KARAKTERISTIK TRANSISTOR BASIS DITANAHKAN

A. TUJUAN
1. Mempelajari karakteristik masukan transistor basis ditanahkan
2. Mempelajari karakteristik keluaran transistor basis ditanahkan
3. Membuat grafik karakteristik transistor ditanahkan

B. TEORI DASAR
Transistor merupakan dioda dengan dua sambungan (junction). Sambungan itu
membentuk transistor PNP maupun NPN. Ujung ujung terminalnya berturut turut disebut
emitor,base dan kolektor. Base selalu berada ditengah.Transistor ini disebut transistor
bipolar karena strukturnya dan prinsip kerjanya tergantung dari perpindahan elektron di
kutub negatif ,mengisi kekurangan elektron(hole) di kutub positif. William Shockley pada
tahun 1951 yang pertama kali menemukan transistor bipolar.

Akan dijelaskan kemudian,transistor adalah komponen yang bekerja sebagai saklar

dan juga sebagai penguat, Transistor bipolar adalah inovasi yang menggantikan transistor
tabung. Selain dimensinya yang relatif lebih kecil,disipasi daya nya juga lebih kecil
sehingga dapat bekerja pada suhu yang lebih dingin. Dalam beberapa aplikasi,transitor
tabung masih digunakan terutama untuk aplikasi audio,untuk mendapatkan kualitas suara
yang baik,namun konsumsi daya nya sangat besar. Sebab untuk dapat melepaskan
elektron,teknik yang digunakan adalah pemanasan filamen seperti pada lampu pijar.
Bias DC
Transistor Bipolar memiliki 2 junction yang dapat disamakan dengan
penggabungan 2 buah dioda. Emiter-Base adalah satu junction dan base kolektor junction
yang lainnya. Seperti pada dioda,arus hanya akan mengalir jika diberi bias positif,yaitu
hanya jika tegangan pada material P lebih positi dari material N. Pada gambar
berikut,junction Bas-Emiter diberi bias positif sedangkan base-Collector mendapat bias
negatif.
 Karena Base-emiter mendapat bias positif maka seperti dioda,elektron mengalir
dari emiter menuju base.Kolektor pada rangkaian ini lebih positif sebab mendapat
tegangan positif. Karena kolektor ini lebih positif,aliran elektron bergerak menuju kutub
ini. Misalnya tidak ada kolektor,aliran elektron seluruhnya akan menuju base seperti pada
dioda.Tetapi karena lebar base yang sangat tipis,hanya sebagian elektron yang dapat
bergabung dengan hole yang ada pada base.Sebagian besar akan menembur lapisan base
menuju kolektor. Inilah alasannya mengapa jika dua dioda digabungkan tidak dapat
menjadi sebuah transistor,karena persyaratannya adalah lebar base harus sangat tipis
sehingga dapat diterjang oleh elektron.
Jika misalnya tegangan base emitor dibalik,maka tidak akan terjadi aliran elektron
dari emitor menuju kolektor. Jika pelan pelan keran base diberi forward bias,elektron
akan mengalir menuju kolektor dan besarnya sebanding dengan besar arus bias base yang
diberikan. Dengan kata lain,arus base mengatur banyaknya elektron yang mengalir dari
emiter menuju kolektor. Ini yang dinamakan efek penuatan transistor,karena arus base
yang kecil menghasilkan arus emiter colector yang lebih besar. Istilah
Amplifier(Penguatan) menjadi salah kaprah,dengan penjelasan diatas sebenarnya yang
terjadi bukan penguatan,melainkan arur yang lebih kecil mengontrol aliran arus yang
lebih besar. Juga dapat dijelaskan bahwa bease mengatur membuka dan menutup aliran
arus emiter kolektor (Switch on/off).
Pada transistor PNP, fenomena yang sama dapat dijelaskan dengan memberikan
bias seperti pada gambar berikut. Dalam hal ini yang disebut perpindahan arus adalah
arus hole.
 Untuk memudahkan pembahasan prinsip bias transistor, berikut adalah terminologi
parameter transistor. Dalam hal ini arah arus adalah dari potensial tinggi ke rendah.
Agar transistor dapat berfungsi sebagai penguat,maka harus diusahakan sambungan
antara emitor-basis(JE) harus mendapatkan tegangan maju dan sambungan antara basis
kolektor (JC) harus mendapat tegangan balik. Suatu rangkaian penguat dengan transistor
basis ditanahkan adalah sebagai berikut

Masukan disadap dari terminal emitor-basis dan keluara disadap terminal kolektor
basis. Jadi terminal basis dipakai bersama sebagai basis,sehingga penguat jenis ini dikenal
sebagai penguat dengan basis ditanahkan. Karakteristik masukan statis dapat dipelajari
melalui pengukuran tegangan masukan yaitu tegangan antara emitor bais (VEB) dan kuat
arus masukan yaitu kuat arus yang masuk melalui Emitor (IE) pada tegangan keluaran
(VCB) tertentu.
Sifat masukan dari transistor PNP dalam konfigurasi sekutu basis diperlihatkan
dengan membuat grafik antara IE (mA) terhadap VEB (Volt). Karakteristik grafik yang
dihasilkan akan berbeda untuk nilai VCB yang berbeda. Grafik karakteristik ini identik
dengan karakteristik dioda bias maju.
Sifat masukan transistor dalam konfigurasi CB yang dipengaruhi tegangan VCB
disebabkan karena menebalnyua daeerah kosong (Delepation Region) pada sambungan
Jc karena tegangan sambungan Vc yang semakin negatif. Dengan menebalnya daerh
kosong berarti tebal basis secara efektif akan berkurang, ada dua akbiat yang akan
disebabkan berkurangnya tebal basis. Pertama menjadi lebih besar, karena hole injection
did aerah basis yang melakukan rekombinasi jumlahnya berkurang. Kedua,jarak efektif
antara Je dan Jc semakin kecil,menurunya konsentrasi hole minoritas injection di daerah
basis semakin tajam. Perlu diingat bahwa pada sambungan kolektor-basis mendapat
tegangan arah balik, konsentrasi dari hole injection pada sambungan ini harganya
mendekati nol. Dengan penurunan konsentrasi yang lebih tajam,harga Ie menjadi semakin
besar. Jadi kesimpulannya, dengan Vcb yang semakin negatif, kalau Veb tetap,harga Ie
semakin besar.
 Karakteristik keluaran statis dapat dipelajari melalui pengukuran tegangan
keluaran, yaitu tegangan antara kolektor basis Vcb dan kuar arus keluaran yaitu kuar arus
yang keluar melalui terminal kolektor Ic pada arus masukan Ie tertentu.
Sifak keluaran transistor PNP dalam konfigurasi basis bersama dapat digambarkan
dari karekteristik yang dihasilkan oleh arus kolektor Ic terhadap tegangan kolektor basis
Vcb pada nilai Ie tertentu. Dari grafik yang dihasilkan dapat diamati tiga daerah sifat
keluaran,yaitu daerah mati, aktif, dan jenuh1

TEORI TAMBAHAN

Transistor adalah suatu komponen aktif yang dibuat dari bahan semikonduktor ada
dua macam yaitu transistor dwikutub (bipolar) dan transistor efek medan. Transistor
digunakan dalam rangkaian untuk memperkuat isyrat artinya isyarat masukan lemah dan
diubah menjadi isyarat kuat pada keluaran. Pada transistor dwikutub sambungan p-n
antara emitor dan basis.2

Transistor mempunyai tiga kaki (elektroda) yang diberinama basis (b), emitor (e)
dan collector (c). Basis dihubungkan pada lapisan tengah sedang emitor dan collector
pada lapisan tepi. Emitor artinya pemancar, disinilah pembawa muatan berasal. Kolektor
artinya pengumpul.Pembawa muatan yang berasal dari emitor ditampung pada collector.
Basis artinya dasar, basis digunakan sebagai elektroda mengendali. Prinsip transistor juga
sebagai penguat (amplifier): artinya transistor bekerja pada wilayah antara titik jenuh dan
kondisi terbuka (cut off), tetapi tidak pada kondisi keduanya. Prinsip transistor sebagai
penghubung (saklar): transistor akan mengalami Cutoff apabila arus yang melalui basis
sangat kecil sekali sehinga collector dan emitor akan seperti kawat yang terbuka, dan
transistor akan mengalami jenuh apabila arus yang melalui basis terlalu besar sehingga
antara collector dan emitor bagaikan kawat terhubung dengan begitu tegangan antara
collector dan emitor Vce. Prinsip dasar dari kerja transistor yang lain adalah tidak akan
ada arus antara collector dan emitor apabila pada basis tidak diberi tegangan muka atau
bias. Bias pada basis ini biasanya diikuti dengan sinyal-sinyal atau pulsa listrik yang
nantinya hendak dikuatkan, sehingga pada collector, sinyal yang di inputkan pada kaki
basis telah dikuatkan. Kedua jenis transistor baik NPN ataupun PNP memiliki prinsip
kerja yang sama.3

1Tim Dosen Elektronika. 2014. Modul Praktikum Elektronika I. Jakarta: UNJ.

2Sutrisno.
1986. Elektronika I. Bandung: ITB.
3Sriwidodo. 2012. Elektronika Dasar. Jakarta: Salemba Teknika.
 Transistor adalah komponen aktif yang menggunakan aliran electron sebagai
prinsip kerjanya didalam bahan. Sebuah transistor memiliki tiga daerahdoped yaitu
daerah emitter, daerah basis dan daerah disebut kolektor. Transistorada dua jenis yaitu
NPN dan PNP. Transistor memiliki dua sambungan: satuantara emitter dan basis, dan
yang lain antara kolektor dan basis. Karena itu,sebuah transistor seperti dua buah dioda
yang saling bertolak belakang yaitu diodaemitter-basis, atau disingkat dengan emitter
dioda dan dioda kolektor basis, ataudisingkat dengan dioda kolektor.Bagian emitter-basis
dari transistor merupakan dioda, maka apabila diodaemitter basis dibias maju maka kita
mengharapkan akan melihat grafik arusterhadap tegangan dioda biasa. Saat tegangan
dioda emitter-basis lebih kecil dari potensial barriernya, maka arus basis (Ib) akan kecil.
Ketika tegangan dioda melebihi potensial barriernya, arus basis (Ib) akan naik secara
cepat.4

Transistor NPN dan transistor PNP merupakan transistor yang terbuat dari
semikonduktor tipe P dan semikonduktor tipe N. Pada transistor tipe ini nilai pergerakan
dari elektronnya akan lebih tinggi dibandingkan dengan pergerakan muatan positifnya,
sehingga akan memungkinkan sistem beroperasi dengan arus yang besar dan pada
kecepatan yang besar. Arus pada basis akan dikuatkan oleh kolektor. Jadi transistor NPN
akan memasuki daerah aktif ketika tegangan yang berada pada basis lebih tinggi dari pada
emitor dan menuju keluar yang menunjukan arah arus konvensional, saat alat mendapat
panjar maju.5

Dalam operasi normal transistor, hubungan emitor-basis di catu maju sedangkan

hubungan kolektor-basis di catu balik. Jadi, arus masuk ke transistor lewat terminal
emitor dalam transistor p-n-p, sedangkan dalam transistor n-p-n, arus keluar transistor
lewat terminal emitor.6

Sebuah transistor memiliki empat daerah operasi yang berbeda yaitudaerah aktif,
daerah saturasi, daerah cutoff, dan daerah breakdown. Jika transistor digunakan sebagai
penguat, transistor bekerja pada daerah aktif. Jika transistordigunakan pada rangkaian
digital, transistor biasanya beroperasi pada daerahsaturasi dan cutoff. Daerah breakdown
biasanya dihindari karena resiko transistormenjadi hancur terlalu besar.7

4Malvino. 1992. Prinsip-Prinsip Elektronika Edisi 7. Jakarta: Erlangga.

5Aditya,Emy. 2012. Transistor. Jurnal Transistor. Vol 1 (1): 3-4.
6Chattopadhyay, dkk. 1989. Dasar-Elektronika. Jakarta: UI-Press.
7Dwihono. 1996. Rangkaian Elektronika Analog. Jakarta: PT Elaxmedia.
 Rangkaian transistor adalah rangkaian komponen elektronika yang terbuat serta
tersusun oleh bahan semikonduktor yang mempunyai tiga kaki yang biasa disimbolkan
basis (B), emitor (E), dan kolektor (K). Transistor sendiri dibagi menjadi dua jenis tipe
yaitu transistor PNP dan juga transistor NPN yang membedakan kedua transistor tersebut
yaitu dapat dilihat pada tanda panah pada area emitor (E), jika anak panah kebagian
dalam, maka transistor tersebut adalah transistor PNP, sementara jika anak panah
mengarah kearah luar maka transistor tersebut NPN.8

C. ALAT DAN BAHAN

1. Voltmeter
2. Amperemeter
3. Power Supply
4. Protoboard
5. Resistor 330 Ohm
6. Potensiometer 10k
7. Transistor

D. LANGKAH PERCOBAAN
Karakteristik statis Masukan
1. Buatlah rangkaian seperti skema dibawah dengan kedua sumber tegangan dalam
keadaan terbuka

2. Setelah rangkaian benar, ubah potensio P1 dan P2 pada posisi minimim,kemudian

hubungkan dengan sumber tegangan
3. Ubahlah potensio P1 sehingga didapat Vep 0,5 Volt,sedangkan P2 tetap minimum
sehingga Vcb=Veb=0. Catatlah kuat arus di emitor (Ie)
4. Lakukan langkah 3 untuk Veb sampai 6 volt dengan interval 0,5 Volt
5. Lakukan langkah 3 dan 4 untuk Vcb 3,6,dan 9 Volt

8Zemansky, Sears. 1962. Fisika Untuk Universitas 1. Bandung: Trimitra Mandiri.

 Karakteristik Statis Keluaran

1. Buatlah rangkaian seperti skema dibawah dengan kedua sumber tegangan dalam
keadaan terbuka

2. Setelah rangkaian benar, ubah potensio P1 dan P2 pada posisi minimim,kemudian

hubungkan dengan sumber tegangan
3. Ubahlah potensio P1 sehingga didapat arus Ie = 1mA, atur P2 sehingga didapat
Vcb=1Volt. Catatlah kuat arus di kolektor (Ic)
4. Lakukan langkah 3 untuk Vcb sampai 9 volt dengan interval 1 Volt
5. Lakukan langkah 3 dan 4 untuk Ie 5mA, 15mA, 20mA, dan 25mA.

E. PERTANYAAN AWAL
1. Buatlah grafik karakteristik masukan transistor basis ditanahkan, dimana kuat arus
emitor Ie sebagai sumbu Y dan tegangan emitor-Basis Veb sebagai sumbu X

IE

VEB
2. Buatlah grafik karakteristik masukan transistor basis ditanahkan,dimana kuat arus
kolektor Ic sebagai sumbu Y dan tegangan Kolektor-Basis Vcb sebagai sumbu X

IC

VCB
F. TABEL PENGAMATAN
 G. DATA PENGAMATAN
Karakteristik Statis Masukan
0 volt 3 volt 6 volt 9 volt
No.
Veb Ie (mA) Veb Ie (mA) Veb Ie (mA) Veb Ie (mA)
1 0,50 1,45 0,50 0,05 0,50 0,60 0,50 1,25
2 1,00 3,00 1,00 1,00 1,00 1,25 1,00 1,50
3 1,50 4,50 1,50 2,50 1,50 2,50 1,50 3,50
4 2,00 6,00 2,00 4,00 2,00 4,50 2,00 6,00
5 2,50 7,50 2,50 5,50 2,50 5,50 2,50 6,50
6 3,00 8,50 3,00 4,50 3,00 7,50 3,00 8,00
7 3,50 10,50 3,50 8,50 3,50 9,50 3,50 8,50
8 4,00 12,00 4,00 10,50 4,00 10,00 4,00 9,50
9 4,50 13,00 4,50 13,00 4,50 12,00 4,50 12,50
10 5,00 14,50 5,00 14,50 5,00 13,50 5,00 14,50

H. PENGOLAHAN DATA
Nst. V 0,01 volt I 0,01 mA
1 1
∆𝑉 = . 𝑁𝑆𝑇 ∆𝐼 = . 𝑁𝑆𝑇
2 2
∆𝑉 ∆𝐼
𝐾𝑆𝑅 = .100% 𝐾𝑆𝑅 = .100%
̅
𝑉 𝐼̅

𝑉 = (𝑉̅ ± ∆𝑉)𝑉 𝐼 = (𝐼 ̅ ± ∆𝐼)𝑚𝐴

V¯ 0,00 3,00 6,00 9,00
ΔV 0,005 0,005 0,005 0,005
KSR - 0,17% 0,08% 0,06%
V 0,00 ± 0,005 3,00 ± 0,005 6,00 ± 0,005 9,00 ± 0,005

Pengolahan Tegangan VEB (volt)

V¯ 0,50 1,00 1,50 5,00
ΔV 0,005 0,005 0,005 0,005
KSR 1,00% 0,50% 0,33% 0,10%
V 0,50 ± 0,005 1,00 ± 0,005 1,50 ± 0,005 5,00 ± 0,005
V¯ 2,00 2,50 3,00
ΔV 0,005 0,005 0,005
KSR 0,25% 0,20% 0,17%
V 2,00 ± 0,005 2,50 ± 0,005 3,00 ± 0,005
V¯ 3,50 4,00 4,50
ΔV 0,005 0,005 0,005
KSR 0,14% 0,13% 0,11%
V 3,50 ± 0,005 4,00 ± 0,005 4,50 ± 0,005
Pengolahan Arus IE (mA)
 0 volt
I̅ 1,45 3,00 4,50 6,00
ΔI 0,005 0,005 0,005 0,005
KSR 0,34% 0,17% 0,11% 0,08%
I 1,45 ± 0,005 3,00 ± 0,005 4,50 ± 0,005 6,00 ± 0,005
I̅ 7,50 8,50 10,50
ΔI 0,005 0,005 0,005
KSR 0,07% 0,06% 0,05%
I 7,50 ± 0,005 8,50 ± 0,005 10,50 ± 0,005
I̅ 12,00 13,00 14,50
ΔI 0,005 0,005 0,005
KSR 0,04% 0,04% 0,03%
I 12,00 ± 0,005 13,00 ± 0,005 14,50 ± 0,005

 3 volt
I̅ 0,05 1,00 2,50 4,00
ΔI 0,005 0,005 0,005 0,005
KSR 10,00% 0,50% 0,20% 0,13%
I 0,05 ± 0,005 1,00 ± 0,005 2,50 ± 0,005 4,00 ± 0,005
I̅ 5,50 4,50 8,50
ΔI 0,005 0,005 0,005
KSR 0,09% 0,11% 0,06%
I 5,50 ± 0,005 4,50 ± 0,005 8,50 ± 0,005
I̅ 10,50 13,00 14,50
ΔI 0,005 0,005 0,005
KSR 0,05% 0,04% 0,03%
I 10,50 ± 0,005 13,00 ± 0,005 14,50 ± 0,005

 6 volt
I̅ 0,60 1,25 2,50 4,50
ΔI 0,005 0,005 0,005 0,005
KSR 0,83% 0,40% 0,20% 0,11%
I 0,60 ± 0,005 1,25 ± 0,005 2,50 ± 0,005 4,50 ± 0,005
I̅ 5,50 7,50 9,50
ΔI 0,005 0,005 0,005
KSR 0,09% 0,07% 0,05%
I 5,50 ± 0,005 7,50 ± 0,005 9,50 ± 0,005
I̅ 10,00 12,00 13,50
ΔI 0,005 0,005 0,005
KSR 0,05% 0,04% 0,04%
I 10,00 ± 0,005 12,00 ± 0,005 13,50 ± 0,005
  9 volt

I̅ 1,25 1,50 3,50 6,00

ΔI 0,005 0,005 0,005 0,005
KSR 0,40% 0,33% 0,14% 0,08%
I 1,25 ± 0,005 1,50 ± 0,005 3,50 ± 0,005 6,00 ± 0,005
I̅ 6,50 8,00 8,50
ΔI 0,005 0,005 0,005
KSR 0,08% 0,06% 0,06%
I 6,50 ± 0,005 8,00 ± 0,005 8,50 ± 0,005
I̅ 9,50 12,50 14,50
ΔI 0,005 0,005 0,005
KSR 0,05% 0,04% 0,03%
I 9,50 ± 0,005 12,50 ± 0,005 14,50 ± 0,005

I. ANALISA DAN GRAFIK

Pada praktikum kali ini, diujikan suatu rangkaian untuk mengetahui karakteristik
transistor basis ditanahkan. Dari data yang didapatkan, yaitu:

0 volt 3 volt 6 volt 9 volt

No.
Veb Ie (mA) Veb Ie (mA) Veb Ie (mA) Veb Ie (mA)
1 0,50 1,45 0,50 0,05 0,50 0,60 0,50 1,25
2 1,00 3,00 1,00 1,00 1,00 1,25 1,00 1,50
3 1,50 4,50 1,50 2,50 1,50 2,50 1,50 3,50
4 2,00 6,00 2,00 4,00 2,00 4,50 2,00 6,00
5 2,50 7,50 2,50 5,50 2,50 5,50 2,50 6,50
6 3,00 8,50 3,00 4,50 3,00 7,50 3,00 8,00
7 3,50 10,50 3,50 8,50 3,50 9,50 3,50 8,50
8 4,00 12,00 4,00 10,50 4,00 10,00 4,00 9,50
9 4,50 13,00 4,50 13,00 4,50 12,00 4,50 12,50
10 5,00 14,50 5,00 14,50 5,00 13,50 5,00 14,50

diminta untuk membuat kurva/grafik perbandingan dari masing-masing data berdasarkan

nilai VCB yang berbeda-beda yaitu 0, 3, 6, dan 9volt. Dengan nilai VEB pada sumbu X dan
nilai IE pada sumbu Y, maka grafik yang terbentuk pada 1 bidang kartesian yang sama
adalah sebagai berikut:
 Grafik Karakteristik Masukan
16.00
14.00
12.00
10.00
8.00
6.00
4.00
2.00
0.00
0.00 1.00 2.00 3.00 4.00 5.00 6.00

0 volt 3 volt 6 volt 9 volt

Dianalisa dari grafik di atas, dapat dilihat pada saat VCB 0 volt, 6 volt, dan 9 volt,
grafik menanjak naik dan tidak turun, sedangkan pada 3 volt, ada 1 titik dimana grafiknya
turun. Kemudian pada 3 volt, 6 volt, dan 9 volt, titik awal grafik masing-masing
meningkat, namun pada 0 volt berada di atas semuanya. Pada titik akhir, grafik dari 0
volt, 3 volt, dan 9 volt bertemu di satu titik yang sama. Kemudian jika dibandingkan
antara 0 volt dan 9 volt, 0 volt lebih konstan naik daridapa 9 volt.
Data yang dihasilkan memiliki kesalahan relative yang sangat kecil, sehingga data
yang didapatkan dapat dikatakan benar atau hampir akurat.

J. PERTANYAAN AKHIR
1. Buatlah grafik karakteristik masukan transistor basis ditanahkan, dimana kuat arus
emitor (IE) sebagai sumbu Y dan tegangan emitor-basis (VEB) sebagai sumbu X.
lukiskan untuk nilai VCB yang berbeda pada satu bidang kartesian yang sama.
Jawaban:

Grafik Karakteristik Masukan

16.00
14.00
12.00
10.00
8.00
6.00
4.00
2.00
0.00
0.00 1.00 2.00 3.00 4.00 5.00 6.00

0 volt 3 volt 6 volt 9 volt

 2. Buatlah grafik karakteristik keluaran transistor basis ditanahkan, dimana kuat arus
kolektor (IC) sebagai sumbu Y dan tegangan kolektor-basis (VCB) sebagai sumbu
X. lukiskan untuk nilai IE yang berbeda pada satu bidang kartesian yang sama.
Jawaban:
Tidak dapat dibuat karena data tidak ada.
3. Bandingkan kurva karakteristik masukan transistor dengan kurva karakteristik
diode bias maju, berikan penjelasan Anda!
Jawaban:

4. Untuk kurva karakteristik keluaran transistor, tentukan daerah mati, daerah aktif
dan daerah jenuh transistor basis ditanahkan
Jawaban:
Tidak dapat dijawab karena kurva tidak ada.

K. PEMBAHASAN
Pada praktikum yang berjudul Karakteristik Transistor Basis Ditanahkan kali ini,
bertujuan untuk mempelajari karakteristik masukan transistor basis ditanahkan,
mempelajari karakteristik keluaran transistor basis ditanahkan, dan membuat grafik
karakteristik transistor ditanahkan.

L. KESIMPULAN
 DAFTAR PUSTAKA

Aditya, Emy. 2012. Transistor. Jurnal Transistor. Vol 1 (1): 3-4.

Chattopadhyay, dkk. 1989. Dasar-Elektronika. Jakarta: UI-Press.

Dwihono. 1996. Rangkaian Elektronika Analog. Jakarta: PT Elaxmedia.

Malvino. 1992. Prinsip-Prinsip Elektronika Edisi 7. Jakarta: Erlangga.

Sriwidodo. 2012. Elektronika Dasar. Jakarta: Salemba Teknika.

Sutrisno. 1986. Elektronika I. Bandung: ITB.

Tim Dosen Elektronika. 2014. Modul Praktikum Elektronika I. Jakarta: UNJ.

Zemansky, Sears. 1962. Fisika Untuk Universitas 1. Bandung: Trimitra Mandiri.

LAMPIRAN