Nama : Tsamarah Insyirah

NRP : 5001201155
Prelab : Transistor Dwikutub (E5)
1. Jelaskan prinsip kerja semikonduktor yang mendasari transistor dwikutub!
Jawab : Kita bayangkan muatan positif dari catu daya V EE diluncurkan melalui RE masuk ke emitor,
yang terdiri daribahan semikonduktor jenis p. Oleh adanya panjar maju antara emitter dan basis,
pembawa muatan dari emitter akan tertarik masuk ke basis dan diteruskan ke kolektor dan masuk ke
hambatan RC dan terus kembali ke VCC. Pada gambar 1, adanya arus I C dan RC akan membuat kolektor
mempunyai muatan positif terhadap basis, sehingga sambungan pn antara kolektor dan basis juga akan
mendapat panjar maju. Selanjutnya ini akan menarik arus I CB dari kolektor ke basis, berlawanan dengan
arus dari emitter, yaitu arus I BC. Lama kelamaan arus I CB= IBC sehingga arus kolektor IC yang mengalir
dihambatan RC menjadi sama dengan nol. Untuk menghindari arus balik I CB, kita harus membuat agar
kolektor berada pada tegangan jauh dibawah basis, walaupun ada arus I C mengalir di dalam hambatan
kolektor IC. Untuk ini antara kolektor dan basis dipasang tegangan panjar mundur melalui catu daya –
VCC seperti gambar 2. Adanya catu daya V CC menjamin bahwa walaupun ada arus I C yang menyebabkan
tegangan ICRC pada resistor kolektor, selalu ada tegangan mundurV BC= VCC – ICRC untuk melawan arus
dari kolektor menuju basis. Pada sambungan ini yang mempunyai tegangan panjar mundur, mengalir
arus penjenuhan ICB yang amat kecil. Arus ini peka terhadap suhu dan amat mengganggu pada penguat
transistor dwikutub dengan emitor ditanahka

2. Sebutkan dan jelaskan daerah karakteristik pada transistor dwikutub!

Jawab : Daerah karakteristik pada transistor dwikutub (BJT) adalah wilayah-wilayah dalam grafik arus
kolektor (IC) versus tegangan kolektor-arus basis (VCE-IC) yang menggambarkan perilaku transistor
dalam berbagai kondisi operasi. Terdapat tiga daerah karakteristik utama pada transistor dwikutub:

1. Daerah Aktif (Active Region) :

- Daerah karakteristik ini terjadi ketika junction emitter-base (EB) dibiaskan secara forward-biased
(VBE positif), dan junction base-collector (BC) dibiaskan secara reverse-biased (VBC negatif).
- Pada daerah aktif, arus elektron mengalir dari pemancar (E) ke basis (B) dan kemudian dari basis ke
kolektor (C).
- Kondisi ini memungkinkan transistor untuk menguatkan sinyal. Perubahan kecil dalam arus basis
(IB) menghasilkan perubahan besar dalam arus kolektor (IC).
- Daerah aktif adalah daerah operasi yang paling umum digunakan dalam aplikasi amplifikasi.
2. Daerah Pemotongan (Cut-off Region) :
 - Pada daerah ini, kedua junction p-n (EB dan BC) dalam transistor dwikutub dibiaskan secara
reverse-biased.
- Tidak ada arus yang mengalir antara pemancar (E) dan kolektor (C). Dalam mode ini, transistor
sepenuhnya mati dan tidak menghantarkan arus.
- Daerah pemotongan digunakan sebagai keadaan mati dalam aplikasi sakelar elektronik.
3. Daerah Jenuh (Saturation Region) :
- Daerah karakteristik ini terjadi ketika junction emitter-base (EB) masih dibiaskan secara forward-
biased (VBE positif), dan junction base-collector (BC) juga dibiaskan secara forward-biased (VBC
positif).
- Pada daerah jenuh, transistor sepenuhnya terkonduksi, dan arus kolektor mencapai nilai
maksimumnya yang disebut sebagai "arus jenuh" (ICsat).
- Daerah ini digunakan dalam aplikasi sebagai sakelar elektronik ketika transistor harus mengalirkan
arus maksimum.

Perubahan kondisi operasi transistor BJT dari satu daerah karakteristik ke daerah karakteristik lainnya
tergantung pada cara diberikannya tegangan pada terminal pemancar (E), basis (B), dan kolektor (C).
Pengetahuan tentang daerah-daerah karakteristik ini penting dalam merancang sirkuit yang
menggunakan transistor BJT agar dapat beroperasi sesuai dengan tujuan yang diinginkan.

3. Jelaskan perbedaan daerah basis, kolektor, emitter pada transistor PNP dan NPN!
Jawab : Transistor NPN:
1. Daerah Basis (Base Region) : Terbuat dari material semikonduktor tipe p (positif), dibiasakan positif
relatif terhadap emitter (E), dan pada daerah basis, elektron berdifusi dari emitter ke base.
2. Daerah Kolektor (Collector Region) : Terbuat dari material semikonduktor tipe n (negatif),
dibiasakan positif relatif terhadap base (B), dan pada daerah kolektor, elektron yang berdifusi dari base
ke kolektor akan diserap dan menghasilkan arus kolektor yang lebih besar.
3. Daerah Emitter (Emitter Region) : Terbuat dari material semikonduktor tipe n (negatif), daerah ini
biasanya lebih banyaka elektron daripada daerah basis, dan elektron dari emitter mengalir ke daerah
basis dan menjadi sumber arus basis.

Transistor PNP :
1. Daerah Basis (Base Region) : Terbuat dari material semikonduktor tipe n (negatif), dibiasakan
negatif relatif terhadap emitter (E), dan pada daerah basis, elektron berdifusi dari base ke emitter.
2. Daerah Kolektor (Collector Region) : Terbuat dari material semikonduktor tipe p (positif),
dibiasakan negatif relatif terhadap base (B), dan pada daerah kolektor, elektron yang berdifusi dari
emitter akan diserap dan menghasilkan arus kolektor yang lebih besar.
3. Daerah Emitter (Emitter Region) : Terbuat dari material semikonduktor tipe p (positif), daerah ini
biasanya memiliki kekurangan elektron dibandingkan dengan daerah basis, dan elektron dari daerah
basis mengalir ke emitter dan menjadi sumber arus emitter.

Dengan kata lain, perbedaan utama antara transistor NPN dan PNP adalah polaritas material
semikonduktor pada setiap daerah (basis, kolektor, dan emitter). Dalam transistor NPN, emitter adalah
tipe n dan basis adalah tipe p, sementara dalam transistor PNP, emitter adalah tipe p dan basis adalah
tipe n. Hal ini mempengaruhi arah arus elektron dalam transistor dan bagaimana transistor tersebut
menguatkan sinyal atau berperan dalam rangkaian elektronik.

4. Jelaskan konsep transistor sebagai saklar!

 Jawab : Transistor sebagai saklar yang bekerja dalam dua keadaan yaitu keadaan kerja penuh (saturasi)
dan keadaan tidak bekerja sama sekali (cut off). Atau dengan kata lain transitor bekerja sebagai saklar
mempunyai dua keadaan kerja, yakni On dan Off. Keadaan On pada transistor terjadi saat tegangan
VCE (colector-emitor) mendekati nol. Hal ini karena pada saat keadaan On (saturasi) tegangan
VCE sangat rendah dan arus colector (IC) sangat tinggi, sehingga menyebabkan transitor tersebut seperti
sebuah saklar tertutup yang menghubungkan kolektor ke emitor. Sedangkan keadaan OFF (cut off)
tercapai pada saat tegangan colector-emitor (V CE) mendekati tegangan colector (V CC). Hal ini tejadi
karena pada saat keadaan OFF (cut off) tegangan colector-emitor (V CE) sangat besar sedangkan arus
yang mengalir pada colector (IC) sangat kecil, yang menyebabkan transitor seperti sebuah saklar terbuka
(OFF).

5. Jelaskan pengertian daerah operasi yaitu daerah aktif, cutoff, dan saturasi!
Jawab :
* Pada saat transistor berada di daerah aktif maka tegangan di basis akan lebih besar dari
tegangan di emitor atau VB > VE, dan VBE harus lebih dari 0,6 V atau harus sama dengan 0,6 V atau
dapat juga ditulis VBE ≥ 0,6 V. Dengan demikian, persimpangan emitor-basis dalam mode bias maju,
dan karena kolektor memiliki tegangan lebih besar daripada basis maka persimpangan basis-kolektor
dalam mode bias mundur. Dalam daerah aktif VCE akan berada di antara 0 dan VCC.
* Ketika transistor berada di daerah saturasi tegangan basis lebih besar daripada tegangan di emitor atau
VB > VE. Dengan demikian, basis-emitor dalam mode bias maju. Sementara itu, pada
basis memiliki tegangan lebih besar dari kolektor atau VB > VC. Artinya, basis-kolektor juga dalam
mode bias maju. Dalam daerah saturasi VCE = 0.
* Selama di daerah cutoff emitor memiliki lebih besar tegangan daripada basis. Jadi, VB < VE atau
sama halnya VBE < 0,6 V. Artinya, transistor dalam keadaan off. Dalam hal ini, persimpangan
(junction) basis-emitor dalam mode bias mundur. Kemudian, pada tegangan kolektor akan lebih besar
daripada basis sehingga membuat persimpangan basis-kolektor juga dalam keadaan bias mundur. Ketika
kedua persimpangan berada dalam bias mundur berarti transistor berada di daerah cutoff atau transistor
dalam keadaan off (mati). Selama daerah cutoff maka besarnya tegangan kolektor-emitor sama dengan
besarnya tegangan suplai kolector (VCC) atau dapat ditulis VCE = VCC. Sementra itu, arus yang
mengalir di kolektor kira-kira 0 A, walaupun mungkin kolektor memiliki tegangan kecil, tetapi jika pun
itu ada maka besarnya arus yang mengalir hanya sebesar nano amp atau sangat dekat dengan 0 A.

6. Carilah datasheet BC547 dan 2N3906, serta analisis daerah operasi salah satu kurva karakteristik dari
grafik yang Anda ambil!
Jawab : Grafik BC547 : Hubungan antara arus kolektor (IC) dan suhu basis-emitter (VBE) pada
transistor BJT dapat dijelaskan melalui efek suhu pada karakteristik transistor. Suhu yang lebih tinggi
biasanya akan mempengaruhi parameter transistor, termasuk tegangan basis-emitter (VBE), yang pada
gilirannya akan mempengaruhi arus kolektor (IC). Dalam transistor BJT, VBE menurun dengan
peningkatan suhu. Artinya, ketika suhu meningkat, tegangan basis-emitter (VBE) akan lebih rendah dari
nilai yang terukur pada suhu lebih rendah. Hal ini dapat dilihat dalam karakteristik VBE versus suhu
pada datasheet transistor. Hubungan antara IC dan
VBE pada suhu yang berbeda dapat dijelaskan
sebagai berikut:

1. Peningkatan Suhu : ketika suhu naik, VBE akan

menurun. Ini disebabkan oleh perubahan sifat
semikonduktor pada suhu yang lebih tinggi, dan
 karena VBE menurun, pada kondisi operasi tetap (seperti bias tegangan dan resistansi basis yang
konstan), arus basis (IB) juga akan menurun.

2. Pengaruh Terhadap IC : karena IC terkait dengan IB melalui β (faktor penguatan transistor),

penurunan IB akan mengakibatkan penurunan IC dan dengan kata lain, ketika suhu naik, arus kolektor
(IC) akan cenderung menurun.

Dengan demikian, terdapat hubungan invers antara suhu basis-emitter dan arus kolektor. Ketika suhu
naik, VBE menurun, mengakibatkan penurunan IB dan akhirnya penurunan IC. Ini adalah efek suhu
yang harus diperhitungkan dalam perancangan sirkuit transistor, terutama jika stabilitas suhu adalah
pertimbangan penting dalam aplikasi tersebut. Penting untuk diingat bahwa karakteristik suhu transistor
dapat bervariasi antara berbagai jenis transistor dan model, dan hal ini biasanya dicantumkan dalam
datasheet transistor untuk referensi perancangan yang lebih akurat.

Grafik 2N3906 : Hubungan antara arus kolektor

(IC) dan impedansi input (atau resistansi input)
pada sebuah transistor BJT (Bipolar Junction
Transistor) dapat dianalisis dengan
mempertimbangkan karakteristik input transistor
dalam daerah operasinya. Dalam transistor BJT,
impedansi input terutama ditentukan oleh
resistansi basis-emitter (RB-RE). Dalam grafik
karakteristik transistor, Anda akan melihat kurva
yang menggambarkan hubungan antara IC dan
VBE (tegangan basis-emitter) pada arus kolektor yang berbeda. Ketika VBE meningkat, IC juga
cenderung meningkat, sesuai dengan prinsip dasar operasi transistor.

1. Impedansi Input (RB-RE) : impedansi input (atau resistansi input) dari transistor BJT biasanya
didefinisikan sebagai RB-RE, yaitu resistansi dari terminal basis (RB) ke terminal emitter (RE),
impedansi input ini adalah hasil dari polarisasi arus basis (IB) dalam transistor, dan ketika IB meningkat
(dengan meningkatnya VBE), impedansi input RB-RE akan menurun, karena IB yang lebih besar
menghasilkan tingkat resistansi yang lebih rendah.
2. Pengaruh Terhadap IC : karena IC terkait dengan IB melalui rasio penguatan arus transistor (β),
penurunan resistansi input (RB-RE) akan menyebabkan peningkatan IB dan peningkatan IB, pada
gilirannya, akan menyebabkan peningkatan IC, sesuai dengan hukum dasar operasi transistor BJT.

Jadi, ada hubungan terbalik antara impedansi input (RB-RE) dan arus kolektor (IC). Ketika impedansi
input transistor menurun (RB-RE lebih rendah), arus kolektor cenderung meningkat, karena peningkatan
IB mengakibatkan peningkatan IC. Dalam beberapa aplikasi, ini dapat dimanfaatkan untuk mengontrol
arus kolektor dengan mengubah tingkat tegangan basis-emitter (VBE) atau dengan memilih resistor
yang sesuai untuk RB dan RE dalam desain sirkuit.

7. Gambarkan bagian-bagian dari transistor NPN dan PNP!

 Jawab :

 Common Base (CB) atau Basis Bersama adalah konfigurasi yang kaki Basis-nya di-ground-kan dan
digunakan bersama untuk INPUT maupun OUTPUT. Pada Konfigurasi Common Base, sinyal
INPUT dimasukan ke Emitor dan sinyal OUTPUT-nya diambil dari Kolektor, sedangkan kaki
Basis-nya di-ground-kan.
 Kalau pada Common Base menghasilkan penguatan Tegangan tanpa memperkuat Arus, maka
Common Collector ini memiliki fungsi yang dapat menghasilkan Penguatan Arus namun tidak
menghasilkan penguatan Tegangan. Pada Konfigurasi Common Collector, Input diumpankan ke
Basis Transistor sedangkan Outputnya diperoleh dari Emitor Transistor sedangkan Kolektor-nya di-
ground-kan dan digunakan bersama untuk INPUT maupun OUTPUT.

 Konfigurasi Common Emitter (CE) atau Emitor Bersama merupakan Konfigurasi Transistor yang
pada penguat membutuhkan penguatan Tegangan dan Arus secara bersamaan. Hal ini dikarenakan
Konfigurasi Transistor dengan Common Emitter ini menghasilkan penguatan Tegangan dan Arus
antara sinyal Input dan sinyal Output. Common Emitter adalah konfigurasi Transistor dimana kaki
Emitor Transistor di-ground-kan dan dipergunakan bersama untuk INPUT dan OUTPUT. Pada
Konfigurasi Common Emitter ini, sinyal INPUT dimasukan ke Basis dan sinyal OUTPUT-nya
diperoleh dari kaki Kolektor.

8. Analisis diagram energi transistor NPN di bawah!

Jawab :
 Dengan membiaskan sambungan EB ke depan, penghalang aliran arus difusi diturunkan
sehingga memungkinkan konsentrasi pembawa yang besar mengalir dari emitor ke basis dengan
penurunan tegangan kecil (sambungan bias maju) di mana ia berdifusi (dan sebagian bergabung
kembali) dalam perjalanan menuju kolektor.
 Dengan membalikkan bias persimpangan BC, tegangan besar didukung dan karena bias terbalik
ini mengais arus emitor yang bertahan dari difusi di basis, arus kolektor hampir menyamai arus
emitor (dalam kasus basis tipis).
  Kombinasi arus besar (yang berasal dari sambungan BE bias maju) dan tegangan besar
(didukung melintasi sambungan BC bias mundur) menghasilkan dalam daya yang besar
(amplifikasi dimungkinkan).

9. Jelaskan analisis perbedaaan mengenai topologi transistor dwikutub!

Jawab : Terdapat dua topologi utama transistor dwikutub (BJT) yang berbeda, yaitu:
1. Topologi NPN (Négatif-Positif-Négatif) :
- Pada transistor NPN, lapisan pemancar (p) adalah tipe semikonduktor n (negatif), basis (b) adalah
tipe semikonduktor p (positif), dan lapisan kolektor (c) adalah tipe semikonduktor n (negatif).
- Pada saat kondisi normal (daerah aktif), arus elektron mengalir dari pemancar ke basis dan kemudian
dari basis ke kolektor.
- Karena pergerakan elektron, transistor NPN dapat menguatkan sinyal dan digunakan dalam aplikasi
penguatan.
- Transistor NPN sering digunakan dalam rangkaian elektronik sebagai sakelar atau amplifier.
2. Topologi PNP (Positif-Négatif-Positif) :
- Pada transistor PNP, lapisan pemancar (p) adalah tipe semikonduktor p (positif), basis (b) adalah tipe
semikonduktor n (negatif), dan lapisan kolektor (c) adalah tipe semikonduktor p (positif).
- Pada saat kondisi normal (daerah aktif), arus bergerak dari basis ke pemancar dan kemudian dari
pemancar ke kolektor.
- Transistor PNP juga dapat menguatkan sinyal dan digunakan dalam aplikasi penguatan, tetapi
polaritasnya berlawanan dengan transistor NPN.
- Biasanya, transistor PNP digunakan dalam rangkaian yang memiliki tegangan referensi positif (Vcc)
dan sinyal keluaran negatif.

Perbedaan utama antara topologi transistor NPN dan PNP adalah polaritas bahan semikonduktor yang
digunakan dalam pembuatan transistor, yang mengubah arah aliran arus elektron. Ini juga
mempengaruhi bagaimana transistor digunakan dalam sirkuit elektronik. Oleh karena itu, pemilihan
antara transistor NPN dan PNP tergantung pada kebutuhan dan konfigurasi sirkuit yang digunakan.