Anda di halaman 1dari 13

LAPORAN HASIL PRAKTIKUM 3

TRANSISTOR BIPOLAR

Oleh : Kelompok 6

NAMA MAHASISWA

NIM

1. Lukman Prayudi 2. M. Miftachul Arif 3. Risca Dwi Novianti 4. Nurdin Zuhri Aminullah 5. Bryan Hidayat S 6. Yudha Bagus Priyoko

081910201016
101910201024 101910201036 101910201042 101910201046 101910201103

LABORATORIUM DASAR DAN OPTIK PROGRAM STUDI S1 JURUSAN TEKNIK ELEKTRO FAKULTAS TEKNIK UNIVERSITAS JEMBER TAHUN 2012

BAB I PENDAHULUAN

1.1. Latar Belakang Komponen Elektronika biasanya sebuah alat berupa benda yang menjadi bagian pendukung suatu rangkaian elektronik yang dapat bekerja sesuai dengan kegunaannya. Mulai dari yang menempel langsung pada papan rangkaian baik berupa PCB, CCB, Protoboard maupun Veroboard dengan cara disolder atau tidak menempel langsung pada papan rangkaian (dengan alat penghubung lain, misalnya kabel). Komponen elektronika ini terdiri dari satu atau lebih bahan elektronika, yang terdiri dari satu atau beberapa unsur materi dan jika disatukan, dipanaskan, ditempelkan dan sebagainya akan menghasilkan suatu efek yang dapat menghasilkan suhu atau panas, menangkap atau menggetarkan materi, merubah arus, tegangan, daya listrik dan lainnya. Produk komponen elektronika merupakan basis industri pendukung yang harus dimiliki sebuah negara apabila negara tersebut ingin mengembangkan industri elektronikanya. Tanpa dukungan supporting industries elektronika yang kuat jangan harap industri elektronika di negara tersebut menjadi kuat. Filosofi tersebut telah dibuktikan oleh banyak negara yang kini telah menjadi negara industri elektronika yang kuat seperti Jepang dan Korea Selatan. Praktikum dasar elektronika mengenai karakteristik Common Base Transistor ini ditujukan untuk mengetahui karakteristik input dan karakteristik output, serta untuk memahami faktor penguatnya.

1.2. Tujuan Setelah melakukan percobaan maka mahasiswa diharapkan mampu : 1. 2. 3. 4. Memahami faktor penguatan common base transistor bipolar. Mengetahui karakteristik common base transistor bipolar. Mengetahui rangkaian transistor bipolar dalam rangkaian. Mengetahui pemanfaatan Transistor bipolar dalam kehidupan sehari hari

BAB II TINJAUAN PUSTAKA

2.1. Landasan Teori Transistor adalah suatu komponen aktif semikonduktor yang bekerjanya menggunakan pengolahan aliran arus elektron. Transistor terdiri dari tiga elemen yaitu basis (B), kolektor (C) dan emitor (E). Transistor mempunyai dua junction, pertama batas pertemuan antara emitor-basis dan yang kedua pertemuan antara basis-kolektor. Transistor ada 2 jenis : 1. Jenis NPN 2. Jenis PNP

Transistor

NPN

emitornya

di-doping

sangat

banyak,

kerjanya

adalah

menginjeksikan elektron ke dalam basis. Basis di-dop sangat sedikit, ia melakukan sebagian besar elektron yang diinjeksikan emitor kedalamnya menuuju kolektor. Sedangkan banyaknya doping pada kolektor adalah diantara banyaknya doping pada emitor dan basis. Kolektor merupakan yang terbesar dari ketiga daerah tersebut, ia harus menghamburkan lebih banyak panas dari emitor atau basis. Hampir pada semua transistor, dari elektron yang diinjeksikan ke dalam basis, kurang dari 5%-nya berkombinasi dengan hole basis untuk menghasilkan IB. Oleh karena itu dc (disebut juga penguatan arus dc) hampir semuanya selalu lebih besar dari 20 dan biasanya berkisar antara 50 sampai 200. Tepatnya dc dapat dicari dari rumus : dc = Ragam atau mode kerja transistor tergantung pada terminal umum antara rangkaian masukan dan keluaran dari transistor, transistor dapatbekerja menurut salah satu dari tiga ragam berikut ini : 1. Ragam basis umum (common basis CB) : Dalam hal ini terminal emitor umum baik ke rangkaian masukan ataupun keluaran. Ragam ini juga dinamakan konfigurasi basis dikebumikan.

2. Ragam emitor umum (common emitor CE) : Dalam hal ini terminal emitor umum baik ke dalam rangkaian masukan ataupun keluaran, ragam ini juga dinamakan ragam umum, common emitor atau konfigurasi emitor dikebumikan dari transistor. 3. Ragam kolektor umum (common kolektor CC) : kalau terminal kolektor dari transistor dibuat umum baik ke dalam rangkaian masukan ataupun keluaran, ragam ini juga dinamakan ragam kolektor umum atau konfigurasi kolektor dikebumikan. Berbagai komponen arus yang dialirkan kalau hubungan emitor bias atau JEB dicatu maju dan hubungan kolektor basis atau JCB dicatu balik.

BAB III METODOLOGI PRAKTIKUM

3.1. Gambar Rangkaian a. Karakteristik Input :

b. Karakteristik Output

3.2. Alat dan Bahan 1. Multimeter 2. Power supply 3. Project board 4. Transistor 5. Resistor 330 6. Jumper

3.3. Prosedur Percobaan a. Karakteristik Input 1. 2. 3. 4. Menghubungkan rangkaian seperti pada gambar. Mengatur Vcc sehingga Vcb = 0 V. Mengubah IE dengan mengatur VEE sesuai tabel dan catat hasil pada tabel. Mengubah VCB = 1 V, ulang ukur VBE untuk perbedaan harga dari IE. Ulangi ukur harga VCB sesuai tabel. Catat harga-harga VBE pada tabel dengan perubahan IE. b. Karakteristik Output 1. 2. Rangkailah seperti pada gambar. Mengatur IE dengan mengubah VEE. Mengubah VBC sesuai dengan tabel di bawah. Mengukur IC untuk tiap-tiap harga VCB dan catat hasilnya pada tabel. 3. Mengulangi pengukuran untuk harga IE yang lain sesuai dengan tabel yang ada dan merubah harga VCB (saat IE konstan) catat harga IC pada tabel.

BAB IV ANALISA DATA DAN PEMBAHASAN

4.1. Analisa Data a. Karakteristik Input


IE (mA)

0,2

0,6

2 VBE

VCB(V)

0 1 2 3 4 5 6 7

0,565 0,564 0,560 0,559 0,558 0,557 0,556 0,555

0,596 0,592 0,590 0,589 0,588 0,586 0,584 0,582

0,608 0,606 0,604 0,603 0,601 0,600 0,597 0,594

0,636 0,626 0,624 0,622 0,620 0,617 0,614 0,608

0,692 0,638 0,636 0,633 0,631 0,628 0,623 0,614

0,715 0,648 0,645 0,643 0,638 0,634 0,629 0,613

0,729 0,687 0,625 0,645 0,643 0,639 0,633 0,596

0,739 0,712 0,759 0,659 0,651 0,648 0,644 0,577

b. Karakteristik Output
VCB(V) IE (mA)

3 IC

0,2 0,6 1 2 3 4 5 6

0,20 0,59 0,98 1,88 2,11 2,18 2,22 2,24

0,21 0,59 0,98 1,98 3,06 4,06 5,04 6,02

0,21 0,60 0,99 1,99 3,07 4,07 5,06 6,03

0,21 0,60 1,00 2,00 3,08 4,09 5,07 6,05

0,21 0,61 1,00 2,01 3,10 4,11 5,10 6,08

0,22 0,62 1,02 2,04 3,14 4,16 5,17 6,16

0,23 0,64 1,05 2,09 3,22 4,16 5,31 6,32

0,24 0,66 1,09 2,17 3,36 4,48 5,63 6,70

Grafik a. Karakteristik Input

Hubungan antara IE dan VBE


7 6 5 4 IE (mA) 3 2 1 0 0,739 0,729 0,715 0,692 0,636 0,608 0,596 0,565 0 0,712 0,687 0,648 0,638 0,626 0,606 0,592 0,564 0 0,759 0,625 0,645 0,636 0,624 0,604 0,59 0,56 0 0,659 0,645 0,643 0,633 0,622 0,603 0,589 0,559 0 0,651 0,643 0,638 0,631 0,62 0,601 0,588 0,558 0 0,648 0,639 0,634 0,628 0,617 0,6 0,586 0,557 0 0,644 0,633 0,629 0,623 0,614 0,597 0,584 0,556 0 0,577 0,596 0,613 0,614 0,608 0,594 0,582 0,555 0 0.6 0.2 2 1 3 4 5 6

VBE (V)

b. Karakteristik Output

Hubungan antara IC dan IE


8

Ic (mA)
7 6 5 4 3 2 1 0 0 1 2 3 4 5 6 7

Vcb 0v Vcb 1v Vcb 2v Vcb 3v Vcb 4v Vcb 5v Vcb 6v Vcb 7v

IE (mA)

Hubungan antara IC dan VCB


8

IC (mA)

7 6 5 4 3 2 1 0 0 1 2 3 4 5 6 7 Ie=0,2 mA Ie=0,6 mA Ie=1 mA Ie=2 mA Ie=3 mA Ie=4 mA Ie=5 mA Ie=6 mA

VCB (V)

4.2. Analisa Pembahasan Transistor adalah suatu komponen aktif semikonduktor yang bekerja menggunakan pengolahan aliran arus elektron. Transistor berasal dari kata transfer dan resistor yang berarti menghantar arus dan menghambat arus. Transistor memiliki 2 jenis yaitu transistor bipolar dan transistor unipolar. Pada percobaan elektronika kali ini kita akan membahas tentang transistor bipolar. Transistor yang dipakai adalah tipe 2N222 dengan jenis NPN yang berfungsi sebagai penguat arus (current amplifier). Transistor bipolar adalah transistor yang dibentuk berdasarkan dua tipe muatan yakni elektron bebas dan hole yang masing-masing bisa berfungsi sebagai pembawa mayoritas dan pembawa minoritas. Transistor mempunyai 3 elemen yaitu basis, kolektor, dan emitor. Gambar transistor NPN dapat dilihat di bawah ini
C B

Dari gambar diatas dapat dilihat arah elektronnya,. Disini emitor berfungsi sebagai sumber elektronnya. Sehingga elektron dari emitor masuk ke daerah basis kemudian sebagian kecil keluar lewat terminal basis dan sebagian besar keluar menuju kolektor. Sehingga secara matematis dapat ditulis persamaan:

IE = IB + IC
Karena elektron yang keluar lewat terminal basis sanagt kecil sehingga arusnya juga sangat kecil. Sebagai perbandingan, arus basis seringkali hanya 1% dari arus kolektor. Maka dari itu arus kolektor kira-kira sama dengan arus emiter.

Ie Ic
Percobaan ini dibagi menjadi 2 tahap yaitu untuk mencari karakteristik input yaitu mengukur nilai dari tegangan basis-emitor (Vbe) dan mencari karakteristik output yaitu mengukur nilai dari kuat arus pada kolektor (Ic). Kedua karakteristik tersebut menggunakan parameter Ie dan Vcb serta rangkaiannya dibuat dengan basis sebagai commonnya. Pada saat mencari karakteristik input, nilai Vcb diset pada nilai 0 sampai 7 volt berurutan dan nilai kuat arus emitor diset di nilai 0,2; 0,6; 1 sampai 6 berurutan. Dalam pengukuran mencari Vbe, kita akan mendapatkan hubungan Vcb dengan Vbe dan hubungan Ie dengan Vbe. Pertama, kita mencari hubungan antara Vcb dan Vbe dengan cara mengambil sampel yaitu saat Ie diset tetap pada nilai 0,2 mA dan Vcb di rubah dari

0; 1; 2; 3; 4; 5; 6 dan 7 volt maka diperoleh Vbe berturut-turut adalah 0,565; 0,564; 0,560; 0,559; 0,558; 0,557; 0,556; dan 0,555 volt. Dari sampel data tersebut dapat disimpulkan bahwa nilai Vbe bernilai relatif konstan saat Vcb dinaikkan karena hanya turun seperseribu volt saja. Hal ini karena sebenarnya keduanya merupakan hubungan antara Ic dan Ie dimana seperti yang telah dibahas sebelumnya bahwa Ie hampir sama dengan Ic. Kedua, kita mencari hubungan antara Ie dan Vbe dengan cara mengambil sampel yaitu saat Vcb diset pada nilai tetap 3 volt dan Ie di rubah dari 0,2; 0,6; 1; 2; 3; 4; 5; dan 6 mA maka diperoleh Vbe berturut-turut adalah 0,559; 0,589; 0,603; 0,622; 0,633; 0,643; 0,645 dan 0,651 volt. Dari sampel data tersebut dapat dilihat nilai Vbe semakin besar saat nilai Ie dinaikkan. Hal ini dikarenakan jika Vbe lebih besar daripada potensial barrier (0,6 sampai 0,7 volt untuk silikon) maka banyak elektron-elektron emiter masuk ke dalam daerah basis atau dengan kata lain arus emitornya semakin besar. Sedangkan pada karakteristik output, nilai kuat arus pada kolektor setelah melakukan percobaan ternyata nilainya tetap meskipun nilai tegangan common- basis Vcb diperbesar. Hal ini dapat dibuktikan misal saat Ie dengan nilai twtap yaitu 0,2 mA dan Vcb dinaikkan mulai 0; 1; 2; 3; 4; 5; 6; dan 7 volt maka didapatkan Ic berturut-turut yakni 0,2; 0,21; 0,21;0,21; 0,21; 0,22; 0,23 dan 0,24 mA. Namun, nilai Ic semakin bertambah saat nilai arus pada emitor (Ie) semakin besar. Hal ini dapat dibuktikan misal saat nilai Vcb tetap yaitu 3 V dan Ie dinaikkan mulai 0,2; 0,6; 1; 2; 3; 4; 5; dan 6 mA maka didapatkan Ic berturut-turut yakni 0,21; 0,6; 1,00; 2,00; 3,08; 4,09; 5,07 dan 6,05 mA. Dari hasil pengukuran tersebut, dapat dilihat bahwa nilai kuat arus pada Ic nilainya relatif sama seperti nilai kuat arus Ie. Hal ini dikarenakan bahwa arus pada karakteristik output mengikuti hukum kirchoff yaitu arus pada emitor sama dengan arus pada basis ditambah arus pada kolektor. Namun karena arus basis sangat kecil, maka arus basis dapat diabaikan sehingga nilai arus collector (Ic) bernilai sama dengan arus emitor (Ie). Jadi, nilai arus emitor (Ie) berbanding lurus dengan nilai arus kolektor (Ic).

BAB V PENUTUP

5.1. Kesimpulan Dari praktikum tersebut dapat kita simpulkan : 1. Pada karakteristik input, nilai tegangan Vbe bernilai konstan meski tegangan Vcb dinaikkan. 2. Nilai Vbe semakin besar saat kuat arus emitor Ie diperbesar, sehingga semakin besar nilai Ie, maka semakin besar pula tegangan Vbe. 3. Pada karakteristik output, nilai kuat arus pada emitor mempengaruhi nilai arus pada collector. Semakin besar nilai Ie, maka semakin besar nilai Ic 4. Nilai kuat arus pada kolektor bernilai sama dengan arus pada emitor. 5. IE berbanding lurus dengan VBE. 6. Pemasangan transistor NPN pada rangkaian adalah kolektor dibias mundur dan emitor dibias maju. 7. Daerah aktif adalah bagian horizontal dari kurva output dimana arus kolektor (IC) konstan pada daerah ini. 8. Kurva karakteristik input transistor terlihat sama seperti dioda forward bias.

LAMPIRAN