LAPORAN PRAKTIKUM

ELEKRONIKA ANALOG

Dosen Pengampu : Yesiana Arimurti, S.Si., M.Sc

Karakteristik Trasnsistor Bipolar

Disusun Oleh :
Nama : Aryachiyah Aufa Wafro
NIM : K2320017
Semester / Kelas :3/A
Nama Asisten : Restu Hidayat
Rekan Kerja :
Ardy Dwi Saputra
(K2320016)
Laitatul Bilkisa Putri Martandang
(K2320048)

PROGRAM STUDI PENDIDIKAN FISIKA

FAKULTAS KEGURUAN DAN ILMU PENDIDIKAN

UNIVERSITAS SEBELAS MARET

SURAKARTA

2021
I. JUDUL : Karakteristik Trasnsistor Bipolar
II. TUJUAN : Mempelajari karakteristik transistor bipolar
III. DASAR TEORI :
Transistor merupakan kependekan dari “Current-Transferring Resistor”.
Komponen ini pertama kali ditemukan oleh William Shockley, John Bardenn,
dan Walter Brattain ketika sedang bekerja dalam Laboratorium Telepon Bell
pada tahun 1947. Transistor umumnya digunakan pada rangkaian penguat
(amplifier) dan menjadi blok dasar dari integrated circuit (IC) (Arief, Eka, &
Chandra, 2010). Transistor berfungsi sebagai penguat arus, karena besar arus
yang dikuatkan dapat diubah ke dalam tegangan, maka dapat dikatakan
transistor sebagai penguat tegangan. Selain itu, transistor juga dapat berfungsi
sebagai switch electronic, stabilitas tegangan, dan modulasi sinyal. (Tasdik &
Tony, 2010)
Transistor yang bekerja berdasarkan arus inputnya disebut transistor
jenis Bipolar Junction Transistor (BJT) sedangkan yang bekerja berdasarkan
tegangan inputnya disebut transistor efek medan (FET). Transistor dwi kutub
(Bipolar Junction Transistor) merupakan komponen semi konduktor tipe p
dan n dengan struktur sebagaimana dua dioda yang disatukan dan memiliki
jumlah kaki atau pin sebanyak tiga buah yaitu, Emitor (E), Basis (B), dan
Collector (C).

Berdasarkan susunan semikonduktor yang membentuknya, terdapat dua

jenis transistor yaitu NPN dan PNP dengan berbagai macam bentuk kemasan,
antara lain selubung logam, keramik, atau polyester.

Untuk membedakan transistor PNP dan NPN dapat dilihat dari arah
panah pada kaki emitornya. Pada transistor PNP anak panah mengarah ke
dalam dan pada transistor NPN arah panahnya mengarah keluar. Untuk
transistor NPN, tegangan bias pada basis harus lebih positif dari emitor.
Semakin tinggi arus bias pada basis, maka transistor semakin jenuh (semakin
ON) dan tegangan kolektor-emitor (VCE) semakin rendah. Untuk dapat
bekerja, sebuah transistor membutuhkan teganga bias pada basisnya.
Kebutuhan tegangan bias ini berkisar 0,5 sampai 0,7 Volt.

Rangkaian Pembiasan Transistor NPN dan PNP

Pada gambar terlihat bahwa TR1 adalah termasuk jenis NPN, jadi
tegangan bias pada basis (VBB) harus lebih positif dari emitor (VEE). Untuk
memudahkan maka VCC ditulis dengan +VCC dan VEE ditulis dengan –
VEE. Dan TR2 adalah termasuk jenis PNP, jadi tegangan bias pada basis
(VBB) harus lebih negatif dari emitor (VEE). Untuk memudahkan maka
VCC ditulis dengan –VCC dan VEE ditulis dengan +VEE. (Tasdik & Tony,
2010)
Pada jenis PNP, transistor beroperasi dengan diberikan bias pada bagian
emitter-base dan collector-base. Bias maju pada terminal VEE menyebabkan
sebagian besar arus pembawa mayoritas dari semikonduktor tipe P (yaitu
hole), bergerak melewati daerah percabangan, masuk ke kolektor. Hanya
sebagian kecil mengalir ke basis. Bias mundur pada terminal VCC
menyebabkan sebagian kecil arus pembawa mayoritas dari semikonduktor
tipe N (yaitu elektron) masuk ke percabangan kolektor dan basis.

Dengan memandang transistor sebagai sebuah titik, maka sesuai hukum arus
Kirchoff. 𝐼𝐸=𝐼𝐵+𝐼𝐶
IE : Arus emitter (A)
IC : Arus collector (A)
IB : Arus base (A)
Perbandingan antara arus kolektor (IC) danarus emitter (IE) disebut alpha DC
(𝛼DC)
 𝐼𝐶
αDC =
𝐼𝐸
Besar penguatan arus antara bagian kolektor terhadap basis beta DC atau hFE
yaitu
𝐼𝐶
βDC = hFE =
𝐼𝐸
Berdasarkan persamaan di atas diperoleh arus emitter: 𝐼𝐸=(βDC +1) 𝐼𝐵
(Arief, Eka, & Chandra, 2010)
Arus base pada transistor sangat kecil tetapi sangat penting karena arus
base yang kecil mengendalikan arus yang lebih besar pada collector dan
emitter. Current gain adalah salah satu karakteristik transistor. Current gain
biasanya disimbolkan dengan β atau hFE yang merupakan hasil pembagian
antara arus collector (IC) dengan arus base (IB) transistor. Transistor untuk
tipe yang sama belum tentu mempunyai harga β yang sama. Karakteristik dari
BJT biasanya digambarkan dalam bentuk kurva yang menggambarkan
hubungan tegangan dan arus yang diberikan pada terminal dari transistor.
Karakteristik dari transistor ada 2 yaitu karakteristik input dan karakteristik
output. Pada pembahasan ini dibahas karakteristik transistor dengan
menggunakan konfigurasi common emitter. Karakteristik input pada
transistor bipolar digambarkan dengan kurva perbandingan IB – VBE dalam
rentang VCE, sedangkan karakteristik output transistor digambarkan dengan
kurva perbandingan IC - VCE dalam rentang IB. Gambar berikut
menunjukkan karakteristik input dan output dari transistor bipolar. Kurva
karakteristik input dan output pada transistor dapat dilihat seperti dibawah ini
:

Grafik hubungan tegangan dan arus kolektor ditunjukkan pada gambar

dibawah ini :
 Dalam grafik tersebut, terdapat daerah yang tidak tergambar yaitu
daerah cut off yang berada pada bagian paling bawah grafik. Daerah ini
adalah daerah dimana arus basis bernilai nol, namun masih terdapat arus pada
kolektor. Arus yang mengalir sangat kecil, sehingga tidak teramati. (Malvino,
2016 : halaman 198)
Jika transistor berada pada titik saturasi, transistor tersebut seperti
saklar tertutup (kondisi on) dari kolektor ke emitor. Sedangkan jka transistor
cut off maka transistor seperti saklar terbuka (kondisi off). Pada rangkaian
tersebut, merupakan penjumlahan tegangan di sekitar loop input, sehingga
diperoleh persamaan :
𝐼𝐵 𝑅𝐵 + 𝑉𝐵𝐸 − 𝑉𝐵𝐵 = 0
Dengan persamaan tersebut, didapatkan persamaan untuk mengetahui
besar arus pada kutub basis (IB). maka persamaan untuk arus pada basis
dalam rangkaian transitor sebagai saklar adalah :
(𝑉𝐵𝐸 − 𝑉𝐵𝐵 )
𝐼𝐵 =
𝑅𝐵
Jika arus yang mengalir pada basis lebih besar atau sama dengan IB,
maka transistor bekerja seperti skalar yang tertutup (kondisi on). Sebaliknya,
jika arus basis nol, transistor bekerja seperti saklar yang terbuka (kondisi off).
(Burhan dan Abtokhi, 2009 : halaman 20-21)
Untuk arus basis nol (0 A), arus kolektor turun sampai tingkat arus
kebocoran, yaitu kurang dari 1 mA dalam keadaan normal (transistor silikon).
Untuk arus basis tertentu arus kolektor yang mengalir akan jauh lebih besar
daripada arus basis itu. Arus yang dicapai ini disebut hfe atau, dengan:
𝐼𝐶
ℎ𝐹𝐸 =
𝐼𝐸
Yaitu perubahan arus kolektor dibandigkan perubahan arus basis.
Karakteristik operasi tiap transistor yang menyatakan spesifikasi tidak boleh
terlampaui. Spesifikasi ditunjukkan oleh lembar dan transistor.

IV. ALAT DAN BAHAN

No Alat dan Bahan Jumlah Gambar
 1 Multimeter Digital 1

Papan rangkaian
2 1
percobaan

3 Baterai 1

4 Penjepit Buaya 2

5 Jumper 5

6 Potensiometer 1

7 Transistor 1

V. PROSEDUR PERCOBAAN
1. Alat dan bahan yang akan digunakan disiapkan.
2. Multimeter analog dikalibrasi.
3. Kaki basis ditentukan, sekaligus jenis transistor.
a. Kaki-kaki transistor tersebut dimisalkan dengan nama lain, sebagai contoh kaki 1
kaki 2 dan kaki 3.
 b. Atur multimeter ke ohmmeter x10 atau x100 kemudian kita cari kaki basis
dengan: Probe merah dihubungkan ke salah satu kaki, misal kaki 1 kemudian
probe hitam dihubungkan ke kedua kaki yang lain.
c. Konfigurasi dicari sampai diketemukan jarum meter bergerak semua. Pastikan
basis sudah ketemu dan jenis transistor NPN atau PNP.
Keterangan:
a) Apabila multimeter memberikan nilai ukur resistansi yang rendah (jarum
bergerak lebar) pada keduanya maka kaki 1 adalah kaki basis untuk transistor
PNP dan NPN apabila probe pada posisi kaki 1 adalah probe hitam dengan hasil
ukur seperti sebelumnya. Jika hanya pada satu kaki 2 atau 3 saja yang bergerak
kemungkinan basisnya 2 atau 3.
b) NPN: Kaki basis probe hitam, kaki emitor dan kolektor probe merah maka jarum
bergerak. Kemudian bila dibalik kaki basis probe merah, kaki emitor dan kolektor
probe hitam jarum tidak bergerak.
c) PNP: Kaki basis probe merah, kaki emitor dan kolektor probe hitam maka jarum
bergerak. Kemudian bila dibalik kaki basis probe hitam, kaki emitor dan kolektor
probe merah jarum tidak bergerak.
4. Kaki kolektor dan emitor ditentukan
a. Seting multimeter dipindah ke ohmmeter x10Kohm
b. Untuk transistor NPN
i. Probe hitam dihubungkan pada salah satu kaki selain basis dengan cara
menempelkan probe bersama jari tangan kita (probe dan kaki transistor
dipegang jadi satu).
ii. Probe merah dihubungkan pada kaki yang lain juga selain basis) dan jangan
disentuh dengan jari tangan.
iii. Sentuh kaki basis dengan jari tangan.
iv. Jika jarum meter tidak bergerak, balik posisinya ke kaki yang lain.
v. Sentuh kembali kaki basis dengan jari tangan.
vi. Jika jarum meter bergerak cukup lebar maka dapat dipastikan kaki yang
dipegang bersama probe hitam adalah kolektor, kaki yang lain (probe merah)
adalah emitor.
c. Untuk transistor PNP
i. Probe merah dihubungkan pada salah satu kaki selain basis dengan cara probe
ditempelkan bersama jari tangan kita (probe dan kaki transistor dipegang jadi
satu).
ii. Probe hitam dihubungkan pada kaki yang lain juga selain basis) dan jangan
disentuh dengan jari tangan.
 iii. Sentuh kaki basis dengan jari tangan.
iv. Jika jarum meter tidak bergerak, balik posisinya ke kaki yang lain.
v. Sentuh kembali kaki basis dengan jari tangan.
vi. Jika jarum meter bergerak cukup lebar maka bisa dipastikan kaki yang
dipegang bersama probe merah adalah kolektor, kaki yang lain (probe hitam)
adalah emitor.
5. Alat dirangkai :
a. Kaki basis dihubungkan dengan kaki ke-2 potensiometer
b. Kaki kolektor dihubungkan dengan kaki positif potensiometer
c. Kaki emitor dihubungkan dengan kaki negatif potensiometer
d. Potensiometer dihubungkan dengan baterai secara paralel
6. Mengambil data:
a. Setelah alat dirangkai, dapat dihitung nilai Ib, Ic, Vbe, dan Vce
b. Nilai Ib dicari, hubungkan probe merah multimeter analog dengan kaki ke-2
potensiometer dan probe hitam multimeter analog dengan kaki basic transistor
c. Secara manual, hitung angka yang ditunjuk oleh jarum meter
d. Nilai Ic dicari, hubungkan probe merah multimeter analog dengan kaki positif
potensiometer dan probe hitam multimeter analog dengan kaki kolektor transistor
e. Secara manual, hitung angka yang ditunjuk oleh jarum meter
f. Nilai Vbe dicari, hubungkan probe merah multimeter analog dengan kaki basic
transistor dan probe hitam dengan kaki emitor transistor
g. Secara manual, hitung angka yang ditunjuk oleh jarum meter
h. Nilai Vce dicari, hubungkan probe merah multimeter analog dengan kaki kolektor
transistor dan probe hitam dengan kaki emitor transistor
i. Secara manual, hitung angka yang ditunjuk oleh jarum meter
j. Pengambilan data diulangi sehingga didapatkan 5 data

7. Data hasil percobaan dicatat pada tabel data praktikum.

8. Data hasil percobaan dianalisis secara kuantitatif dan kualitatif.
VI. SKEMA ALAT
A. Percobaan menggunakan Proteus
B. Pada saat praktikum
Mencari Kaki Basis

Mencari 𝐼𝐵

Mencari 𝑉𝐵𝐸
 Rangkaian Alat

VII. ANALISIS HASIL

Data Hasil Percobaan
a. Analisis Kuatitatif
Ib (A) Ic (A) Vbe (V) Vce (V)
0.000008 0.00003 0.7 5.6
0.00001 0.0003 0.725 5.1
0.000019 0.0008 0.75 4.5
0.000024 0.0011 0.775 4.4
0.000029 0.0135 0.8 3.8
 Perhitungan dengan multimeter analog
𝑠𝑘𝑎𝑙𝑎 𝑑𝑖 𝑡𝑢𝑛𝑗𝑢𝑘
× 𝑏𝑎𝑡𝑎𝑠 𝑢𝑘𝑢𝑟
𝑠𝑘𝑎𝑙𝑎 𝑚𝑎𝑥

 Perhitungan besar tegangan baterai dengan menggunakan multimeter analog

6,8
𝑉= × 10 = 6,8 𝑉𝑜𝑙𝑡
10

 Perhitungan Ib dan Ic dengan menggunakan multimeter analog

𝐼𝑏 (A) 𝐼𝑐 (A)
1,6 1,2
𝐼𝑏 = × 50𝜇 = 0.000008 𝐼𝑐 = × 2,5 𝑚𝑖𝑙𝑙𝑖 = 0.00003
10 10
2 1,2
𝐼𝑏 = × 50𝜇 = 0.00001 𝐼𝑐 = × 25 𝑚𝑖𝑙𝑙𝑖 = 0.0003
10 10
3,8 3,2
𝐼𝑏 = × 50𝜇 = 0.000019 𝐼𝑐 = × 25 𝑚𝑖𝑙𝑙𝑖 = 0.0008
10 10
4,8 4,4
𝐼𝑏 = × 50𝜇 = 0.000024 𝐼𝑐 = × 25 𝑚𝑖𝑙𝑙𝑖 = 0.0011
10 10
5,8 5,4
𝐼𝑏 = × 50𝜇 = 0.000029 𝐼𝑐 = × 25 𝑚𝑖𝑙𝑙𝑖 = 0.0135
10 10

 Perhitungan dan Ic dengan menggunakan multimeter analog

𝑉𝑏𝑒 (V) 𝑉𝑐𝑒 (V)
 2,8 5,6
𝑉𝑏𝑒 = × 2,5 𝑉 = 0,7 𝑉𝑐𝑒 = × 10 𝑉 = 5,6
10 10
2,9 5.1
𝑉𝑏𝑒 = × 2,5 𝑉 = 0,725 𝑉𝑐𝑒 = × 10 𝑉 = 5.1
10
10
3 4,5
𝑉𝑏𝑒 = 10 × 2,5 𝑉 = 0,75 𝑉𝑐𝑒 = × 10 𝑉 = 4,5
10
3,1 4,4
𝑉𝑏𝑒 = × 2,5 𝑉 = 0,775 𝑉𝑐𝑒 = × 10 𝑉 = 4,4
10
10
3,2 3,8
𝑉𝑏𝑒 = × 50𝜇 = 0,8 𝑉𝑐𝑒 = × 10 𝑉 = 3,8
10 10

Grafik Hubungan 𝐼𝑏 (A) dan 𝐼𝑐 (A)

Grafik Ib terhadap Ic
0.015
y = 475.78x - 0.0054
Ic dalam (Ampere)

0.01

0.005

0
0 0.000005 0.00001 0.000015 0.00002 0.000025 0.00003 0.000035

-0.005
Ib dalam (Ampere)

Grafik hubungan antara Ib dan Ic berbentuk garis lurus yang

bergerak dari kiri bawah ke kanan atas (naik), yang berarti
mempunyai hubungan berbanding lurus dimana semakin besar Ic,
maka semakin besar pula Ib, begitu pula sebaliknya.

Grafik Ib terhadap Vbe

0.000035
0.00003 y = 0.0002x - 0.0001
Ib dalam (Ampere)

0.000025
0.00002
0.000015
0.00001
0.000005
0
0.68 0.7 0.72 0.74 0.76 0.78 0.8 0.82
Vbe dalam (volt)
 Dari grafik di atas didapat semakin tinggi nilai Ib maka akan
didapatkan nilai Vbe yang lebih besar pula. Tetapi pada gambar
grafik ditujukan adanya kenaikan tetapi tidak berbentuk linear
dengan sempurna.

Grafik Ic terhadap Vce

0.016
0.014
y = -0.0064x + 0.033
0.012
Ic dalam (Ampere)

0.01
0.008
0.006
0.004
0.002
0
-0.002 0 1 2 3 4 5 6
-0.004
Vce dalam (Volt)

Dari grafik dapat dilihat bahwa nilai Vce semakin turun apabila nilai
Ic juga semakin turun. Arus kolektor akan naik secara tajam dan
akan mendekati nilai konstan. Akan tetapi ada keadaan dimana
ketika nilai Ic nya besar tetapi Vce. Yaitu ketika percobaan kelima.

 Analisis Kuantitatif
Berdasarkan praktikum yang telah dilakukan diperoleh data
berupa besar Ib, Ic, Vbe, dan Vce yang masing-masing terdiri dari 5 data
percobaan. Besar Ib yang diperoleh yaitu senilai 0,000008 A, 0,00001 A,
0,000019 A, 0,000024 A, dan 0,000029 A. Besar Ic yang diperoleh yaitu
senilai 0,00003 A, 0,0003 A, 0,0008 A, 0,0011 A, dan 0,0135 A. Besar
Vbe yang diperoleh yaitu senilai 0,7 V; 0,725 V; 0,75 V; 0,775 V, dan
0,8 V. besar Vce yang diperoleh yaitu senilai 5,6 V; 5,1 V; 4,5 V; 4,4 V,
dan 3,8 V.

Dari percobaan diatas juga diperoleh 3 grafik. Grafik yang

pertama adala grafik hubungan Ic dan Ib, grafik kedua adalah grafik
bubungan Vbe dan Ib, grafik yang ketiga adalah grafik hubungan Vce
dan Ic. Pada grafik hubungan Ic dan Ib didapatkan persamaan y =
 475.78x - 0.0054, pada grafik hubungan Vbe dengan Ib didapatkan
persamaan y = 0.0002x - 0.0001, pada grafik hubungan Vce dan Ic
didapatkan peersamaan y = -0.0064x + 0.033.

VIII PEMBAHASAN

Praktikum dengan judul “Karakteristik Transistor Bipolar”

mempunyai tujuan mempelajari karakteristik transistor bipolar. Pada
praktikum ini menggunakan alat dan bahan diantaranya : Protoboard yang
berfungsi untuk menempatkan komponen elektronika ketika melakukan uji
coba dari suatu rangkaian elektronika, baterai sebagai sumber tegangan,
Potensio sebagai pengatur tegangan dengan memutar tuas ke kanan dan ke
kiri, Multimeter untuk mengukur tegangan dan arus yang mengalir dalam
rangkaian, Penjepit Buaya sebagai alat yang digunakan untuk menghantarkan
arus listrik, Kabel konektor sebagai suatu penghubung dengan penghubung
yang lain, transistor sebagai indikator uji.
Dasar Teori yang digunakan pada praktikum kali ini adalah Transistor
yang bekerja berdasarkan arus inputnya disebut transistor jenis Bipolar
Junction Transistor (BJT) sedangkan yang bekerja berdasarkan tegangan
inputnya disebut transistor efek medan (FET). Transistor dwi kutub (Bipolar
Junction Transistor) merupakan komponen semi konduktor tipe p dan n
dengan struktur sebagaimana dua dioda yang disatukan dan memiliki jumlah
kaki atau pin sebanyak tiga buah yaitu, Emitor (E), Basis (B), dan Collector
(C). Pada jenis PNP, transistor beroperasi dengan diberikan bias pada bagian
emitter-base dan collector-base. Bias maju pada terminal VEE menyebabkan
sebagian besar arus pembawa mayoritas dari semikonduktor tipe P (yaitu
hole), bergerak melewati daerah percabangan, masuk ke kolektor. Hanya
sebagian kecil mengalir ke basis. Bias mundur pada terminal VCC
menyebabkan sebagian kecil arus pembawa mayoritas dari semikonduktor
tipe N (yaitu elektron) masuk ke percabangan kolektor dan basis. Dengan
memandang transistor sebagai sebuah titik, maka sesuai hukum arus Kirchoff.
𝐼𝐸 = 𝐼𝐵 + 𝐼𝐶
𝐼𝐸 : Arus emitter (A) 𝐼𝐶 : Arus collector (A) 𝐼𝐵 : Arus base (A)
Perbandingan antara arus kolektor (Ic) dan arus emitter (Ie) disebut alpha DC
(𝛼DC)
𝐼𝐶
𝑎𝐷𝐶 =
𝐼𝐸
Besar penguatan arus antara bagian kolektor terhadap basis beta DC atau hFE yaitu
𝐼𝐶
βDC = hFE =
𝐼𝐸

Langkah awal yang harus dilakukan adalah menyiapkan alat bahan yang akan
digunakan. Kemudian langkah kedua adalah menentukan kaki basis,
sekaligus menentukan jenis transistor dengan memisalkan kaki-kaki transistor
tersebut dengan nama lain, sebagai contoh kaki 1 kaki 2 dan kaki 3.Lalu,
mengatur multimeter ke ohmmeter x10 atau x100, kemudian kita cari kaki
basis dengan cara mengubungkan probe merah ke salah satu kaki, misal kaki
1 kemudian probe hitam dihubungkan ke kedua kaki yang lain. Kemudian
mencari konfigurasi sampai diketemukan jarum meter bergerak semua.
Kemudian memastikan basis sudah ketemu dan jenis transistor NPN atau
PNP. Langkah ketiga adalah menentukan kaki kolektor dan emitor .
Kemudian, menyeting multimeter lalu memindahkan ke ohmmeter x10
Kohm. Untuk transistor NPN,menghubungkan probe hitam pada salah satu
kaki selain basis dengan cara menempelkan probe bersama jari tangan kita
(probe dan kaki transistor dipegang jadi satu).Kemudian, menghubungkan
probe merah pada kaki yang lain juga selain basis) dan jangan disentuh
dengan jari tangan. Lalu, menyentuhkan kaki basis dengan jari tangan.Jika
jarum meter tidak bergerak, balik posisinya ke kaki yang lain. Selanjutnya,
menyentuhkan kembali kaki basis dengan jari tangan. Jika jarum meter
bergerak cukup lebar maka bisa dipastikan kaki yang dipegang bersama probe
hitam adalah kolektor, kaki yang lain (probe merah) adalah emitor.Untuk
transistor PNP, menghubungkan probe merah pada salah satu kaki selain
basis dengan cara menempelkan probe bersama jari tangan kita (probe dan
kaki transistor dipegang jadi satu). Kemudian, menghubungkan probe hitam
pada kaki yang lain juga selain basis) dan jangan disentuh dengan jari tangan.
Selanjutnya, menyentuhkan kaki basis dengan jari tangan.Jika jarum meter
tidak bergerak, membalik posisinya ke kaki yang lain. Selanjutnya,
menyentuh kembali kaki basis dengan jari tangan. Jika jarum meter bergerak
cukup lebar maka bisa memastikan kaki yang dipegang bersama probe merah
adalah kolektor, kaki yang lain (probe hitam) adalah emitor. Langkah ke
empat yaitu, merangkai alat dengan mubungkan kaki basis dengan kaki ke-2
potensiometer. Kemudian , menghubungkan kaki kolektor dengan kaki positif
potensiometer. Lalu, menghubungkan kaki emitor dengan kaki negatif
potensiometer. Langkah selanjutnya, menghubungkan potensiometer dengan
baterai secara paralel. Langkah ke lima , yaitu mengambil data. Setelah
merangkai alat, dapat menghitung nilai Ib, Ic, Vbe, dan Vce, kemudian
mencari nilai Ib, menghubungkan probe merah multimeter analog dengan
kaki ke-2 potensiometer dan probe hitam multimeter analog dengan kaki
basic transistor. Kemudian menghitung secara manual angka yang ditunjuk
oleh multimeter. Selanjutnya, mencari nilai Ic lalu menghubungkan probe
merah multimeter analog dengan kaki positif potensiometer dan probe hitam
multimeter analog dengan kaki kolektor transistor. Kemudian, menghitung
secara manual angka yang ditunjuk oleh multimeter.

Kemudian, mencari nilai Vbe, menghubungkan probe merah

multimeter analog dengan kaki basic transistor dan probe hitam dengan kaki
emitor transistor dan menghitungnya secara manual angka yang ditunjuk oleh
multimeter. Untuk mencari nilai Vce yaitu menghubungkan probe merah
multimeter analog dengan kaki kolektor transistor dan probe hitam dengan
kaki emitor transistor dan menghitungnya secara manual angka yang ditunjuk
oleh multimeter. Kemudian, mengulangi pengambilan data sehingga
didapatkan 5 data. Selanjutnya, mencatat data hasil percobaan pada tabel data
praktikum. Dan langkah terakhir adalah menganalisis data hasil percobaan
secara kuantitatif dan kualitatif.

Berdasarkan praktikum yang telah dilakukan diperoleh data berupa

besar Ib, Ic, Vbe, dan Vce yang masing-masing terdiri dari 5 data percobaan.
Besar Ib yang diperoleh yaitu senilai 0,000008 A, 0,00001 A, 0,000019 A,
0,000024 A, dan 0,000029 A. Besar Ic yang diperoleh yaitu senilai 0,00003
A, 0,0003 A, 0,0008 A, 0,0011 A, dan 0,0135 A. Besar Vbe yang diperoleh
yaitu senilai 0,7 V; 0,725 V; 0,75 V; 0,775 V, dan 0,8 V. besar Vce yang
diperoleh yaitu senilai 5,6 V; 5,1 V; 4,5 V; 4,4 V, dan 3,8 V.

Dari percobaan diatas juga diperoleh 3 grafik. Grafik yang pertama

adala grafik hubungan Ic dan Ib, grafik kedua adalah grafik bubungan Vbe
dan Ib, grafik yang ketiga adalah grafik hubungan Vce dan Ic. Pada grafik
hubungan Ic dan Ib didapatkan persamaan y = 475.78x - 0.0054, pada grafik
hubungan Vbe dengan Ib didapatkan persamaan y = 0.0002x - 0.0001, pada
grafik hubungan Vce dan Ic didapatkan peersamaan y = -0.0064x + 0.033.
Dalam praktikum ini didapatkan hubungan bahwa Ic lebih besar dari pada Ib
hal ini terlihat pada table hasil percobaan, hal ini menunjukkan bahwa
 percobaan yang dilakukan adalah sesuai dengan teori yang ada bahwa ketika
mendefinisikan saturasi region menggunakan transisitor sebagai saklar kedua
hubungan junction dalam keadaan forward bias atau panjar maju dan Ic =
maksimum. Ic maksimum sehingga data yang diperoleh Ic > Ib Pada
hubungan antara Vbe dengan Vce sesuia dengan dasar teori yang ada karena
pada dasart teori diketahui persamaan sebagai berikut : 𝑉ce = 𝑉cb + 𝑉be

Persamaan tersebut menyatakan bahwa niali Vce tbergantung pada

nilai Vbe dan Vcb , semakin besar Vbe akan semakin besar pula Vce. Hal ini
sesuai dengan hasil grafik dari data percobaan yang menunjukan kurva
sebanding, meskipun terdapat data kelima yang grafiknya turun. Pada grafik
Ic-Vce ini, dapat terlihat bahwa antara dasar teori dengan data yang
didapatkan praktikan tidak sesuai. Berdasarkan teori 𝛽 pada umumnya
konstan, tetapi bertambah besar sedikit jika Vce semakin besar. Demikian
pula Ic akan membesar jika Vce membesar. Pada grafik Ib-Vbe ini, dapat
terlihat bahwa antara dasar teori dengan data yang didapatkan praktikan tidak
sesuai. Kurva hubungan Ib dengan Vbe dipengaruhi tegangan output Vce
yang dalam kedaan tegangan mundur.

Analisis Kesalahan
Dalam pembahasan diatas ternyata praktikum yang dilakukan
hasilnya belum sesuai dengan dasar teori yang ada. Hal ini bisa diakibatkan
kesalahan praktikan saat melakukan percobaan karena praktikan
menggunakan multimeter analog maka tingkat ketidak akuratan pada saat
membaca data juga semakin besar. Selain itu, dugaan dari praktikan yaitu
karena penggunaan sumber tegangan yang cukup kecil sehingga data yang
didapatkan belum sesuai dengan yang diinginkan.

IX. KESIMPULAN
Berdasarkan percobaan yang telah dilakukan, dapat diambil
kesimpulan bahwa karakteristik transistor bipolar adalah sebagai
berikut :
1. Transistor bipolar memiliki karakteristik 2 jenis konfigurasi yaitu
PNP dan NPN
2. Kaki emitor dan kolektor tersusun atas bahan yang sama akan tetapi
dalam pengaktifannya emitor dan kolektor terpasang terpisah
 karena antara emitor dan kolektor mempunyai besaran yang
berbeda.
3. Hubungan antara Ib dengan Ic adalah apabila ada kenaikan dari Ib
maka diikuti pula dengan kenaikan dari Ic. Hubungan antara Vbe
dengan Ib adalah sebagai input. Dan hubungan antara Vce dengan
Ic adalah sebagai output.
4. Hubungan hambatan (resistansi) terhadap tegangan (Voltase)
berbading lurus, sedangkan hambatan (resistansi) dengan Arus
berbanding terbalik.

X. DAFTAR PUSTAKA

Abtokhi, Ahmad dan Burhan. (2009). Perancangan Alat Pengaman Motor dengan
Memanfaatkan Sensor Getar dan Gelombang Radio FM. Jurnal Neutrino Vol 2,
No 1, Oktober 2009
Malvino, A. dan J. Bates B. 2016. Electronic Principles, Eight Edition. New York:
McGraw-Hill Education
Saptadi, Arief Hendra, dkk. (2010). Aplikasi Perhitungan Pembiasan pada Transistor
Dwi Kutub NPN dengan Visual Basic 6.0. Jurnal Infotel. No. 1 Vol 2, Hal 44
Tasdik & Tony. 2017. Perancangan Rangkaian Penguat Daya dengan Transistor. Jurnal
Sutet, No. 2 Vol. 7, Hal. 88-89.

Magelang , 1 November 2021

Mahasiswa

Aryachiyah Aufa Wafro

K2320017