BAB II

Dioda Schottky

2.1 Pengertian Dioda Schottky

Dioda Schottky (diambil dari nama seorang ahli fisika

Jerman Walter H. Schottky pada tahun 1938[1], juga dikenal
sebagai dioda pembawa panas) adalah dioda semikonduktor
dengan tegangan rendah

Gambar 2.1 Simbol Dioda Schottky

. Dioda schottky merupakan sebuah penghalang potensial

yang terbentuk pada pertemuan logam-logam semikonduktor
yang mempunyai karakteristik penyearah. Dioda Schottky
adalah tipe khusus dari dioda dengan tegangan yang rendah.
Ketika arus mengalir melalui dioda akan ditahan oleh
hambatan internal, yang menyebabkan tegangannya menjadi
kecil di terminal dioda. Dioda normal antara 0.7-1.7 volt,
sementara dioda Schottky tegangan kira-kira antara 0.15-0.45
volt. Dioda Schottky menggunakan simpangan logam-
semikonduktor sebagai sawar Schottky (dari sebuah
simpangan semikonduktor-semikonduktor seperti dalam
dioda konvensional). Sawar Schottky ini dihasilkan dengan
waktu kontak yang sangat cepat dan tegangan yang rendah.
Dioda Schottky adalah tipe khusus dari dioda dengan
tegangan yang rendah. Ketika arus mengalir melalui dioda
akan ditahan oleh hambatan internal, yang menyebabkan
tegangannya menjadi kecil di terminal dioda. Dioda normal
antara 0.7-1.7 volt, sementara dioda Schottky tegangan kira-
kira antara 0.15-0.45 volt.

Dioda Schottky menggunakan simpangan logam-

semikonduktor sebagai sawar Schottky (dari sebuah
simpangan semikonduktor-semikonduktor seperti dalam
dioda konvensional). Sawar Schottky ini dihasilkan dengan
waktu kontak yang sangat cepat dan tegangan yang rendah.

Perbedaan yang paling penting antara p-n dan dioda

Schottky adalah dari membalikkannya waktu pemulihan,
ketika beralih dari keadaan tidak menghantarkan ke keadaan
menghantarkan dan sebaliknya. Dimana dalam dioda p-n
waktu pemulihan balik dapat dalam orde ratusan nano-detik
dan kurang dari 100 nano-detik untuk dioda cepat.

Gambar 2.2 Grafik Perbedaan Dioda Schottky Dengan

Dioda Konvensional

Perbedaan yang paling penting antara p-n dan dioda

Schottky adalah dari membalikkannya waktu pemulihan,
ketika beralih dari keadaan tidak menghantarkan ke keadaan
menghantarkan dan sebaliknya. Dimana dalam dioda p-n
waktu pemulihan balik dapat dalam orde ratusan nano-detik
dan kurang dari 100 nano-detik untuk dioda cepat. Masalah
pengisian penyimpanan sambungan pn dapat dihilangkan
( atau minimalkan ) dalan dioda schottky dengan mengatur
“potensial barrier” dengan sebuah kotak antara metal dan
semikonduktor. Sebuah lapisan metal didepositkan pada
lapisan epitaksi tipis silikon tipe n. potensial barrier
mensimulasikan perilaku sambungan pn .aksi penyearah
tergantung pada pembawa mayoritas dan sebagai hasilnya
tidak ada kelebihan pembawa minoritas untuk
merekombinasi. Urutan dooping (pengotor penambahan)
merupakan urutan dari 1 bagian 10 atom. Dalam
semikonduktor type -n, pembawa mayoritas elektron saat ini
mayoritas saat ini elektron minoritas membawa menjadi
lubang. Efek pemulihan semata-mata karena kapasitansi dari
sambungan semikonduktor. Pengisian pemulihan dioda
schottky jauh lebih kecil dari pada sebuah dioda sambungan
pn yang ekuivalen. Jika hanya kapasitansi sambungan,
pengisian pemulihan memiliki ketidaktergantungan yang
besar dari di/dt mundur. Sebuah dioda schottky memilki
tegangan yang jatuh maju relative kecil. Arus bocor dioda
schottky lebih tinggi dari dioda sambungan pn. Sebuah dioda
schottky dengan tegangan konduksi relative kecil memiliki
arus bocor, dan sebaliknya. Sebagai hasil, tegangan
maksimum yang diizinkan biasanya dibatasi pada 100 V.
Tingkat arus dioda schottky bervariasi dari 1 sampai 300 A.
dioda schottky ideal untuk arus tinggi tegangan rendah catu
daya dc. Meskipun begitu, dioda tersebut juga digunakan pada
catun daya arus kecil untuk meningkatkan efisiensi.schootky
penyearah ganda 20 dan 30 A.

Berikut gambar atau bagan perbandingan antara struktur

dioda schottky dengan dioda pada umumnya.
 Gambar 2.2 Perbedaan Dioda Schottky Dengan Dioda
Konvensional

Dari gambar tersebut bisa kita lihat bahwa dioda pada

umumnya menggunakan persimpangan Positif-Negatif (PN
Junction), semikonduktor tipe-p dan tipe-n digunakan untuk
membentuk persimpangan p-n. Sedangkan dioda schottky,
semikonduktor tipe-p diganti dengan logam seperti
aluminium ataupun platinum sehingga nembentuk
persimpangan logam-semikonduktor tipe-n (Metal-
Semikonduktor tipe-n).

Prinsip kerja dari dioda schottky cukup sederhana. Saat

dioda schottky tidak diberi tegangan, tingkat energi elektron
yang terdapat pada sisi semikonduktor tipe-n sangat rendah
apabila dibandingkan dengan tingkat energi yang ada di sisi
logam. Akibatnya elektron tidak dapat mengalir melalui
penghalang persimpangan.

Akan tetapi pada saat dioda schottky diberi tegangan bias

maju (forward bias), elektron yang berada pada sisi
semikonduktor tipe-n akan mendapat energi yang cukup guna
melewati penghalang persimpangan sehingga masuk ke
wilayah logam. Dioda schottky juga sering disebut Dioda
Pembawa Panas alias Hot Carrier dioda.

Dan apabila terdapat tegangan maju cukup yang

diberikan ke dioda schottky, maka arus listrik akan mengalir
secara bias maju (forward bias). Hal tersebut bisa terjadi
karena arus listrik kehilangan tegangan kecil pada saat
melintasi terminal yang ada pada dioda schottky. Kehilangan
tegangan tersebutlah yang dikenal dengan istilah drop voltage.

Drop voltage pada dioda biasa kurang lebih sekitar

sekitar 0,6 V hingga 0,7 V. Sedangkan drop voltage yang ada
pada dioda schottky hanya sekitar 0,2 V sampai dengan 0,3 V.
Kesimpulannya, dioda schottky mengonsumsi tegangan lebih
kecil jika dibanding dengan dioda pada umumnya.

2.2 Keuntungan dan Kerugian Dioda Schottky

Dioda Schottky digunakan dalam banyak aplikasi di

mana jenis lain dari dioda tidak akan mengeksekusi juga.
Mereka menawarkan sejumlah keunggulan yang mencakup
hal-hal berikut:

1. Tegangan turn-on rendah

2. Waktu pemulihan cepat

3. Kapasitor tegangan rendah

4. Efisiensi tinggi dan kepadatan arus tinggi

5. Dioda ini bekerja pada frekuensi tinggi.

6. Dioda ini menghasilkan lebih sedikit noise yang tidak

diperlukan daripada dioda PN junction

7. Kerugian utama dari dioda Schottky adalah, ia

menghasilkan arus kebalikan reverse yang besar daripada
dioda pn junction

2.3 Prinsip Kerja Dioda Schottky

Prinsip Kerja Dioda Schottky adalah salah satu jenis

dioda yang bekerja berdasarkan prinsip schottky barrier. Cara
kerja dari dioda schottky ini memanfaatkan schottky barrier
yang terbentu pada persambungan antara metal dan
semikonduktor. Karakteristik schottky barrier ini bersifat
rectifying (menyearahkan) dimana pada saat diberikan
forward bias dapat dilewati oleh majority carriers namun pada
saat diberikan reverse bias, schottky barrier yang terbentuk
meghalangi perpindahan majority carriers sehingga tidak
dapat dilewati arus.

Dioda schottky ini disebut juga sebagai majority carriers

divais. Hal ini berarti, bila semikonduktor yang digunakan
menggunakan doping tipe n, hanya carrier tipe n (elektron)
yang berperan besar dalam operasi divais tersebut. Hal ini
berbeda dengan dioda pn konvesional dimana proses
penyearahan melibatkan rekombinasi antara elektron dan hole
(majority carriers dan minority carriers) yang cukup lambat.
Hal ini menyebabkan proses transisi divais dari kondisi ON
ke OFF atau sebaliknya memiliki waktu yang cukup
signifikan, hal ini yang disebut dengan switching time. Pada
dioda pn, switching time ini dapat mencapai skala
microseconds. Berbeda dengan dioda pn, proses rekombinasi
pada dioda schottky tidak terjadi, oleh sebab itu switching
time pada dioda schottky dapat lebih cepat daripada dioda pn.
Karena tidak terdapat rekombinasi pn pada dioda schottky
maka kecepatan operasi pada divais ini sangat dipengaruhi
oleh kapasitansi yang terbentuk antara persambungan metal
dan semikonduktor. Kapasitansi pada junction ini disebut juga
parasitic capacitance. Besar kapasitansi yang terdapat pada
persambungan tersebut dirumuskan sebagai berikut:

dimana :
Cj = kapasitansi persambungan (Farad)
εS = permitivitas semikonduktor (F/m)
A = luas permukaan junction (m2 )
 W = lebar dari schottky barrier (m)
Salah satu parameter yang digunakan untuk menentukan
kualitas sebuah dioda schottky adalah dengan melihat nilai
frekuensi cut-off dioda tersebut[6], dimana besar dari
frekuensi cut-off sebuah dioda schottky dirumuskan sebagai
berikut:

dimana :

fc = frekuensi cut-off (Hz)

Rs = resistansi seri dioda schottky (Ohm)

Parameter frekuensi cut-off dari dioda schottky ini terkait

langsung dengan performa sebuah dioda schottky dimana
semakin besar nilai frekuensi cut-off ini maka dioda schottky
tersebut akan mampu semakin cepat dalam beroperasi. Dioda
schottky yang ada di pasaran saat ini mampu beroperasi pada
skala gigahertz.

2.4 Aplikasi Dioda Schottky

Aplikasi termasuk perlindungan muatan pada sel surya yang

dihubungkan dengan batere timbal-asam dan dalam mode
saklar-sumber listrik; dalam kedua kasus rendahnya tegangan
akan meningkatkan efisiensi. Dioda silicon standar tegangan
kira-kira sekitar 0.7 volt dan dioda germanium 0.3 volt.
Terdapat pada rangkaian-rangkaian dengan supply tegangan
rendah seperti motherboard komputer, HP, regulator solar-
cell, dan juga sebagai rectifier pada pada rangkaian switching-
mode power-supply. Fungsi lain dari dioda adalah proses
pengubahan atau konversi cahaya matahari menjadi listrik ini
dimungkinkan karena bahan material yang menyusun sel
surya berupa semikonduktor. Lebih tepatnya tersusun atas dua
jenis semikonduktor; yakni jenis n dan jenis p.

Semikonduktor jenis n merupakan semikonduktor yang

memiliki kelebihan elektron, sehingga kelebihan muatan
negatif, (n = negatif). Sedangkan semikonduktor jenis p
memiliki kelebihan hole, sehingga disebut dengan p ( p =
positif) karena kelebihan muatan positif. Caranya, dengan
menambahkan unsur lain ke dalam semkonduktor, maka kita
dapat mengontrol jenis semikonduktor tersebut, sebagaimana
diilustrasikan pada gambar di bawah ini. Pada awalnya,
pembuatan dua jenis semikonduktor ini dimaksudkan untuk
meningkatkan tingkat konduktifitas atau tingkat kemampuan
daya hantar listrik dan panas semikonduktor alami. Di dalam
semikonduktor alami (disebut dengan semikonduktor
intrinsik) ini, elektron maupun hole memiliki jumlah yang
sama. Kelebihan elektron atau hole dapat meningkatkan daya
hantar listrik maupun panas dari sebuah semikoduktor. Misal
semikonduktor intrinsik yang dimaksud ialah silikon (Si).
Semikonduktor jenis p, biasanya dibuat dengan
menambahkan unsur boron (B), aluminum (Al), gallium (Ga)
atau Indium (In) ke dalam Si. Unsur-unsur tambahan ini akan
menambah jumlah hole. Sedangkan semikonduktor jenis n
dibuat dengan menambahkan nitrogen (N), fosfor (P) atau
arsen (As) ke dalam Si. Dari sini, tambahan elektron dapat
diperoleh. Sedangkan, Si intrinsik sendiri tidak mengandung
unsur tambahan. Usaha menambahkan unsur tambahan ini
disebut dengan doping yang jumlahnya tidak lebih dari 1 %
dibandingkan dengan berat Si yang hendak didoping.
DAFTAR PUSTAKA

http://id.wikipedia.org/wiki/Dioda_schottky

http://belajarelektronika.net/pengertian-dan-prinsip-kerja-
dioda-schottky/

Peter J. Burke, “Carbon Nanotube Devices for GHz to The

Applications”, Invited Paper, 2005
Swaminathan Sankaran, Kenneth K.O, “Schottky Barrier
Diodes for Milimeter Wave Detection in a Foundry CMOS
Process”, Silicon Microwave Integrated Circuits and System
Research Group (SiMICS) University of Florida, 2002

H. M. Manohara, E. W. Wong, E. Schlecht, B. D. Hunt, and

P. H. Siegel, “Carbon Nanotube Schottky Diodes Using Ti-
Schottky and Pt-Ohmic Contacts for High Frequency
Applications”, Nano Letters. Vol. 5, No. 7, 1469-1474 (2005)