hasil dari praktikum.

II. Komponen Rangkaian

1. Papan PCB Dot Matrix 2 buah
2. Transistor HF331 (NPN Silicone) 2 buah
3. LED 5mm 2 buah
4. Transistor 2N5457 2 buah
5. Resistor 4 buah

III. Dasar Teori

1.JFET
Switch atau saklar adalah sebuah perangkat yang digunakan untuk memutuskan atau
menghubungkan aliranan listrik. Jadi saklarpada dasarnya adalah penyambung atau pemutus
aliran listrik.

DC switch yang dimaksud adalah switch yang menggunakan komponen semikonduktor,

sehingga dapat dikontrol oleh aliran listrik. Ada berberapa macam komponen yang dapat
digunakan untuk dc switch antara lain : Transistor, MOSFET, SCR, dan SSR. Setiap komponen yang
digunakan memiliki karakteristik yang berbeda.

Transistor Efek Medan Persimpangan (JFET) tidak memiliki PN-Junction tetapi memiliki bagian
sempit bahan Semikonduktor Resistivitas tinggi membentuk "Saluran" Tipe-N atau Silikon Tipe-
P untuk pembawa mayoritas mengalir melalui dua koneksi Ohmik disebut Drain dan Sumber.

Dua konfigurasi dasar transistor efek medan :

➤ N-channel JFET
Saluran N-channel JFET didoping dengan pengotor donor berarti aliran arus melalui Saluran Negatif
(N-channel) dalam bentuk Elektron.

➤ P-channel JFET
Saluran P-channel JFET didoping dengan Impurities Akseptor berarti aliran arus melalui Saluran
Positif (P-channel) dalam bentuk lubang.

(D)-Drain (G)-Gate (S)-Source

N-channel JFET memiliki konduktivitas saluran yang lebih besar (Resistansi yang lebih rendah)
daripada jenis saluran P yang setara, karena elektron memiliki mobilitas yang lebih tinggi melalui
konduktor dibandingkan dengan lubang. Membuat N-channel JFET menjadi konduktor yang lebih
efisien dibandingkan dengan P-channel.
N-channel JFET Biasing

PN-Junction memiliki Bias Balik yang tinggi pada terminal Drain dan Reverse Bias yang lebih
rendah pada terminal Source. Menyebabkan "Lapisan Deplesi" dibentuk dalam Saluran dan
lebarnya bertambah dengan Bias.

Arus yang mengalir melalui saluran antara Drain dan Source dikendali kan oleh tegangan yang
diterapkan ke terminal Gate, yang merupakan Bias Balik. Dalam N-channel JFET, tegangan Gate
Negatif sedangkan untuk P-channel JFET, tegangan Gate Positif.

Diagram penampang menunjukkan Saluran Tipe-N dengan daerah Tipe-P yang disebut Gerbang
yang terdifusi ke dalam Saluran Tipe-N yang membentuk suatu Persimpangan-PN Bias-Balik dan
membentuk daerah Deplesi sekitar area Gerbang ketika tidak ada tegangan eksternal yang
diterapkan. JFET dikenal sebagai Perangkat Mode Penyusutan.

JFET Channel Pinched-Off

Tanpa tegangan Gerbang eksternal (VG = 0), dan tegangan kecil (VDS) yang diterapkan
antara Drain dan Source, Arus saturasi maksimum (IDSS) akan mengalir melalui saluran dari
Saluran ke Sumber yang dibatasi hanya oleh daerah penipisan kecil di sekitar persimpangan.

Jika tegangan Negatif kecil (-VGS) diterapkan ke Gerbang ukuran wilayah penipisan mulai
meningkat mengurangi keseluruhan area efektif saluran dan mengurangi arus yang mengalir
melaluinya, semacam efek “Peras” terjadi.
Karena Bias Terbalik, arus mengalir ke Gerbang. Ketika tegangan Gate (-VGS) lebih Negatif, lebar
saluran menurun sampai tidak ada arus mengalir antara Drain dan Sumber dan FET dikatakan
"Terjepit-Off" (wilayah Cut-Off untuk BJT). Tegangan di mana saluran menutup disebut "Pinch-Off
Voltage" (VP).

Pinch-Off, tegangan Gerbang, VGS mengontrol arus saluran dan VDS memiliki sedikit atau
tanpa efek. Hasilnya FET bertindak lebih seperti resistor yang dikontrol tegangan yang memiliki
Resistansi nol ketika VGS = 0 dan maksimum "ON" Resistance (RDS) ketika tegangan Gate Negatif.
Operasi normal, gerbang JFET selalu Bias Negatif Relatif terhadap sumbernya.

Karakteristik JFET

P-channel Junction Field Effect Transistor beroperasi sama dengan N-channel, dengan
pengecualian
➽ Arus saluran positif karena lubang
➽ Polaritas tegangan bias harus dibalik
Karakteristik Output JFET N-channel (Gerbang hubungan singkat ke Sumber).

Menunjukkan empat wilayah operasi berbeda.

➽ Daerah Ohmic
Ketika VGS = 0 lapisan penipisan saluran sangat kecil dan JFET bertindak seperti Resistor
yang dikontrol tegangan.
 Cut-Off Region
- Daerah Pinch-Off adalah tegangan Gate, VGS cukup untuk menyebabkan
JFET bertindak rangkaian terbuka sebagai Hambatan Saluran Maksimal.
  Saturasi atau Wilayah Aktif
- JFET menjadi konduktor yang baik dan dikendalikan oleh tegangan
Gerbang-Sumber, (VGS) sementara tegangan Sumber Pembuangan,
(VDS) memiliki sedikit atau tidak ada efek.
 Breakdown Region
- Tegangan antara Drain dan Source, (VDS) cukup tinggi
untuk menyebabkan Saluran Resistivitas JFET memecah
dan melewatkan arus maksimum.

Karakteristik Kurva P-channel sama, kecuali ID arus Pembuangan berkurang dengan

meningkatnya tegangan Gate-Source Positif, VGS. Arus Drain adalah nol ketika VGS = VP. Untuk
operasi normal, VGS Bias berada antara VP dan 0. menghitung arus Drain, ID untuk setiap titik bias
dalam kejenuhan atau wilayah aktif.

Drain Current pada Active Region

Nilai Arus Drain akan berada di antara Nol (Pinch-Off) dan IDSS (arus maksimum).

Mengetahui Drain ID saat ini dan tegangan Drain-Source VDS resistensi saluran (ID).

Drain-Source Channel Resistance

gm - "Keuntungan Transkonduktansi" JFET - perangkat yang dikontrol tegangan dan mewakili laju
perubahan dari arus Drain sehubungan dengan perubahan tegangan Gerbang-Sumber.

Mode Field Effect Transistor

Menjadi Perangkat Tiga Terminal, Tiga Mode Operasi

yang berbeda dan dihubungkan dalam rangkaian konfigurasi.

Konfigurasi Common Source (CS)

(Mirip Common Emitor), Input diterapkan ke Gate dan outputnya diambil dari Drain seperti yang
ditunjukkan. Mode Operasi FET umum karena Impedansi masukan yang tinggi dan Amplifikasi
tegangan yang baik dan Penguat Common Source digunakan secara luas.
Moda sumber umum koneksi FET digunakan Penguat Frekuensi Audio dan dalam Pre-Amp
Impedansi masukan tinggi dan tahapan. Menjadi sirkuit menguatkan, Sinyal Output 180o "Out-of-
Phase" dengan Input.

Konfigurasi Common Gate (CG)

(Mirip Common Base), Input diterapkan ke Sumber dan outputnya diambil dari Drain dengan
Gerbang terhubung langsung ke tanah (0v). Impedansi input yang tinggi dari koneksi sebelumnya
hilang dalam konfigurasi karena gerbang memiliki impedansi masukan yang rendah, tetapi
impedansi output yang tinggi.

Jenis konfigurasi FET digunakan dalam Sirkuit Frekuensi Tinggi atau Rangkaian Pencocokan
Impedansi yang Impedansi Input yang Rendah harus dicocokkan dengan Impedansi
Output yang Tinggi. Outputnya "In-Phase" dengan Input.

Konfigurasi Common Drain (CD)

(Mirip Common Collector), input diterapkan ke Gate dan outputnya diambil dari Sumber.
Pengurasan umum atau konfigurasi “Follower Sumber” memiliki Impedansi Input yang tinggi dan
Impedansi Output yang rendah dan Gain tegangan Near-Unity, digunakan dalam Buffer Amplifier.

Gain tegangan Konfigurasi pengikut sumber kurang dari satu, dan sinyal output adalah "In-Phase",
0o dengan Sinyal Input.
 Jenis konfigurasi sebagai "Pengurasan Umum" karena tidak ada sinyal yang tersedia di
sambungan saluran, tegangan yang ada, + VDD hanya memberikan bias. Output dalam fase
dengan input.

2.BJT (Bipolar Junction Transistor)

Transistor Bipolar adalah salah satu jenis transistor yang terbentuk dari 2 dioda sehingga memiliki
polaritas atau sisi positif dan sisi negatif. Biasanya transistor Bipolar atau disebut dengan BJT (Basis
Junction Transistor) memiliki 2 jenis, diantaranya yaitu Transistor PNP dan Transistor NPN. Transistor ini
memiliki 3 polaritas yang biasa disebut B (Basis), E (Emiter), C (Collector). Basis berfungsi sebagai base
atau tempat berkumpulnya kumpulan aliran arus yang masuk ke transistor, Emiter dan Collector sebagai
aliran arus masuk dan keluar.

Lambang Transistor BJT

Sudah jelas seperti gambar di atas bahwa transistor PNP memiliki simbol yang arah panahnya masuk
dan sebaliknya untuk NPN arah panah dari emiter mengarah keluar.

Bentuk aliran arus pada Transistor BJT adalah

Bentuk aliran arus pada sebuah transistor dapat dirumuskan dengan hukum KCL ( Kirchoff Current Law)
Atau hukum Kirchoff I, yang dirumuskan sebagai berikut.

IE = IC + IB

Keterangan:
IE =ArusEmitter
IC =ArusCollector
IB =ArusBasis
Pada Transistor BJT nilai arus IB relatif sangat kecil terhadap IC, maka IB ini dapat diabaikan. Sehingga persamaan
diatas bisa berubah menjadi

IE = IC

Keterangan:

IE =ArusEmitter
IC =ArusCollector

Kenapa persamaan pertama bisa berubah?

Itu dikarenakan nilai IB pada Transistor relatif kecil hal ini diakibatkan karena adanya parameter α dc (Alpha - DC)
dan β dc (Beta DC) yang besarnya dinyatakan sebagai berikut

α dc = Ic/IE

Keterangan:

αdc=AlphaDC
IE =ArusEmitter
IC =ArusCollector

Alpha DC merupakan sebuah parameter yang menunjukan suatu kualitas kerja transistor, biasanya hasil dari
alpha DC sudah tertulis pada datasheet transistor itu sendiri biasanya besar dari alpha DC nilainya 0.95 - 0.99
atau mendekati 1 (Satu). Jika nilainya sangat mendekati angka satu maka sudah dipastikan bahwa transistor
tersebut bagus.

β dc = IC/IB

Keterangan:

βdc=BetaDC
IB =ArusBasis
IC =ArusCollector

Beta DC adalah rasio antara arus Collector dengan arus Basis. Nilai ini merupakan suatu nilai penguatan dari
sebuah Transistor bekerja. Biasanya nilai penguatan yang dihasilkan oleh transistor BJT sekitar 100 kali.
IV. Langkah Percobaan
1.JFET

(Rangkaian percobaan)

1. Menyiapkan alat dan bahan yang dibutuhkan.

2. Membuat rangkaian seperti pada gambar rangkaian, atur VDD dengan tegangan 12 V dari
sumber tegangan modul.
3. Mengatur VG (V input) dari Function Generator sebesar 5Vp-p.
4. Mengukur perubahan nilai Ib, Ic, Vce untuk setiap perubahan Vb.
5. Melakukan perhitungan hfe nilai Ib dan Ic yang didapat, dan membandingkan dengan hasil
pengukuran.
2.BJT

1. Menyiapkan alat dan bahan yang dibutuhkan.

2. Membuat rangkaian seperti pada gambar rangkaian, atur VDD dengan tegangan 12 V dari
sumber tegangan modul.
3. Mengatur VG (V input) dari Function Generator sebesar 5Vp-p.
4. Mengukur perubahan nilai Ib, Ic, Vce untuk setiap perubahan Vb.
5. Melakukan perhitungan hfe nilai Ib dan Ic yang didapat, dan membandingkan dengan
hasil pengukuran.
V. Hasil
1. Analisa datasheet

2. Simulasi rangkaian

(Rangkaian skematik dengan software Proteus)

3. Data hasil percobaan

(Rangkaian DC Switch dengan menggunakan JFET tipe 2N5457)

a. Sinyal input pada Gate (VG) dengan mengggunakan Function Generator dengan input
5Vp-p

(input function generator)

Dilihat gelombang input dengan menggunakan oscilloscope , hasil input kotak akan tetapi
Dikarenakan masalah pada oscilloscope, maka keluaran sinyal tidak sempurna “hasil
gelombangnya sedikit putus putus dikarenakan settingan trigger oscilloscope bermasalah”.

b. Sinyal output
 Pada function generator diatur input yang sama, dengan frekuensi 50KHz.

(Hasil output sinyal 50kHz)

Dilihat sinyal keluran output reverse dengan sinyal input function generator ini
dikarenakan Ketika gate pada rangkaian FET sebagai switch ditriger low maka hasil output
Reverse dengan gelombang input yaitu high , maka beban lampu indikasi menyala dan
sebaliknya jika input switch ditriger high maka output sinyal akan low . dan beban lampu
indikasi tidak teraliri arus dan tegangan .

Membuat sinyal output pada keluaran 1MHz

(Sinyal input dengan gelombang frekuensi 1 MHz)

(Hasil output gelombang dengan frekuensi input 1 MHz)

 Pada frekuensi diatas 800kHz yaitu 1 MHz sinyal peak akan semakin belok .

VI. Daftar Pustaka