LSK 04_22022021 :

1. Jelaskan konstruksi & daerah operasi dasar transistor BJT !

2. Jelaskan korelasi formulasi α dan β pada BJT !

3. Jelaskan cara-cara menguji baik-buruknya BJT !

LJK 04_2005541036_I Nyoman Lanang Legawa_22022021

1. Struktur Transistor

BJT (Bipolar Junction

Transistor) tersusun atas tiga
material semikonduktor
terdoping yang dipisahkan oleh
dua sambungan pn. Ketiga
material semikonduktor
tersebut dikenal dalam BJT
sebagai emitter, base dan kolektor . Daerah base merupakan
semikonduktor dengan sedikit doping dan sangat tipis bila dibandingkan dengan emitter (doping paling
banyak) maupun kolektor (semikonduktor berdoping sedang). Karena strukturnya fisiknya yang seperti
itu, terdapat dua jenis BJT.

Tipe pertama terdiri dari dua daerah n yang dipisahkan oleh daerah p (npn), dan tipe lainnya terdiri dari
dua daerah p yang dipisahkan oleh daerah n (pnp). Sambungan pn yang menghubungkan daerah base
dan emitter dikenal sebagai sambungan base-emiter (base-emitter junction), sedangkan sambungan pn
yang menghubungkan daerah base dan kolektor dikenal sebagai sambungan base-kolektor ( base-
collector junction).

menunjukkan simbol skematik

untuk bipolar junction transistor tipe npn
dan pnp. Istilah bipolar digunakan karena
adanya elektron dan hole sebagai muatan
pembawa (carriers) didalam struktur
transistor.

Transistor BJT sering disebut transistor saja, transistor berdasarkan susunan semikonduktor
pembentuknya dapat dibagi menjadi 2 tipe transistor yaitu : tipe PNP (Positif – Negatif – Positif) dan Tipe
NPN (Negatif – Positif – Negatif ). Gambar 1 berikut ini menunjukan perbedaan simbol transistor NPN
dan Transistor PNP.

Transistor mempunyai 3 kaki yaitu kaki emitor, kaki

kolektor dan kaki basis. Kaki emitor (e) adalah kaki yang
memiliki tanda anak panah. Kaki basis (b) adalah kaki
tengah pada simbol dan sisanya kaki kolektor (c). Transistor
terbuat dari gabungan 3 jenis semikonduktor. Untuk transistor NPN tersusun oleh semikonduktor tipe P
yang diapit oleh 2 buah semikonduktor tipe N, sedangkan transistor PNP terbuat dari semikonduktor
tipe N yang diapit oleh 2 buah semikonduktor tipe P seperti pada gambar 1.

Gambar 3 menunjukan sketsa konstruksi transistor

NPN. Terlihat lapisan tipis semikonduktor tipe P yang
diapit oleh 2 semikonduktor tipe N. Semikonduktor
tipe N yang lebih kecil akan menjadi daerah emitor.
Pada semikonduktor tipe N yang menjadi daerah
emitor ini disisipkan lebih banyak logam pengotor
dibandingkan dengan semokonduktor tipe N yang
menjadi daerah kolektor, sehingga pada daerah
emitor lebih banyak terdapat elektron bebas
dibandingkan dengan daerah kolektor, walaupun kedua daerah ini dibuat dari bahan yang sama yaitu
semikonduktor tipe N. Semokonduktor tipe P yang menjadi daerah basis dibuat tipis dan banyak
mengandung muatan positif (lubang).

Bila 2 semikonduktor yang berbeda misalnya tipe N dan tipe P

disambung, maka pada bagian sambungan akan timbul lapisan
penyangga atau lebih tepat disebut depletion layer. Pada transistor
karena dibuat dari sambungan 3 jenis semikondutor, maka terdapat 2
lapisan penyangga (depletion layer) yaitu antara sambungan daerah
emitor dengan basis dan sambungan antara basis dengan kolektor.
Kondisi ini dapat digambar seperti pada gambar 4. Karena daerah
emitor memiliki elektron bebas lebih banyak, maka tebal lapisan
deplesi antara sambungan emitor-basis akan lebih tebal
dibandingkan dengan sambungan basis kolektor. Besar tegangan
untuk melewati lapisan penyangga ini adalah 0,7 V untuk
semikonduktor dari bahan silikon dan 0,3 V untuk semikonduktor dari bahan germanium. Tegangan ini
identik dengan tegangan Knee (Vknee) pada dioda.

Daerah operasi
  Aktif/forward: pertemuan emitor-basis dipanja maju dan pertemuan basis-kolektor dipanjar
mundur. Hampir semua transistor didesain untuk mencapai penguatan arus tunggal emitor yang
terbesar (f) dalam moda aktif-maju. in forward-active mode. Dalam keadaan ini arus kolektor-
emitor beberapa kali lipat lebih besar dari arus basis.

 reverse: dengan membalik pemanjaran pada moda aktif-maju, transistor dwikutub memasuki
moda aktif-mundur. Pada moda ini, daerah emitor dan kolektor bertukar fungsi. Karena hampir
semua BJT didesain untuk penguatan arus moda aktif-maju yang maksimal, f pada moda
terbalik beberapa kaki lipat lebih rendah.

 Jenuh / satruasi: dengan semua pertemuan dipanjar maju, BJT memasuki moda jenuh dan
memberikan konduksi arus yang besar dari emitor km kolektor. Moda ini berkorespondensi
dengan logika hidup, atau sakelar yang tertutup.

 Putus/cut-off: pada keadaan putus, pemanjaran bertolak belakang dengan keadaan jenuh
(semua pertemuan dipanjar terbalik). Arus yang mengalir sangat kecil, dengan demikian
berkorespondensi dengan logika mati, atau sakelar yang terbuka.

Atau link https://docplayer.info/73038552-Daerah-operasi-transistor.html

2. Parameter alfa (α) dan beta (β) transistor

Perbandingan elektron yang mampu melintasi basis dan mencapai kolektor adalah ukuran dari efisiensi
transistor. Pengotoran cerat pada daerah emitor dan pengotoran ringan pada daerah basis
menyebabkan lebih banyak elektron yang diinjeksikan dari emitor ke basis daripada lubang yang
diinjeksikan dari basis ke emitor.

Penguatan arus moda tunggal emitor diwakili oleh β F atau hfe, ini kira-kira sama dengan perbandingan
arus DC kolektor dengan arus DC basis dalam daerah aktif-maju. Ini biasanya lebih besar dari 100 untuk
transistor isyarat kecil, tetapi bisa sangat rendah, terutama pada transistor yang didesain untuk
penggunaan daya tinggi. Parameter penting lainnya adalah penguatan arus tunggal-basis, α F. Penguatan
arus tunggal-basis kira-kira adalah penguatan arus dari emitor ke kolektor dalam daerah aktif-maju.
Perbandingan ini biasanya mendekati satu, di antara 0,9 dan 0,998. Alfa dan beta lebih tepatnya
berhubungan dengan rumus berikut (transistor NPN):
3. Sebelum melakukan pengecekan ada baiknya kita menentukan tipe dari transistor dan mengetahui
posisi kaki transistor, Basis (B), Colector (C) dan Emitor (E).

Cara mengecek Transistor PNP

 Kabel merah dan kabel hitam tetap ditukar posisinya (merah di (-) dan hitam di (+) multitester),
ini bertujuan untuk menyesuaikan polaritas batere pada multitester.

 Pada langkah ini sama seperti cara menentukan transistor PNP di atas, jika pergerakan jarum
multitester tidak seharusnya berarti rusak.

 Jika kaki basis ditempel pencolok merah dan kaki emitor ditempel pencolok hitam maka wajib
tidak bergerak, jika bergerak berarti transistor sudah mati atau russak.

 Begitu juga dengan kaki Colector. Kemudian tempelkan pencolok merah ke kaki colector dan
pencolok hitam ke kaki emitor. maka jarum harus tidak bergerak, jika bergerak berarti transistor
sudah pasti rusak.

 Selanjutnya kita balik yaitu pencolok hitam kita tempel ke kaki basis, sedang yang lainnya ke
pencolok merah, maka jarum harus bergerak, jika tidak berarti sudah rusak atau mati.

Cara Mengecek Transistor NPN

 Kabel merah dan kabel hitam tetap ditukar posisinya merah di (-) dan hitam di (+) multitester),
ini bertujuan untuk menyesuaikan polaritas batere pada multitester.

 Pada langkah ini sama seperti cara menentukan transistor NPN di atas, jika pergerakan jarum
multitester tidak seharusnya berarti rusak.

 Jika kaki basis ditempel pencolok hitam kemudian kaki colektor ditempel pencolok merah jarum
multimeter harus diam, jika bergerak berarti rusak,

 Selanjutnya tempelkan kaki colector ke pencolok merah dan pencolok hitam ke kaki emitor,
maka jarum juga tidak boleh bergerak, kalau bergerak rusak.

 Kemudian kita tempel pencolok merah ke kaki Basis dan pencolok hitam ke kaki colector, Maka
jarum wajib bergerak, jika tidak tandanya transistor sudah putus. begitu juga dengan kaki
emitor.

Jadi kesimpulannya jika ingin mengetahui rusak tidaknya transistor yang penting kita tahu terlebih
dahulu jenis NPN atau PNP, jika sudah mengetahui jenisnya, selanjutnya tinggal kita cek, kalau tidak
sesuai dengan keadaan seharusnya seperti pada poin mengukur Transistor, berarti bisa dibilang rusak.