Memahami Garis

Beban dan Titik

Kerja Transistor BJT
Fakultas : FTI
Program studi : TEKNIK ELEKTRO
Tatap Muka

10
Kode Matakuliah : 31253E1FA
Disusun oleh : Silviana Windasari, B.Sc., S.T., M.T

Dasar Elektronika
Memahami Garis Beban dan Titik Kerja 1
Transistor BJT

Memahami Garis Beban dan Titik Kerja Transistor BJT

Pada pertemuan sebeumnya kita telah mempelajari tentang bipolar Junction transistor atau Biasa
disingkat dengan BJT. Kita ulas dengan singkat cara kerjan BJT. Kita mulai dari jenisnya terlebih dahulu,
ada dua jenis BJT, ada yang berjenis NPN atau pun ada yang berjenis PNP. Pada transistor jenis NPN
ada dua tipe-n semisal di sebelah kiri dan sebelah kanan dan satu type P, nanti yang membedakan di
sebelah kiri memiliki jumlah elektron atau jumlah doping yang lebih banyak dibandingkan yang
sebelah kanan. Jadi jumlah doping di sebelah kiri lebih banyak dibanding sebelah kanan, di sebelah kiri
disebut dengan emiter, di sebelah kanan disebut dengan kolektor. Walaupun jumlah doping di
kolektor lebih sedikit, yang membedakannya lagi yaitu dia memiliki panjang yang lebih dibandingkan
emiter. Jadi kalau dilihat di kolektor ukuran devicenya atau disini lebih panjang dibanding yang Emiter.
Kemudian di bagian tengah atau di pita p disebut dengan base, Dia memiliki hole (lubang) dan ukuran
dari base itu paling sempit di antara emitor dan kolektor. Jika transistor NPN kita berikan Bayes atau
tegangan. Di kolektor kita akan memberikan tegangan positif dan di emiter akan kita berikan tegangan
negatif, maka yang terjadi adalah di kolektor, karena dia n dan diberikan positif kemudian base P,
sehingga di kolektor dan base akan terjadi yang disebut dengan depletion layer. Pada kolektor dan
base maka terjadi depletion layer, karena diberikan n diberikan positif dan P adalah negatifnya
sehingga dia terjadi apa yang disebut dengan depression layer. Walaupun di emitor dan base tidak
ada arus tetapi tetap ada difusi elektron dari N ke P yang menyebabkan adanya tetap lapisan tipis
depression region, yang sebesar biasanya kalau di bahan silikon itu 0,7 volt. Barrier voltage 0,7 V
menyebabkan elektron dari emiter tidak langsung masuk ke base. Sehingga membutuhkan sebuah
sumber arus dari base, untuk membuat base dan emiter menjadi Forward Bias (bias maju). Di base
diberikan tegangan positif. Jika di base kita beri tegangan lebih besar dari 0,7 V, maka elektron dari
emiter ke base akan bisa masuk, karena dia memiliki Barrier voltage 0,7 V, sehingga nanti akan ada
aliran elektron dari emiter ke base. Karena banyaknya elektron yang masuk ke base sehingga di base,
nanti akan menjadi tempat banyaknya elektron. Kemudian akan terjadi Forward Bias (bias maju) juga.
Karena di P positif dan disisi N juga positif tapi karena disisi P ada banyak elektron dia akan tembus ke
kolektor, sehingga nanti elektron yang ada di base itu akan masuk juga ke kolektor. Ini juga merupakan
salah satu alasan kenapa di base (P) dibuat tipis, supaya elektron bisa tembus ke kolektor sehingga
nanti di kolektor akan banyak elektron, sehingga nanti dia akan berkumpul di kolektor atau
dikumpulkan di kolektor. Sehingga penamaan kolektor juga sebagai pengumpul bagi elektron,
sehingga nanti ada total elektron dari emitor ke kolektor dan ada sedikit yang masuk atau rekombinasi
di Bias. Namun biasanya hanya 2% - 3% tidak banyak, sehingga diharapkan nanti elektron diameter
akan masuk semua ke kolektor. Persamaannya kalau dilihat dari sisi arusnya harus adalah masuk dari

Dasar Elektronika
Memahami Garis Beban dan Titik Kerja 2
Transistor BJT

N sisi kanan (sisi kolektor) dapat ditulis 𝐼𝐶 atau Arus Kolektor, dari P sisi tengah (sisi base) dapat ditulis
𝐼𝐵 atau Arus Base dan dari N sisi kiri (sisi emiter) dapat ditulis 𝐼𝐸 .

𝐼𝐸 = 𝐼𝑐 + 𝐼𝐵

kalau dari sisi elektronnya maka elektron di emiter dia ada yang sedikit masuk ke base, namun
kebanyakan adalah meluncur ke kolektor. Ini merupakan cara kerja dari BJT, sehingga kita bisa
mengatur jumlah elektron dengan menggunakan arus yang ada di base. Jadi kalau di sini kita gunakan
tegangan 0,7 volt dia baru bisa on, sebaliknya dia off ketika tegangannya kurang dari 0,7V atau tidak
diberi tegangan. Sehingga kita bisa menggunakan transistor BJT sebagai on-off switch dari emitor ke
kolektor.

Pada bab 10 kita akan belajar tentang dasar-dasar pembiasan transistor dan kita juga akan
mempelajari berbagai terminologi seperti titik-Q dan garis beban dalam konteks pembiasan transistor.
Jadi, pertama-tama, mari kita pahami apa itu bias? dan mengapa kita perlu membias transistor?.
Sekarang, seperti yang kita ketahui, salah satu aplikasi BJT yang paling umum adalah menggunakannya
sebagai amplifier (Penguat). Dimana jika kita menerapkan sinyal yang bervariasi waktu sebagai input,
maka itu memperkuat sinyal input. Tapi BJT tidak akan memperkuat sinyal input sampai kita
menggunakan catu daya DC. Dan faktanya, energi yang disuplai oleh suplai DC digunakan untuk
memperkuat sinyal input. Jadi, proses pengaplikasian sumber tegangan DC ke BJT dikenal dengan
istilah biasing. Jadi, untuk memahami transistor biasing, kita akan menggunakan konfigurasi common
emitor. Sekarang, setiap kali BJT digunakan sebagai penguat, maka dibias sedemikian rupa, sehingga
sambungan basis-emitor mendapat bias maju (Forward Bias) dan sambungan kolektor-basis
mendapat bias balik. Dan begitu kita menerapkan sumber tegangan DC ke BJT maka arus dan tegangan
akan terbentuk di rangkaian. Dan seperti yang telah kita lihat di materi pertemuan sebelumnya,
tegangan 𝑽𝑩𝑬 dan 𝑰𝑩 adalah parameter di sisi input, sedangkan tegangan 𝑽𝑪𝑬 dan 𝑰𝑪 adalah
parameter di sisi output. Dan setelah membiaskan BJT di wilayah aktif, jika kita menerapkan
gelombang sinus sebagai input maka kita harus mendapatkan sinyal yang diperkuat pada output.
Tetapi apakah kita akan mendapatkan output yang diperkuat dengan benar atau tidak, itu tergantung
pada seberapa baik bias BJT di wilayah aktif. Jadi,kita perlu pahami melalui karakteristik keluaran. Jadi,
katakanlah BJT bias sedemikian rupa sehingga 𝑽𝒄𝒆 sama dengan 5V dan arus kolektor 𝑰𝒄 sama dengan
10 mA. Dan titik pada kurva kolektor dikenal sebagai titik operasi atau titik-Q dari BJT. Dan alasannya
dikenal sebagai titik operasi karena memberi tahu kita tegangan operasi dan arus transistor yang
diberikan. Jadi, titik operasi khusus, memberi tahu kita bahwa transistor bias sedemikian rupa
sehingga, semisal arus basis 𝑰𝑩 sama dengan 30 𝜇𝐴 dan tegangan 𝑽𝑪𝑬 dan 𝑰𝒄 masing-masing adalah

Dasar Elektronika
Memahami Garis Beban dan Titik Kerja 3
Transistor BJT

5V dan 10 mA. Jadi, pada dasarnya, titik pada kurva kolektor, memberitahu kita kondisi pengoperasian
transistor. Sekarang, titik operasi harus berada di wilayah aktif. Tapi di wilayah aktif, itu bisa diatur di
mana saja. Jadi, titik ini bisa di tengah, atau bisa juga di tempat lain. Jadi, setiap kali titik operasi ada
di sebuah rangkaian, setiap kali kita menerapkan sinyal AC, maka sebagian dari sinyal yang diperkuat
akan terpotong. Karena seperti yang kita ketahui, tegangan 𝑽𝑪𝑬 tidak bisa di bawah 0 volt. Demikian
pula, setiap kali dioperasikan pada titik tertentu, maka sebagian arus juga akan terpotong. Karena arus
kolektor tidak bisa di bawah nol ampere. Dan karena itu, sebagian tegangan 𝑽𝑪𝑬 juga akan terpotong.
Itu berarti setiap kali titik operasi mendekati saturasi atau daerah cut-off, maka hal itu dapat
menyebabkan distorsi non-linear dalam bentuk gelombang keluaran. Juga jika kita perhatikan, ketika
BJT beroperasi di wilayah tertentu, maka BJT beroperasi di dekat wilayah gangguan. Dan
pengoperasian BJT di wilayah ini harus dihindari. Di sisi lain, ketika titik operasi berada di tengah kurva
kolektor, maka dimungkinkan untuk memperkuat sinyal input tanpa distorsi apa pun. Dan juga di
wilayah ini, perolehan BJT hampir konstan. Itu berarti untuk amplifikasi sinyal kecil, titik bias atau titik
operasi harus berada di wilayah tengah kurva kolektor. Sekarang, aspek penting lainnya dari biasing
adalah stabilitas titik operasi. Karena dengan suhu, titik operasi dapat berubah. Karena dengan suhu,
parameter perangkat seperti arus transistor dan arus saturasi balik akan berubah. Jadi, rangkaian
biasing yang dirancang harus memberikan stabilitas suhu sedemikian rupa sehingga meskipun ada
perubahan suhu, maka ada perubahan minimum pada titik operasi. Dan stabilitas titik operasi
ditentukan oleh istilah faktor stabilitas. yang menunjukkan perubahan titik operasi dengan perubahan
suhu. Jadi, di pertemuan ini kita akan melihat berbagai teknik pembiasaan untuk BJT dan kita akan
membandingkan stabilitas konfigurasi pembiasaan yang berbeda. Jadi, pertama-tama, mari kita mulai
dengan konfigurasi fixed-bias yang sangat sederhana. seperti yang kita ketahui, sinyal input AC
diterapkan di antara basis dan terminal emitor, sedangkan output diambil melintasi kolektor dan
terminal emitor. Karena kami tertarik pada analisis DC rangkaian, jadi kami dapat mengganti semua
kapasitor dengan rangkaian terbuka. Dan setelah itu jika dilihat rangkaian ekuivalennya. Sekarang,
alasannya dikenal sebagai konfigurasi bias tetap, karena untuk catu daya yang diberikan jika kita
memperbaiki nilai resistor basis ini maka arus basis 𝑰𝑩 akan tetap. Dan di sini, jika kita menandai
voltase maka voltase 𝑽𝑩𝑬 adalah voltase di sisi input sedangkan voltase 𝑽𝑪𝑬 adalah voltase di sisi
output. Jadi, pertama-tama, mari kita cari tahu ekspresi untuk 𝑰𝑩 arus basis ini. Jadi, jika Anda
perhatikan di sini, tegangan di node ini sama dengan 𝑽𝑩𝑬 . Jadi, dari sini, kita dapat mengatakan bahwa
arus basis 𝑰𝑩 sama dengan tegangan 𝑽𝑩𝑩 , dikurangi 𝑽𝑩𝑬 , dibagi dengan Rb. Sekarang, di sini nilai
tipikal 𝑽𝑩𝑬 sama dengan 0,7V. Jadi, untuk tegangan suplai yang diberikan, setelah kita menetapkan
nilai Rb, maka arus basis 𝑰𝑩 akan tetap. Dan setelah kita mengetahui nilai arus basis ini, maka kita
dapat menemukan nilai arus kolektor dan tegangannya 𝑽𝑪𝑬 . Sekarang, kita tahu bahwa arus kolektor

Dasar Elektronika
Memahami Garis Beban dan Titik Kerja 4
Transistor BJT

𝑰𝑪 dapat diberikan sebagai beta kali 𝑰𝑩 . Jadi, dari arus basis 𝑰𝑩 , kita dapat menemukan nilai arus
kolektor. Sekarang, jika kita menerapkan KVL di sisi keluaran, maka kita dapat menulis ekspresi sebagai
𝑽𝑪𝑪 , minus tegangan resistor 𝑹𝑪 , katakanlah sama dengan minus Vrc, minus 𝑽𝒄𝒆 , sama dengan 0. Atau
dari sini , kita dapat mengatakan bahwa tegangan 𝑽𝒄𝒆 = 𝑽𝑪𝑪 − 𝑉𝑟𝑐. Itu sama dengan 𝑽𝑪𝑪 −
(𝑰𝑪 × 𝑅𝐶 ) Jadi, dengan cara ini kita juga bisa mendapatkan nilai 𝑽𝑪𝑬 . Jadi, di sini tegangan 𝑽𝑪𝑬 dan
arus kolektor 𝑰𝑪 menentukan titik operasi transistor. Nah dari persamaan tersebut jika diperhatikan,
jika nilai 𝑹𝑩 dan 𝑹𝑪 berubah atau nilai 𝑽𝑪𝑪 berubah maka titik operasi juga akan berubah. Jadi,
sekarang mari kita cari tahu bagaimana parameter jaringan ini menentukan nilai yang mungkin dari
titik operasi. Sekarang kita dapat menulis, arus kolektor 𝑰𝑪 sama dengan tegangan 𝑽𝑪𝑪 , dikurangi 𝑽𝑪𝑬 ,
dibagi dengan 𝑹𝑪 . Jadi, arus kolektor 𝑰𝑪 ini akan maksimum setiap kali tegangan 𝑽𝑪𝑬 sama dengan
nol. Itu berarti nilai maksimum arus kolektor akan sama dengan tegangan 𝑽𝑪𝑪 dibagi 𝑹𝑪 . Itu berarti
arus kolektor ini akan maksimum setiap kali tegangan 𝑽𝑪𝑬 sama dengan nol. Demikian pula, setiap
kali 𝑰𝑪 arus kolektor ini nol, pada saat itu nilai 𝑽𝑪𝑬 akan maksimum. Jadi, kita dapat mengatakan
bahwa tegangan 𝑽𝑪𝑬 (maks) sama dengan 𝑽𝑪𝑪 . Jadi, dari grafik ini, kita dapat mengatakan bahwa,
setiap kali arus kolektor 𝑰𝑪 ini nol pada saat itu, nilai 𝑽𝑪𝑬 maksimum. Jadi, jika kita menggabungkan
kedua titik ini, maka kita akan mendapatkan nilai yang mungkin dari titik operasi untuk nilai 𝑽𝑪𝑪 dan
𝑹𝑪 yang diberikan. Jadi, garis ini juga dikenal sebagai garis beban. Karena itu ditentukan oleh nilai
resistor 𝑹𝑪 ini. Nah disini jika nilai 𝑰𝑩 diubah dengan memvariasikan 𝑹𝑩 , maka Q-point juga akan
berubah. Jadi, untuk nilai 𝑽𝑪𝑪 dan 𝑹𝑪 yang diberikan, jika nilai 𝑰𝑩 dinaikkan, maka titik-Q juga akan
bergerak ke atas. Demikian pula dengan menjaga 𝑽𝑪𝑪 tetap, jika kita mengubah nilai 𝑹𝑪 , maka garis
beban juga akan berubah. Jadi, di sini tiga garis beban yang berbeda ditunjukkan untuk nilai 𝑹𝑪 yang
berbeda. Untuk nilai tetap arus basis, jika garis beban berubah maka titik operasi juga akan bergeser
ke sisi kiri. Demikian pula dengan menjaga nilai 𝑹𝑪 fix, jika kita mengubah nilai 𝑽𝑪𝑪 , maka garis beban
akan terlihat seperti ini. Jadi ditampilkan garis beban yang berbeda untuk nilai 𝑽𝑪𝑪 yang berbeda. Tapi
katakanlah, untuk nilai 𝑽𝑪𝑪 dan 𝑹𝑪 yang diberikan, kita mendapatkan garis beban ini. Dan titik
operasinya juga diatur di sini. Sekarang, seperti yang saya katakan sebelumnya, saat suhu berubah,
maka titik operasi juga akan berubah. Karena dengan temperatur, nilai beta atau gain arus dari
transistor juga akan berubah. Atau seandainya kita mengganti transistor, maka nilai beta juga akan
berubah. Karena jika Anda mengambil transistor serupa maka mereka juga memiliki nilai beta yang
berbeda. Jadi, sekarang mari kita ambil satu contoh sederhana, dan mari kita pahami bagaimana
variasi dalam versi beta dapat memengaruhi titik operasi. Jadi, katakanlah untuk satu transistor nilai
nominal beta sama dengan 100. Dan karena perubahan suhu atau karena penggantian transistor, beta
bervariasi dari 50 hingga 200. Dan dengan asumsi tegangan 𝑽𝑩𝑬 adalah tidak berubah dengan suhu,
arus basis 𝑰𝑩 diatur ke 30 μA. Sekarang, katakanlah, nilai 𝑹𝑪 sama dengan 1,5 𝑘Ω. Dan nilai 𝑽𝑪𝑪 sama

Dasar Elektronika
Memahami Garis Beban dan Titik Kerja 5
Transistor BJT

dengan 10V. Jadi, setiap kali beta sama dengan 100 pada saat itu, 𝑰𝑪 arus kolektor akan sama dengan
100 ∗ 30 𝜇𝐴. Itu sama dengan 3 mA. Dan untuk itu, jika kita menghitung nilai 𝑽𝑪𝑬 , maka akan sama
dengan 10V - (1,5* 3 mA) Yaitu sama dengan 5,5 V. Jadi, pada saat itu, titik operasi akan akan berada
di sini. Itu berarti 𝑽𝑪𝑬 sama dengan 5.5V dan arus kolektor 𝑰𝑪 sama dengan 3 mA. Sekarang,
katakanlah kita telah mengganti transistor dan karena itu sekarang nilai beta yang baru sama dengan
50. Jadi, dalam hal ini, 𝑰𝑪 arus kolektor sama dengan 50 * 30 uA. Itu sama dengan 1,5 mA. Dan pada
saat itu, jika kita menghitung nilai 𝑽𝑪𝑬 , maka akan sama dengan 10V - (1,5 * 1,5 mA) yaitu sama
dengan 7,75V. Itu berarti kapan pun, nilai beta menjadi 50, pada saat itu, titik operasinya akan berada
di sekitar sini. Karena pada saat itu nilai 𝑽𝑪𝑬 sama dengan 7,75 V dan nilai 𝑰𝑪 sama dengan 1,5 mA.
Demikian pula, mari kita juga lihat kapan beta menjadi 200. Jadi, pada saat itu, arus kolektor 𝑰𝑪 akan
sama dengan (200)*(30 𝜇𝐴). Itu sama dengan 6 mA. Dan pada saat itu, nilai 𝑽𝑪𝑬 akan sama dengan
10V - (1,5 * 6 mA) yaitu sama dengan 1V. Jadi, pada saat itu, titik operasinya ada di sekitar sini. Karena
pada saat itu arus kolektor 𝑰𝑪 sama dengan 6 mA dan tegangan 𝑽𝑪𝑬 sama dengan 1V. Jadi, ini
menunjukkan kemungkinan perubahan maksimum pada titik operasi karena perubahan suhu atau
karena perubahan transistor. Itu berarti dalam konfigurasi bias tetap ini, bahkan jika kita menetapkan
nilai tetap dari arus basis, titik operasi juga dapat bervariasi karena perubahan parameter eksternal.
Kita akan bahas lebih lanjut pada sub bab berikut ini.

10.1 Garis Beban (The Load Line)

Agar transistor berfungsi sebagai penguat atau saklar, terlebih dahulu harus diatur kondisi rangkaian
dc-nya dengan benar. Ini disebut sebagai membiaskan transistor dengan benar. Berbagai metode
biasing dimungkinkan, dengan masing-masing memiliki kelebihan dan kekurangan. Dalam bab ini, kita
akan mulai dengan bias dasar.

Bias Basis (Base Bias)

Rangkaian Gambar 10-1a adalah contoh dari bias basis, yang berarti mengatur nilai arus basis yang
tetap. Misalnya, jika 𝑅𝐵 = 1 𝑀𝛺, arus basis adalah 14.3 A (perkiraan kedua). Bahkan dengan
penggantian transistor dan perubahan suhu, arus basis tetap pada sekitar 14,3 A dalam semua kondisi
operasi.

Jika 𝛽𝑑𝑐 = 100 pada Gambar 10-1a, arus kolektor kira-kira 1,43 𝑚𝐴 dan tegangan kolektor-emitor
adalah:

𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶 𝑅𝐶 = 15V − (1.43mA)(3kΩ) = 10.7V

Dasar Elektronika
Memahami Garis Beban dan Titik Kerja 6
Transistor BJT

Oleh karena itu, titik diam, atau Q, pada Gambar 10-1a adalah:

𝐼𝐶 = 1.43mA dan 𝑉𝐶𝐸 = 10.7V

Solusi Grafis (Graphical Solution)

Kita juga dapat menemukan titik Q menggunakan solusi grafis berdasarkan garis beban transistor,
grafik IC versus VCE. Pada Gambar 10-1a, tegangan kolektor-emitor diberikan oleh:

𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶 𝑅𝐶

Pemecahan untuk IC memberikan:

𝑉𝐶𝐶−𝑉𝐶𝐸
𝐼𝐶 = (10-1)
𝑅𝐶

Jika kita membuat grafik persamaan ini (IC versus VCE), kita akan mendapatkan garis lurus. Garis ini
disebut garis beban karena mewakili pengaruh beban pada I C dan VCE. Misalnya, mensubstitusi nilai
Gambar 10-1a ke dalam Persamaan. (10-1) memberikan:

Gambar 10-1 Bias dasar. (a) Sirkuit; (b) garis beban

15V − 𝑉𝐶𝐸
𝐼𝐶 =
3kΩ

Dasar Elektronika
Memahami Garis Beban dan Titik Kerja 7
Transistor BJT

Persamaan ini adalah persamaan linier; yaitu, grafiknya adalah garis lurus. (Catatan: Persamaan linier
adalah persamaan apa pun yang dapat direduksi menjadi bentuk standar y = mx + b.) Jika kita
membuat grafik persamaan di atas di atas kurva kolektor, kita mendapatkan Gambar 10-1b. Ujung
garis beban adalah yang paling mudah ditemukan. Ketika V CE = 0 dalam persamaan garis beban
(persamaan di atas):

15V
𝐼𝐶 = = 5mA
3kΩ

Nilai IC = 5 mA dan VCE = 0 diplot sebagai ujung atas garis beban pada Gambar 10-1b. Ketika IC = 0,
persamaan garis beban memberikan:

15V − 𝑉𝐶𝐸
0=
3kΩ

Atau

𝑉𝐶𝐸 = 15V

Koordinat IC = 0 dan VCE = 15 V diplot sebagai ujung bawah garis beban pada Gambar 10-1b.

Ringkasan Visual dari Semua Titik Operasi (Visual Summary of All Operating Points)
Mengapa garis beban berguna? Karena berisi setiap titik operasi yang mungkin untuk sirkuit. Dengan
kata lain, ketika resistansi dasar bervariasi dari nol hingga tak terhingga, itu menyebabkan I B bervariasi,
yang membuat IC dan VCE bervariasi di seluruh rentangnya. Jika Anda memplot nilai I C dan VCE untuk
setiap kemungkinan nilai IB, Anda akan mendapatkan garis beban. Oleh karena itu, garis beban adalah
ringkasan visual dari semua kemungkinan titik operasi transistor.

Titik Kejenuhan (The Saturation Point)

Ketika resistansi basis terlalu kecil, arus kolektor terlalu banyak, dan tegangan kolektor-emitor turun
mendekati nol. Dalam hal ini, transistor masuk ke saturasi. Ini berarti bahwa arus kolektor telah
meningkat ke nilai maksimum yang mungkin. Titik jenuh adalah titik pada Gambar 10-2b dimana garis
beban memotong daerah jenuh dari kurva kolektor. Karena tegangan kolektor-emitor VCE pada
saturasi sangat kecil, titik jenuh hampir menyentuh ujung atas garis beban. Mulai sekarang, kita akan
mendekati titik jenuh sebagai ujung atas garis beban, mengingat ada sedikit kesalahan. Titik saturasi
memberi tahu Anda arus kolektor maksimum yang mungkin untuk rangkaian. Misalnya, transistor
pada Gambar10-2a menjadi saturasi ketika arus kolektor kira-kira 5 mA. Pada saat ini, VCE telah

Dasar Elektronika
Memahami Garis Beban dan Titik Kerja 8
Transistor BJT

menurun menjadi sekitar nol. Ada cara mudah untuk mencari arus pada titik jenuh. Visualisasikan
hubungan pendek antara kolektor dan emitor untuk mendapatkan Gambar 10-2b. Kemudian VCE turun
menjadi nol. Semua 15 V dari suplai kolektor akan melintasi 3 kΩ. Oleh karena itu, arusnya adalah:

15V
𝐼𝐶 = = 5mA
3kΩ

Anda dapat menerapkan metode "pendek mental" ini ke rangkaian bias-basis apa pun. Berikut adalah
rumus untuk arus saturasi pada rangkaian bias-basis:

Ini mengatakan bahwa nilai maksimum arus kolektor sama dengan tegangan suplai kolektor dibagi
dengan resistansi kolektor. Ini tidak lebih dari hukum Ohm yang diterapkan pada resistor kolektor.
Gambar 10-2b adalah pengingat visual dari persamaan ini.

𝑽𝑪𝑪
𝑰𝑪( sat ) = (10-2)
𝑹𝑪

Gambar 10-2 Menemukan ujung garis beban. (a) Sirkuit; (b) menghitung arus saturasi kolektor; (c)
menghitung tegangan cutoff kolektor-emitor.

Ketika transistor dalam keadaan jenuh, peningkatan lebih lanjut pada arus basis tidak menghasilkan
peningkatan lebih lanjut pada arus kolektor.

Dasar Elektronika
Memahami Garis Beban dan Titik Kerja 9
Transistor BJT

Transistor terputus ketika arus kolektornya nol.

Titik Pemisahan (The Cutoff Point)

Titik potong adalah titik di mana garis beban memotong daerah potong kurva kolektor pada Gambar
10-2b. Karena arus kolektor pada cutoff sangat kecil, titik cutoff hampir menyentuh ujung bawah garis
beban. Mulai sekarang, kami akan memperkirakan titik potong sebagai ujung bawah garis beban. Titik
cutoff memberitahu Anda tegangan kolektor-emitor maksimum yang mungkin untuk rangkaian. Pada
Gambar 10-2a, VCE maksimum yang mungkin adalah sekitar 15 V, tegangan suplai kolektor. Ada proses
sederhana untuk menemukan tegangan cutoff. Visualisasikan transistor pada Gambar 10-2a sebagai
bukaan antara kolektor dan emitor (lihat Gambar 10-2c). Karena tidak ada arus melalui resistor
kolektor untuk kondisi terbuka ini, semua 15 V dari suplai kolektor akan muncul di antara terminal
kolektor-emitor. Oleh karena itu, tegangan antara kolektor dan emitor akan sama dengan 15 V:

10.2 Titik Operasi (The Operating Point)

Setiap rangkaian transistor memiliki garis beban. Mengingat sirkuit apa pun, tentukan arus saturasi
dan tegangan cutoff. Nilai-nilai ini diplot pada sumbu vertikal dan horizontal. Kemudian tarik garis
melalui kedua titik tersebut untuk mendapatkan garis beban.

Merencanakan Titik Q (Plotting the Q Point)

Gambar 10-3a menunjukkan rangkaian bias-basis dengan resistansi basis 500 kΩ. Kami mendapatkan
arus saturasi dan tegangan cutoff dengan proses yang diberikan sebelumnya. Pertama, visualisasikan
hubungan pendek melintasi terminal kolektor-emitor. Kemudian semua tegangan suplai kolektor
muncul di resistor kolektor, yang berarti bahwa arus saturasi adalah 5 mA. Kedua, visualisasikan
terminal kolektor-emitor terbuka. Kemudian tidak ada arus, dan semua tegangan suplai muncul di
terminal kolektor-emitor, yang berarti bahwa tegangan cutoff adalah 15 V. Jika kita memplot arus
saturasi dan tegangan cutoff, kita dapat menggambar garis beban yang ditunjukkan pada Gambar. 10-
3b.

Dasar Elektronika
Memahami Garis Beban dan Titik Kerja 10
Transistor BJT

Gambar 10-3 Menghitung titik Q. (a) Sirkuit; (b) perubahan penguatan arus mengubah titik Q.

Mari kita buat diskusi sederhana untuk saat ini dengan mengasumsikan transistor yang ideal. Ini
berarti bahwa semua tegangan suplai basis akan muncul melintasi resistor basis. Oleh karena itu, arus
basis adalah:

15V
𝐼𝐵 = = 30𝜇A
500kΩ

Kami tidak dapat melanjutkan sampai kami memiliki nilai untuk keuntungan saat ini. Misalkan gain
arus transistor adalah 100. Maka arus kolektor adalah:

𝐼𝐶 = 100(30𝜇A) = 3mA

Arus yang mengalir melalui 3 kΩ ini menghasilkan tegangan 9 V melintasi resistor kolektor. Ketika kita
mengurangi ini dari tegangan suplai kolektor, kita mendapatkan tegangan melintasi transistor. Berikut
perhitungannya:

𝑉𝐶𝐸 = 15V − (3mA)(3kΩ) = 6V

Dengan memplot 3 mA dan 6 V (arus dan tegangan kolektor), kita mendapatkan titik operasi yang
ditunjukkan pada garis beban pada Gambar 10-3b. Titik operasi diberi label Q karena titik ini sering
disebut titik diam. (Diam berarti hening, hening, atau istirahat.)

Dasar Elektronika
Memahami Garis Beban dan Titik Kerja 11
Transistor BJT

Mengapa Titik Q Bervariasi?

Kami mengasumsikan keuntungan saat ini sebesar 100. Apa yang terjadi jika keuntungan saat ini
adalah 50? Kalau 150? Untuk memulai, arus basis tetap sama karena penguatan arus tidak
berpengaruh pada arus basis. Idealnya, arus basis ditetapkan pada 30 A. Ketika keuntungan saat ini
adalah 50:

𝐼𝐶 = 50(30𝜇A) = 1.5mA

dan tegangan kolektor-emitor adalah:

𝑉𝐶𝐸 = 15V − (1.5mA)(3kΩ) = 10.5V

memplot nilai memberikan titik rendah QL ditunjukkan pada Gambar. 10-3b. Jika keuntungan saat ini
adalah 150, maka:

𝐼𝐶 = 150(30𝜇A) = 4.5mA

dan tegangan kolektor-emitor adalah:

𝑉𝐶𝐸 = 15V − (4.5mA)(3kΩ) = 1.5V

memplot nilai-nilai ini memberikan QH titik tinggi yang ditunjukkan pada Gambar. 10-3b. Tiga titik Q
pada Gambar 10-3b menggambarkan betapa sensitifnya titik operasi transistor bias-basis terhadap
perubahan βdc. Ketika penguatan arus bervariasi dari 50 hingga 150, arus kolektor berubah dari 1,5
menjadi 4,5 mA. Jika perubahan gain arus jauh lebih besar, titik operasi dapat didorong dengan mudah
ke saturasi atau cutoff. Dalam hal ini, rangkaian penguat akan menjadi tidak berguna karena hilangnya
penguatan arus di luar wilayah aktif.

Rumus
Rumus untuk menghitung titik Q adalah sebagai berikut:

𝑽𝑩𝑩−𝑽𝑩𝑬
𝑰𝑩 = (10-3)
𝑹𝑩

𝑰𝐶 = 𝜷dc . 𝑰𝑩 (10-4)

Dasar Elektronika
Memahami Garis Beban dan Titik Kerja 12
Transistor BJT

𝑽𝑪𝑬 = 𝑽𝑪𝑪 − 𝑰𝑪 𝑹𝑪 (10-5)

Rangkuman

Garis Beban (The Load Line)

Garis beban dc berisi semua kemungkinan titik operasi dc dari rangkaian transistor. Ujung atas dari
garis beban disebut saturasi, dan ujung bawah disebut cutoff. Langkah kunci dalam menemukan arus
saturasi adalah dengan memvisualisasikan hubungan pendek antara kolektor dan emitor. Langkah
kunci untuk menemukan tegangan cutoff adalah dengan memvisualisasikan bukaan antara kolektor
dan emitor.

Titik Kerja (The Operating Point)

Garis beban dc berisi semua kemungkinan titik operasi dc dari rangkaian transistor. Ujung atas dari
garis beban disebut saturasi, dan ujung bawah disebut cutoff. Langkah kunci dalam menemukan arus
saturasi adalah dengan memvisualisasikan hubungan pendek antara kolektor dan emitor. Langkah
kunci untuk menemukan tegangan cutoff adalah dengan memvisualisasikan bukaan antara kolektor
dan emitor.

Important Formulas
(10-1) Load-line analysis:

Dasar Elektronika
Memahami Garis Beban dan Titik Kerja 13
Transistor BJT

(10-2) Saturation current (base bias):

(10-3) Cutoff voltage (base bias):

(10-4) Base current:

Dasar Elektronika
Memahami Garis Beban dan Titik Kerja 14
Transistor BJT

(10-5) Current gain:

(10-6) Collector-emitter voltage:

Dasar Elektronika