LAPORAN PRAKTIKUM ELEKTRONIKA DASAR II – E10 – 01111640000091
BJT DC ANALISIS (E10)
Hairunisa, Sylvia Juniar S., dan Iim Fatimah
Departemen Fisika, Fakultas Ilmu Alam, Institut Teknologi Sepuluh Nopember (ITS)
Jl. Arief Rahman Hakim, Surabaya 60111 Indonesia
e-mail:
Abstrak— Percobaan ini berjudul BJT DC analisis. BJT
merupakan kepanjangan dari Bipolar Junction Transistor.
Tujuan dari percobaan ini adalah untuk mengetahui
karakteristik transistor BJT berdasarkan arus Ic, Ib, dan
tegangan antara emitor-colector dan tegangan antara basis-
emitor VBE dan untuk mengetahui nilai konstanta penguatan
arus (hfe) pada transistor BJT. Prinsip dari percobaan ini adalah
transistor sebagai switch (saklar) dan juga transistor sebagai
penguat arus (amplifier). Pada percobaan ini digunakan
transistor jenis bipolar dimana terdapat dua pembawa arus,
yaitu elektron dan hole. Pada percobaan ini diukur nilai
tegangan pada basis transistor, tegangan pada kolektor, dan
juga tegangan common emitor. Setelah didapatkan data
tersebut, kemudian dilakukan perhitungan untuk mendapatkan
nilai arus pada basis dan juga kolektor. Setelah itu, dihitung
nilai konstanta penguatan arus searah. Kemudian dibuat grafik
antara arus pada kolektor terhadap tegangan common emitor.
Pada grafik menunjukkan bahwa arus akan semakin menurun
saat tegangan semakin besar. Grafik yang terbentuk tidak
sesuai dengan grafik teori. Kesimpulan dari percobaan ini
adalah karakteristik dari BJT adalah dapat menguatkan arus
(amplifier) dan dapat juga berfungsi sebagai saklar. Dari
percobaan ini didapatkan nilai konstanta penguatan arus hfe
sebesar 0,1960. Sedangkan nilai konstanta penguatan arus dari
proteus adalah 0,3086.
Kata Kunci—Amplifier, BJT, Common-Emitor, Saklar
I. PENDAHULUAN
D ALAM kehidupan sehari-hari, kita sering menggunakan
laptop ataupun komputer untuk mengerjakan tugas. Di
dalam laptop atau computer, terdapat suatu komponen yang
bernama chip. Chip merupakan kumpulan perangkat
elektronik. Di dalam chip terdapat transistor. Pada rangkaian
analog, transistor dapat digunakan sebagai amplifier
(penguat). Rangkaian analog meliputi pengeras suara, sumber
listrik stabil, dan penguat sinyal radio. Pada rangkaian digital,
transistor dapat digunakan sebagai saklar berkecepatan
tinggi.
Transistor adalah sebuah alat yang terbuat dari
semikonduktor yang dapat digunakan sebagai penguat
(amplifier), pemotong (switching), stabilisasi tegangan,
modulasi sinyal atau fungsi lainnya. Transistor juga berfungsi
sebagai kran listrik, dimana berdasarkan arus inputnya (BJT)
atau juga tegangan inputnya (FET),, yang memungkinkan
adanya aliran listrik yang sangat akurat dari sumber
listriknya. Pada umumnya transistor memiliki 3 terminal.
Pada satu terminalnya akan dipasang arus dan terminal yang
akan mengatur arus yang lebih besar yang melalui 2 terminal
lainnya [1].
Ada dua tipe dasar transistor, yaitu bipolar junction
transistor (BJT atau transistor bipolar) dan field-effect
1
transistor (FET). BJT disebut sebagai transistor bipolar
karena kanal konduksi utamanya menggunakan dua polaritas
sebagai pembawa muatan, yaitu elektron dan hole (lubang).
Pada BJT, arus listrik utama harus melewati satu
daerah/lapisan pembatas dinamakan depletion zone, dan
ketebalan lapisan ini dapat diatur dengan kecepatan tinggi
dengan tujuan untuk mengatur aliran arus utama tersebut.
FET (yang disebut juga dengan transistor unipolar) hanya
menggunakan satu jenis pembawa muatan (elektron atau
hole). Dalam FET, arus listrik utama mengalir dalam satu
kanal konduksi sempit dengan daerah deplesi di kedua
sisinya. Ketebalan dari daerah perbatasan ini dapat di sisinya.
Ketebalan dari daerah perbatasan ini dapat dirubah dengan
perubahan tegangan yang diberikan, untuk merubah
ketebalan kanal konduksi tersebut [1].
BJT (Bipolar Junction Transistor) adalah 3 lapis
semikonduktor yang terdiri dari dua lapisan tipe-n dan satu
lapis tipe-p, atau dua lapis tipe-p dan satu lapis tipe-n.
Transistor dengan dua lapis tipe-n dan satu lapis tipe-p
disebut juga dengan transistor npn. Sedangkan untuk
transistor yang terdiri dari dua lapis tipe-p dan satu lapis tipe-
n disebut transistor pnp. Transistor memiliki tiga terminal.
Ketiga terminal transistor tersebut disebut dengan emitor (E),
basis (B), dan kolektor (C). Emitor adalah bahan
semikonduktor dengan tingkat doping yang sangat tinggi.
Bahan kolektor diberi doping dengan tingkat yang sedang.
Kemudian basis adalah bahan dengan doping yang sangat
rendah. Semakin rendah tingkat doping, maka
konduktivitasnya akan semakin kecil. Hal ini disebabkan oleh
jumlah pembawa mayoritasnya (pada bahan n elektron dan
bahan p hole) hanya sedikit [2].
Apabila terminal transistor tidak diberi tegangan bias dari
luar, maka semua arus akan nol atau tidak ada arus yang
mengalir. Pada sambungan antara emitor dan basis serta pada
sambungan basis dan kolektor terdapat daerah pengosongan.
Penjelasan akan didasarkan pada transistor pnp, sedangkan
untuk npn juga sama namun polaritasnya dibalik. Apabila
antara terminal emitor dan basis diberi tegangan bias maju
(emitor positif dan basis negatif) serta antara terminal basis
dan kolektor diberi bias mundur (basis positif dan kolektor
negatif), maka transistor disebut mendapat bias aktif. Setelah
transistor diberi tegangan bias aktif, maka daerah
pengosongan pada persambungan basis-kolektor menjadi
semakin melebar karena mendapat bias mundur. Karena
ukuran fisik basis yang kecil dan tingkat doping basis yang
sangat rendah, maka konduktivitas dari basis juga sangat
rendah. Dapat dikatakan bahwa pada basis jumlah pembawa
mayoritasnya (elektron) sangat sedikit dibandingkan jumlah
mayoritas emitor (hole) sehingga jumlah hole yang terdifusi
ke basis sangat sedikit dan sebagian besar tertarik ke kolektor
dimana pada kaki kolektor ini terdapat tegangan negatif yang
LAPORAN PRAKTIKUM ELEKTRONIKA DASAR II – E10 – 01111640000091 2

Gambar. 1. (a) Transistor PNP; (b) Transistor NPN

Gambar. 3. Alat yang Digunakan

Gambar. 2. Daerah pada Kurva Karakteristik Output

relatif besar [3].

Transistor memiliki beberapa fungsi, yaitu sebagai penguat
tegangan, arus serta daya, sebagai penyearah, yaitu
digunakan untuk mengubah tegangan bolak-balik (AC)
menjadi tegangan searah (DC). Kemudian transistor juga
berfungsi sebagai saklar. Transistor sebagai saklar berarti
transistor dapat digunakan untuk memutus dan
menyambungkan suatu rangkaian. Seperti yang ditunjukkan
pada gambar (a), transistor berada pada daerah cutoff karena
sambungan basis-emitor tidak diforward bias. Pada keadaan
ini, ada rangkaian terbuka antara kolektor dan emitor, yang
diindikasikan oleh saklar ekivalen. Pada gambar (b),
transistor berada pada daerah saturasi karena sambungan
basis-emitor dan sambungan basis-kolektor diberi forward Gambar. 4. Flowchart
bias, dan arus basis dibuat cukup besar untuk membuat arus
kolektor mencapai nilai saturasinya. Dalam keadaan ini, ada tertentu. Jika desainnya diubah, maka tingkat saturasinya
rangkaian short antara kolektor dan emitor, yang akan meningkat atau menurun. Keadaan saturasi biasanya
diindikasikan oleh saklar ekivalen. Pada kondisi cutoff, dihindari karena sambungan basis-kolektor tidak lagi reverse-
semua arus menuju nol (mendekati nol) dan VCE mendekati bias dan output sinyal yang diperkuat akan terdirtorsi [2].
sama dengan VCC [4].
𝑉𝐶𝐸(𝑐𝑢𝑡𝑜𝑓𝑓) =̃ 𝑉𝐶𝐶 (1)
II. METODOLOGI
Pada kondisi saturasi, VCE sangat kecil jika dibandingkan
dengan VCC, biasanya nilainya diabaikan, maka arus kolektor A. Alat dan Bahan
adalah Pada percobaan ini, digunakan beberapa peralatan, yaitu
𝑉 transistor, potensiometer, power supply, kabel, dan
̃ 𝐶𝐶
𝐼𝐶(𝑠𝑎𝑡𝑢𝑟𝑎𝑠𝑖) = (2)
𝑅𝐶
multimeter. Transistor berfungsi sebagai saklar dan penguat
Istilah saturasi digunakan ketika suatu tingkatan telah arus. Kemudian power supply berfungsi sebagai sumber
mencapai nilai maksimuml. Untuk transistor yang bekerja
tegangan. Lalu, ada kabel yang berfungsi untuk
dalam daerah saturasi, arusnya akan maksimum untuk desain
LAPORAN PRAKTIKUM ELEKTRONIKA DASAR II – E10 – 01111640000091 3

Tabel 1. Tabel 4.
Data Hasil Percobaan BJT DC Analisis Data Hasil Perhitungan dari Data Proteus
No VB (V) VC(V) VCE(V) RC(Ω) RB(Ω) No IB(A) IC(A) hfe
1 3.20 4.31 0.22 9860 500 1 0.000984 0.000302 0.3071
2 3.58 4.62 0.20 9860 1000 2 0.000980 0.000302 0.3084
3 3.63 4.78 0.14 9860 1500 3 0.000976 0.000302 0.3097
4 3.89 4.87 0.11 9860 2000 4 0.000972 0.000302 0.3109
5 3.93 5.06 1.15 9860 2500 5 0.000968 0.000297 0.3070
Rata-rata 0.3086
Tabel 2.
Data Hasil Simulasi Proteus BJT DC Analisis
No VB (V) VC(V) VCE(V) RC(Ω) Grafik Tegangan Common Emitor
1 2.46 2.98 9860 2500 terhadap Arus Kolektor
2 2.45 2.98 9860 2500
3 2.44 2.98 9860 2500 0.0006
4 2.43 2.98 9860 2500
5 2.42 2.93 9860 2500 0.0005

IC (A)
0.0005
Tabel 3.
Data Hasil Perhitungan dari Data Percobaan 0.0004
No IB(A) IC(A) hfe 0 0.5 1 1.5
1 0.00640 0.00044 0.0683
2 0.00358 0.00047 0.1309
VCE (V)
3 0.00242 0.00048 0.2003
4 0.00195 0.00049 0.2539 Gambar. 5. Grafik Tegangan Common Emitor terhadap Arus Kolektor
5 0.00157 0.00051 0.3265
Rata-rata 0.1960 kolektor IC sebagai keluaran dan kuat arus basis Ib sebagai
masukan.
menghubungkan rangkaian. Selain itu, ada potensiometer ℎ𝑓𝑒 = 𝛽 = 𝐶
𝐼
(3)
yang berfungsi sebagai resistor variabel yang nilai 𝐼𝐵

resistansinya dapat diubah-ubah. Selanjutnya, ada multimeter

yang digunakan untuk mengukur tegangan dan arus. Adapun III. HASIL DAN DISKUSI
alat yang digunakan ditunjukkan pada gambar 3.
A. Analisa Data
B. Skema Alat Pada percobaa ini, digunakan transistor NPN. Setelah
Adapun skema alat pada percobaan ini ditunjukkan oleh dilakukann percobaan, diperoleh data berupa tegangan di
gambar 4. basis, kolektor, dan juga tegangan common emitter. Selain
C. Cara Kerja itu, didapatkan juga nilai resistansi pada kolektor dan basis.
Besar tegangan sumber yang dipakai adalah 3 V. Data yang
Percobaan ini dilakukan dengan beberapa langkah. Yang
diperoleh dari percobaan disajikan dalam tabel 1. Kemudian,
pertama, yaitu disiapkan alat dan bahan kemudian dirangkai
dilakukan juga simulasi dengan menggunakan proteus
seperti pada gambar. Setelah itu, diukur resistansi pada basis.
sebagai perbandingan data hasil percobaan. Adapun data
Saat dilakukan pengukuran resistansi, rangkaian tidak
yang diperoleh dari simulasi disajikan dalam tabel 2.
dihubungkan dengan sumber tegangan. Kemudian,
dinyalakan power supply. Untuk diukur tegangan pada basis, B. Perhitungan
diputar variabel resistor yang terhubung dengan kaki Setelah didapatkan data dari percobaan, kemudian dihitung
kolektor. Dilakukan pengukuran tegangan sebanyak 5 kali nilai arus di basis dan kolektor. Untuk menghitung arus di
putaran. Selanjutnya, dimatikan power supply. Lalu, diukur basis digunakan persamaan 1.
resistansi pada kolektor. Setelah itu, dinyalakan kembali 𝑉
𝐼𝐵 = 𝐵 (1)
power supply. Selanjutnya, untuk diukur tegangan pada 𝑅𝐵
3.63
kolektor, diputar variabel resistor yang terhubung dengan 𝐼𝐵 =
1500
kaki basis. Dilakukan pengukuran tegangan sebanyak 5 kali = 0,00242 A
putaran. Kemudian untuk mencari arus di kolektor, digunakan
persamaan 2.
D. Flowchart 𝑉
𝐼𝐶 = 𝐶 (2)
Adapun flowchart percobaan BJT DC analisis ditunjukkan 𝑅𝐶
4,78
oleh gambar 5. 𝐼𝐶 =
9860
E. Persamaan yang Digunakan = 0,00048 A
Setelah didapatkan arus pada kolektor dan basis, kemudian
Untuk melakukan perhitungan digunakan beberapa
dapat dihitung penguatan arus listrik dengan menggunakan
persamaan. Pertama, untuk mencari arus di basis DAN
persamaan 3.
kolektor digunakan persamaan 𝐼
𝐼𝐵 = 𝐵
𝑉
(1) ℎ𝑓𝑒 = 𝛽 = 𝐶 (3)
𝐼𝐵
𝑅𝐵 0,00048
𝐼𝐶 =
𝑉𝐶
(2) 𝛽=
0,00242
𝑅𝐶
= 0,2003
Kemudian, untuk mencari penguatan arus searah
Data hasil perhitungan selanjutnya disajikan dalam tabel 3.
didefinisikan sebagai nilai perbandingan antara kuat arus
LAPORAN PRAKTIKUM ELEKTRONIKA DASAR II – E10 – 01111640000091 4

C. Grafik IV. KESIMPULAN

Adapun grafik antara arus terhadap tegangan hasil Adapun kesimpulan dari percobaan BJT DC analisis
percobaan maupun simulasi ditunjukkan oleh gambar 6. adalah karakteristik dari BJT adalah dapat menguatkan arus
D. Pembahasan dan dapat juga berfungsi sebagai saklar. Dari percobaan ini
didapatkan nilai konstanta penguatan arus hfe sebesar 0,1960.
Percobaan ini berjudul BJT DC analisis. BJT merupakan
Sedangkan nilai konstanta penguatan arus dari proteus adalah
kepanjangan dari Bipolar Junction Transistor. Tujuan dari
0,3086.
percobaan ini adalah untuk mengetahui karakteristik
transistor BJT berdasarkan arus Ic, Ib, dan tegangan antara
emitor-colector dan tegangan antara basis-emitor VBE dan UCAPAN TERIMA KASIH
untuk mengetahui nilai konstanta penguatan arus (hfe) pada
Dengan terselesaikannya laporan BJT DC analisi ini, saya
transistor BJT. Pada percobaan ini digunakan transistor jenis
mengucapkan terima kasih kepada:
bipolar dimana terdapat dua pembawa arus, yaitu elektron
1. Iim Fatimah, selaku dosen pengampu mata kuliah
dan hole. Prinsip dari percobaan ini adalah transistor sebagai
Elektronika Dasar II.
switch (saklar) dan juga transistor sebagai penguat arus
2. Sylvia Juniar, selaku asisten laboratorium Elektronika
(amplifier).
Dasar II.
Dari percobaan yang telah dilakukan, didapatkan data
3. Rekan-rekan kelompok yang telah bekerja sama
berupa tegangan pada basis, tegangan pada kolektor,
dalam praktikum elektronika dasar.
tegangan common emitor, serta nilai resistansi pada basis dan
kolektor. Dilakukan pengambilan data dari percobaan dan
juga simulasi dengan menggunakan software proteus. Hasil DAFTAR PUSTAKA
yang didapatkan ditampilkan pada tabel 1 dan 2. Adapun dari [1] Muda, Imam. “Elektronika Dasar”. Malang: Gunung Samudra (2013).
hasil yang didapatkan tersebut, dapat dibandingkan antara [2] Boylestad, Robert L. dan Loui Nashelsky. “Electronic Devices and
Circuit Theory”. New Jersey: Pearson (2013).
data dari percobaan dengan data dari proteus. Dari percobaan, [3] Surjono, Herman Dwi. “Elektronika: Teori dan Penerapan”. Jember:
didapatkan nilai tegangan pada basis cenderung naik, Penerbit Cerdas Ulet Kreatif (2007).
sedangkan dari proteus didapatkan data yang cenderung [4] Floyd, Thomas L. “Electronics Fundamentals. New Jersey: Prentice
Hall (1995).
menurun. Kemudian untuk tegangan pada kolektor hasil
percobaan juga cenderung naik, namun tegangan pada
kolektor dari proteus nilainya konstan.
Kemudian dilakukan perhitungan untuk mencari arus pada
basis dan kolektor. Setelah itu dibandingkan antara nilai arus
pada kolektor dengan arus pada basis untuk mendapatkan
nilai penguatan arus searah hfe. Nilai arus basis dan juga
kolektor dari hasil percobaan lebih besar dari hasil simulasi
dari proteus. Kemudian untuk penguatan arus searah yang
didapatkan dari percobaan lebih kecil daripada hasil dari
simulasi proteus. Penguatan arus searah dari hasil percobaan
adalah 0,1960, sedangkan penguatan arus searah dari hasil
simulasi adalah 0,3086.
Adanya perbedaan hasil antara percobaan dan simulasi
dipengaruhi oleh beberapa faktor, diantaranya pada saat
dilakukan pengambilan data pada percobaan, alat yang
digunakan seperti multimeter, kurang akurat dalam
menunjukkan nilai tegangan ataupun resistansi. Sehingga
akan mempengaruhi hasil akhir. Selain itu, putaran pada
potensiometer saat percobaan dan simulasi juga berbeda. Hal
ini juga dapat mempengaruhi data yang didapatkan.
Setelah didapatkan data dari percobaan dan perhitungan,
kemudian dibuat grafik antara arus pada kolektor terhadap
tegangan common emitor. Dari hasil percobaan, didapatkan
grafik seperti pada gambar 6. Dapat dilihat dari grafik
tersebut bahwa arus cenderung menurun saat tegangan
semakin besar. Adapun bentuk grafik yang didapatkan dari
percobaan belum sesuai dengan grafik secara teori yang
ditunjukkan oleh gambar 2. Hal ini disebabkan karena data
yang diambil pada saat percobaan tidak banyak sehingga
tidak dapat membentuk grafik yang sempurna. Selain itu,
hasil pembacaan pada multimeter saat mengukur tegangan
juga dapat mempengaruhi hasil.