TRANSISTOR

BIJUNCTION TRANSISTOR
(NPN & PNP) DAN
KARAKTERISTIK
TRANSISTOR
 THE TEAM
KELOMPOK 1
Andi Muhammad yusuf asangkari : 002304001 Fauzul irham mahesa : 02304052

Sriwahyuni ningsi : 02304002 Yusri zulfadli : 02304053

Tri indra Syaputra : 02304003 Nurui fitri Pricilia : 02304054

Nurhikma : 02304004 Akhmadi : 02304055

Iksan : 02304005 Herdayanti : 02304056

Ainul Mardiah :
APA ITU TRANSISTOR ?

Transistor merupakan sebuah alat

semikonduktor yang dapat dipakai
sebagai penguat, sebagai sircuit
pemutus dan penyambung arus
(switching), stabilisasi tegangan, dan
modulasi sinyal.
 BIJUNCTION TRANSISTOR (NPN & PNP)

Bijunction Transistor merupakan

komponen elektronika yang memiliki tiga
terminal yaitu Emitter, Base, Collector.
Bijunction Transistor umumnya digunakan
sebagai penguat arus listrik atau seklar yang
dikendalikan oleh arus masukan (input) pada
Bijunction Transistor
 A. Tipe Bijunction Transistor
1. NPN

Ditandai dengan symbol tanda

panah pada terminal Emitter
dengan arah keluar terminal
Emitter.

2. PNP

Memiliki symbol tanda panah

pada terminal Collector dengan
arah menuju terminal Base.
B. Prinsip Dasar Bijunction Transistor

Bijunction Transistor dapat bekerja atau aktif apabila

terdapat tegangan minimal sebesar 0,7 volt pada Base-
Emitter atau Colector-Base tergantung dari tipe
Bijanction Transistor, kemudian terdapat arus yang
mengalir pada Base dengan arah tergantung dari tipe
Bijunction Transistor sehinggah akan mempengaruhi
besar arus yang mengalir pada terminal lainnya.
 C. Bijunction Transistor Tipe NPN

Transistor dapat bekerja jika terdapat arus yang mengalir pada

Base-Emitter dengan syarat minimum tegangan Base-Emitter
0,7 volt.

Bekerjanya transistor NPN ditandai

dengan adanya arus listrik mengalir
dari terminal Collector menuju ke
Emitter. Prinsip dasar Bijunction
Transistor di tunjukan pada
gambar disamping ini.
 KONSTRUKSI BIJUNCTION TRANSISTOR
1. Konstruksi Dasar Bijunction
Transistor NPN
Pada Bijunction Transistor tipe NPN
memiliki dua P-N junction yaitu pada
Emiter-Base dan Base-Collector
dengan kontruksi dasar ditunjukan
pada gambar disamping.

Emitter dibuat dari bahan semikonduktor tipe N yang memiliki

pembawaan mayoritas elektron dengan konsentrasi tinggi, Collector
juga dibuat daribahan semikonduktor tipe N, akan tetapi memiliki
konsentrasi lebih rendah di banding Emitter. Sedangkan Base dibuat
dari bahan semikonduktor tipe P dengan pembawaan mayoritas hole.
 Depletion layer bijunction transistor NPN
Dengan adanya kontruksi Bijunction Transistor menunjukan bahwa
elektron dapat dilewati atau berpindah dari daerah N ke P melalui
junction karena terdapat perbedaan konsentrasi elektro pada masing-
masing daerah. Proses perpindahan elektro melalui junction disebut
sebagai difusi.

Proses difusi akan terus terjadi sehingga terjadi kesetimbangan, saat

kesetimbangan maka disekitar junction akan terbentuk ion positif dan
negative yang meyebabkan elektron tidak dapat melewati junction lebih
lanjut. Daerah yang ditempati ion positif dan ion negatif itulah yang di
sebut sebagai depletion layer atau juga lebih dikenal dengan
depletion region.
 Depletion layer Emitter- Base NPN
Setiap atom pada Emitter memiliki tiga elektron dan setiap atom pada Base
memiliki satu hole. Elektron pada Emitter akan selalu berusaha berpindah
ke Base karena Base memiliki elektron jauh lebih sedikit dan terjadi
prosesdifusi. Saat proses difusi atom pada Emitter mendonorkan tiga
elektron pada Base, sehingga atom pada Emitter yang kehilangan elektron
tadi berubah menjadi satu ion positif.
Pada sisi Base setiap atom yang
mendapatkan satu elektron sehingga
atom tersebut kelebihan elektron
berubah menjadi satu ion negatif.
Daerah yang memiliki ion positif dan ion
negatif inilah disebut sebagai
Depletion Layer atau juga sering
disebut sebagai Depletion Region.
 Tegangan Bias Bijunction Transistor

Transistor NPN akan aktif jika sumber

DC dihubungkan pada terminal
transistor. Hal ini ditunjukkan pada
Gambar. Yang memberikan bias maju
pada Base-Emitter dan bias mundur
pada Base-Collector

Saat Base-Emitter mendapatkan bias maju, elektron pada Emitter akan

tertolak oleh kutub negatif sumber tegangan DC pada terminal Emitter.
Kemudian, elektron melewati lapisan depliasi menuju ke terminal
Collector. Hanya sedikit elektron yang akan melewati Base menuju
sumber tegangan. Hal ini disebabkan karena Base memiliki konsentrasi
elektron yang sangat sedikit.
 2. Konstruksi Dasar Bijunction
Transistor PNP

Transistor PNP dibuat dari dua

semikonduktor bahan P yang
mengapit semikonduktor bahan N
seperti ditunjukan pada Gambar
disamping.

Daerah semikonduktor tipe P Emitter dan Collector memiliki pembawa

mayoritas hole dan pembawa minoritas elektron sehingga konesentrasi
elektron jauh lebih sedikit dibanding hole, sedangkan semikonduktor
tipe N pada Base memiliki pembawa muatan mayoritas elektron dan
pembawa minoritas hole. Pada Base, konsentrasi elektron pada Emitter
lebih tinggi dibanding Collector.
 Depletion layer bijunction transistor NPN

Saat transistor PNP tidak diberi bias elektron akan selalu berusaha
berpindah ke daerah dengan konsentrasi elektron lebih rendah atau
konsentrasi hole tinggi yang disebabkan oleh perbedaan konsentrasi muatan
listrik bahan. Sehingga pada konstruksi Gambar 7 saat transistor tidak
diberi tegangan bias atau diberi tegangan 0 Volt maka akan membentuk
daerah yang disebut Depletion layer.
 Depletion Emitter- Base PNP

Pada proses difusi, satu atom pada daerah Base mendonorkan satu
elektron pada setiap atom pada Emitter, karena satu atom pada
Emitter memiliki tiga hole maka memerlukan tiga elektron. Oleh
karena itu setiap atom pada Emitter membutuhkan tiga elektron dari
Base. Setiap atom pada Base yang mendonorkan elektronnya akan
menjadi satu ion positif, sedangkan satu atom pada Emitter
mendapatkan tiga elektron akan menjadi satu ion negatif. Hal ini
terjadi hingga keadaan setimbang tercapai. Dengan adanya ion positif
dan ion negatif disekitar junction Emitter-Base menghalangi
perpindahan elektron selanjutnya. Daerah yang memiliki ion positif
dan ion negatif pada Emitter-Base inilah yang disebut sebagai
depeltion layer Emitter-Base.
 Depletion Layer Base- Collector PNP

Saat proses difusi satu atom pada Base mendonorkan satu elektron
pada Collector. Sedangkan pada Collector membutuhkan dua elektron
(memiliki dua hole). Sehingga dua atom pada Base mendonorkan
elektronnya pada Collector, hasilnya adalah dua atom pada Base yang
mendonorkan elektronnya menjadi dua ion positif, pada Collector satu
atom yang menerima dua elektron menjadi satu ion negatif.
Dikarenakan daerah Collector memiliki memiliki daerah lebih lebar
dibanding Emitter dan memiliki konsentrasi Hole lebih sedikit
dibanding Emitter dapat menampung ion positif dan negatif lebih
banyak sehingga memiliki daerah depletion layer lebih lebar .
 Tegangan Bias Bijunction Transistor PNP

Untuk mengaktifkan transistor PNP diperlukan tegangan bias seperti

ditunjukan pada Gambar. Saat Emitter - Base diberi forward bias dan
Base-Collector diberi reverse bias, elektron dari sumber tegangan akan
bergerak menuju terminal Base, kemudian elektron melewati depletion
layer menuju terminal Emitter. dengan pergerakan elektron dari
terminal Base menuju terminal Emitter maka arus listrik mengalir dari
Emitter menuju Base.
 KARAKTERISTIK TRANSISTOR
Karakteristik transistor biasanya disebut karakteristik statik
yang digambarkan dalam suatu kurva yang menghubungkan
atara selisih arus DC dan tegangan pada transistor. Kurva
karakteristik statik tersebut sangat membantu dalam
mempelajari operasi dari suatu transistor ketika diterapkan
dalam suatu rangkaian.

Ada 2 jenis karakteristik yang sangat penting dari suatu

transistor yaitu karakteristik input dan karakteristik
output.
 1. Karakteristik Input

Karakteristik input adalah karakteristik tegangan antara basis dan

emitor (VBE) sebagai fungsi dari arus basis (IB) dengan VCE dalam
keadaan konstan. Karakteristik ini merupakan bagian dari karakteristik
persimpangan emitor-basis dengan bias maju, atau sama dengan
karakteristik dioda pada bias maju. Pada BJT, seluruh muatan akan
melewati persimpangan Base-Emittor menuju Collector, sehingga arus
pada basis menjadi jauh lebih kecil dibandingkan dengan dioda PN, hal
ini disebabkan oleh adanya faktor hfe.
Kurva Karakteristik Transistor Input
 2. Karakteristik Output

Karakteristik output adalah karakteristik tegangan emitter (VCE)

sebagai fungsi dari arus kolektor (IC) terhadap arus base (IB) yang
tetap, seperti yang ditunjukkan pada Gambar 4. Ketika IB=0, arus IC
yang mengalir adalah arus bocor ICB0 (biasanya diabaikan). Namun,
ketika IB ≠ 0 dan VCE kecil (<< 0,2 V), pembawa muatan di basis
tidak efisien dan transistor dikatakan dalam keadaan saturasi dengan
IB > IC / hfe.
THANKS!

Does anyone have any question?

addyouremail@freepik.com