TUGAS

ELEKTRONIKA DASAR 2

NAMA : DONA FITRI AYU

NIM : 17033010
PRODI : PENDIDIKAN FISIKA B

JURUSAN FISIKA

FAKULTAS MATEMATIKA DAN ILMU PENGETAHUAN ALAM

UNIVERSITAS NEGERI PADANG

2019
 KONSTRUKSI TRANSISTOR BIPOLAR
Transistor adalah komponen semikonduktor yang terdiri atas sebuah bahan type p
dan diapit oleh dua bahan tipe n (transistor NPN) atau terdiri atas sebuah bahan tipe n dan
diapit oleh dua bahan tipe p (transistor PNP). Sehingga transistor mempunyai tiga terminal
yang berasal dari masing-masing bahan tersebut. Struktur dan simbol transistor bipolar dapar
dilihat pada gambar. Disamping itu yang perlu diperhatikan adalah bahwa ukuran basis
sangatlah tipis dibanding emitor dan kolektor. Perbandingan lebar basis ini dengan lebar
emitor dan kolektor kurang lebih adalah 1 : 150. Sehingga ukuran basis yang sangat sempit
ini nanti akan mempengaruhi kerja transistor. Simbol transitor bipolar ditunjukkan pada
gambar. Pada kaki emitor terdapat tanda panah yang nanti bisa diketahui bahwa itu
merupakan arah arus konvensional. Pada transistor npn tanda panahnya menuju keluar
sedangkan pada transistor pnp tanda panahnya menuju kedalam.

Gambar 1 Simbol Transitor bipolar ditunjukkan pada

Ketiga terminal transistor tersebut dikenal dengan Emitor (E), Basis (B) dan
Kolektor (C). Emitor merupakan bahan semikonduktor yang diberi tingkat doping sangat
tinggi. Bahan kolektor diberi doping dengan tingkat yang sedang. Sedangkan basis adalah
bahan dengan dengan doping yang sangat rendah. Perlu diingat bahwa semakin rendah
tingkat doping suatu bahan, maka semakin kecil konduktivitasnya. Hal ini karena jumlah
pembawa mayoritasnya (elektron untuk bahan n; dan hole untuk bahan p) adalah sedikit.
 Gambar. Kontruksi Transistor PNP dan Transistor NPN

Gambar Kurva Hubungan IC dan IB

Aliran Arus Listrik pada Transistor PNP dan NPN

Pada transistor baik untuk tipe NPN atau PNP anak panah selalu ditempat emitor
artinya anak panah menunjuk arus listrik konvensional dimana arahnya berlawanan denga
arah arus elektron.

Transistor PNP : Arus listrik yang besar akan mengalir dari emitter ke collector. Apabila
ada arus kecil yang mengalir dari emitter ke base.
 C

E
Transistor NPN : Arus listrik yang besar akan mengalir dari collector ke emitter, apabila
ada arus kecil yang mengalir dari base ke emitter. Dalam hal ini transistor
mirip dengan amplifier, yang mengontrol jumlah arus dari collector ke
emitter oleh arus yang mengalir dari base. Transistor juga mirip dengan
fungsi sakelar. Transistor akan bekerja pada posisi ON, yaitu arus akan
mengalir dari collector ke emitter apabila arus kecil mengalir dari base.
Sedangkan transistor akan berada pada posisi OFF, apabila tidak ada arus
yang mengalir dari base.
C

Prinsip Kerja dari Transistor

Cara kerja Transistor

Dari banyak tipe-tipe transistor modern, pada awalnya ada dua tipe dasar transistor,
bipolar junction transistor (BJT atau transistor bipolar) dan field-effect transistor (FET), yang
masing-masing bekerja secara berbeda. Transistor bipolar dinamakan demikian karena kanal
konduksi utamanya menggunakan dua polaritas pembawa muatan: elektron dan lubang, untuk
membawa arus listrik. Dalam BJT, arus listrik utama harus melewati satu daerah/lapisan
pembatas dinamakan depletion zone, dan ketebalan lapisan ini dapat diatur dengan kecepatan
tinggi dengan tujuan untuk mengatur aliran arus utama tersebut.

FET (juga dinamakan transistor unipolar) hanya menggunakan satu jenis pembawa
muatan (elektron atau hole, tergantung dari tipe FET). Dalam FET, arus listrik utama
mengalir dalam satu kanal konduksi sempit dengan depletion zone di kedua sisinya
(dibandingkan dengan transistor bipolar dimana daerah Basis memotong arah arus listrik
utama). Dan ketebalan dari daerah perbatasan ini dapat dirubah dengan perubahan tegangan
yang diberikan, untuk mengubah ketebalan kanal konduksi tersebut. Lihat artikel untuk
masing-masing tipe untuk penjelasan yang lebih lanjut.

Apabila pada terminal transistor tidak diberi tegangan bias dari luar, maka semua arus
akan nol atau tidak ada arus yang mengalir. Sebagai mana terjadi pada persambungan dioda,
maka pada persambungan emiter dan basis (JE) serta pada persambungan basis dan kolektor
(JC) terdapat daerah pengosongan.

Tegangan penghalang (barrier potensial) pada masing-masing persambungan dapat

dilihat pada gambar 4.

Gambar 4 Penjelasan kerja berikut ini didasarkan pada transistor jenis PNP (bila NPN maka
semua polaritasnya adalah sebaliknya).

Pada diagram potensial terlihat bahwa terdapat perbedaan potensial antara kaki emitor
dan basis sebesar Vo, juga antara kaki basis dan kolektor. Oleh karena potensial ini
berlawanan dengan muatan pembawa pada masing-masing bahan tipe P dan N, maka arus
rekombinasi hole-elektron tidak akan mengalir. Sehingga pada saat transistor tidak diberi
tegangan bias, maka arus tidak akan mengalir. Selanjutnya apabila antara terminal emitor dan
basis diberi tegangan bias maju (emitor positip dan basis negatip) serta antara terminal basis
dan kolektor diberi bias mundur (basis positip dan kolektor negatip), maka transistor disebut
mendapat bias aktif (lihat gambar).
 Gambar 5 Transistor dengan tegangan bias aktif

Setelah transistor diberi tegangan bias aktif, maka daerah pengosongan pada
persambungan emitor-basis menjadi semakin sempit karena mendapatkan bias maju.
Sedangkan daerah pengosongan pada persambungan basis-kolektor menjadi semakin melebar
karena mendapat bias mundur.

Pemberian tegangan bias seperti ini menjadikan kerja transistor berbeda sama sekali
bila dibanding dengan dua dioda yang disusun berbalikan, meskipun sebenarnya struktur
transistor adalah mirip seperti dua dioda yang disusun berbalikan, yakni dioda emitor-basis
(P-N) dan dioda basis-kolektor (N-P).

Bila mengikuti prinsip kerja dua dioda yang berbalikan, maka dioda emitorbasis yang
mendapat bias maju akan mengalirkan arus dari emitor ke basis dengan cukup besar.
Sedangkan dioda basis-kolektor yang mendapat bias mundur praktis tidak mengalirkan arus.
Dengan demikian terminal emitor dan basis akan mengalir arus yang besar dan terminal
kolektor tidak mengalirkan arus.

Namun yang terjadi pada transistor tidaklah demikian. Hal ini disebabkan karena dua
hal, yaitu: ukuran fisik basis yang sangat sempit (kecil) dan tingkat doping basis yang sangat
rendah. Oleh karena itu konduktivitas basis sangat rendah atau dengan kata lain jumlah
pembawa mayoritasnya (dalam hal ini adalah elektron) sangatlah sedikit dibanding dengan
pembawa mayoritas emitor (dalam hal ini adalah hole). Sehingga jumlah hole yang berdifusi
ke basis sangat sedikit dan sebagian besar tertarik ke kolektor dimana pada kaki kolektor ini
terdapat tegangan negatip yang relatif besar.
 Gambar 6 Diagram potensial pada transistor dengan bias aktif

Tegangan bias maju yang diberikan pada dioda emitor-basis (VEB) akan mengurangi
potensial penghalang Vo, sehingga pembawa muatan mayoritas pada emitor akan mudah
untuk berekombinasi ke basis. Namun karena konduktivitas basis yang rendah dan tipisnya
basis, maka sebagian besar pembawa muatan akan tertarik ke kolektor. Disamping itu juga
dikuatkan oleh adanya beda potensial pada basiskolektor yang semakin tinggi sebagai akibat
penerapan bias mundur VCB.

Dengan demikian arus dari emitor (IE) sebagian kecil dilewatkan ke basis (IB) dan
sebagian besar lainnya diteruskan kolektor (IC). Sesuai dengan hukum Kirchhoff maka
diperoleh persamaan yang sangat penting yaitu:

IE = IC + IB

Karena besarnya arus IC kira-kira 0,90 sampai 0,998 dari arus IE, maka dalam praktek
umumnya dibuat IE≅ IC. Disamping ketiga macam arus tersebut yang pada dasarnya adalah
disebabkan karena aliran pembawa mayoritas, di dalam transistor sebenarnya masih terdapat
aliran arus lagi yang relatif sangat kecil yakni yang disebabkan oleh pembawa minoritas.
Arus ini sering disebut dengan arus bocor atau ICBO (arus kolektor-basis dengan emitor
terbuka).

Namun dalam berbagai analisa praktis arus ini sering diabaikan. Seperti halnya pada
dioda, bahwa dalam persambungan PN yang diberi bias mundur mengalir arus bocor Is
karena pembawa minoritas. Demikian juga dalam trannsistor dimana persambungan kolektor-
basis yang diberi bias mundur VCB akan mengalir arus bocor (ICBO). Arus bocor ini sangat
peka terhadap temperatur, yakni akan naik dua kali untuk setiap kenaikan temperatur 10ºC.
 Diagram aliran arus IE, IB, IC dan ICBO dalam transistor dapat dilihat pada gambar
3.5. Dari gambar tersebut terlihat bahwa arus kolektor merupakan penjumlahan dari arus
pembawa mayoritas dan arus pembawa minoritas, yaitu IC = ICmayoritas+ ICBOminoritas.

Gambar 7 Diagram aliran arus dalam transistor

Analisa Rangkaian Transistor

Ada 3 macam rangkaian transistor yang umum digunakan yaitu :

 Common Emitor (C-E), emitor yang digroundkan

 Common collector (C-C), kolektor yang digroundkan

 Common Basis (C-B), basis yang digroundkan

Rangkaian Common Emitor

Pada pembahasan ini, akan dibahas tentang rangkaian transistor common emitor.
Rangkaian common emitor adalah rangkaian yang paling umum dan mudah untuk dianalisa.
Berikut ini adalah contoh rangkaian common emitor yang paling sederhana.

Pada rangkaian common emitor seperti pada gambar 9, kaki emitor dihubungkan ke
ground. Rangkaian ini mempunyai 2 loop yaitu loop kolektor-emitor (loop ce) dan loop basis-
emitor (loop be).

Pada loop be transistor mendapat tegangan bias maju (forward bias) dari basis ke
emitor. Arus listrik basis (ib ) dapat diatur besarnya dengan mengubah besar nilai resistor
pembatas arus Rb. Mengubah arus listrik basis (ib) juga akan mengubah besar arus listrik
kolektor (ic). Artinya arus listrik kolektor (ic) dapat dikontrol dengan mengubah – ubah arus
listrik basis (ib). Besar arus basis jauh lebih kecil dibandingkan dengan arus kolektor.

Pada loop ce sumber tegangan Vcc memberikan tegangan balik (backward) ke

kolektor – emitor pada transistor melalui RC. Dalam kondisi tanpa bias maju pada loop be,
transistor tidak akan bekerja. Transistor baru akan bekerja jika ada arus basis. Karena
transistor memiliki 3 kaki, maka terdapat 3 tegangan pada transistor yaitu :

Vce = tegangan antara kaki kolektor dengan kaki emitor (Vce = Vc – Ve)

Vcb = tegangan antara kaki kolektor dengan kaki basis (Vcb = Vc – Vb )

Vbe = tegangan antara kaki basis dengan kaki emitor (Vbe = Vb – Ve)

Transistor Sebagai Penguat Arus sebagai penguat:

 Transistor bekerja pada mode aktif.

 Transistor berperan sebagai sebuah sumber arus yang dikendalikan oleh tegangan
(VCCS).
 Perubahan pada tegangan base-emitter,vBE, akan menyebabkan perubahan pada arus
collector,iC.
 Transistor dipakai untuk membuat sebuah penguatan transkonduktansi.
 Penguatan tegangan dapat diperoleh dengan melalukan arus collector ke sebuah
resistansi, RC.
 Agar penguat menjadi penguat linier, transistor harus diberi bias, dan sinyal akan
ditumpangkan pada tegangan bias dan sinyal yang akan diperkuat harus dijaga tetap kecil

Dengan arus IB yang kecil dapat menghasilkan arus kolektor IC yang besar. Jika arus
basis IB kita anggap sebagai input dan arus kolektor IC sebagai output, maka transistor dapat
kita anggap sebagai penguat arus atau sering kita sebut penguat arus (current amplimeter)
Hfe.

Transistor mempunyai 3 kaki yaitu kaki emitor, kaki kolektor dan kaki basis, artinya
di dalam transistor juga terdapat 3 buah area yaitu area emitor, area kolektor dan area basis.
Lapisan tipis semikonduktor tipe P yang diapit oleh 2 semikonduktor tipe N. Semikonduktor
tipe N yang lebih kecil akan menjadi daerah emitor. Pada semikonduktor tipe N yang menjadi
daerah emitor ini disisipkan lebih banyak logam pengotor dibandingkan dengan
semokonduktor tipe N yang menjadi daerah kolektor, sehingga pada daerah emitor lebih
banyak terdapat elektron bebas dibandingkan dengan daerah kolektor, walaupun kedua
daerah ini dibuat dari bahan yang sama yaitu semikonduktor tipe N. Semokonduktor tipe P
yang menjadi daerah basis dibuat tipis dan banyak mengandung muatan positif (lubang).

Bila 2 semikonduktor yang berbeda misalnya tipe N dan tipe P disambung, maka pada
bagian sambungan akan timbul lapisan penyangga atau lebih tepat disebut depletion layer.
Pada transistor karena dibuat dari sambungan 3 jenis semikondutor, maka terdapat 2 lapisan
penyangga (depletion layer) yaitu antara sambungan daerah emitor dengan basis dan
sambungan antara basis dengan kolektor. Kondisi ini dapat digambar seperti pada gambar 4.
Karena daerah emitor memiliki elektron bebas lebih banyak, maka tebal lapisan deplesi
antara sambungan emitor-basis akan lebih tebal dibandingkan dengan sambungan basis
kolektor. Besar tegangan untuk melewati lapisan penyangga ini adalah 0,7 V untuk
semikonduktor dari bahan silikon dan 0,3 V untuk semikonduktor dari bahan germanium.
Tegangan ini identik dengan tegangan Knee (Vknee) pada dioda.

Transistor tipe BJT baru akan bisa bekerja jika kaki-kakinya diberi tegangan bias. Ada
banyak metode yang dapat digunakan untuk memberi tegangan bias dan masing-masing
metode memiliki kelebihan dan kekurangannya sendiri-sendiri. Pada pokok bahasan ini akan
dibahas proses pemberian tegangan bias pada kaki basis atau disebut bias basis. Gambar
berikut ini menunjukan rangkaian pemberi tegangan bias pada transistor NPN.

Saat tidak ada tegangan bias pada kaki basis, maka arus basis (ib) tidak mengalir ke
transistor akibatnya transistor dalam posisi OFF atau tidak ada arus listrik yang mengalir
pada transistor. Ini terjadi karena kaki kolektor diberi tegangan balik (backward voltage) dari
tegangan sumber (VCC). Akibat tegangan balik ini zone deplesi pada sambung kolektor-basis
menjadi semakin tebal.

Ketika kaki basis diberi tegangan bias maju (tegangan +), maka kaki basis – emitor
yang merupakan sebuah dioda mendapat tegangan maju (forward voltage), akibatnya elektron
bebas yang banyak terdapat di daerah emitor akan bergerak ke basis, zona deplesi antara
sambungan basis-emitor hilang. Karena jumlah elektron bebas pada daerah emitor lebih
banyak dari pada jumlah elektron bebas pada daerah kolektor, maka daerah kolektor akan
bersifat lebih positif dibandingkan dengan daerah emitor. Selain itu pada daerah kolektor
terhubung langsung ke tegangan + sumber (VCC), yang jauh lebih besar dibandingkan
dengan tegangan bias basis, maka elektron – elektron bebas dari daerah emitor sebagian besar
akan mengalir ke tegangan + sumber melewati daerah kolektor dan sebagian kecil akan
mengalir ke tegangan + bias basis.
 Pada saat elektron ini mengalir, maka akan mengalir arus listrik yang besarnya sama
dengan arus elektron tetapi arahnya berlawanan dengan arus elektron. Jika arus elektron
mengalir melalui emitor ke kolektor, maka arus listrik akan mengalir dari kolektor ke emitor.
Arus listrik yang mengalir dari tegangan sumber ke kaki kolektor disebut arus listrik kolektor
(iC) dan arus listrik yang mengalir dari kaki emitor menuju ke ground disebut arus listrik
emitor (iE). Arus listrik yang mengalir masuk ke kaki basis akan menuju ke kaki emitor,
karena potensial listrik di kaki kolektor lebih tinggi dibandingkan dengan potensial listrik di
kaki basis, maka arus listrik akan mengalir ke kaki emitor yang memiliki potensial listrik
paling rendah seperti pada gambar 7 berikut ini.

Kesetimbangan arus listrik yang mengalir melewati transistor ini dapat ditulis secara
matematis sebagai berikut :

ie = ib + ic
Sama halnya dengan transistor NPN, hanya pada transistor PNP polaritas tegangan
dibalik. Pada transistor PNP kaki kolektor dihubungkan ke kutub negatif sumber tegangan
(VCC) dan kaki emitor dihubungkan ke kutub positif sumber tegangan. Kutub negatif
tegangan bias (VBB) dihubungkan ke kaki basis dan kutub positif tegangan bias bersama
dengan kutub positif sumber tegangan dihubungkan menjadi ground. Bila pada transistor
NPN yang menjadi ground adalah kutub negatif, maka pada transistor PNP yang menjadi
ground adalah kutub positif.

Tabel. Rangkuman konfigurasi transistor dan karakteristiknya

Transistor Configuration Common Base Common Collector Common Emitter
Voltage gain High Low Medium
Current gain Low High Medium
Power gain Low Medium High
Input / output phase 0° 0° 180°
Input resistance Low High Medium
Voltage gain High Low Medium

Setiap konfigurasi mempunyai respon yang berbeda untuk setiap sinyal input dalam
rangkaian
1. Common Base Configuration - Mempunyai “Voltage Gain” tanpa “Current Gain”.
Konfigurasi transistor penguat basis biasanya digunakan pada aplikasi di mana
diperlukan impedansi input yang rendah.
2. Common Emitter Configuration - Mempunyai “Current dan Voltage Gain”.
 Konfigurasi transistor penguat emiter merupakan konfigurasi transistor yang paling
banyak digunakan. Konfigurasi ini sering terlihat sebagai format umum untuk transistor
penguat tegangan. Konfigurasi transistor penguat emiter digunakan untuk penguat dan
sebagai output logika.
3. Common Collector Configuration - Mempunyai “Current Gain Tanpa Voltage Gain”.
Konfigurasi transistor penguat collector digunakan pada banyak aplikasi. konfigurasi
CC ini bisa berfungsi sebagai buffer.

Karakteristik Arus Bipolar Junction Transistor

 Alpha (α) >> αdc = IC/IE

Alpha (α) adalah perbandingan arus kolektor terhadap arus emitor. idealnya besar α dc adalah
= 1 (satu). Namun umumnya transistor yang ada di pasaran memiliki α dc kurang lebih antara
0.95 sampai 0.99.

 Beta (β) >> β = IC/IB

Beta (β) didefenisikan sebagai besar perbandingan antara arus kolektor dengan arus basis.
Artinya Beta (β)adalah parameter yang menunjukkan kemampuan penguatan arus (current
gain) dari suatu transistor.

DAFTAR PUSTAKA
Bishop,Owen. 2002 . Dasar-dasar Elektronika. Jakarta: Erlangga.
Dwi, Herman Sujono,Ph.D. 2007. Elektronika Teori dan Penerapan. Jember: Penerbit Cerdas
Ulet Kreatif.
Sugini.2004. Elektronika Dasar Dan Peripheral Komputer.Yogyakarta : Andi Yogyakarta

Sutrisno. 1986. Elektronika: Teori dan Penerapannyajilid 1. Bandung: ITB

Tooley,Mike. 2002. Rangkaian Elekronika Prinsip dan Aplikasi Edisi Kedua.

Jakarta:Erlangga.