MAKALAH

KARAKTERISTIK BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR

Penyusun : KELOMPOK 2

- Fadly Prsetyo
- Ridho Putra
- Juventiona Prakasa
- Oding Dede Saifilla

TEKNIK ELEKTRO
IST AKPRIND YOGYAKARTA
2020
1. Transistor Rangkian Common Base (Sebagai Penguat)
a) Prinsip Dasar

Prinsip dasar transistor sebagai penguat adalah arus kecil pada basis mengontrol
arus yang lebih besar dari kolektor melewati transistor. Transistor berfungsi
sebagai penguat ketika arus basis berubah. Perubahan kecil arus basis mengontrol
perubahan besar pada arus yang mengalir dari kolektor ke emitter. Berdasarkan
sistem pertanahan transistor, penguat transistor dibagi menjadi tiga jenis, yaitu
penguat basis (Common Base-CB), penguat emitor (Common Emitter-CE), dan
penguat kolektor (Common Collector-CC).

Gambar 1. Transistor sebagai penguat basis

b) Penguat Basis ( Common-Base)

Penguat basis atau common base (CB) adalah hubungan yang kaki basis-
nya di-ground-kan dan digunakan bersama untuk input maupun output. Pada
hubungan common base, sinyal input dimasukan ke emitor dan sinyal output-nya
diambil dari kolektor, sedangkan kaki basisnya di-ground-kan. Oleh karena itu,
common base juga sering disebut dengan istilah “grounded base”. Common base
ini menghasilkan penguatan tegangan antara sinyal input dan sinyal output namun
tidak menghasilkan penguatan pada arus, jadi jarang digunakan. Pada gambar 1
memperlihatkan penguat basis, dimana sinyal output lebih besar dari sinyal input
dan tidak berubah fasa.
 c) Sifat-sifat common base sebagai berikut:

 Impedansi input rendah 

 Impedansi output tinggi 

 Penguatan arus < 1 

 Penguatan tegangan besar

 Tidak mengalami perubahan fase pada output 

Untuk lebih jelasnya, perhatikan gambar di bawah ini.

Gambar 2. Rangkaian Transistor sebagai Common Base

Gambar 2.  memperlihatkan penguat basis yang ditanahkan (grounded-base) atau
basis bersama (CB-Common Base). Catu VEE membias maju dioda emitter dan
catu VCC membias mundur dioda kolektor. Untuk menghitung tegangan keluaran
AC sebagai berikut:

  vout = ic.rc

 Untuk menghitung tegangan input AC :

   vin = ie.r’e

  Dimana r’e adalah 25 Ω Karena ic ≅ ie , maka untuk menghitung penguatan

tegangannya: A = 𝑟𝑐 / 𝑟′𝑒
 2. Common Emitter (CE)
Common Emitter (CE) atau Emitor Bersama merupakan Konfigurasi
Transistor yang paling sering digunakan, terutama pada penguat yang
membutuhkan penguatan Tegangan dan Arus secara bersamaan. Hal ini
dikarenakan Konfigurasi Transistor dengan Common Emitter ini menghasilkan
penguatan Tegangan dan Arus antara sinyal Input dan sinyal Output.  Pada
Konfigurasi Common Emitter ini, sinyal INPUT dimasukan ke Basis dan sinyal
OUTPUT-nya diperoleh dari kaki Kolektor.
a) Arus Emitter
Dari hukum Kirchhoff diketahui bahwa jumlah arus yang masuk kesatu titik akan
sama jumlahnya dengan arus yang keluar. Teori tersebut dapat diaplikasikan pada
transistor dan dapat menjelaskan hubungan teori berikut.

IE= IB+IC..................................................................................................................
......(1)

Gambar 1.Arus Emiter

Dari persamaan (1) tersebut dapat di ketehui bahwa arus emitter IE adalah jumlah
dari base IB dan arus kolektor IC. Karena arus IB sangat kecil sekali atau di sebut
IB <<IC. Maka dapat di nyatakan:

IE = IC
…………………………………………………………………………………(2)
 b) Rangkaian CE
adalah rangkain yang paling sering digunakan untuk berbagai aplikasi yang
mengunakan transistor. Dinamakan rangkaian CE, sebab titik ground atau titik
tegangan 0 volt dihubungkan pada titik emiter. 

c) Rangkaian transistor dengan konfigurasi Common Emitter dengan

BJT tipe NPN
ditunjukkan pada Gambar 2. Dalam konfigurasi ini, terminal Emitter menjadi
ground. Pada Konfigurasi ini memiliki dua macam karakteristik, yaitu
karakteristik input dan karakteristik output.

.
Gambar 2.Konfigurasi Common Emitter BJT tipe NPN

d) Karakteristik input
merupakan karakteristik dari tegangan base dan emitter (VBE) sebagai fungsi arus
base (IB) dengan VCE dalam keadaan konstan. Karakteristik ini merupakan
karakteristik dari junction emitter-base dengan forward bias atau sama
dengan karakteristik diode pada forward bias. Pada BJT seluruh pembawa muatan
akan melewati junction Base-Emittor menuju Collector maka arus pada basis
menjadi jauh lebih kecil dari diode P-N dengan adanya faktor hfe. Penambahan
nilai VCE megakibatkan arus IB akan berkurang. Arus IB akan mengalir jika
tegangan VBE > 0,7 V seperti ditunjukkan oleh karakteristik pada Gambar 3.
e) Karakteristik output
merupakan karakteristik dengan tegangan emitter (VCE) sebagai fungsi arus
kolektor (IC) terhadap arus base (IB) yang tetap seperti ditunjukkan pada Gambar
4. Pada saat IB=0, arus IC yang mengalir adalah arus bocor ICB0 (pada umumnya
diabaikan), sedangkan pada saat IB ≠ 0 untuk VCE kecil (<< 0,2 V), pembawa
muatan di basis tidak efisien dan transistor dikatakan dalam keadaan saturasi
dengan IB > IC / hfe . Pada saat VCE diperbesar IC pun naik hingga melewati
level tegangan VCE saturasi (0,2 -1 V) hingga transistor bekerja dalam daerah
aktif dengan IB = IC / hfe. Pada saat ini kondisi arus IC relatif konstan terhadap
variasi tegangan VCE.

Gambar 3. Karakteristik input

Daerah Operasi BJT

Daerah IB atau VCE  BC dan BE  Mode

operasi Char. Junctions

Cutoff IB = sangat Reverse & Saklar terbuka

kecil Reverse
Saturation VCE = kecil Forward & Saklar tertutup
Forward
Forward VCE = Reverse & Amplifier
active Menyesuaikan Forward yang baik

Reverse VCE = besar Forward & Amplifier

active Reverse yang buruk
 Daerah Aktif Forward

 Di daerah ini transistor menunjukkan penguatan tegangan dan arus yang besar,

sehingga berguna untuk penguatan analog
 Junction E-B di bias tegangan maju. Elektron-elektron dari emitor tipe n
diinjeksikan ke basis tipe p.

 Sejumlah konsentrasi elektron tercipta di daerah basis dan menghasilkan arus

difusi melewati basis.

 Karena basis sangat sempit (<1μm) dan adanya tegangan positif yang besar di
kolektor, hampir semua elektron yang berdifusi melewati basis menuju
kolektor, dan hanya beberapa yang mencapai terminal basis.

 IE = IB+IC and IC = αIE dimana α berharga mendekati 1 (biasanya 0.99)

 IC = βIB dimana β = α/(1- α)

 Arus emitor adalah IE ≈ IS(eqVBE/nkT - 1) ≈ IC dimana q/nkT=26 mV pada

300°K
 Daerah Aktif Reverse

 Struktur BJT terlihat simetri, tetapi doping campuran dari emitor dan kolektor
sangat simetri
 Hal ini menyebabkan arus basis pada mode forward dan reverse menjadi sangat
berbeda, menghasilkan βR yang jauh lebih kecil dibandingkan βF

Daerah Cut Off 

Transistor npn Model arus        Model

rangkaian bocor konstan terbuka

 Pada daerah cut off, kedua junction dibias reverse

 BJT berlaku seperti saklar terbuka 
 Daerah Saturasi 

 Kedua junction dibias forward, sehingga arus kolektor menjadi saturasi

dan tegangan kolektor mencapai nilai minimum yang disebut sebagai VCE sat.
 Pada saat saturasi, IC < βFIB. Rasio IC/βF menunjukkan arus basis yang
diperlukan untuk menjaga operasi transistor pada daerah forward-active. Jika
arus basis melebihi harga yang diperlukan untuk operasi daerah forward-active,
transistor menjadi saturasi. 

3. Common Collector
a) Prinsip kerja
Penguat Common-Collector menghasilkan tegangan output melintasi
beban emitter-nya yang berada dalam fase dengan sinyal input. Penguat Common
Collector adalah jenis lain dari transistor bipolar (BJT) konfigurasi di mana sinyal
input diterapkan ke terminal base dan sinyal output diambil dari terminal emitter.
Dengan demikian terminal common collector untuk rangkain input dan
output. Jenis konfigurasi ini disebut Common Collector, (CC) karena terminal
collector secara efektif "grounded" atau "digroundkan" melalui catu daya.
Dalam banyak hal konfigurasi common collector (CC) adalah kebalikan dari
common emitter (CE) konfigurasi sebagai beban resistor yang terhubung berubah
dari terminal collector untuk RC ke terminal emitter untuk RE.
Konfigurasi common collector atau grounded collector umumnya
digunakan di mana sumber input impedansi tinggi perlu dihubungkan ke beban
output impedansi rendah yang membutuhkan penguatan arus tinggi.
Pertimbangkan rangkaian penguat common collector di bawah ini.

b) Penguat common collector menggunan transistor NPN

Resistor R1 dan R2 membentuk jaringan pembagi tegangan sederhana yang

digunakan untuk bias transistor NPN menjadi konduksi. Sejak pembagi tegangan
ini ringan beban transistor, tegangan base, VB dapat dengan mudah dihitung
dengan menggunakan rumus pembagi tegangan sederhana seperti yang
ditunjukkan.
c) Jaringan pembagi tegangan

Dengan terminal collector dari transistor terhubung langsung ke VCC dan

tidak ada resistansi collector, (RC = 0) setiap arus collector akan menghasilkan
drop tegangan emitter resistor RE. Namun, dalam rangkaian penguat common
collector , penurunan tegangan yang sama, VE juga mewakili tegangan output,
VOUT.
 Idealnya kita ingin penurunan tegangan DC di RE sama dengan setengah
dari tegangan supply, VCC untuk membuat tegangan output diam transistor di
suatu tempat di tengah kurva karakteristik yang memungkinkan untuk sinyal
output maksimum yang belum ditutup. Jadi pilihan RE sangat tergantung pada
IB dan transistor gain arus Beta, β.

Karena pn-junction base-emitter forward bias, arus base mengalir melalui

persimpangan ke emitter mendorong aksi transistor yang menyebabkan arus
collector yang jauh lebih besar, IC mengalir. Sehingga arus emitter adalah
kombinasi dari arus base dan arus collector sebagai: IE = IB + IC. Namun, karena
arus base sangat kecil dibandingkan dengan arus collector, maka arus emitter kira-
kira sama dengan arus collector. Jadi IE ≈ IC.

Seperti konfigurasi common emitter (CE), sinyal input diterapkan ke

terminal base transistor, dan seperti yang kami katakan sebelumnya, sinyal output
amplifier diambil dari terminal emitor emitter. Namun, karena hanya ada satu PN
Junction forward bias antara base transistor dan terminal emitter-nya, setiap sinyal
input yang diterapkan ke base melewati langsung melalui persimpangan ke
emitter. Oleh karena itu, sinyal output yang ada di emitter berada dalam fase
dengan sinyal input yang diterapkan di base.

Karena sinyal output penguat (amplifier) diambil dari seluruh beban emitter,
konfigurasi transistor jenis ini juga dikenal sebagai rangkain Emitter Follower
karena output emitter “mengikuti” atau melacak setiap perubahan tegangan pada
sinyal input base, kecuali tetap sekitar 0.7 volt (VBE ) di bawah tegangan base.
Jadi VIN dan VOUT dalam fase menghasilkan perbedaan fase nol antara sinyal
input dan output.

Karena itu, emitter pn-junction secara efektif bertindak sebagai dioda bias
maju dan untuk sinyal input AC kecil persimpangan dioda emitter ini memiliki
resistansi yang diberikan oleh: r'e = 25mV/Ie di mana 25mV adalah tegangan
thermal dari persimpangan pada suhu kamar (25°C) dan Ie adalah arus emitter.
Sehingga dengan meningkatnya arus emitter, resistansi emitter berkurang dengan
jumlah yang proporsional.

Dasar arus yang mengalir melalui perlawanan junction base-emitter internal

juga mengalir keluar dan melalui resistor emitter terhubung secara eksternal, RE.
Kedua resistansi ini terhubung seri sehingga bertindak sebagai jaringan pembagi
potensial yang menciptakan penurunan tegangan.

Karena nilai r'e sangat kecil, dan RE jauh lebih besar, biasanya dalam
kisaran kilohms (kΩ), maka besarnya tegangan output penguat lebih kecil
daripada tegangan inputnya. Namun, dalam kenyataannya besarnya tegangan
output (puncak-ke-puncak) umumnya di nilai 98 hingga 99% dari tegangan input
yang dalam banyak kasus cukup dekat untuk dianggap sebagai gain satu.

Kita dapat menghitung kenaikan tegangan, VA dari penguat common

collector dengan menggunakan rumus pembagi tegangan seperti yang ditunjukkan
dengan asumsi bahwa tegangan base, VB sebenarnya adalah tegangan input, VIN.

Gain Tegangan Penguat Common Collector

karena RE jauh lebih besar dari r'e (r'e + Re) ≡ RE

Jadi penguat common collector tidak dapat memberikan penguatan tegangan dan

ekspresi lain yang digunakan untuk menggambarkan rangkaian penguat common
collector adalah sebagai Rangkaian Pengikut Tegangan karena alasan yang jelas.

Dengan demikian, karena sinyal output sangat mengikuti input dan berada dalam
fase dengan input, maka rangkaian common collector merupakan gain penguatan
tegangan kesatuan yang tidak dapat dibalik

4. Transistor sebagai Amplifier dan Switch

a) Transitor sebagai Amplifier
Transistor dapat digunakan sebagai penguat (amplifier) dengan meningkatkan
kekuatan sinyal lemah.Input dari penguat adalah tegangan atau arus, di mana
output akan menjadi sinyal input penguat.

Konfigurasi Transistor diklasifikasikan menjadi tiga jenis seperti CB (common

base), CC (common collector), dan CE (Common emitter). Tetapi konfigurasi
common emitor sering digunakan dalam aplikasi seperti penguat audio. Karena
dalam konfigurasi CB, gain <1, dan pada konfigurasi CC, gain hampir setara
dengan 1.
Pada rangkaian di atas, sinyal input dapat diterapkan di antara persimpangan base-
emitor dan output melintasi beban RC yang terhubung dalam rangkaian kolektor.
Untuk penguatan yang akurat, selalu ingat bahwa input terhubung dalam bias
maju sedangkan output terhubung pada bias balik. Untuk alasan ini, selain sinyal,
kami menerapkan tegangan DC (VEE) di rangkaian input seperti yang
ditunjukkan pada rangkaian di atas.
b) Transistor Sebagai Switch
Dalam aplikasi transistor sebagai saklar, yang mana area kerja transistor akan
berada di area jenuh dan area cut-off.

Keterangan gambar:
Input basis dan basis dibuat ground atau V = 0 volt
Tegangan basis ke emitor ( Vce < 0.7 volt)
Arus yang lewat kolektor = 0 (IC=0 volt)
Tegangan keluaran (Vout) = Vce = Vcc = 1
 - Hal – hal yang harus di perhatikan
 Arus masuk dari kaki basis (Ib) pada transistor adalah nol
 Arus keluaran pada kaki kolektor (Ic) juga adalah nol,
 Tegangan maksimum berada di kaki kolektor (Vce), kondisi di atas
membuat arus tidak bisa memasuki komponen ini,
Oleh karena itu kondisi ini adalah dimana transistor berada dalam kondisi
“full-off” atau kondisi tidak aktif secara penuh.

Jadi bisa kita definisikan bahwa kondisi di atas adalah kondisi dimana
transistor sebagai saklar berada dalam area kerja cut-off atau tidak aktif secara
penuh.