TRANSISTOR BIPOLAR

Oleh:
Ismu Wahyudi
Program Studi Pendidikan Fisika
FKIP Universitas Lampung
2020 - 2021
1
Transistor adalah alat semikonduktor yang dipakai
sebagai penguat, sebagai sirkuit pemutus dan
penyambung (switching), stabilisasi tegangan,
modulasi sinyal atau sebagai fungsi lainnya.
Transistor dapat berfungsi semacam kran listrik,
dimana berdasarkan arus inputnya (BJT) atau
tegangan inputnya (FET), memungkinkan pengaliran
listrik yang sangat akurat dari sirkuit sumber
listriknya.
Transistor dapat berfungsi semacam kran listrik,
dimana berdasarkan arus inputnya (BJT) atau
tegangan inputnya (FET), memungkinkan
pengaliran listrik yang sangat akurat dari sirkuit
sumber listriknya. Pada umumnya, transistor
memiliki 3 terminal, yaitu Basis (B), Emitor (E) dan
Kolektor (C).
penguat arus maupun tegangan yang dipakai
sebagai penguat
sebagai sirkuit pemutus dan penyambung
(switching)
stabilisasi tegangan semacam kran listrik,
dimana berdasarkan arus inputnya (BJT)
atautegangan inputnya (FET)
memungkinkan pengaliran listrik yangsangat
akurat dari sirkuit sumber listriknya
1. Transistor :komponen aktif dengan 3 kaki.
 Satu kaki terhubung ke sumber daya,
 satu kaki lain terhubung ke output dan
 Satu kaki untuk mengatur daya output.
2. Transistors biasanya digunakan sbg :
 Penguat
 saklar.

5
1. Transistor bipolar : BJT
• (Bipolar Junction Transistor)
• Aliran listrik : 2 pembawa muatan (hole dan
elektron)

2. Transistor Unipolar: FET

• (Field-Effect Transistor)
• Aliran listrik : satu pembawa muatan (hole atau
elektron bebas saja)

6
BJT : NPN dan PNP

1. Transistor NPN :
 collector diberi tegangan lebih positif dari
emitter.
2. Transitor PNP :
 emitter diberi tegangan lebih positif dari
collector.

7
BIPOLAR TRANSISTOR NPN
Collector
Collector

n
Basis
IC
Basis
p
IB
n

Emitter Emitter

STRUKTUR SIMBOL

8
1. Sambungan basis ke emitor bersifat seperti
dioda.
 Arus basis terjadi bila tegangan basis lebih positip
terhadap emiter
 Arus basis meningkat dengan cepat bila VBE sekitar
0,6 V.
2. Pada tegangan ini transistor disebut
menghantar “ON" dan arus mengalir dari
kolektor ke emitor.

9
 BIPOLAR TRANSISTOR PNP
Emitter
Emitter
IB
Basis
p
Basis IC
n
p

collector Colector

STRUKTUR SIMBOL
10
1. Sambungan emitor ke basis bersifat seperti
dioda.
 Arus emiter-basis terjadi bila tegangan basis lebih
rendah terhadap emiter
 Arus ini meningkat dengan cepat bila VEB sekitar
0,6 V.
2. Pada tegangan emiter-basis ini transistor
disebut menghantar “ON" dan arus mengalir
dari emiter ke colektor.

11
 Dioda emitter (basis-emitter) dan dioda kolektor (basis-kolektor)
di bias forward (panjar maju)
 VEB mem bias forward dioda emitter, manghasilkan arus IE
 VCB mem bias forward dioda kolektor, menghasilkan arus IC

12
 Dioda emitter (basis-emitter) dan dioda kolektor (basis-kolektor)
di bias reverse (panjar mundur)
 Hanya arus kecil yang mengalir: arus saturasi (secara thermal)
dan arus kebocoran permukaan (bertambah dengan
bertambahnya tegangan)
 Keadaan kedua dioda terbuka, kecuali jika VEB dan VCB melebihi
tegangan breakdown dioda. 13
  Dioda emitter (basis-emitter) di
bias forward dan dioda kolektor
(basis-kolektor) di bias reverse.
 Diharapkan arus emitter yang
besar karena dibias forward,
tapi tidak diharapkan arus
kolektor yang besar karena di
bias reverse.
 Elektron valensi dapan
mengalir ke bawah (basis)
melalui hole basis,
menghasilkan arus rekombinasi
(bernilai kecil).

 Basis sangat tipis  penuh dengan elektron pita-konduksi, menyebabkan difusi

ke dalam lapisan pengosongann kolektor, elektron-elektron mengalir ke kolektor
 Secara umum (transistor), >95% elektron diinjeksikan emitter mengalir ke
kolektor, dan <5% jatuh ke dalam hole basis. 14


15
 Rangkaian common-emitter (CE) atau emitter bersama
 Nilai VBE transistor 0,3 volt (germanium) dan 0,7 volt (Silicon)
 Jika VBE ≥ 0,7 V, emitter akan menginjeksikan elektron ke basis secara tipis, lalu
berdifusi ke lapisan pengosongan kolektor, dengan dioda kolektor yang dibias
reverse medan lapisan pengosongan mendorong elektron-elektron ke kaki kolektor 16
 Nilai perbandingan kuat arus IC dan IB
merupakan nilai penguatan arus transistor (βdc).
𝐼𝐶
𝛽𝑑𝑐 =
𝐼𝐵
 Sebagian besar transistor, < 5% elektron yang
diinjeksikan emitter ke basis menghasilkan IB,
sehingga nilai 𝛽𝑑𝑐 > 20, biasanya antara 50 - 200
 Beberapa transistor memiliki nilai 𝛽𝑑𝑐 sampai
1000

17
 Hukum kirchoff:
IE = IC + IB dibagi IC;
𝐼𝐸 𝐼𝐵
= 1 +
𝐼𝐶 𝐼𝐶
1 1
=1+ 𝛽 sehingga didapatkan:
𝛼𝑑𝑐 𝑑𝑐
𝛼𝑑𝑐
𝛽𝑑𝑐 =
1 − 𝛼𝑑𝑐

𝛽𝑑𝑐
𝛼𝑑𝑐 =
𝛽𝑑𝑐 + 1
18
 VBE adalah tegangan pada
lapisan pengosongan emitter,
jika VBE > 0,7 V, maka emitter
menginjeksikanelektron ke
dalam basis
 Arus dalam dioda emitter
mengontrol arus kolektor.
 Tegangan V’BE
𝑉𝐵𝐸 = 𝑣 ′ 𝐵𝐸 + 𝐼𝐵. 𝑟 ′ 𝑏

jika tegangan jatuh IB.r’b sangat

kecil maka 𝑉𝐵𝐸 ≅ 𝑉 ′ 𝐵𝐸
19
20
21
22
 Arus kolektor dikendalikan oleh
IB sesuai dengan persamaan :

IC = β IB
 β adalah penguatan arus atau
sering juga disebut disebut HFE

23
24
25
26
27
28
Thank You….

29