1 TUJUAN
Memahami karakteristik kerja transistor BJT dan FET sebagai saklar.
Memahami perbedaan transistor BJT dan FET ketika beroperasi sebagai saklar.
Memahami prinsip dasar gerbang logika menggunakan transistor
2 PERSIAPAN
Pelajari perbedaan transistor BJT dan FET secara teori dari referensi yang terpercaya
Pelajari Datasheet dari komponen transistor yang digunakan. Datasheet dapat ditemukan
dengan mudah di internet
Patuhi peraturan yang berlaku di laboratorium elektronika ini
Jangan lupa berdoa
3 PERALATAN PRAKTIKUM
DC Power Supply + kabel power 1 buah
Breadboard 1 buah
Multimeter 2 buah
Kabel jumper seperlunya
Transistor BJT (tipe 2N3904) 5 buah
Transistor FET (tipe IRF540) 1 buah
Resistor 220 Ω 10 buah
Resistor 2,2 kΩ 1 buah
Resistor variable 100 kΩ 1 buah
Resistor lain secukupnya
LED 1 buah
4 DASAR TEORI
Transistor merupakan salah satu komponen elektronika paling penting. Transistor adalah
suatu devais yang terdiri dari tiga lapisan semikonduktor yang berfungsi ganda sebagai penguatan
dan saklar. Kedua hal ini sangat penting dalam elektronika. Terdapat dua jenis transistor
berdasarkan jenis muatan penghantar listriknya, yaitu bipolar (Bipolar Junction Transistor) dan
unipolar (Field-Effect Transistor)[1]. Transistor merupakan komponen elektronik yang dapat
mengontrol besar arus atau tegangan dengan sejumlah kecil arus atau tegangan.
1. Transistor BJT (Bipolar)
Transistor adalah kependekan dari
transfer varistor. Transistor merupakan
komponen elektronik yang dapat
mengontrol besar arus atau tegangan
dengan sejumlah kecil arus atau tegangan.
Transistor BJT secara umum terdiri dari dua
jenis, yaitu tipe npn(negative-positive-
negative) dan tipe pnp (positive-negative-
positive).
Transistor BJT pada dasar adalah dua
diode yang disambungkan. Oleh karena itu
akan ada selisih tegangan ~0.7V antara kaki
Gambar 1. Struktur dan symbol transistor.
MODUL PRAKTIKUM ELEKTRONIKA DASAR – 1
basis dan emitter. Pada pemanakaian standar, jika ada arus kecil yang mengalir antar pin
basis dan emitter (BE), maka arus yang lebih besar akan mengalir di antar pin collecter
dan emitter (CE).
Saat kondisi antara pin basis dan emitter berada dalam posisi panjar mundur (𝑉𝐵 <
0.7V) transistor berperan sebagai saklar terbuka (open switch). Pada konsisi seperti ini
transistor berada pada keadaan cut-off. Besarnya tegangan 𝑉𝐶𝐸 akan sama dengan 𝑉𝐶𝐶 .
Ketika sambungan antara basis dengan emitter berada pada posisi panjar maju (𝑉𝐵 >
0.7V), transistor beperan sebagai saklar tertutup (closed switch). Konsisi seperti ini disebut
sebagai keadaan saturasi. Besar arus yang melalu kolektor yaitu:
𝑉𝐶𝐶
𝐼𝐶(𝑠𝑎𝑡) ≅
𝑅𝐿
Besarnya arus minimum pada bais untuk menghasilkan keadaan saturasi:
𝐼𝐶(𝑠𝑎𝑡)
𝐼𝐵(𝑚𝑖𝑛) ≅
𝛽𝐷𝐶
𝛽𝐷𝐶 merupakan penguatan arus DC transistor, ini tertera pada datasheet transistor,
biasa ditulis sebagai ℎ𝑓𝑒 .
b. Gerbang NAND
NAND atau NOT AND adalah rangkaian gerbang
NOT yang disusun secara seri dengan output pada
collector yang atas.
c. Gerbang NOR
NOR atau NOT OR adalah invers dari OR adalah
rangkaian transistor yang disusun secara parallel,
sehingga walaupun hanya satu transistor yang diberi
tegangan, arus collector dapat menghasilkan keadaan
saturasi.
Gambar 4. Gerbang NAND.
MODUL PRAKTIKUM ELEKTRONIKA DASAR – 2
Gambar 5. Gerbang NOR.
5 TUGAS PENDAHULUAN
1. Bagaimana karakteristik suatu Switch Ideal? (10)
2. Gambarkan struktur dari jenis-jenis transistor (BJT dan FET), jelaskan masing-masing fungsi
kakinya? (10)
3. Jelaskan perbedaan transistor BJT dengan transistor FET! (20)
4. Jelaskan cara kerja transistor sebagai switch untuk jenis transistor BJT dan FET! (20)
5. Buatlah tabel kebenaran dari gerbang logika NOT, NAND, NOR, AND dan OR (10)
6. Buat simulasi rangkaian AND dan OR dengan menggunakan software Proteus dnegan
menggunakan baik transistor FET maupun BJT! (Print screen gambar rangkaian, sinya Vin,
dan sinyal Vout) (30)
6 LANGKAH PERCOBAAN
Transistor BJT Sebagai Saklar
VCC
5V
R1
0.8Ω
Vo
Vi R2
2N3904
0.97Ω
B
A
Gambar 6. Transistor BJT sebagai Saklar
Gunakan kit praktikum untuk membuat rangkaian transistor BJT sebagai saklar
seperti gambar di atas dengan Vcc = 5 Vdc
PERHATIAN: Secara Default gambar yang digunakan adalah gambar sebelah kiri
(gambar A). Konsultasikan kepada asisten jika harus menggunakan gambar sebelah
kanan (gambar B).
Posisikan Rvar dengan nilai minimum sehingga (VBE = 0). Catat nilai VCE awal
Naikkan tegangan di base dengan memutar Rvar perlahan – lahan. V dengan
kenaikan 0,1 V untuk rentang 0 V – 2 V dan kenaikan 0,5 V untuk rentang 2 – 4,5 V.
Amati dan catat tegangan yang terukur pada kaki Base-Emitter dan Collector-Emitter.
Vo
Q11
Vi R2 IRF540
0.97Ω
A B
Buat rangkaian transistor FET sebagai saklar seperti gambar di atas dengan Vcc =
5 Vdc
PERHATIAN: Secara Default gambar yang digunakan adalah gambar sebelah kiri
(gambar A). Konsultasikan kepada asisten jika harus menggunakan gambar sebelah
kanan (gambar B).
Posisikan Rvar dengan nilai minimum sehingga (VBE = 0). Catat nilai VDS awal
Naikkan tegangan di base dengan memutar Rvar perlahan – lahan. V dengan
kenaikan 0,1 V untuk rentang 0 V – 2 V dan kenaikan 0,5 V untuk rentang 2 – 4,5 V.
Amati dan catat tegangan yang terukur pada kaki Gate-Source dan Drain-Source.
8 REFERENSI
[1] Diodes and Transistors, URL : https://inst.eecs.berkeley.edu/~ee100/su07/handouts/
DiodeTransistorNotes.pdf
[2] Malvino, Albert., David J. Bates. Electronic Principles 7ed.
Nama :
NIM :
Shift :
4.5
3.5
3
VCE (output)
2.5
1.5
0.5
0
0 1 2 3 4 5
VBE (input)
4.5
3.5
3
VDS (output)
2.5
1.5
0.5
0
0 1 2 3 4 5
VGS (input)