LAPORAN PRAKTIKUM

ELEKTRONIKA I

PERCOBAAN V
TRANSISTOR BIPOLAR

OLEH:
NAMA : KHAIPANURANI
NIM : 1711014220008
KELOMPOK : V (LIMA)
ASISTEN : AKHMADI

KEMENTRIAN RISET, TEKNOLOGI DAN PENDIDIKAN TINGGI

UNIVERSITAS LAMBUNG MANGKURAT
FAKULTAS MATEMATIKA DAN ILMU PENGETAHUAN ALAM
PROGRAM STUDI S-1 FISIKA
BANJARBARU

2018
 LEMBAR PENGESAHAN
LAPORAN PRAKTIKUM ELEKTRONIKA 1

Nama : Khaipanurani
NIM : 1711014220008
Kelompok : V (Lima)
Judul Percobaan : Transistor Bipolar
Tanggal Percobaan : 7 Desember 2018
Fakultas : Matematika dan Ilmu Pengetahuan Alam
Program Studi : Fisika
Asisten : Akhmadi

Nilai Banjarbaru, 2018

Asisten

(Akhmadi)
 BAB I
PENDAHULUAN

1.1 Latar Belakang

Transistor adalah komponen yang sangat penting dalam dunia elektronik modern.
Dalam rangkaian analog, transistor digunakan dalam amplifier (penguat). Rangkaian
analog melingkupi pengeras suara, sumber listrik stabil, dan penguat sinyal radio.
Dalam rangkaian-rangkaian digital, transistor digunakan sebagai saklar berkecepatan
tinggi Beberapa transistor juga dapat dirangkai sedemikian rupa sehingga berfungsi
sebagai logic gate, memori, dan komponen-komponen lainnya.
Transistor telah banyak menghasilkan penemuan alat semikoduktor lain
termasuk rangkaian terpadu (IC). Dalam bab ini anda akan mempelajari hubungan
antara arus basis, emitter dan kolektor pada transistor bipolar, diagram rangkaian CE
dan memberi nama tiap terminal, kurva basis hipotesis dan sekumpulan kurva kolektor
dan tiga daerah operasi pada kurva kolektor transistor bipolar.
Setelah mempelajari bab ini, anda diharapkan mampu :
 Menjelaskan suatu pengertian tentang hubungan antara arus basis, emitter dan
kolektor pada transistor bipolar.
 Menggambar diagram rangkaian CE dan memberi nama tiap terminal.
 Menggambar kurva basis hipotesis dan sekumpulan kurva kolektor.
 Memberi nama tiga daerah operasi pada kurva kolektor transistor bipolar.
Transistor adalah komponen aktif yang menggunakan aliran elektron sebagai
prinsip kerjanya didalam bahan. Sebuah transistor memiliki tiga daerah dadah yaitu
daerah emitter, daerah basis dan daerah disebut kolektor. Transistor ada dua jenis yaitu
NPN dan PNP. Transistor memiliki dua sambungan: satu antara emitter dan basis, dan
yang lain antara kolektor dan basis. Karena itu, sebuah transistor seperti dua buah
dioda yang saling bertolak belakang yaitu dioda emitter-basis, atau disingkat dengan
emitter dioda dan dioda kolektor-basis, atau disingkat dengan dioda kolektor. Bagian
emiter-basis dari transistor merupakan dioda, maka apabila dioda emitter-basis dibias
maju maka kita mengharapkan akan melihat grafik arus terhadap tegangan dioda
biasa. Saat tegangan dioda emitter-basis lebih kecil dari potensial barriernya, maka
arus basis (Ib) akan kecil. Ketika tegangan dioda melebihi potensial bariernya, arus
basis (Ib) akan naik secara cepat.

1.2 TujuanPercobaan
Adapun tujuan dari praktikum kali ini adalah :
1. Mengetahui cara menentukan kaki-kaki transistor menggunakan AVOmeter.
2. Mengetahui karakteristik transistor bipolar.
3. Mampu merancang rangkaian sederhana menggunakan transistor bipolar.
4. Mampu menganalisa rangkaian sederhana transistor bipolar.
 BAB II
TINJAUN PUSTAKA

Transistor merupakan divais yang selama ini telah banyak digunakan serta
memiliki peran yang cukup penting di dalam dunia elektronika khususnya dalam
bidang rangkaian terintegrasi (IC). Transistor bipolar merupakan devais elektronik
yang terdiri atas tiga terminal, emitor, kolektor, dan basis, yang membentuk dua buah
p-n junction. Prinsip dasar kerja transistor bipolar adalah arus yang mengalir pada
basis akan mengendalikan arus pada kolektor dan emitter. Keunggulan utama dari
transistor dengan teknologi bipolar adalah kecepatan switching-nya yang lebih tinggi
dibandingkan dengan teknologi MOS serta kemampuannya untuk dapat mengalirkan
arus yang tinggi. Transistor merupakan salah satu komponen elektronika paling
penting dan sangat berperan dalam teknologi rangkaian terintegrasi. Terdapat dua
jenis transistor berdasarkan jenis muatan penghantar listriknya yaitu bipolar dan
unipolar. Pada transistor bipolar, jenis muatan penghantar listriknya adalah melalui
pergerakan elektron dan hole sedangkan pada transistor unipolar, jenis penghantar
listriknya adalah elektron. Sesuai dengan susunan bahan yang digunakan, transistor
bipolar terdiri dari dua tipe yaitu NPN dan PNP [1-2]. Simbol hubungan antara arus
dan tegangan dalam transistor untuk masing-masing (Debataraja, 2011).
Transistor adalah salah satu komponen elektronika yang mempunyai
karakteristik dan spesifikasi yang berbeda-beda sehingga pengaplikasiannya
disesuaikan dengan kebutuhan dalam perancangan. Transistor dibagi menjadi 2 kelas
utama yaitu Field Effect Transistor dan Bipolar Junction Transistor. Bipolar Junction
Transistor merupakan salah satu jenis transistor yang mempunyai karakteristik dan
spesifikasi yang bervariasi yang telah disusun pada lembar datasheet. Bipolar Junction
Transistor terbagi menjadi 2 tipe yaitu transistor tipe NPN dan tipe PNP. Bipolar
Junction Transistor untuk tipe yang sama belum tentu mempunyai karakteristik yang
sama juga. Perancangan ini bertujuan untuk membuat alat ukur yang bersifat low cost
yang bisa menampilkan karakteristik kurva dari small signal bipolar junction
transistor pada Personal Computer (Handoko, 2015).
Pada umumnya, transistor memiliki 3 terminal. Tegangan atau arus yang
dipasang di satu terminalnya mengatur arus yang lebih besar yang melalui 2 terminal
lainnya. Transistor adalah komponen yang sangat penting dalam dunia elektronik
modern. Dalam rangkaian analog, transistor digunakan dalam amplifier (penguat).
Rangkaian analog melingkupi pengeras suara, sumber listrik stabil, dan penguat
sinyal radio. Dalam rangkaian-rangkaian digital, transistor digunakan sebagai saklar
berkecepatan tinggi. Beberapa transistor juga dapat dirangkai sedemikian rupa
sehingga berfungsi sebagai logic gate, memori, dan komponen-komponen lainnya
(Malvino, 1999).

2.1 Cara Kerja Transistor

Dari banyak tipe-tipe transistor modern, pada awalnya ada dua tipe dasar
transistor, bipolar junction transistor (BJT atau transistor bipolar) dan field-effect
transistor (FET), yang masing-masing bekerja secara berbeda. Transistor bipolar
dinamakan demikian karena kanal konduksi utamanya menggunakan dua polaritas
pembawa muatan: elektron dan lubang, untuk membawa arus listrik. Dalam BJT,
arus listrik utama harus melewati satu daerah/lapisan pembatas dinamakan depletion
zone, dan ketebalan lapisan ini dapat diatur dengan kecepatan tinggi dengan tujuan
untuk mengatur aliran arus utama tersebut (Brophy, 1969).

2.2 Transistor Bipolar (Bipolar Junction Transistor)

Transistor bipolar ditemukan di tahun 1948 oleh Bardeen dan Shockley.
Transistor bipolar terdiri dari suatu three-layer struktur dengan n-type berubah-ubah
dan p-type daerah yang ditunjukkan di bawah. Ketiga daerah dikenal sebagai emiter,
dasar dan daerah kolektor dan dihubungkan dengan suatu ohmic kontak.

Heavily
doped
E C E C
p n p n p n

B B

Gambar 2.1 Transistor Bipolar

Suatu pengujian pertama mengenai struktur mengungkapkan bahwa tarnsistor
bipolar berisi dua p-n dioda, satu antara dasar dan emiter, dan satu antara dasar dan
kolektor.
 Bagaimanapun, daerah dasar yang tipis antara kedua p-n dioda
memungkinkan sedikit pengangkutan melalui daerah ini. Menjadikan pengangkutan
minoritas pemabawa- yang disuntik dari emiter ke dalam dasar- yang mengakibatkan
suatu arus kolektor. Arus kolektor ini hampir tidak terikat pada voltase menerapkan
antara dasar dan kolektor tarnsistor bipolar, VBC, sepanjang base-collector dioda
kembali dibiaskan. Penyebabnya adalah base-collector dioda bertindak sebagai suatu
sumber yang dikendalikan oleh base-emitter voltase, VBE.
Perancangan 3-layer struktur menghasilkan suatu arus kolektor, yang sangat
menutup nilai arus emiter. Yang sekarang perlu untuk disediakan kepada dasar itu,
IB= dengan kata lain - IC- diperoleh menggunakan hukum Kirchoff'S dan tanda
menyajikan di bawah- dapat oleh karena itu dengan mantap lebih kecil dibanding baik
emiter maupun arus kolektor. Ini memimpin ke arah pembesaran sekarang antara
kolektor dan dasar: suatu variasi kecil menyangkut arus dasar menyebabkan suatu
variasi lebih besar dari arus kolektor. Perbandingan dari dua orang, dIC/dIB, adalah
refered keuntungan yang sekarang, b. Perlu dicatat bahwa asal usul menyangkut start
keuntungan dengan menghitung arus emiter dan kolektor sebagai fungsi base-emitter
voltase. Suatu kalkulasi yang langsung menyangkut arus kolektor sebagai fungsi dari
suatu arus dasar diterapkan tidaklah mungkin sungguhpun pendekatan ini tampak
lebih logis, terutama ke seseorang yang telah menggunakan suatu transistor
sambungan berkutub dua sebagai unsur untai (Sutrisno,1987).
Transistor adalah komponen aktif yang menggunakan aliran elektron sebagai
prinsip kerjanya didalam bahan. Sebuah transistor memiliki tiga daerah dadah yaitu
daerah emitter, daerah basis dan daerah disebut kolektor. Transistor ada dua jenis yaitu
NPN dan PNP. Transistor memiliki dua sambungan: satu antara emitter dan basis, dan
yang lain antara kolektor dan basis. Karena itu, sebuah transistor seperti dua buah
dioda yang saling bertolak belakang yaitu dioda emitter-basis, atau disingkat dengan
emitter dioda dan dioda kolektor-basis, atau disingkat dengan dioda kolektor. Bagian
emiter-basis dari transistor merupakan dioda, maka apabila dioda emitter-basis dibias
maju maka kita mengharapkan akan melihat grafik arus terhadap tegangan dioda
biasa. Saat tegangan dioda emitter-basis lebih kecil dari potensial barriernya, maka
arus basis (Ib) akan kecil. Ketika tegangan dioda melebihi potensial bariernya, arus
basis (Ib) akan naik secara cepat. Jenis-Jenis Transistor yang paling umum di bedakan
menjadi dua jenis, yaitu Transistor Bipolar dan Transistor Efek Medan. Jenis-Jenis
Transistor ini sangat menentukan sekali dalam pembuatan rangkaian
elektronika.Terutama untuk pembuatan rangkaian amplifier, rangkaian saklar, general
purpose, rangkaian audio, tegangan tinggi dan masih banyak lagi yang lainnya.
Transistor Bipolar atau nama lainnya adalah transistor dwikutub adalah jenis
transistor paling umum di gunakan dalam dunia elektronik. Di dalam transistor
initerdapat 3 lapisan material semikonduktor yang terdiri dari dua lapisan inti, yaitu
lapisan P-N-P danlapisan N-P-N. Transistor bipolar juga memiliki 3 kaki yang
masing-masing di beri nama Basis (B), Kolektor (K) dan Emiter (E). Perbedaan
antara fungsi dan jenis-jenis transistor ini terlihat pada polaritas pemberian tegangan
bias dan arah arus listrik yang berlawanan.
Karakteristik dari transistor biasanya disebut juga karakteristik statik, yang
digambarkan dalam suatu kurva yang menghubungkan antara selisih arus dc dan
tegangan pada transistor.Kurvakarakteri stikstatik sangat membantu dalam
mempelajari operasi dari suatu transistor ketika diterapkan dalam suatu rangkaian.
Ada tiga karakteristik dasar yang sangat penting dari sebuah transistor, yaitu:
a. Karakteristik input
b. Karakteristik output, dan
c. Karakteristik transfer aruskonstan (Brophy, 1969).

2.3 Common Emitter (CE)

Rangkaian CE adalah rangkain yang paling sering digunakan untuk berbagai
aplikasi yang mengunakan transistor. Dinamakan rangkaian CE, sebab titik ground
atau titik tegangan 0 volt dihubungkan pada titik emiter.

2.4 Kurve Base

Hubungan antara IB dan VBE tentu saja akan berupa kurva dioda. Karena
memang telah diketahui bahwa junction base-emitor tidak lain adalah sebuah dioda.
Jika hukum Ohm diterapkan pada loop base diketahui adalah :

IB = (VBB - VBE) / RB .................................................... (2.1)

VBE adalah tegangan jepit dioda junction base-emitor. Arus hanya akan mengalir jika
tegangan antara base-emitor lebih besar dari VBE. Sehingga arus IB mulai aktif
mengalir pada saat nilai VBE tertentu.
 Gambar 2.2 Kurva antara Ic dengan Vbe.

2.5 Kurva Kolektor

Sekarang sudah diketahui konsep arus base dan arus kolektor. Satu hal lain
yang menarik adalah bagaimana hubungan antara arus base IB, arus kolektor IC dan
tegangan kolektor-emiter VCE. Dengan mengunakan rangkaian-01, tegangan VBB
dan VCC dapat diatur untuk memperoleh plot garis-garis kurva kolektor. Pada gambar
berikut telah diplot beberapa kurva kolektor arus IC terhadap VCE dimana arus IB
dibuat konstan.

Gambar 2.3 Kurva kolektor

Dari kurva ini terlihat ada beberapa region yang menunjukkan daerah kerja
transistor. Pertama adalah daerah saturasi, lalu daerah cut-off, kemudian daerah aktif
dan seterusnya daerah breakdown.

2.6 Daerah Cut-Off

Jika kemudian tegangan VCC dinaikkan perlahan-lahan, sampai tegangan VCE
tertentu tiba-tiba arus IC mulai konstan. Pada saat perubahan ini, daerah kerja
transistor berada pada daerah cut-off yaitu dari keadaan saturasi (OFF) lalu menjadi
aktif (ON). Perubahan ini dipakai pada system digital yang hanya mengenal angka
biner 1 dan 0 yang tidak lain dapat direpresentasikan oleh status transistor OFF dan
ON.

Gambar 2.4 Rangkaian driver LED

Misalkan pada rangkaian driver LED di atas, transistor yang digunakan
adalah transistor dengan = 50. Penyalaan LED diatur oleh sebuah gerbang logika
(logic gate) dengan arus output high = 400 uA dan diketahui tegangan forward LED,
VLED = 2.4 volt. Lalu pertanyaannya adalah, berapakah seharusnya resistansi RL yang
dipakai. IC = IB = 50 x 400 uA = 20 mA. Arus sebesar ini cukup untuk menyalakan
LED pada saat transistor cut-off. Tegangan VCE pada saat cut-off idealnya = 0, dan
aproksimasi ini sudah cukup untuk rangkaian ini.
Dari hukum Kirchhoff diketahui bahwa jumlah arus yang masuk kesatu titik
akan sama jumlahnya dengan arus yang keluar. Jika teorema tersebut diaplikasikan
pada transistor, maka hukum itu menjelaskan hubungan :

IE = IC + IB.............................................................(2.2)

Gambar 2.5 Hubungan arus pada transistor

Persamanaan tersebut mengatakan arus emiter IE adalah jumlah dari arus kolektor IC
dengan arus base IB. Karena arus IB sangat kecil sekali atau disebutkan IB << IC,
maka dapat di nyatakan :

IE = IC.........................................................................(2.3)
(Malvino,1999).
 BAB III

METODE PERCOBAAN

3.1 Waktu Dan Tempat

Praktikum kali ini dilaksanakan pada hari rabu tanggal 6 Desember 2017 pukul
16.00 WITA sampai selesai. Bertempat di Laboratorium Optik dan fisika modern
Fakultas Matematika dan Ilmu Pengetahuan Alam Universitas Lambung Mangkurat
Banjarbaru.

3.2 Alat Dan Bahan

Alat dan bahan yang digunakan pada praktikun ini adalah:
1. Transistor BD 137 Fungsinya sebagai penguat arus dan tegangan.
2. Resistor berfungsi sebagai hambatan dalam suatu rangkaian.
3. Projectboard berfungsi untuk memasang komponen elektronika secara tidak
permanent.
4. Catu daya berfungsi sebagai sumber tegangan.
5. Multimeter berfungsi untuk mengukur nilai arus, tegangan dan hambatan.

3.3 ProsedurPercobaan
Sebelum melakukan percobaan tentukan terlebih dahulu kaki-kaki pada
transistor yang akan digunakan.
a. Karakteristik Transistor
1. Menyusun rangkaian seperti gambar di bawah ini, dengan RB= 100 KΩ, atur VBB
sehingga diperoleh IB10 μA.

Gambar 4.1 RangkaianPercobaan

2. Mengubah VCC: 0.1, 0.3, 0.5, 0.8, 1, 2, 4, 6, 8, 10, 15 volt.
3. Mengukur besar VCE dan IC pada setiap perubahan VCC.
4. Mencatat data percobaan seperti tabel di bawah ini :
VCC VCE (volt) IC (volt)
(volt)
0
0.1
0.3
0.5
0.8
1
2
4
6
8
10
15
5. Mengulang percobaan untuk IB20 μA.
b. Transistor Sebagai Saklar
1. Menyusun rangkaian seperti gambar di bawah ini, dengan VBB= VCC= 5 V, RB= 10
KΩ, RC= 100 Ω.

Gambar4.2 Contoh transistor sebagai saklar

2. Mengukur besar tegangan R2 dan LED

3. Menutup saklar. Apa yang terjadi pada LED.
4. Mengukur kembali besar tegangan R2 dan LED.
5. Mengukur tegangan pada kolektor
6. Mengukur besar IB dan IC. Menghitung besar penguatan transistor.
 DAFTAR PUSTAKA

Brophy. 1969. Basic Electronics for Sciences and Engineers.John Willey.

Debataraja, L, R. 2011. Studi Awal MEMS pada Mikrofabrikasi Divais Transistor
Bipolar NPN. Jurnal Ilmiah Elite Elektro, Vol. 2, No. 2, 94 hal 88.
Handoko, H. 2015. Alat Ukur Karakteristik Kurva Bipolar Junction Transistor
Berbasis Personal Computer. Tesla. Vol. 17, No. 1, hal 52.
Malvino, A, P. 1999. Prinsip Elektronika. Jakarta : Erlangga.
Sutrisno. 1987. Elektronika: Teori Dasar dan Penerapannya jilid 1. Bandung : ITB.

TUGAS PENDAHULUAN
1. Jelaskan prinsip kerja transistor sebagai saklar !
2. Jelaskan fungsi masing-masing kaki transistor !
3. Jelaskan istilah – istilah berikut : daerah aktif, daerah breakdown, tegangan cut of!
Jawaban :
1. Transistor bipolar memiliki 2 fungsi yang bisa disamakan dengan penggabungan
2 buah dioda. Fungsi pertama sebagai emiter-basis dan base-kolektor sebagai
fungsi kedua. Seperti pada dioda, arus hanya akan mengalir jika diberi bias positif
yaitu jika tegangan pada material P lebih positif dari pada material N. Jika
dimisalkan tegangan base-emitor dibalik (reserve bias), maka tidak akan terjadi
aliran elektron dari emitor menuju kolektor. Jika pelan-pelan ‘keran’ basis diberi
bias maju (forwad bias) elektron mengalir menuju kolektor dan besarnya
sebanding dengan besar arus bias yang diberikan.
Dengan kata lain, arus basis mengatur banyaknya electron yang mengalir dari
emisi menuju kolektor. Ini yang dinamakan efek penguat transistor, karena arus
basis yang kecil menghasilkan arus emiter-kolektor yang lebih besar. Istilah
amflifier (penguat) menjadi salah kaprah, karena dengan penjelasan di atas
sebenarnya yang terjadi bukan penguatan, melainkan arus yang lebih kecil
mengontrol aliran arus yang lebih besa. Juga dapat dijelaska bahwa basis
mengatur, membuka dan menutup aliran arus emitor-kolektor (switch on/off)
sehingga transistor dapat dikatakan sebagai saklar.
2. Fungsi masing-masing kaki transistor adalah :
a. Basis adalah kaki transistor yang mempunyai fungsi membuat hubungan
tanpa menyearahkan resistansi rendah.
b. Emitor dan kolektor sebagai dua titik penyearah yang dipasang pada piranti
semikonduktor (transistor)
3. Daerah aktif adalah daerah kerja transistor yang normal, dimana arus Ic konstan
terhadap berapapun nilai Vce. Daerah kerja ini biasanya juga disebut daerah
linier.
Daerah Breakdown adalah daerah yang hanya bisa dicapai oleh aliran arus jika
tegangan Vce lebih dari 40 V. Jika arus sampai mengalir ke daerah ini maka bisa
merusak transistor.
Tegangan cut off adalah tegangan di mana pada saat tersebut Ic mulai konstan.
Pada saat perubahan ini, daerah kerja transistor berada pada daerah cut off dari
keadaan saturasi (off ) lalu menjadi aktif kembali (on).