LAPORAN RESMI PRAKTIKUM DASAR ELEKTRONIKA

PERCOBAAN 8

TRANSISTOR BIPOLAR

Praktikan :
1. Firli Afifatun Amali (20193010106)
2. Titah Piniji Mukti (20193010109)
3. Ryanto Saputra Mimy (20193010112)

Asisten : Akhmad Faisal Huda

Waktu Percobaan : 28 Oktober 2019
Laboratorium Elektronika
Program Studi Teknik Elektromedik
Program Vokasi - Universitas Muhammadiyah Yogyakarta

Transistor adalah suatu komponen 1. Pendahuluan

elektronika yang terbuat dari bahan 1.1 Latar belakang
semikonduktor. Ada dua macam transistor Transistor merupakan salah satu
yaitu transistor di kutub (bipolar) dan komponen semikonduktor yang paling
transistor efek medan (field effect banyak ditemukan dalam rangkaian-
transistor-FET). Jenis-jenis transistor ini rangkaian elektronik yang hampir semua
terbagi atas 3 bagian lapisan material perangkat elektronik menggunakan
semikonduktor yang terdiri dari dua formasi transistor untuk berbagai kebutuhan dalam
lapisan yaitu P-N-P (Positif-Negatif-Positif) rangkaiannya. Perannya sangat menentukan
dan lapisan N-P-N (Negatif-Positif-Negatif). bagi pekerja alat elektronik. Dapat hampir
Sehingga menurut dua formasi lapisan semua perangkat elektronik menggunakan
tersebut transistor bipolar dibedakan ke transistor untuk berbagai kebutuhan dalam
dalam dua jenis yaitu transistor PNP dan rangkaiannya. Perangkat elektronik yang
NPN. Masing-masing dari ketiga kaki di dimaksud tersebut seperti komputer, audio
beri nama B (Basis), K (Collector), dan E amplifier, dan power supply. Maka
(Emittor). Fungsi transistor bipolar ini diperlukanlah transistor yang dapat pula
adalah sebagai pengatur arus listrik berfungsi sebagai penguat, pengendali,
(regulator arus listrik), dengan kata lain penyearah dan juga saklar. Oleh karena itu,
transistor dapat membatasi arus yang percobaan ini sangat diperlukan oleh
mengalir dari collector ke emitor atau praktikan agar mampu memahami tentang
sebaliknya (tergantung jenis transistor, materi ini.
1

PNP atau NPN).

Halaman

Kata Kunci : Transistor bipolar, Transistor

NPN dan PNP.
 LAPORAN RESMI PRAKTIKUM DASAR ELEKTRONIKA

1.2 Tujuan Percobaan NPN). Menurut standar simbol arah panah

selalu menunjukkan arah yang berlawanan
a. Mengetahui cara menentukan kaki-kaki
dengan arah aliran elektron. Perhatikan
transistor bipolar.
gambar dibawah ini. dikendalikan mengalir
b. Mengetahui karakteristik transistor
dari kolektor emitor atau dari emitor ke
bipolar.
kolektor tergantung dari masing-masing
c. Mampu merancang rangkaian
jenis transistor tersebut (PNP atau NPN).
sederhana menggunakan transistor
Arus kecil yang mengontrol arus utama
bipolar.
mengalir dari basis ke emitor atau dari
d. Mampu menganalisa rangkaian
emitor ke basis, sekali lagi tergantung dari
sederhana transistor bipolar.
jenis masing-masing transistor tersebut
2. Dasar teori (PNP atau NPN). Menurut standar simbol
arah panah selalu menunjukkan arah yang
2.1 Transistor
berlawanan dengan arah aliran elektron.
Transistor adalah komponen
Perhatikan gambar dibawah ini.
semikonduktor berbeda yang dapat
bertindak baik sebagai isolator atau
konduktor dengan penerapan voltase sinyal
kecil yang memiliki berbagai macam fungsi
seperti sebagai penguat, pengendali,
penyearah, osilator dan lain sebagainya.
Kemampuan transistor untuk mengubah
antara kedua keadaan memungkinkannya
memiliki dua fungsi dasar sebagai switching
Gambar 2.1 Simbol arah aliran arus
(elektronika digital) atau sebagai
amplyfication (elektronika analog). Transistor bipolar disebut bipolar karena
Elektronika yang sifatnya digital seperti aliran utama elektron yang mengalir
microcontroller ataupun microprossesor. melewati transistor berlangsung dalam dua
tipe bahan semikonduktor, yaitu P dan N,
2.2 Karakteristik Transistor Bipolar
sebagai arus utama yang mengalir dari
Pada transistor bipolar arus utama yang emitor ke kolektor (atau sebaliknya).
emitor atau dari emitor ke kolektor
tergantung dari masing-masing jenis a. Transistor NPN

transistor tersebut (PNP atau NPN). Arus Transistor bipolar yang menggunakan
kecil yang mengontrol arus utama mengalir arus listrik kecil dan tegangan positif pada
dari basis ke emitor atau dari emitor ke terminal basis untuk mengendalikan aliran
2

basis, sekali lagi tergantung dari jenis

Halaman

arus dan tegangan yang lebih besar dari

masing-masing transistor tersebut (PNP atau kolektor ke emitor.
 LAPORAN RESMI PRAKTIKUM DASAR ELEKTRONIKA

b. Transistor PNP Terjadi sifat-sifat yang diinginkan, dimana

atau sebagaimana penjelasan pada bagian
Transistor bipolar yang menggunakan
sebelumnya. Transistor menjadi komponen
arus listrik kecil dan tegangan negatif pada
yang dapat dikendalikan.
terminal basis untuk mengendalikan aliran
d) Daerah Breakdown
arus dan tegangan yang lebih besar dari
Dioda kolektor diberi prategangan
emitor ke kolektor.
mundur yang melebihi tegangan
breakdown-nya, dimana tegangan kolektor
ke emitor saat arus basis adalah nol.
Sehingga arus kolektor (IC) melebihi
spesifikasi yang diperbolehkan dapat
menyebabkan transistor mengalami
kerusakan.
2.3 Konstruksi Transistor Bipolar
Gambar 2.2 Daerah kerja transistor
Karakteristik dari masing-masing
daerah operasi transistor tersebut dapat
diringkas sebagai berikut :
a) Daerah Potong (cut off)
Gambar 2.3 Kontruksi NPN dan PNP
Dioda emitor diberi prategangan
Model konstruksi dan rangkaian untuk
mundur. Akibatnya, tidak terjadi pergerakan
transistor bipolar PNP dan NPN diberikan di
electron, sehingga arus basis, IB = 0.
atas dengan panah pada simbol rangkaian
Demikian juga, arus kolektor, IC = 0.
selalu menunjukkan arah "aliran arus
b) Daerah Saturasi
konvensional" antara terminal dasar dan
Dioda emitor dan kolektor diberi
terminal emitornya. Arah panah selalu
prategangan maju. Akibatnya, arus kolektor
menunjuk dari daerah tipe P positif ke
(IC), akan mencapai harga maksimum, tanpa
daerah tipe N yang negatif untuk kedua
bergantung kepada arus basis (IB) dan βDC.
jenis transistor, sama persis dengan model
Hal ini, menyebabkan transistor menjadi
dioda standar.
komponen yang tidak dapat dikendalikan.
2.4 Konfigurasi Transistor Bipolar
Untuk menghindari daerah ini, dioda
Sebagai transistor bipolar adalah tiga
kolektor harus diberi prategangan
perangkat terminal, pada dasarnya ada tiga
mundur,dengan tegangan melebihi VCE,
cara yang mungkin untuk
yaitu tegangan yang menyebabkan dioda
menghubungkannya dalam rangkaian
kolektor saturasi.
elektronik dengan satu terminal yang umum
3

c) Daerah Aktif
digunakan oleh input dan output. Setiap
Halaman

Dioda emitor diberi prategangan maju.

metode koneksi merespon secara berbeda
Dioda kolektor diberi prategangan mundur.
terhadap sinyal inputnya di dalam rangkaian
 LAPORAN RESMI PRAKTIKUM DASAR ELEKTRONIKA

karena karakteristik statis transistor

𝑰𝑬 = 𝑰𝑪 + 𝑰𝑩
berbeda-beda dengan setiap pengaturan
rangkaian. 𝐼𝐵 = Arus basis
𝐼𝐶 = Arus kolektor
𝐼𝐸 = Arus emitor
Dimana: IC adalah arus yang mengalir
ke terminal kolektor, IB adalah arus yang
mengalir ke terminal dasar dan IE adalah
arus yang mengalir keluar dari terminal
emitor.
Gambar 2.4 Konfigurasi transistor bipolar Sedangkan dengan aljabar maka dapat
AlphaDC (αDC) dan BetaDC (βDC), dalam disusun menjadi
konfigurasi, Arus kolektor dengan arus 𝜶𝑫𝑪
𝜷𝑫𝑪 =
emitor hampir sama, αDC sebagai definisi 𝟏 − 𝜶𝑫𝑪

perbandingan kedua arus. Keterangan :

𝛼𝐷𝐶 = Alpha DC
𝑰𝑪
𝜶𝑫𝑪 = ≈𝟏 𝛽𝐷𝐶 = Beta DC
𝑰𝑬
Kemudian, perubahan kecil arus yang
Keterangan : mengalir di dasar akan mengendalikan arus
𝛼𝐷𝐶 = Alpha DC di rangkaian emittor-kolektor. Biasanya, 𝛽
𝐼𝐶 = Arus kolektor memiliki nilai antara 20 dan 200 untuk
𝐼𝐸 = Arus emitor kebanyakan transistor tujuan umum. Jadi
Catatan: bahwa nilai alpha akan selalu jika transistor memiliki nilai 𝛽 100, maka
kurang dari satu. satu elektron akan mengalir dari terminal
Arus kolektor yang dihubungkan dasar untuk setiap 100 elektron yang
dengan arus emittor dengan menggunakan mengalir di antara terminal Emittor-
αDC. Juga menghubungkan arus kolektor kolektor.
dengan arus basis dengan 2.5 Cara Menentukan kaki-kaki
mendefinisikan βDC. Transistor Bipolar
𝑰𝑪 a. Mencari Kaki Basis
𝜷𝑫𝑪 =
𝑰𝑩 Atur multimeter pada pengukuran
Keterangan : ohmmeter x100. Perhatikan pergerakan
𝛽𝐷𝐶 = Beta DC jarum, apabila jarum bergerak ke kanan
𝐼𝐶 = Arus kolektor dengan posisi probe yang satu tetap pada
𝐼𝐵 = Arus basis kaki 3 dan probe lainnya pada kaki 2 berarti
4

Hubungan antara αDC dan βDC sesuai dengan kaki 3 adalah basis. Jika probe positif
Halaman

Hukum Kirchhoff. berada pada kaki 3 berarti transistor tersebut

merupakan NPN, Sebaliknya jika probe
 LAPORAN RESMI PRAKTIKUM DASAR ELEKTRONIKA

negative berada pada kaki 3 berarti mengalir melalui base-nya. Perbedaan

transistor tersebut merupakan PNP. utama antara dua jenis transistor adalah
bahwa lubang pembawa yang lebih penting
untuk transistor PNP, sedangkan elektron
merupakan pembawa penting transistor
NPN.
Gambar 2.5 Cara mencari kaki basis Kemudian, arus PNP menggunakan
arus base kecil dan voltase dasar negatif
b. Mencari Kaki Kolektor dan Emitor
untuk mengendalikan arus emitor-kolektor
Perhatikan pergerakan jarum, apabila
yang jauh lebih besar. Dengan kata lain
jarum bergerak ke kanan maka kaki 1 (pada
untuk transistor PNP, emitor lebih positif
probe positif) adalah emitor dan kaki 2
sehubungan dengan base dan juga sehubung
(pada posisi negatif) adalah kolektor atau
dengan kolektor.
jika dipasang kebalikannya (probe positif
pada kaki 2 dan probe negatif pada kaki 1 )
dan jarum tidak bergerak, maka kaki 1
adalah emitor dan kaki 2 adalah kolektor.
Untuk transistor jenis PNP dapat di lakukan
seperti diatas dan hasilnya kebalikan dari
transistor jenis NPN.
Gambar 2.8 Contoh rangkaian PNP

Pada PNP, terjadi hal sebaliknya ketika

arus mengalir pada kaki basis,
maka transistor berlogika 0 (off). Arus akan
Gambar 2.6 Cara mencari kaki kolektor dan mengalir apabila kaki basis diberi
emitor sambungan ke ground (-) hal ini akan
2.6 Cara Kerja NPN dan PNP menginduksi arus pada kaki emitor ke
a. Cara Kerja Transistor PNP kolektor, hal yang berbeda dengan NPN,
yaitu arus mengalir pada kolektor ke emitor.
Penggunaan transistor jenis ini mulai jarang
digunakan. Dibanding dengan NPN, jenis
PNP mulai sulit ditemukan dipasaran.
Gambar 2.7Cara kerja Transistor PNP Untuk menyebabkan arus
Transistor PNP adalah kebalikan basis mengalir pada transistor PNP, basis
dengan perangkat transistor NPN. perlu lebih negatif daripada emitor (arus
Semua polaritas untuk PNP dibalik yang harus meninggalkan basisnya) sekitar 0,7
5
Halaman

berarti, tenggelam ke base-nya sebagai volt untuk perangkat silikon atau 0,3 volt
kebalikan transistor NPN yang sumbernya untuk perangkat germanium dengan rumus
 LAPORAN RESMI PRAKTIKUM DASAR ELEKTRONIKA

yang digunakan untuk menghitung resistor karena perbandingan penguatan yang terjadi
basis, arus basis atau arus kolektor sama antara basis dan kolektor melebihi 200 kali.
dengan yang digunakan untuk transistor 3. Metodologi
NPN yang setara. 3.1 Alat dan Bahan
3.1.1 Alat
b. Cara Kerja Transistor NPN
1. Catu Daya (2 Buah)
2. Multimeter (1 Buah)
3.1.2 Bahan
1. Projectboard (1 Buah)
2. Transistor BD139 (1 Buah)
3. Resistor (4 Buah)
Gambar 2.9 Cara kerja transistot NPN
4. Cepit Buaya (2 Pasang)
Konstruksi dan tegangan terminal untuk
transistor NPN bipolar ditunjukkan di atas. 3.2 Langkah-langkah
Tegangan antara basis dan emitor (VBE ), 3.2.1 Penyearah Gelombang Penuh
positif pada basis dan negatif pada emitor
Menyusun rangkaian seperti gambar di
karena untuk transistor NPN, terminal basis bawah ini.
selalu positif terhadap emitor. Juga voltase
supply kolektor positif terhadap emitor
(VCE ). Jadi untuk transistor NPN bipolar
untuk melakukan kolektor selalu lebih
positif berkenaan dengan basis dan emitor.

Menentukan nilai Q1,RB, RC, VCC dan

VBB.

Mengatur RB sampai besar IB + 10µA.

Gambar 2.10 Contoh rangkaian NPN
Pada NPN, untuk mengalirkan arus
tersebut dibutuhkan sambungan ke sumber Mengubah VCC : 0, 0.3, 0.5, 0.8, 1, 2, 4,
6, 8, 10, 12 V.
positif (+) pada kaki basis. Cara kerja NPN
adalah ketika tegangan yang mengenai kaki
basis, hingga dititik saturasi, maka akan Mengukur VCE dan IC pada setiap
perubahan VCC.
menginduksi arus dari kaki kolektor ke
emitor. Dan transistor akan berlogika 1
(aktif). Dan apabila arus yang melalui basis Mencatat data percobaan.
6

berkurang, maka arus yang mengalir pada

Halaman

kolektor ke emitor akan berkurang, hingga

Ulanglah untuk IB + 20µA dan IB + 30µA.
titik cut off. Penurunan ini sangatlah cepat
 LAPORAN RESMI PRAKTIKUM DASAR ELEKTRONIKA

4. Hasil dan Analisis resistor sebesar 150kΩ. Pada saat Vcc

4.1 Hasil
(Terlampir)
4.2 Analisis
Pada percobaan merancang rangkaian
sederhana menggunakan transistor bipolar,
pengukuran dilakukan pada arus masuk
pada kaki basis (IB) dan arus keluar pada
kaki kolektor (IC) dengan menggunakan
multimeter. Sebelum dilakukan pengukuran,
ditentukan terlebih dahulu kaki-kaki basis,
collector dan emitor menggunakan
multimeter atau dapat dilakukan pengecekan
datasheet transistor di internet. Transistor
yang digunakan dalam percobaan ini yaitu
transistor NPN.
Pada percobaan pertama, diberikan arus
pada kaki basis (IB) sebesar 10 mA dengan
Vbb sebesar 5 V dan resistansi resistor
sebesar 510 kΩ. Pada saat Vcc diberikan
tegangan 12V maka tegangan pada kaki
kolektor dan emitor (VCE) sebesar 9,43 V
dan IC sebesar 2,53 mA. Pada saat Vcc
dinaikkan menjadi 15 V, maka nilai
tagangan pada VCE yaitu sebesar 12,36 V
dan IC sebesar 2,57 mA. Nilai VCE dan IC
akan naik saat tegangan pada Vcc
dinaikkan.
Pada percobaan kedua diberikan arus
pada kaki basis (IB) sebesar 20mA dengan
resistansi resistor 270 kΩ. pada saat Vcc
diberikan tegangan 12 Vdc maka tegangan
pada VCE yaitu sebesar 7,10 Vdc dan IC
sebesar 4,64 mA. Pada saat Vcc dinaikkan
maka VCE dan IC akan mengalami
kenaikan.
diberikan tegangan 12 Vdc maka tegangan
pada VCE yaitu sebesar 3,57 Vdc dan IC
sebesar 8,17 mA. Pada saat Vcc dinaikkan
maka VCE dan IC akan mengalami
kenaikan.
Jika dibandingkan VCE dan IC pada
percobaan pertama,kedua,dan ketiga
semakin besar nilai IB maka akan semakin
besar pula nilai IC dan VCE.
5. Kesimpulan
Kesimpulan yang dapat ditarik dari
praktikum kali ini yaitu :
a. Arus pada basis lebih kecil daripada
arus pada kolektor emitor.
b. Terdapat daerah dimana arus bernilai
konstan ketika dimana nilai arus pada
basis akan memperbesar tegangan pada
kolektor emitor yang dibutuhkan.
c. Semakin tinggi nilai IB semakin besar
VCC yang dibutuhkan agar IC mencapai
konstan.
d. Arus pada emitor sama dengan jumlah
arus kolektor dan basis.
6. Daftar Pustaka
[1.] Transistor Bipolar,
http://trikueni-desain-
sistem.blogspot.com/2013/11/Pengenal
an-Transistor-Bipolar.html,diakses pada
Selasa, 5 November 2019 16.50 WIB
[2.] Karakteristik Transistor Bipolar,
https://www.electronics-
tutorials.ws/transistor/tran_1.html,,
diakses pada Selasa, 5 November 2019
7

16.55 WIB
Halaman

Pada percobaan ketiga diberikan arus

[3.] Cara kerja NPN dan PNP,
pada IB sebesar 30 mA dengan resistansi
http://www.tespenku.com/2018/02/cara
 LAPORAN RESMI PRAKTIKUM DASAR ELEKTRONIKA

-kerja-transistor-pnp.html,diakses pada
Selasa, 5 November 2019 17.02 WIB
[4.] Laboratorium Elektronika, Praktikum
NAMA
Dasar Elektronika, Laboratorium Akhmad Faisal Huda
ASISTEN
Elektronika UMY, Jogja, 2019
PARAF

TANGGAL
JAM

8
Halaman
 LAPORAN RESMI PRAKTIKUM DASAR ELEKTRONIKA

Lampiran
1. Hasil Percobaan
A. Hasil Percobaan dengan IB + 10µA, R B. Hasil Percobaan dengan IB + 20µA, R
= 510kΩ = 270kΩ
VCC VCE IC VCC VCE IC
0V 0V 0 mA 0V 0V 0 mA
0,3 V 0,02 V 0,13 mA 0,3 V 0,02 V 0,16 mA
0,5 V 0,04 V 0,30 mA 0,5 V 0,03 V 0,32 mA
0,8 V 0,06 V 0,58 mA 0,8 V 0,04 V 0,59 mA
1V 0,07 V 0,80 mA 1V 0,05 V 0,79 mA
2V 0,11 V 1,77 mA 2V 0,08 V 1,80 mA
4V 1,51 V 2,40 mA 4V 0,13 V 3,66 Ma
6V 3,45 V 2,44 mA 6V 1,40 V 4,45 Ma
8V 5,38 V 2,47 mA 8V 3,33 V 4,52 mA
10 V 7,32 V 2,50 mA 10 V 5,20 V 4,60 Ma
12 V 9,43 V 2,53 mA 12 V 7,10 V 4,64 mA
15 V 12,36 V 2,57 mA 15 V 10,04 V 4,78 Ma
Keterangan : Keterangan :
VCC = Tegangan masuk pada kolektor VCC = Tegangan masuk pada kolektor
VCE = Tegangan pada kolektor VCE = Tegangan pada kolektor
IC = Arus pada kolektor IC = Arus pada kolektor
1. Nilai resistansi resistor 2. Nilai resistansi resistor
V =5V V =5V
I = 10µA I = 20µA
𝑉 𝑉
R = R =
𝐼 𝐼
5 5
= =
10𝑥10⁻⁶ 20𝑥10⁻⁶

= 500.000Ω = 250.000Ω
Resistor sebesar 500.000 Ω tidak Resistor sebesar 250.000 Ω tidak tersedia di
tersedia di pasaran maka, digunakan resistor pasaran maka, digunakan resistor sebesar
sebesar 510.000 Ω untuk dapat 270.000 Ω untuk dapat menghasilkan arus
menghasilkan arus sebesar 10µA. sebesar 20 µA.
9
Halaman
 LAPORAN RESMI PRAKTIKUM DASAR ELEKTRONIKA

C. Hasil Percobaan dengan IB + 30µA, R

= 150kΩ
VCC VCE IC
0V 0V 0 mA
0,3 V 0,01 V 0,15 mA
0,5 V 0,02 V 0,31 mA
0,8 V 0,03 V 0,59 mA
1V 0,04 V 0,83 mA
2V 0,05 V 1,79 mA
4V 0,08 V 3,70 mA
6V 0,11 V 5,62 mA
8V 0,18 V 7,55 mA
10 V 1,83 V 8,03 mA
12 V 3,57 V 8,17 mA
15 V 6,57 V 8,42 mA

Keterangan :
VCC = Tegangan masuk pada kolektor
VCE = Tegangan pada kolektor
IC = Arus pada kolektor
3. Nilai resistansi resistor
V =5V
I = 30µA
𝑉
R = 𝐼
5
= 30𝑥10⁻⁶

= 150.000Ω
Maka, pada percobaana ketiga digunakan
resistor sebesar 150.000 Ω untuk dapat
menghasilkan arus sebesar 30 µA.
10
Halaman
 LAPORAN RESMI PRAKTIKUM DASAR ELEKTRONIKA

2. Grafik Percobaan
A. Grafik Percobaan dengan IB + 10µA, R = 510kΩ

IC
percobaan 1
3

2.5

1.5

0.5

0
VCE
-2 0 2 4 6 8 10 12 14

B. Grafik Percobaan dengan IB + 20µA, R = 270kΩ

percobaan 2
IC
6

0 VCE
0 2 4 6 8 10 12
11
Halaman
 LAPORAN RESMI PRAKTIKUM DASAR ELEKTRONIKA

C. Grafik Percobaan dengan IB + 30µA, R = 150kΩ

percobaan 3
IC
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
VCE
0 1 2 3 4 5 6 7

12
Halaman
 LAPORAN RESMI PRAKTIKUM DASAR ELEKTRONIKA

Tugas-Tugas
1. Jika β DC suatu transistor adalah 250, c) Atau untuk menentukan kaki– kaki nya
berapakah nilai arus emiter? perlu melihat data sheet book transistor.
Jawab :
αDC
βDC = (1−αDC)
αDC
250 = (1−αDC) 3. Tentukan persamaan-persamaan untuk

250 x (1−DC) = αDC mendapatkan bentuk kurva kolektor

250 − 250αDC = αDC transistor?

250 = 251 αDC Jawab :

250 Data kurva kolektor CE diperoleh
= 251
dengan cara membangun rangkaian seperti
= 0.99602.
gambar 1 atau dengan menggunakan
transistor curve tracer (alat yang dapat
2. Sebutkan cara mengenali urutan
menggambarkan kurva transistor). Ide dari
kakikaki transistor selain menggunakan
kedua cara tersebut adalah dengan
Ohmmeter?
mengubah catu tegangan VBB dan VCC
Jawab :
agar diperoleh tegangan dan arus transistor
Dibawah ini adalah beberapa tips untuk
yang berbeda beda. Prosedurnya yaitu
menentukan kaki transistor tanpa
biasanya dengan mengatur harga IB dan
menggunakan multimeter, caranya adalah :
menjaganya tetap dan VCC diubah ubah.
a) Kaki kolektor biasanya terhubung
dengan badan transistor apabila
transistor tersebut dipacking
menggunakan metal. Apabila transistor
dipacking dengan plastik maka kaki Dengan mengukur IC dan VCE dapat
kolektor biasanya terhubung dengan agar dapat memperoleh data untuk membuat
badan transistor yang akan grafik IC vs VCE. Misalnya, anggap dalam
dihubungkan dengan pendingin. gambar 1 IB = 10µA. Kemudian VCC
b) Apabila transistor tersebut tidak diubah dan ukur IC dan VCE. Selanjutnya
dihubungkan dengan pendingin, maka kita akan dapat gambar 2. Pada kurva IB =
sebaiknya dicari dulu kaki basisnya. 10µA dibuat tetap selama semua
Kalau sudah ketemu, sekarang kaki pengukuran.
basisnya ditengah apa dipinggir? Kalau
kaki basisnya ditengah, biasanya kaki
kolektor berada pada sebelah kanan.
13

Kalau basisnya dipinggir maka kaki Pada gambar 2, jika VCE nol, dioda
Halaman

kolektor berada pada sebelah tengah. kolektor tidak terbias reverse, oleh sebab itu
arus kolektor sangatlah kecil. UntukVCE
 LAPORAN RESMI PRAKTIKUM DASAR ELEKTRONIKA

antara 0 dan 1 V, arus kolektor bertambah karena arus kolektor sedikit bertambah
dengan cepat dan kemudian menjadi hampir dengan bertambahnya VCE, βdc sedikit
konstan. Ini sesuai dengan memberikan bias bertambah dengan bertambahnya VCE.
reverse dioda kolektor. Kira –kira
diperlukan 0,7 V untuk membias reverse
dioda kolektor. Setelah level ini, kolektor
mengumpulkan semua elektron yang
mencapai lapisan pengosongan. Di
atas knee, harga yang eksak dari
VCE tidak penting karena dengan membuat
a) Daerah jenuh (saturasi) adalah daerah
bukit kolektor lebih curam
dengan VCE kurang dari tegangan lutut
tidaklah dapat menambah arus kolektor
(knee)VK. Daerah jenuh terjadi bila
yang berarti. Sedikit pertambahan pada arus
sambungan emiter dan sambungan basis
kolektor dengan bertambahnya VCE
dibias maju. Pada daerah jenuh arus
disebabkan oleh lapisan pengosongan
kolektor tidak bergantung pada nilai IB.
kolektor menjadi lebih lebar dan menangkap
Tegangan jenuh kolektor– emiter,
beberapa elektron basis sebelum mereka
VCE(sat) untuk transistor silikon adalah
jatuh ke dalam hole.
0,2 V, sedangkan untuk transistor
germanium adalah 0,1 V.
b) Daerah aktif, adalah antara tegangan
lutut VK dan tegangan dadal (break
down) VBRserta di atas IB = ICO.
Daerah aktif terjadi bila sambungan
Dengan mengulangi pengukuran IC dan
emiter diberi bias maju dan sambungan
VCE untuk IB =20µA, sehingga diperoleh
kolektor diberi bias balik. Pada daerah
gambar 3. Kurvanya hampir sama, kecuali
aktif arus kolektor sebanding dengan
di atas knee, arus kolektor kira– kira sama
arus basis. Penguatan sinyal masukan
dengan 2 mA. Juga kenaikan VCE
menjadi sinyal keluaran terjadi pada
menghasilkan pertambahan arus kolektor
daerah aktif.
sedikit karena
c) Daerah cut – off (putus) terletak
pelebaran lapisan pengosongan menangkap
dibawah IB = ICO. Sambungan emitor
tambahan elektron basis sedikit. Jika
dan sambungan kolektor diberi bias
beberapa kurva dengan IB yang berbeda
balik. Pada daerah ini IE = 0 ; IC = ICO
diperlihatkan dalam gambar 4 karena
= IB.
menggunakan transistor dengan βdc kira –
14

kira 100, arus kolektor kira–kira 100 kali

Halaman

lebih besar daripada arus basis untuk setiap

titik di atas knee dari kurva tersebut. Oleh
LAPORAN RESMI PRAKTIKUM DASAR ELEKTRONIKA

15
Halaman