DIODA SCHOTTKY

DISUSUN OLEH :

FEBY RENALDI
 PENGERTIAN DIODA SCHOTTKY
 Dioda Schottky (diambil dari nama seorang ahli fisika Jerman Walter H.
Schottky pada tahun 1938[1], juga dikenal sebagai diode pembawa panas)
adalah diode semikonduktor dengan tegangan rendah. Dioda schottky
merupakan sebuah penghalang potensial yang terbentuk pada
pertemuan logam-logam semikonduktor yang mempunyai karakteristik
penyearah.
 KARAKTERISTIK DIODA SCHOTTKY
 Dioda Schottky adalah tipe khusus dari diode dengan tegangan yang rendah. Ketika arus mengalir
melalui diode akan ditahan oleh hambatan internal, yang menyebabkan tegangannya menjadi
kecil di terminal diode. Dioda normal antara 0.7-1.7 volt, sementara diode Schottky tegangan kira-
kira antara 0.15-0.45 volt.

 Dioda Schottky menggunakan simpangan logam-semikonduktor sebagai sawar Schottky (dari

sebuah simpangan semikonduktor-semikonduktor seperti dalam diode konvensional). Sawar
Schottky ini dihasilkan dengan waktu kontak yang sangat cepat dan tegangan yang rendah
 KARAKTERISTIK DIODA SCHOTTKY
 Perbedaan yang paling penting antara p-n dan diode Schottky adalah dari
membalikkannya waktu pemulihan, ketika beralih dari keadaan tidak menghantarkan ke
keadaan menghantarkan dan sebaliknya. Dimana dalam diode p-n waktu pemulihan
balik dapat dalam orde ratusan nano-detik dan kurang dari 100 nano-detik untuk diode
cepat. Masalah pengisian penyimpanan sambungan pn dapat dihilangkan ( atau
minimalkan ) dalan diode schottky dengan mengatur “potensial barrier” dengan sebuah
kotak antara metal dan semikonduktor.

 Sebuah lapisan metal didepositkan pada lapisan epitaksi tipis silikon tipe n. potensial
barrier mensimulasikan perilaku sambungan pn .aksi penyearah tergantung pada
pembawa mayoritas dan sebagai hasilnya tidak ada kelebihan pembawa minoritas
untuk merekombinasi. Urutan dooping (pengotor penambahan) merupakan urutan dari 1
bagian 10 atom.
 KARAKTERISTIK DIODA SCHOTTKY
 Dalam semikonduktor type -n, pembawa mayoritas elektron saat ini mayoritas saat ini
elektron minoritas membawa menjadi lubang. Efek pemulihan semata-mata karena
kapasitansi dari sambungan semikonduktor. Pengisian pemulihan diode schottky jauh lebih
kecil dari pada sebuah diode sambungan pn yang ekuivalen. Jika hanya kapasitansi
sambungan, pengisian pemulihan memiliki ketidaktergantungan yang besar dari di/dt
mundur. Sebuah diode schottky memilki tegangan yang jatuh maju relative kecil.
 KARAKTERISTIK DIODA SCHOTTKY
 Arus bocor diode schottky lebih tinggi dari diode sambungan pn. Sebuah diode schottky dengan
tegangan konduksi relative kecil memiliki arus bocor, dan sebaliknya. Sebagai hasil, tegangan
maksimum yang diizinkan biasanya dibatasi pada 100 V. Tingkat arus diode schottky bervariasi dari
1 sampai 300 A. diode schottky ideal untuk arus tinggi tegangan rendah catu daya dc. Meskipun
begitu, diode tersebut juga digunakan pada catun daya arus kecil untuk meningkatkan
efisiensi.schootky penyearah ganda 20 dan 30 A.
RANGKAIAN DIODA SCHOTKKY
PERBEDAAN DIODA SCHOTTKY DENGAN
DIODA NORMAL
 PRINSIP KERJA DIODA SCHOTTKY
Dioda schottky adalah salah satu jenis dioda yang bekerja berdasarkan prinsip schottky barrier. Cara
kerja dari dioda schottky ini memanfaatkan schottky barrier yang terbentu pada persambungan antara
metal dan semikonduktor. Karakteristik schottky barrier ini bersifat rectifying (menyearahkan) dimana
pada saat diberikan forward bias dapat dilewati oleh majority carriers namun pada saat diberikan
reverse bias, schottky barrier yang terbentuk meghalangi perpindahan majority carriers sehingga tidak
dapat dilewati arus.
 PRINSIP KERJA DIODA SCHOTTKY
 Dioda schottky ini disebut juga sebagai majority carriers divais. Hal ini berarti, bila semikonduktor yang
digunakan menggunakan doping tipe n, hanya carrier tipe n (elektron) yang berperan besar dalam
operasi divais tersebut. Hal ini berbeda dengan dioda pn konvesional dimana proses penyearahan
melibatkan rekombinasi antara elektron dan hole (majority carriers danminority carriers) yang cukup
lambat.
 Hal ini menyebabkan proses transisi divais dari kondisi ON ke OFF atau sebaliknya memiliki waktu yang
cukup signifikan, hal ini yang disebut dengan switching time. Pada dioda pn, switching time ini dapat
mencapai skala microseconds[2]. Berbeda dengan dioda pn, proses rekombinasi pada dioda
schottky tidak terjadi, oleh sebab itu switching time pada dioda schottky dapat lebih cepat daripada
dioda pn.
 PRINSIP KERJA DIODA SCHOTTKY
 Karena tidak terdapat rekombinasi pn pada dioda schottky maka kecepatan operasi pada divais ini
sangat dipengaruhi oleh kapasitansi yang terbentuk antara persambungan metal dan semikonduktor.
Kapasitansi pada junction ini disebut juga parasitic capacitance.
 Salah satu parameter yang digunakan untuk menentukan kualitas sebuah dioda schottky adalah
dengan melihat nilai frekuensi cut-off dioda tersebut[6], dimana besar dari frekuensi cut-off sebuah dioda
schottky dirumuskan sebagai berikut[7][8]:

dimana : fc = frekuensi cut-off (Hz)

Rs = resistansi seri dioda schottky (Ohm)
 APLIKASI DIODA SCHOTTKY

 Aplikasi termasuk perlindungan muatan pada sel surya yang dihubungkan

dengan batere timbal-asam dan dalam mode saklar-sumber listrik; dalam
kedua kasus rendahnya tegangan akan meningkatkan efisiensi.
 Dioda silicon standar tegangan kira-kira sekitar 0.7 volt dan diode
germanium 0.3 volt[1]. Terdapat pada rangkaian-rangkaian dengan supply
tegangan rendah seperti motherboard komputer, HP, regulator solar-cell,
dan juga sebagai rectifier pada pada rangkaian switching-mode power-
supply.
 APLIKASI DIODA SCHOTTKY

 Fungsi lain dari diode schottky adalah proses pengubahan atau konversi cahaya matahari menjadi
listrik ini dimungkinkan karena bahan material yang menyusun sel surya berupa semikonduktor. Lebih
tepatnya tersusun atas dua jenis semikonduktor; yakni jenis n dan jenis p.
TERIMA KASIH