MAKALAH TRANSISTOR BIPOLAR

BAB I
PENDAHULUAN

A. Latar Belakang
Walter H. Brattain dan John Bardeen pada akhir Desember 1947 di Bell Telephone
Laboratories berhasil menciptakan suatu komponen yang mempunyai sifat
menguatkan yaitu yang disebut dengan Transistor.Keuntungan komponen transistor
ini dibanding dengan pendahulunya,yakni tabung hampa,adalah ukuran fisiknya yang
sangat kecil dan ringan.Bahkan dengan teknologi sekarang ini ratusan ribu transistor
dapat dibuat dalam satu keping silikon.Disamping itu komponen semikonduktor ini
membutuhkan sumber daya yang kecil serta serta efesiensi yang tinggi.

B. Tujuan
Agar mahasiswa-mahasiswi jurusan teknik Elektronika untuk meningkatkan
pengetahuan mengenai elektronika semikonduktor dan pengetahuan lebih mendalam
tentang kerja transistor,dijabarkan persamaan statik dasar transistror bipolar.erbagai
modus kerja transistor kemudian dipaparkan lebih sederhana agar mudah untuk
pemahamahan dan pembahasannya.

C. Rumusan Masalah
Dalam makalah ini membahas tentang:
- Transistor Bipolar
- Aliran Arus Listrik pada Transistor PNP dan NPN
- Prinsip Kerja Transistor PNP dan NPN
- Transistor Sebagai Saklar Elektronik

D. Batasan Masalah
Berdasarkan rumusan masalah, maka makalah ini tidak membahas:
- Tipe-tipe transistor
- Transistor uniplar secara terperinci
- Fungsi transistor secara terperinci
 BAB II
PEMBAHASAN

A. Kontruksi Transistor Bipolar

Transistor adalah komponen semikonduktor yang terdiri atas sebuah bahan type P dan
diapit oleh dua bahan tipe N (transistor NPN) atau terdiri atas sebuah bahan tipe N
dan diapit oleh dua bahan tipe P (transistor PNP).Sehingga transistor mempunyai tiga
terminal yang berasal dari masing-masing bahan tersebut. Struktur dan simbol
transistor bipolar dapar dilihat pada gambar.Disamping itu yang perlu diperhatikan
adalah bahwa ukuran basis sangatlah tipis dibanding emitor dan kolektor.
Perbandingan lebar basis ini dengan lebar emitor dan kolektor kurang lebih adalah 1 :
150.Sehingga ukuran basis yang sangat sempit ini nanti akan mempengaruhi kerja
transistor.Simbol transitor bipolar ditunjukkan pada gambar 3.1. Pada kaki emitor
terdapat tanda panah yang nanti bisa diketahui bahwa itu merupakan arah arus
konvensional.Pada transistor NPN tanda panahnya menuju keluar sedangkan pada
transistor PNP tanda panahnya menuju kedalam.
Ketiga terminal transistor tersebut dikenal dengan Emitor ,Basis, Kolektor.Emitor
merupakan bahan semikonduktor yang diberi tingkat doping sangat tinggi.Bahan
kolektor diberi doping dengan tingkat yang sedang.Sedangkan basis adalah bahan
dengan dengan doping yang sangat rendah.Perlu diingat bahwa semakin rendah
tingkat doping suatu bahan, maka semakin kecil konduktivitasnya.Hal ini karena
jumlah pembawa mayoritasnya (elektron untuk bahan N;dan hole untuk bahan P)
adalah sedikit.

B. Aliran Arus Listrik pada Transistor PNP dan NPN

Pada transistor baik untuk tipe NPN atau PNP anak panah selalu ditempat emitor
artinya anak panah menunjuk arus listrik konvensional dimana arahnya berlawanan
denga arah arus electron
Transistor PNP: Arus listrik yang besar akan mengalir dari emitter ke
collector.Apabila ada arus kecil yang mengalir dari emitter ke base.
Transistor NPN: Arus listrik yang besar akan mengalir dari collector ke
emitter,apabila ada arus kecil yang mengalir dari base ke emitter.Dalam hal ini
transistor mirip dengan amplifier,ang mengontrol jumlah arus dari collector ke emitter
oleh arus yang mengalir dari base.Transistor juga mirip dengan fungsi
sakelar.Transistor akan bekerja pada posisi ON,yaitu arus akan mengalir dari collector
ke emitter apabila arus kecil mengalir dari base.Sedangkan transistor akan berada
pada posisi OFF,apabila tidak ada arus yang mengalir dari base.

C. Prinsip Kerja dari Transistor

Dari banyak tipe-tipe transistor modern, pada awalnya ada dua tipe dasar transistor,
(BJT atau transistor bipolar) dan (FET), yang masing-masing bekerja secara berbeda.
Transistor bipolar dinamakan demikian karena kanal konduksi utamanya
menggunakan dua polaritas pembawa muatan: elektron dan lubang, untuk membawa
arus listrik. Dalam BJT, arus listrik utama harus melewati satu daerah/lapisan
pembatas dinamakan depletion zone,dan ketebalan lapisan ini dapat diatur dengan
kecepatan tinggi dengan tujuan untuk mengatur aliran arus utama tersebut.
FET(juga dinamakan transistor unipolar)hanya menggunakan satu jenis pembawa
muatan (elektron atau hole, tergantung dari tipe FET). Dalam FET, arus listrik utama
mengalir dalam satu kanal konduksi sempit dengan depletion zone di kedua sisinya
(dibandingkan dengan transistor bipolar dimana daerah Basis memotong arah arus
listrik utama).Dan ketebalan dari daerah perbatasan ini dapat dirubah dengan
perubahan tegangan yang diberikan, untuk mengubah ketebalan kanal konduksi
tersebut. Lihat artikel untuk masing-masing tipe untuk penjelasan yang lebih lanjut.
Apabila pada terminal transistor tidak diberi tegangan bias dari luar, maka semua arus
akan nol atau tidak ada arus yang mengalir. Sebagai mana terjadi pada persambungan
dioda, maka pada persambungan emiter dan basis (JE) serta pada persambungan basis
dan kolektor (JC) terdapat daerah pengosongan.Tegangan penghalang pada masing-
masing persambungan dapat dilihat pada gambar dibawah ini. terlihat bahwa terdapat
perbedaan potensial antara kaki emitor dan basis sebesar Vo, juga antara kaki basis
dan kolektor. Oleh karena potensial ini berlawanan dengan muatan pembawa pada
masing-masing bahan tipe P dan N, maka arus rekombinasi hole-elektron tidak akan
mengalir. Sehingga pada saat transistor tidak diberi tegangan bias, maka arus tidak
akan mengalir. Selanjutnya apabila antara terminal emitor dan basis diberi tegangan
bias maju (emitor positip dan basis negatip) serta antara terminal basis dan kolektor
diberi bias mundur (basis positip dan kolektor negatip), maka transistor disebut
mendapat bias aktif Setelah transistor diberi tegangan bias aktif, maka daerah
pengosongan pada persambungan emitor-basis menjadi semakin sempit karena
mendapatkan bias maju. Sedangkan daerah pengosongan pada persambungan basis-
kolektor menjadi semakin melebar karena mendapat bias mundur.

Pemberian tegangan bias seperti ini menjadikan kerja transistor berbeda sama sekali
bila dibanding dengan dua dioda yang disusun berbalikan, meskipun sebenarnya
struktur transistor adalah mirip seperti dua dioda yang disusun berbalikan,
yakni dioda emitor-basis (P-N) dan dioda basis-kolektor (N-P).

Bila mengikuti prinsip kerja dua dioda yang berbalikan, maka dioda emitorbasis yang
mendapat bias maju akan mengalirkan arus dari emitor ke basis dengan cukup besar.
Sedangkan dioda basis-kolektor yang mendapat bias mundur praktis tidak
mengalirkan arus. Dengan demikian terminal emitor dan basis akan mengalir arus
yang besar dan terminal kolektor tidak mengalirkan arus.Namun yang terjadi pada
transistor tidaklah demikian. Hal ini disebabkan karena dua hal, yaitu: ukuran fisik
basis yang sangat sempit (kecil) dan tingkat doping basis yang sangat rendah. Oleh
karena itu konduktivitas basis sangat rendah atau dengan kata lain jumlah pembawa
mayoritasnya (dalam hal ini adalah elektron) sangatlah sedikit dibanding dengan
pembawa mayoritas emitor (dalam hal ini adalah hole). Sehingga jumlah hole yang
berdifusi ke basis sangat sedikit dan sebagian besar tertarik ke kolektor dimana pada
kaki kolektor ini terdapat tegangan negatip yang relatif besar. Tegangan bias maju
yang diberikan pada dioda emitor-basis (VEB) akan mengurangi potensial penghalang
Vo, sehingga pembawa muatan mayoritas pada emitor akan mudah untuk
 berekombinasi ke basis. Namun karena konduktivitas basis yang rendah dan tipisnya
basis, maka sebagian besar pembawa muatan akan tertarik ke kolektor. Disamping itu
juga dikuatkan oleh adanya beda potensial pada basiskolektor yang semakin tinggi
sebagai akibat penerapan bias mundur VCB.

Dengan demikian arus dari emitor (IE) sebagian kecil dilewatkan ke basis (IB) dan
sebagian besar lainnya diteruskan kolektor (IC). Sesuai dengan hukum Kirchhoff
maka diperoleh persamaan yang sangat penting yaitu:

IE = IC + IB

Karena besarnya arus IC kira-kira 0,90 sampai 0,998 dari arus IE, maka dalam
praktek umumnya dibuat IE ≅ IC. Disamping ketiga macam arus tersebut yang pada
dasarnya adalah disebabkan karena aliran pembawa mayoritas, di dalam transistor
sebenarnya masih terdapat aliran arus lagi yang relatif sangat kecil yakni yang
disebabkan oleh pembawa minor-itas. Arus ini sering disebut dengan arus bocor atau
ICBO (arus kolektor-basis dengan emitor terbuka).

Namun dalam berbagai analisa praktis arus ini sering diabaikan. Seperti halnya pada
dioda, bahwa dalam persambungan PN yang diberi bias mundur mengalir arus bocor
Is karena pembawa minoritas. Demikian juga dalam trannsistor dimana persambungan
kolektor-basis yang diberi bias mundur VCB akan mengalir arus bocor (ICBO). Arus
bocor ini sangat peka terhadap temperatur, yakni akan naik dua kali untuk setiap
kenaikan temperatur 10 OC.

Diagram aliran arus IE, IB, IC dan ICBO dalam transistor dapat dilihat pada gambar
3.5. Dari gambar tersebut terlihat bahwa arus kolektor merupakan penjumlahan dari
arus pembawa mayoritas dan arus pembawa minoritas, yaitu IC = ICmayoritas+
ICBOminoritas.

D. Transistor Sebagai Penguat Arus

sebagai penguat:
• Transistor bekerja pada mode aktif.
• Transistor berperan sebagai sebuah sumber arus yang dikendalikan oleh
tegangan (VCCS).
• Perubahan pada tegangan base-emitter,vBE, akan menyebabkan perubahan
pada arus collector, Ic.
• Transistor dipakai untuk membuat sebuah penguatan transkonduktansi.
• Penguatan tegangan dapat diperoleh dengan melalukan arus collector ke sebuah
resistansi, RC.
• Agar penguat menjadi penguat linier, transistor harus diberi bias, dan sinyal
akan ditumpangkan pada tegangan bias dan sinyal yang akan diperkuat harus dijaga
tetap kecil.
 Dengan arus IB yang kecil dapat menghasilkan arus kolektor IC yang besar. Jika arus
basis IB kita anggap sebagai input dan arus kolektor IC sebagai output, maka
transistor dapat kita anggap sebagai penguat arus atau sering kita sebut penguat arus
(current amplimeter) HFe.

Karena arus IC lebih besar dari arus keluaran IB jadi penguatan arus / HFE dapat
didefenisikan sebagai perbandingan antara arus keluaran IC dan arus masukan IB

E. Penguat dalam Keadaan Diam

Ketika pada rangkaian penguat belum diberi sinyal masukan AC,maka rangkaian
penguat disebut berada dalam keadaan diam.Supaya bekerja maka transistor harus
dipanjar dengan tegangan DC.

Cara transistor dalam keadaan diam adalah

1. Matikan sinyal generator untuk sementara.
2. Hidupkan catu dayadaya, minimumkan bias control (p otensiometer 10 k).Baca
harga,VCE dan IC Petakan sebagai titik pada kertas graf karakteristik transistor. Titik
tersebut adalah salah satu titik garis beban.
3. Atur potensiometer 10 k sehingga arus basis sebesar 10A. Catat harga VCE dan
Ic Harga-harga ini adalah harga titik kerja.
4. Petakan karakteristik Ic/VCE transistor.
5. Variasikan arus basis menjadi 5A dan 15A Untuk masing-masing harga arus
basis petakan nilai yang diperoleh. Semua titik-titik ini harus terletak pada garis lurus
(garis beban)
6. Atur arus basis menjadi 10A kembali.Hidupkan sinyal generator dan atur untuk
menghasilkan sinyal 1 Vp-p pada 1kHz.Gunakan osiloskop untuk mengamati bentuk
gclombang input dari sinyal generator dan bentuk gelombang output pada kolektor
transistor gambarkan kedua bentuk gelombang tersebut.

7. Atur potesiometer ke posisi minimum dan gambarkan bentuk gelombang output.

8. Kemudian atur ke posisi maksimum dan catat pula bentuk gelombang output.
 BAB III
KESIMPULAN

A. Kesimpulan
Dari pembahasan diatas,secara jelas kita dapat mengetahui bahwa transistor adalah
komponen yang sangat diperlukan dari sebuah perangkat elektronika sedangkan
elektronika sendiri tidak dapat dipisahkan dri kehidupan sehari-hari.

Transistor adalah alat semikonduktor yang dipakai sebagai penguat,sebagai, sirkuit,

pemutus, penyambung (switching), stabilisasi tegangan, modulasi sinyal.

B. Saran
Sebagai sebagai calon mahasiswa teknik,khususnya teknik komputer,kita harus
menguasai dan mengetahui penggunaan transistor serta berbagai prinsip kerjanya,agar
kita bisa menerapkannya dalam kehidupan sehari-hari.