Bipolar Junction Transistor (BJT)

Oleh : Sarosa Castrena Abadi, S.Pd.,MT.

1
TRANSISTOR
1. Transistor :komponen aktif dengan 3
kaki.
 Satu kaki terhubung ke sumber daya,
 satu kaki lain terhubung ke output dan
 Satu kaki untuk mengatur daya output.
2. Transistors biasanya digunakan sbg :
 Penguat
 saklar.

2
JENIS TRANSISTOR
1. Transistor bipolar : BJT
• (Bipolar Junction Transistor)
• Aliran listrik : 2 pembawa muatan (hole dan
elektron)

2. Transistor Unipolar: FET

• (Field-Effect Transistor)
• Aliran listrik : satu pembawa muatan (hole
atau elektron bebas saja)

3
TRANSISTOR BIPOLAR

BJT : NPN dan PNP

1. Transistor NPN :
 collector diberi tegangan lebih positif dari
emitter.
2. Transitor PNP :
 emitter diberi tegangan lebih positif dari
collector.

4
 BIPOLAR TRANSISTOR NPN
Collector Collector

Basis n
p p
Basis
IC
n
IB
Emitter
Emitter
STRUKTUR SIMBOL
5
 OPERASI TRANSISTOR NPN
1. Sambungan basis ke emitor bersifat
seperti dioda.
 Arus basis terjadi bila tegangan basis lebih
positip terhadap emiter
 Arus basis meningkat dengan cepat bila VBE
sekitar 0,6 V.
2. Pada tegangan ini transistor disebut
menghantar “ON" dan arus mengalir dari
kolektor ke emitor.

6
 BIPOLAR TRANSISTOR PNP
Emitter

IB
Emiter
Basis
p IC
n n
Basis p

Colector
Colector

7
OPERASI TRANSISTOR PNP
1. Sambungan emitor ke basis bersifat
seperti dioda.
 Arus emiter-basis terjadi bila tegangan basis
lebih rendah terhadap emiter
 Arus ini meningkat dengan cepat bila VEB
sekitar 0,6 V.
2. Pada tegangan emiter-basis ini
transistor disebut menghantar “ON" dan
arus mengalir dari emiter ke colektor.

8
ARUS KOLEKTOR
 Aruskolektor dikendalikan oleh VBE sesuai dengan
persamaan Ebers-Moll:

IS adalah arus maksimum transistor (disebut arus

jenuh)
VT = kT/e.
k adalah konstanta Boltzmann,
T : suhu mutlak,
e : muatan sebuah electron.
VT ( Thermal Voltage) : sekitar 25 mV pada suhu kamar.

9
 ARUS KOLEKTOR
Aruskolektor dikendalikan
oleh IB sesuai dengan
persamaan :

IC = β IB
 β adalah penguatan arus
atau sering juga disebut
disebut HFE 10
BENTUK FISIK

11
a
Bagian arus kolektor thd arus emiter

Biasanya,
a = 0,95 to 0,995
b = 20 to 200.

12
KARAKTERISTIK TRANSISTOR

13
 Daerah Aktif
Daerah kerja transistor yang normal adalah pada daerah
aktif, yaitu ketika arus IC konstans terhadap berapapun
nilai VCE. Dari kurva ini diperlihatkan bahwa arus I C hanya
tergantung dari besar arus IB. Daerah kerja ini biasa juga
disebut daerah linear (linear region).

14
 Daerah Saturasi

Daerah dimana penambahan arus basis tidak

menyebabkan kenaikan arus kolektor lagi karena arus
kolektor sdh mencapai nilai maksimumnya. Tegangan Vce
sangat rendah, mendekati 0 V.
Daerah saturasi adalah mulai dari VCE = 0 volt sampai kira-
kira 0.7 volt (transistor silikon), yaitu akibat dari efek dioda
kolektor-base yang membuat tegangan VCE belum
mencukupi untuk dapat mengalirkan elektron.

15
 Daerah Cut Off

Daerah dimana Vce masih cukup kecil

sehingga Arus Ic = 0 atau Ib = 0.
Transistor dalam kondisi off

16
 Daerah Breakdown
Dari kurva kolektor, terlihat jika tegangan VCE lebih dari 40
V, arus IC menanjak naik dengan cepat. Transistor pada
daerah ini disebut berada pada daerah breakdown.
Seharusnya transistor tidak boleh bekerja pada daerah ini,
karena akan dapat me-rusak transistor tersebut. Untuk
berbagai jenis transistor nilai tegangan VCE max yang
diperbolehkan sebelum breakdown bervari-asi. VCE max pada
data book transistor selalu dicantumkan juga.

17
 Garis Beban Transistor
Garis beban sangat penting dalam menggambarkan
karakteristik sebuah transistor. Garis beban mencakup
setiap kemungkinan titik operasi rangkaian.
Dengan kata lain bila hambatan pada Basis bervariasi
mulai dari nol sampai tak terhingga maka akan
menyebabkan arus Basis (IB) menjadi berubah sehingga
arus Kolector (IC) dan VCE pun akan bervariasi pada
daerah masing-masing.

18
Tugas
Jelaskan Kurva input dan kurva output
transistor BJT dengan rangkaian:
1. Common Base
2. Common Emitter
Bandingkan karakteristik kurva input dan
kurva output dari kedua konfigurasi
rangkaian tersebut
Buatlah resume mengenai transistor
sebagai saklar

19
Referensi

1. Boylestad, Robert L & louis N , Electronic device

and circuit theory , New Jersey: Prentice Hall,
2002.
2. Ramdhani, M. 2010. Buku Diktat Elektronika 1.
Bandung.Universitas Telkom.
3. Sedra, Adel & Kenneth C. Smith, Microelectronic
circuits , Oxford : Oxford Univ. Press, 2004.
4. Tooley,Mike, Rangkaian elektronik:prinsip dan
aplikasi , Jakarta: Erlangga, 2003.

20
SEKIAN

21