LAPORAN PRAKTIKUM ELEKTRONIKA E5 01111940000101

Bipolar Junction Transistor

(E5)
Akhmad Fadhil Aqil Ramadhan, Fairuz Amira, Iim Fatimah S.Si., M.Si.
Departemen Fisika, Fakultas Sains dan Analitika Data, Institut Teknologi Sepuluh Nopember
Kampus ITS, Sukolilo, Jl. Raya ITS, Keputih, Surabaya, Jawa Timur 60117
fairuzamira@yahoo.com

Abstrak—Telah dilakukan Praktikum BJT transistor, yaitu
yang bertujuan untuk Mengetahui karakteristik BJT
berdasarkan arus Ic, Ib, dan tegangan antara
emitor-collector Vce dan tegangan antara basis-emitor Vbe
dan Mengetahui nilai konstanta penguatan arus (hfe) pada
transistor BJT. Adapun Langkah kerjanya adalah yang
pertama alat dan bahan disiapkan, kedua, alat dan bahan
dirangkai sesuai dengan skema rangkaian, ketiga, tegangan
sumber dinyalakan kemudian atur potensiometer agar arus
basis terukur 1mA, keempat, potensiometer satunya
diputar kemudian diukur nilai arus common dan tegangan
common collector, yang kelima praktikum diulangi dengan
menggunakan arus basis sebesar 2mA, 3mA, 4mA, sampai
dengan 20mA dengan kenaikan 1mA. Pada percobaan ini,
arus yang basis divariasa sebagai berikut, 𝑰𝒃 (arus basis)
yaitu sebesar 0,01 mA, 0,02 mA, 0,03 mA, 0,04 mA dan 0,05
mA. Hasil percobaan yang didapat saat mencari 𝑰𝒃 dan 𝑰𝒄
transistor pada titik cutoff ialah saat 𝑰𝒃 -nya mengalami
kenaikan 0,01mA, 𝑰𝒄 sebesar 3,2 mA. Pada saat 𝑰𝒃 0,020
mA nilai 𝑰𝒄 6,2 mA, saat 𝑰𝒃 0,032 mA maka 𝑰𝒄 9,69 mA, saat
𝑰𝒃 0,04 mA maka 𝑰𝒄 11,6 mA, dan saat 𝑰𝒃 0,05 mA maka 𝑰𝒄
nya 14,7 mA. Pada saat kondisi saturasi 𝑰𝒃 0,075 mA dan
𝑰𝒄 14,66 mA. Serta, nilai 𝑽𝒄𝒆 0,94 volt. Nilai hFE rata-rata
yang diperoleh adalah 303,36.
Kata Kunci—Arus basis (Ib, BJT, Transistor
I. PENDAHULUAN
p, atau wilayah p antara n dan n+ lapisan, di mana superskrip
“plus” menunjukkan materi yang lebih terkotori [2].
Transistor pada umumnya memiliki tiga kaki, yaitu basis,
kolektor, dan emitor. Common base atau disebut juga penguat
tunggal basis adalah salah satu dari tiga topologi dasar penguat
BJT tingkat tunggal, biasanya digunakan sebagai tegangan.
Dalam sirkuit ini saluran emitor berfungsi sebagai masukan,
kolektor sebagai keluaran dan basis adalah bersama untuk
keduanya. Konfigurasi tunggal basis ini inputnya ditetapkan
antara emitor dan basis, sedangkan outputnya diambil dari
kolektor dan basis. Sedangkan basis kolektor adalah teknik
penyambungan transistor yang menggunakan kolektor sebagai
terminal bersama. Dalam hal ini ditunjukkan konfigurasi kolektor
umum. Konfigurasi ini diterapkan antara basis dan kolektor, serta
keluaran diambil dari emitor dan kolektor. Lalu, yang terakhir
adalah basis emitor, disebut juga sebagai penguat tungal emitor,
yaitu salah satu dari tiga topologi dasar penguat BJT tingkat
tunggal, biasanya digunakan sebagai penguat tegangan. Dalam
sirkuit ini saluran basis menjadi masukan, dan kolektor adalah
keluaran, sedangkan emitor digunakan bersama untuk keduanya.
Common emiter juga merupakan penguat yang digunakan dalam
contoh [3].
II. METODOLOGI PENELITIAN
A. Alat dan Bahan
Pada praktikum ini, alat yang digunakan adalah antara lain,

E lektronika merupakan ilmu yang sangat penting dalam
kehidupan manusia, dengan ilmu ini manusia dapat
memajukan sistem perekenomian, industry dan lain,
lain. Terutama pada hal digitalisasi, maka yang tidak pernah
lepas dari persoalaan tersebut adalah komponen-komponen
dasar elektronika yang saling melengkapi dan membantu dalam
kinerja sistem. Dari banyak komponen tersebut, ada salah satu
komponen yang mana sangat berguna keberadaannya, dan
begitu dibutuhkan pada suatu rangkaian elektronika, yaitu
transistor.
Transistor adalah alat semikonduktor yang dipakai
sebagai penguat, sebagai sirkuit pemutus dan penyambng arus,
stabilitas tegangan, dan modulasi sinyal. Satu transistor adalah
komponen elektronika yang memiliki tiga sambungan [1].
power supply, yang memiliki fungsi sebagai sumber tegangan,
lalu multimeter sebagai pengukur besarnya arus listrik, tegangan
listrik, dan juga resistansi, kemudian resistor yang berfungsi
untuk komponen penghambat arus, transistor NPN TO-220
sebagai penguat arus dan penguat daya, potensiometer yang
berfungsi untuk resistansi yang dapat diubah-ubah, project board
yang berfungsi untuk penghubung antarkomponen sehingga
membentuk rangkaian tanpa solder, dan beberapa kabel jumper
untuk penghubung antarkomponen sehingga membentuk
rangkaian.
B. Skema Rangkaian

Di antara beragam jenis transistor, ada yang namanya

bipolar junction transistor atau disebut juga transistor
sambungan dwikutub, yang mana merupakan salah satu Jenis
dari transistor. Ini adalah peranti tiga saluran yang terbuat dari
bahan semikonduktor terkotori. BJT dibentuk dengan
menggabungkan tiga bagian bahan semikonduktor, masing-
masing dengan konsentrasi doping yang berbeda. Tiga bagian
bsa berupa n tipis wilayah yang diapit di antara lapisan p+ dan
 LAPORAN PRAKTIKUM ELEKTRONIKA E5 01111940000101

Gambar 2.1 Skema Rangkaian Bipolar Junction Transistor Diketahui: 𝐼𝐵 = 0.032 mA dan 𝐼𝐶 = 9.69 mA
Ditanya: hFE
C. Langkah Kerja Jawab: hFE = 𝐼𝐶/ 𝐼𝐵 = 9.69/ 0.032 = 302.8125
Adapun Langkah kerja dar praktikum ini adalah sebagai
berikut, yang pertama alat dan bahan disiapkan, kedua, alat dan Data hasil perhitungan hFE dimuat dalam tabel 3.2 di
bahan dirangkai sesuai dengan skema rangkaian, ketiga, bawah ini.
tegangan sumber dinyalakan kemudian atur potensiometer agar
𝐼𝐶 (mA) 𝐼𝐵 (mA) Nilai hFE
arus basis terukur 1mA, keempat, potensiometer satunya
3,2 0,01 320
diputar kemudian diukur nilai arus common dan tegangan
6,2 0,02 310
common collector, yang kelima praktikum diulangi dengan 9,69 0,032 302,81
menggunakan arus basis sebesar 2mA, 3mA, 4mA, sampai 11,6 0,04 290
dengan 20mA dengan kenaikan 1mA. 14,7 0,05 294
Rata-rata 303,36
D. Flowchart
Flowchart pada praktikum ini dimuat dalam gambar 2.2.
Nilai hFE rata-rata yang didapatkan adalah 303,36.
Sedangkan menurut perhitungan, nilai hFE yang harusnya
III. HASIL DAN PEMBAHASAN didapatkan adalah 304. Maka, galat hFE yang didapat adalah
A. Analisa Data 0.21%.
Praktikum “Bipolar Junction Transistor” ini, memuat data
percobaan berupa besarnya kuat arus listrik 𝐼𝑏 dan 𝐼𝑐, yang
rincian nilainya akan dimuat pada tabel 3.1 di bawah. C. Pembahasan
Bipolar junction transistor merupakan praktikum yang
bertujuan untuk untuk Mengetahui karakteristik BJT berdasarkan
arus Ic, Ib, dan tegangan antara
emitor-collector Vce dan tegangan antara basis-emitor Vbe dan
Mengetahui nilai konstanta penguatan arus (hfe) pada transistor
BJT. Prinsipnya adalah BJT, Transistor, common base, common
emitter, dan common collector. Bipolar junction transistor atau
disebut juga transistor sambungan dwikutub, yang mana
merupakan salah satu Jenis dari transistor. Ini adalah peranti tiga
saluran yang terbuat dari bahan semikonduktor terkotori. BJT
dibentuk dengan menggabungkan tiga bagian bahan
semikonduktor, masing-masing dengan konsentrasi doping yang
berbeda. Sedangkan Transistor sendiri adalah alat semikonduktor
yang dipakai sebagai penguat, sebagai sirkuit pemutus dan
penyambng arus, stabilitas tegangan, dan modulasi sinyal. Satu
transistor adalah komponen elektronika yang memiliki tiga
sambungan. Transistor pada umumnya memiliki tiga kaki, yaitu
basis, kolektor, dan emitor. Common base atau disebut juga
penguat tunggal basis adalah salah satu dari tiga topologi dasar
penguat BJT tingkat tunggal, biasanya digunakan sebagai
tegangan. Dalam sirkuit ini saluran emitor berfungsi sebagai
masukan, kolektor sebagai keluaran dan basis adalah bersama
untuk keduanya. Konfigurasi tunggal basis ini inputnya
ditetapkan antara emitor dan basis, sedangkan outputnya diambil
Gambar 2.2 Flowchart Praktikum Bipolar Junction Transistor
dari kolektor dan basis. Sedangkan basis kolektor adalah teknik
penyambungan transistor yang menggunakan kolektor sebagai
Tabel 3.1 Data Hasil Percobaan terminal bersama. Dalam hal ini ditunjukkan konfigurasi kolektor
umum. Konfigurasi ini diterapkan antara basis dan kolektor, serta
𝐼𝐶 (mA) 𝐼𝐵 (mA) keluaran diambil dari emitor dan kolektor. Lalu, yang terakhir
3,2 0,01 adalah basis emitor, disebut juga sebagai penguat tungal emitor,
6,2 0,02 yaitu salah satu dari tiga topologi dasar penguat BJT tingkat
9,69 0,032 tunggal, biasanya digunakan sebagai penguat tegangan. Dalam
11,6 0,04 sirkuit ini saluran basis menjadi masukan, dan kolektor adalah
14,7 0,05
keluaran, sedangkan emitor digunakan bersama untuk keduanya.
Pada praktikum ini, alat yang digunakan adalah antara lain, power
supply, Project board, multimeter, kabel jumper, dan Transistor
B. Analisa Perhitungan NPN TO-220. Adapun Langkah kerjanya adalah yang pertama
Pada data yang sudah didapatkan pada tabel 3.1, kita dapat alat dan bahan disiapkan, kedua, alat dan bahan dirangkai sesuai
menghitung nilai hFE. Contoh perhitungannya dapat dilihat dengan skema rangkaian, ketiga, tegangan sumber dinyalakan
seperti berikut. kemudian atur potensiometer agar arus basis terukur 1mA,
 LAPORAN PRAKTIKUM ELEKTRONIKA E5 01111940000101

keempat, potensiometer satunya diputar kemudian diukur nilai [3] Godse, A. 2009. Electronic Device. Kothrud: Technical
arus common dan tegangan common collector, yang kelima Publications.
praktikum diulangi dengan menggunakan arus basis sebesar
2mA, 3mA, 4mA, sampai dengan 20mA dengan kenaikan 1mA.
Variasi yang digunakan adalah 𝐼𝐵 (arus basis) yaitu sebesar 0.01
mA, 0.02 mA, 0.03 mA, 0.04 mA dan 0.05 mA. Hasil
percobaan yang didapat saat mencari 𝐼𝐵 dan 𝐼𝐶 transistor pada
titik cutoff ialah saat 𝐼𝐵 -nya mengalami kenaikan 0.01 mA, 𝐼𝐶
sebesar 3.2 mA. Pada saat 𝐼𝐵 0.02 mA nilai 𝐼𝐶 6.2 mA, saat 𝐼𝐵
0.032 mA maka 𝐼𝐶 9.69 mA, saat 𝐼𝐵 0.04 mA maka 𝐼𝐶 11.6 mA,
dan saat 𝐼𝐵 0.05 mA maka 𝐼𝐶 -nya 14.7 mA. Pada saat kondisi
saturasi 𝐼𝐵 0.075 mA dan 𝐼𝐶 14.66 mA. Serta, nilai 𝑉𝐶𝐸 0,94 volt.
hFE rata-rata yang diperoleh adalah 303,36. Dan juga nilai galat
hFE yang didapat adalah 0,21%. Oleh karena itu, pada saat
praktikum terdapat beberapa faktor error yang memengaruhi,
yaitu saat menggunakan multimeter dan juga saat mengatur arus
basis pada potensiometer. Hal ini disebabkan karena adanya
kesalahan pengukuran dan ketidaktelitian pengukuran, juga
masalah internal dari komponen itu sendiri, seperti turunnya
voltase pada baterai yang dipakai, berubahnya nilai resistansi
pada resistor karena adanya disipasi energi, dan faktor-faktor
lainnya yang memengaruhi besar nilai komponen-komponen
tersebut.

IV. KESIMPULAN

Setelah dilakukan percobaan, maka diperoleh

kesimpulan, yaitu BJT merupakan aplikasi dari sifat
transistor sebagai penguat arus, karena nilai arus pada 𝐼𝐶 dan
𝐼𝐵 tidak sama, sehingga ada efek penambahan arus karena
adanya BJT yang ditempatkan. Pada praktikum ini,
transistornya juga berfungsi sebagai saklar, karena nilai 𝐼𝐶,
𝐼𝐵, dan 𝑉𝐶𝐸 diukur dengan cara memutus rangkaian untuk
mendapatkan hasil pengukuran arus dan tegangannya.
Terakhir, konstanta penguatan arus (hFE) BJT rata-rata
pada praktikum ini adalah 303,36.

UCAPAN TERIMA KASIH

Terimakasih untuk kawan-kawan kelompok praktikum
yang sudah cukup membantu dalam kontribusinya mengambil
data, untuk Felsa Firyaal Mugni yang sudah membantu dalam
pembuatan laporan, asisten laboratorium Fairuz Amira yang
sudah membimbing dan membantu saya agar praktikum BJT
ini berjalan dengan baik, dan juga tidak lupa kepada Bu Iim
Fatimah, S.Si, M.Pi selaku dosen mata kuliah elektronika yang
telah mengajar saya mengenai teori dasar sebagai penunjang.

DAFTAR PUSTAKA

[1] Blocher, Richard. 2004. Dasar Elektronika. Yogyakarta:

Andi.

[2] Kearns, James. 2015. Principles and Applications

Electrical engineering. New York: Mcgraw Hill
Education.