Karakteristik transistor bipolar (BJT)

Rustam Hafid Nur Fitrah, Nur Awa, Prima Warta S. Pendidikan Fisika 2012
Abstrak Telah dilakukan pratikum dengan judul karakteristik transistor bipolar. Tujuan pratikum ini adalah untuk mengetahui metode pemberian bias arus dan tegangan pada transistor bipolar, menetukan dan membedakan karakteristik output dan transfer arus konstan dari transistor bipolar dan untuk menginterpretasi kurva karakteristik transistor bipolar. Untuk transistor NPN, tegangan bias pada basis harus lebih positif dari emitor dan untuk transistor PNP, tegangan bias pada basis harus lebih negatif dari emitor. Menentukan dan membedakan karakteristik input, karakteristik output dan karakteristik transfer arus konstan dari transistor bipolar. Untuk karakteristik input dinyatakan dalam grafik yang menyatakan hubungan antara tegangan basisemitor dan aris basis untuk tegangan kolektor-emitor yang nilainya konstan. Karakteristik output dinyatakan dalam grafik yang menyatakan hubungan antara tegangan kolektor-emitor dan arus kolektor untuk beberapa nilai arus basis yang konstan. Sedangkan karakteristik transfer dinyatakan dalam grafik yang menyatakan hubungan antara arus basis dan arus kolektor untuk tegangan kolektor-emitor yang bernilai konstan. Berdasarkan analisis data diperoleh bahwa pada karakteristik output, semakin besar nilai tegangan collectoremiter maka semakin besar pula nilai arus cillectornya dan semakin besar nilai arus Basis maka semakin besar pula arus collectornya. Pada karakteristik ciri alih, semakin besar arus basis maka arus collector pun semakin besar dengan tegangan collector-emitor yang konstan. Kata kunci: faktor penguatan arus transistor, karakteristik ouput dan karakteristik transfer arus konstan

1. Metode Dasar Transistor adalah suatu komponen aktif yang terbuat dari bahan Ketiga bagian transistor ini disebut emitter, base, dan collector. Dengan notasi atau simbol, skema dasar bias transistor bipolar ditunjukkan pada Gambar 7.2 berikut.

semikonduktor. Ada dua macam transistor, yaitu transistor dwikutub (bipolar) dan transistor efek medan (Field Effect

Transistor-FET). Transistor dwikutub dibuat dengan menggunakan semikonduktor ekstrinsik jenis p dan jenis n, yang disusun seperti pada gambar 7.1 berikut. E p n p C E n p n C ( ( b Gambara7.2. Rangkaian bias transistor , (a) transistor NPN, (b) transistor PNP

B B Gambar 7.1. Susunan

Pada dasarnya ada tiga jenis rangkaian dasar (yang disebut konfigurasi) untuk mengoperasikan transistor. 1. Basis ditanahkan (Common Base CB) 2. Emiter ditanahkan (Common Emitter CE) 3. Kolektor ditanahkan (Common

c. Variabel Kontrol : Arus Basis (IB) dengan satuan mikro Ampere (A), Resistansi Resistor (R) dengan satuan Ohm () dan Tegangan Sumber (VS) dengan satuan Volt (V). Kegiatan II : Karakteristik Transfer a. Variabel Manipulasi : Arus Basis (IB) dengan satuan mikro Ampere (A). b. Variabel Respon : Arus Collector (IC)

Collector - CC) Karakteristik dari transistor

dengan satuan milli Ampere (mA). c. Variabel Kontrol : Tegangan CollectorEmitter (VCE) dengan satuan Volt (V), Resistansi resistor (R) dengan satuan Ohm () dan Tegangan Sumber (VS) dengan satuan Volt (V).

biasanya disebut juga karakteristik statik, yang digambarkan dalam suatu kurva yang menghubungkan antara selisih arus dc dan tegangan karakteristik pada statik transistor. tersebut Kurva sangat

membantu dalam mempelajari operasi dari suatu transistor ketika diterapkan dalam suatu rangkaian. Ada tiga karakteristik yang sangat penting dari suatu transistor, yaitu : 1. Karakteristik input. 2. Karakteristik output. 3. Karakteristik transfer arus konstan.

3. Defenisi Operasional Variabel

2. Identifikasi Variabel
Kegiatan I : Karakteristik Output a. Variabel Manipulasi : Tegangan dengan

potensiometer

dan

dinyatakan

dalam satuan Volt (V). b. Arus Collector (IC) adalah arus dari kaki collector yang terbaca pada penunjukkan amperemeter dan

Collector-Emitter satuan Volt (V).

(VCE)

b. Variabel Respon : Arus Collector (IC) dengan satuan milli Ampere (mA).

dinyatakan dalam satuan mili Ampere (mA).

c. Arus Basis (IB) adalah arus dari kaki basis yang terbaca pada penunjukkan amperemeter dan

satuan Volt (V). Resistansi resistor (R) adalah nilai hambatan yang yang tertera pada resistor dan satuannya adalah ohm (). Sedangkan (VS) adalah

dinyatakan dalam satuan mikro Ampere (A). Resistansi resistor (R) adalah nilai hambatan yang yang tertera pada resistor satuannya adalah ohm dan ().

Tegangan

Sumber

tegangan yang berasal dari power supplay yang terbaca pada voltmeter dan satuannya adalah Volt (V).

Sedangkan Tegangan Sumber (VS) adalah tegangan yang berasal dari power supplay yang terbaca pada voltmeter dan satuannya adalah Volt (V). Kegiatan II : Karakteristik Transfer a. Arus Basis (IB) adalah arus dari kaki basis yang terbaca amperemeter pada dan 5. Metode Kerja a. Rangkai dan pelajari kit percobaan Common Emitter (CE) berikut. 4. Alat dan Bahan a. Power Supply 12 Vdc, 1 buah b. Voltmeter 0 10 Vdc, 1 buah c. Amperemeter 0 1 Adc, 2 buah d. Transistor Bipolar NPN, 1 buah e. Potensiometer, 2 buah f. Kabel penghubung secukupnya.

penunjukkan

dinyatakan dalam satuan mikro Ampere (A). b. Arus Collector (IC) adalah arus dari kaki collector yang terbaca pada penunjukkan dinyatakan amperemeter dalam satuan dan mili

+ _

V B

C Q E karakteristik

+V _

Ampere (mA). c. Tegangan Collector-Emitter (VCE) adalah beda potensial antara kaki Collector dengan kaki emitter, yang terbaca pada penunjukkan Voltmeter dimana seiring nilai tegangan berubah perubahan b. Pengukuran

Output

menunjukkan bagaimana arus collector IC bervariasi dengan perubahan VCE ketika IB dibuat konstan. Pertama, IB diset pada suatu nilai yang konstan lalu VCE divariasikan secara linier, IC akan menunjukkan nilai tertentu dan catat

dengan

potensiometer dan dinyatakan dalam

nilai ini. Selanjutnya, VCE dikembalikan ke keadaan nol dan IB diset pada nilai yang lain dan seterusnya. c. Pengukuran karakteristik ciri alih atau transfer arus konstan menunjukkan bagaimana perubahan konstan. 6. Data/Analisis Data R = 1000 a. Karakteristik output Tabel 1. Karakteristik output Nilai IC (mA) untuk IB VCE (v) 0 2 4 6 8 10 0 (A) 0 0 0 0 0 0 20 (A) 0.01 2 2.01 2.02 2.04 2.05 40 (A) 0.03 4.32 4.38 4.41 4.45 4.53 60 (A) 0.05 6.82 6.91 7.03 7.08 7.16 80 (A) 0.07 9.47 9.52 9.82 9.9 10.21 IC IB bervariasi dengan VCE dengan dibuat

b. Karakteristik transfer arus konstan VCE = 5 volt IB 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 IC 0 0.92 2.02 3.17 4.42 5.65 6.9 8.2 9.51 10.88 12.35

Analisis Grafik Kegiatan 1 : karakteristik Output

11,0
10,0 9,0 8,0 7,0

IB5 = 80

IB4 = 60 A

Ic (mA)

6,0

5,0
4,0 3,0 2,0 1,0 0,0 0 2 4 6 8

IB3 = 40 A

IB2 = 20 A

IB1 = 0 A
10 12

Vce (volt)

Grafik 1. Hubungan Antara Tegangan collector-emitter dan arus kolektor

Kegiatan 2 : karakteristik transfer arus konstan

y = 0,1242x - 0,3891 R = 0,9977

Ic (mA)

6,0 5,0 4,0 3,0

IC

Ib

2,0
1,0 0,0 -1,0 -2,0 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 110

Ib (mA)
Grafik 2. Hubungan Antara Arus Basis dan Arus Collector

Analisis Grafik Kegiatan 1 : Karakteristik Output = (10.2 7) 3,2 = = = 0,16 (80 60) 20

Kegiatan kedua adalah karakteristik transfer, yakni dihubungkannnya kuat arus basis, Ib, dan kuat arus collector, Ic, dengan nilai VCE konstan yakni 5,00 V. Berdasarkan data yang diperoleh dan dimuat dalam tabel

Kegiatan 2 : = = 0,1242 (6,8 4,2) 2,6 = = = = (60 40) 20 = 0,13

pengamatan, dapat dilihat bahwa semakin besar nilai Ib maka nilai Ic juga semakin naik. Hal ini diperjelas dalam kurva, yang juga sama dinyatakan dalam teori. Berdasarkan hasil analisis kurva, nilai faktor penguatan arus adalah 0,13. Jika faktor penguatan arus () transistor dibandingkan antara kegiatan pertama

7. Pembahasan Praktikum karakteristik transistor bipolar ini dilakukan dengan dua kegiatan, yakni karakteristik output dan karakteristik

dengan kegiatan kedua, ternyata tidak jauh berbeda, kegiatan pertama memiliki selisih yang kecil dengan kegiatan pertama, dimana kegiatan pertama diperoleh sebesar 0,16 sementara kegiatan kedua diperoleh sebesar 0,13 yang berarti bahwa praktikum kami memiliki data yang valid. 8. Kesimpulan Setelah melakukan percobaan ini maka dapat disimpulkan bahwa : a. Metode pemberian bias tegangan dan arus pada transistor bipolar yakni untuk transistor NPN, tegangan bias pada basis harus lebih positif dari emitor. Dan untuk transistor PNP, tegangan bias pada basis harus lebih negatif dari emitor. Semakin tinggi arus bias pada basis, maka

transfer. Jenis transistor yang digunakan adalah NPN. Pada kegiatan pertama, yakni karakteristik output, berdasarkan data yang diperoleh dari hasil pengamatan sebagaimana ditunjukkan dalam tabel, untuk Ib yang konstan, semakin tinggi tegangan VCE maka kuat arus Ib juga semakin besar, hal ini terjadi karena sifatsifat yang terdapat dalam teori berupa persamaan matematis
V= ,

yakni tegangan

berbanding lurus terhadap kuat arus listrik, begitu juga dengan nilai Ib konstan yang lain. Grafik yang dihasilkan berdasarkan data pada kegiatan ini kemudian dianalisis dan menghasilkan nilai faktor penguatan arus, , sebesar 0,16.

transistor semakin jenuh dan tegangan kolektor-emitor (VCE) semakin rendah. b. Karakteristik output menggambarkan ciri khusus tegangan collector-emitter,

Sutrisno, 1986. Elektronika : Teori dan Penerapannya, Jilid I. Bandung : Penerbit IT

dimana tegangan collector-emitter dan arus basis sebagai variabel manipulasi dan karakteristik transfer arus konstan adalah karakteristik ciri alih dimana arus beban sebagai variabel manipulasi. c. Kurva karakteristik transistor bipolar pada kegiatan karakteristik output

menggambarkan bentuk kurva yang terdiri atas beberapa garis arus basis, sedangkan kegiatan karakteristik transfer memiliki kurva berbentuk linear. Dari kedua kurva ini, sama-sama ingin dicari nilai penguatannya () yang diperoleh melalui rasio perbandingan antara arus collector (IC) dan arus basis (IB), yakni masing-masing untuk karakteristik output dan transfer berturut-turut adalah 0,6 dan 0,3.

9. Daftar Pustaka Tim Elektronika Dasar. 2013. Penuntun Praktikum Elektronika Dasar I. Makassar : Fisika FMIPA Universitas Negeri Makassar. Malvino. A.P . 2003. Prinsip-Prinsip Elektronika, Buku 1. Jakarta : Salemba Teknika.