DISUSUN OLEH :
FAKULTAS TEKNIK
UNIVERSITAS NEGERI YOGYAKARTA
2019
Cara Kerja Rangkaian BJT Beserta Kurva Karakteristiknya
Bipolar Junction Transistor (BJT) atau Transistor persambungan bipolar merupakan transistor
yang tersusun atas tiga terminal semikonduktor terdoping yang dipisahkan oleh dua
sambungan pn. 3 terminal tersebut adalah Base (B), Collector (C), dan Emitter (E). Daerah
base merupakan semikonduktor dengan sedikit doping dan sangat tipis bila dibandingkan
dengan emitter (doping paling banyak) maupun kolektor (semikonduktor berdoping
sedang). Fungsi utama pembuatan transistor BJT adalah sebagai penguat (amplifier). Karena
sifatnya, transistor ini juga dapat digunakan dalam keperluan lain, seperti sebagai saklar
elektronis.
BJT terbagi atas 2 jenis yaitu NPN dan PNP. Apabila daerah P berada pada himpitan antara
dua daerah N maka disebut transistor NPN, dan jika daerah N berada pada himpitan antara
dua daerah P maka disebut transistor PNP. Sambungan pn yang menghubungkan daerah base
dan emitter dikenal sebagai sambungan base-emiter (base-emitter junction), sedangkan
sambungan pn yang menghubungkan daerah base dan kolektor dikenal sebagai sambungan
base-kolektor (base-collector junction). Istilah bipolar digunakan karena adanya elektron dan
hole sebagai muatan pembawa (carriers) didalam struktur transistor.
Prinsip Transistor sebagai Penguat (amplifier), artinya transistor bekerja pada wilayah antara
titik jenuh dan kondisi terbuka (cut off), tetapi tidak pada kondisi keduanya. Prinsip
Transistor sebagai penghubung (saklar) yaitu, transistor akan mengalami Cutoff apabila arus
yang melalaui basis sangat kecil sekali sehinga kolektor dan emitor akan seperti kawat yang
terbuka, dan Transistor akan mengalami jenuh apabila arus yang melalui basis terlalu besar
sehingga antara kolektor dan emitor bagaikan kawat terhubung dengan begitu tegangan
antara kolektor dan emitor Vce adalah 0 Volt itulah mengapa transistor dapat difungsikan
sebagai saklar.
1. Kurva Kolektor
Karakteristik kolektor yang terlihat dari pengamatan kurva kolektor dibawah ini
merelasikan antara IC , VBE, dan IB sebagai sumber parameter. Dari kurva kolektor
tersebut, tampak disana ada 4 daerah yaitu daerah aktif, daerah saturation (jenuh),
daerah cuf-off (putus), dan daerah breakdown (dadal).
Daerah aktif
Daerah antara tegangan lutut (knee), VK dan tegangan dadal (breakdown), VBR serta
diatas IB = ICO. Daerah aktif terjadi bila sambungan emitor diberi bias maju dan
sambungan kolektor diberi bias balik. Pada daerah aktif arus kolektor sebanding
dengan arus basis ( IC = IB).
Keterangan:
VK = tegangan lutut (knee)
IB = Arus basis
ICO = Arus cut-off
VCE = Tegangan kolektor-emitor
VCE(sat) = Tegangan kolektor-emitor pada daerah saturasi
2. Kurva Basis
Kurva karakteristik basis merelasikan antara arus basis (IB) dan tegangan basis-emitor
(VBE) dengan tegangan kolektor-emitor (VCE) sebagai parameternya
Kurva basis diatas dapat terlihat pada alat ukur yang bernama osiloskop dengan cara
menghubung singkatkan kolektor-emitor (VCE = 0) dan emitor diberi bias maju.
Dengan bertambahnya VCE pada VBE yang konstan (tetap), maka lebar daerah
deplesi di sambungan kolektor bertambah dan mengakibatkan lebar basis efektif
berkurang. Dengan berkurangnya lebar basis, maka arus basis (IB) rekombinasi juga
berkurang. Catatan :
VK (tegangan lutut) atau tegangan ambang/threshold.
Untuk transistor silikon = 0.5 sampai 0,6 volt
Untuk transistor germanium = 0,1 sampai 0,2 volt
VBE (tegangan basis-emitor) di daerah aktif.
Untuk transistor silikon = 0.7 volt
Untuk transistor germanium = 0,2 volt
VBE transistor ideal.
VBE = 0 volt
3. Kurva Beta
Kurva beta menunjukkan bahwa nilai β akan berubah dengan dipengaruhi oleh suhu
(T) dan arus kolektor (IC). Berikut karakteristiknya:
Nilai β bertambah jika suhu (T) naik.
Nilai β bertambah jika arus kolektor (IC) naik.
Nilai β turun jika arus kolektor (IC) naik di luar nilai tertentu.
1. Konversi: Transistor BJT mengkonversi arus menjadi arus, FET mengkonversi tegangan
menjadi arus
2. Arus input: BJT membutuhkan arus input, FET tidak membutuhkan arus input
3. Input/output: Hubungan input/output BJT adalah linear direpresentasikan oleh sebuah
garis lurus, namun hubungan input/output sebuah FET tidak linear untuk sinyal-sinyal
besar (bertegangan tinggi). Hal ini dapat mengakibatkan terjadinya distorsi pada sinyal-
sinyal besar yang diumpankan ke sebuah FET
4. Kecepatan: FET dapat melaksanakan proses pensaklaran secara lebih cepat
dibandingkan BJT, namun demikian kedua jenis transistor ini dirasa cukup cepat untuk
memenuhi kebutuhan sebagian besar aplikasi elektronik
5. Tegangan input: sebuah FET menjadi aktif ketika tegangan gate-sourcenya melampaui
suatu tegangan ambang. Tegangan gate dapat memiliki nilai yang berada dalam kisaran
antara tegangan ambang dan tegangan sumber, ketika FET dalam keadaan aktif.
Tegangan basis-emitor BJT akan selalu mendekati nilai 0,7 V, ketika BJT dalam keadaan
aktif, terlepas dari berapa besar arus inputnya
6. Resistor input: sebuah FET tidak membutuhkan sebuah resistor di depan terminal
gatenya. Hal ini dapat menjadikan rangkaian yang bersangkutan jauh lebih sederhana
7. Tahanan output: kebanyakan FET memiliki tahanan yang sangat rendah ketika berada
dalam keadaan aktif, biasanya kurang dari 1 Ohm. Hal ini membuat komponen-
komponen ini sangat cocok untuk digunakan dalam rangkaian saklar transistor.
6. RB = 7935,302 Ω
VBB = VTh =2,04 V
ICQ = VBB – VBE
RB/ β + RE
= 1,347
779,191
= 0,00172 A
VCE = VCC – ICQ
= 15,998
VCEmaks = VCC = 16 V
Icmaks = VCC / Rdc
= 9249,795 A
ICQ = Rdc