TUGAS MAKALAH

ELEKTRONIKA DAYA

(MOSFET)

OLEH

KELOMPOK III :

- NORIGED S.L. MANU

- ROBERTUS GHARI
- ROFINUS LUAN
- SANDRO M. LOPUNG
- SEPRIANUS LAMMA GADJA

PROGRAM STUDI SARJANA TERAPAN

TEKNIK INSTALASI LISTRIK

JURUSAN ELEKTRO

POLITEKNIK NEGERI KUPANG

2017
 KATA PENGANTAR

Puji syukur kehadiran tuhan yang maha kuasa atas segala limpa rahmat, sehingga
kelompok kami dapat menyelesaikan penyusunan makalah ini dalam bentuk maupun isinya yang
sangat sederhana.

Harapan kami semoga makalah ini membantu menambah pengetahuan dan pengalaman
bagi para pembaca.sehingga kami dapat memperbaiki bentuk maupun isi makalah ini sehingga
kedepannya dapat lebih baik.

Makalah ini kami akui masih banyak kekurangan karena pengalaman yang kami miliki
sangat kurang.Oleh karena itu kami harapkan kepada pada para pembaca untuk memberikan
masukan masukan yang bersifat membangun untuk kesempurnaan makalah ini.

Akhirnya kami dengan kerendahan hati meminta maaf jika terdapat kesalahan dalam
penulisan atau penguraian makalah kami dengan harapan dapat diterima oleh Bapak dan dapat
dijadikan sebagai acuan dalam proses pembelajaran kami.

Kupang, 2018
 DAFTAR ISI

KATA PENGANTAR ....................................................................................................1

DAFTAR ISI ....................................................................................................2

BAB I PENDAHULUAN

1.1. LATAR BELAKANG . ............................................................................3

1.2. RUMUSAN MASALAH ............................................................................3
1.3.TUJUAN ............................................................................3

BAB II PEMBAHASAN

2.1.PENGERTIAN MOSFET ……………………….......................................4

2.2.JENIS-JENIS MOSFET ...........................................................................4

2.3.STRUKTUR MOSFET ………………………………………………...6

2.4.FUNGSI MOSFET ………………………………………………...6

2.5.CARA KERJA MOSFET ………………………………………………...7

BAB III PENUTUP

A. KESIMPULAN ..................................................................................................12
B. SARAN ..................................................................................................12
 BAB I

PENDAHULUAN

1.1.LATAR BELAKANG

Di era modern ini kemajuan teknologi berkembang begitu pesat, terutama dalam bidang

elektronika di mana komponen-komponennya dibuat semakin kecil dan semakin canggih

dalam kegunaannya. Komponen-komponen elektronika ini pun digunakan dalam alat

kelistrikan seperti Dalam Elektronika Daya kita mempelajari berbagai hal mengenai

komponen-komponen pendukung yang membantu kerja dari suatu rangkaian tertentu yang

antara lain adalah mosfet. Mosfet (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)

adalah sebuah perangkat semikonduktor yang secara luas digunakan sebagai switch dan

sebagai penguat sinyal pada perangkat elektronik. MOSFET adalah inti dari sebuah IC (

integrated Circuit ) yang didesain dan difabrikasi dengan single chip karena ukurannya yang

sangat kecil. MOSFET memiliki empat gerbang terminal antara lain adalah Source (S), Gate

(G), Drain (D) dan Body(B).

1.2.RUMUSAN MASALAH
1. Pengertian dari MOSFET
2. Fungsi dan kegunaan MOSFET
3. Spesifikasi dan cara kerja MOSFET

1.3.TUJUAN
1. Mengetahui Pengertian dari MOSFET
2. Mengetahui Fungsi dan kegunaan MOSFET
3. Mengetahui Spesifikasi dan cara kerja MOSFET
 BAB II

PEMBAHASAN

2.1. PENGERTIAN MOSFET

Transistor Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor atau biasa disebut

MOSFET adalah sejenis transistor yang digunakan sebagai penguat, tapi paling sering transistor
jenis ini difungsikan sebagai saklar elektronik. Ada dua jenis MOSFET menurut jenis bahan
semikonduktor pembuatnya, yaitu tipe N (nMOS) dan tipe P (pMOS). Bahan semikonduktor
yang digunakan untuk membuat MOSFET adalah silikon, namun beberapa produsen IC,
terutama IBM, mulai menggunakan campuran silikon dan germanium (SiGe) sebagai kanal
MOSFET. Hingga kini terus diadakan penelitian untuk membuat isolator yang dapat diterima
dengan baik untuk bahan semikonduktor lainnya.

2.2. JENIS-JENIS MOSFET

a. MOSFET gerbang ganda

MOSFET gerbang ganda mempunyai konfigurasi tetroda, dimana semua gerbang
mengendalikan arus dalam peranti. Ini biasanya digunakan untuk peranti isyarat kecil pada
penggunaan frekuensi radio dimana gerbang kedua gerang keduanya digunakan sebagai
pengendali penguatan atau pencampuran dan pengubahan frekuensi.
b. FinFET
FinFET adalah sebuah peranti gerbang ganda yang diperkenalkan untuk memprakirakan
flek kanal pendek dan mengurangi perendahan sawar diinduksikan-cerat.
c. MOSFET moda pemiskinan
Peranti MOSFET moda pemiskinan adalah MOSFET yang dikotori sedemikian
rupa sehingga sebuah kanal terbentuk walaupun tidak ada tegangan dari gerbang ke
sumber. Untuk mengendalikan kanal, tegangan negatif dikenakan pada gerbang untuk
peranti salur-n sehingga "memiskinkan" kanal, yang mana mengurangi arus yang
mengalir melalui kanal. Pada dasarnya, peranti ini ekivalen dengan sakelar normal-hidup,
sedangkan MOSFET moda pengayaan ekivalen dengan sakelar normal-mati. Karena
peranti ini kurang berdesah pada daerah RF dan penguatan yang lebih baik, peranti ini
sering digunakan pada peralatan elektronik RF.

d. Logika NMOS
MOSFET salur-n lebih kecil daripada MOSFET salur-p untuk performa yang
sama, dan membuat hanya satu tipe MOSFET pada kepingan silikon lebih murah dan
lebih sederhana secara teknis. Ini adalah prinsip dasar dalam desain logika NMOS yang
hanya menggunakan MOSFET salur-n. Walaupun begitu, tidak seperti logika CMOS,
logika NMOS menggunakan daya bahkan ketika tidak ada pensakelaran. Dengan
peningkatan teknologi, logika CMOS menggantikan logika NMOS pada tahun 1980-an.

e. MOSFET daya
Irisan sebuah MOSFET daya dengan sel persegi. Sebuah transistor biasanya
terdiri dari beberapa ribu sel.

MOSFET daya memiliki struktur yang berbeda dengan MOSFET biasa. Seperti
peranti semikonduktor daya lainnya, strukturnya adalah vertikal, bukannya planar.
Menggunakan struktur vertikal memungkinkan transistor untuk bertahan dari tegangan
tahan dan arus yang tinggi. Rating tegangan dari transistor adalah fungsi dari pengotoran
dan ketebalan dari lapisan epitaksial-n, sedangkan rating arus adalah fungsi dari lebar
kanal. Pada struktur planar, rating arus dan tegangan tembus ditentukan oleh fungsi dari
dimensi kanal, menghasilkan penggunaan yang tidak efisien untuk daya tinggi. Dengan
struktur vertikal, besarnya komponen hampir sebanding dengan rating arus dan ketebalan
komponen sebanding dengan rating tegangan.
MOSFET daya dengan struktur lateral banyak digunakan pada penguat audio hi-
fi. Kelebihannya adalah karakteristik yang lebih baik pada daerah penjenuhan daripada
MOSFET vertikal. MOSFET vertikal didesain untuk penggunaan pensakelaran.
f. DMOS
DMOS atau semikonduktor–logam–oksida terdifusi–ganda adalah teknologi
penyempurnaan dari MOSFET vertikal. Hampir semua MOSFET daya dikonstruksi
dengan teknologi ini.
2.3. STRUKTUR MOSFET

a. STRUKTUR MOSFET TIPE N

b. STRUKTUR MOSFET TIPE P

2.4. FUNGSI MOSFET

Mosfet merupakan komponen elektronika yang memilik beberapa fungsi yaitu sebagai
berikut.
a. Sebagai penguat Sinyal
Mosfet adalah komponen yang sangat baik untuk penguat linier sinyal kecil karena
impedansi inputnya sangat tinggi sehingga mudah bias.
b. Sebagai Pembangkit
Biasanya digunakan sebagai digunakan pada radio.
 c. Sebagai saklar

d.
Dalam rangkaian ini, mode E-MOSFET kanal-N digunakan untuk saklar lampu
sederhana "ON" dan "OFF" (bisa juga berupa LED). Tegangan input gerbang VGS dibawa
ke tingkat tegangan positif yang sesuai untuk menghidupkan perangkat dan oleh karena
itu beban lampu baik "ON", (VGS = +ve) atau pada tingkat tegangan nol yang mengubah
perangkat "OFF", ( VGS = 0V ). Jika beban resistif lampu diganti dengan beban induktif
seperti coil, solenoid atau relay, sebuah "dioda flyeheel" diperlukan bersamaan dengan
beban untuk melindungi MOSFET dari gema belakang yang dihasilkan sendiri. Gambar
di atas menunjukkan rangkaian yang sangat sederhana untuk mengganti beban resistif
seperti lampu atau LED.

2.5. CARA KERJA MOSFET

Pada tipe-n Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor (MOSFET)

terdiri dari sumber dan drain, dua daerah semikonduktor sangat melakukan tipe-n yang
terisolasi dari substrat tipe-p dengan terbalik-bias dioda pn. Sebuah logam (atau poli-
kristal) gerbang mencakup daerah antara sumber dan drain, tetapi dipisahkan dari
semikonduktor dengan oksida gerbang. Struktur dasar dari MOSFET tipe-n dan simbol
sirkuit yang bersangkutan, ditampilkan dalam gambar 7.1.1.

Fig.7.1.1 Crosssection dan rangkaian simbol dari tipe-n Metal-Oxide-Semiconductor Field–

Transistor Efek-(MOSFET).
 Seperti dapat dilihat pada gambar daerah sumber dan emigrasi adalah identik. Ini adalah
tegangan terapan yang menentukan tipe-n daerah menyediakan elektron dan menjadi sumber,
sementara wilayah tipe-n lainnya mengumpulkan elektron dan menjadi sia-sia. Tegangan
diterapkan pada pembuangan dan elektroda gerbang serta substrat dengan cara kontak
kembali yang mengacu pada potensi sumber, seperti juga ditunjukkan pada gambar.

Pandangan atas MOSFET yang sama ditunjukkan pada Gambar. 7.1.2, di mana gerbang
panjang, L, dan lebar pintu gerbang, W, yang diidentifikasi. Perhatikan bahwa panjang gerbang
tidak sama dengan dimensi fisik dari pintu gerbang, tetapi jarak antara sumber dan daerah
menguras bawah gerbang. Tumpang tindih antara pintu gerbang dan sumber dan daerah
pembuangan diperlukan untuk memastikan bahwa lapisan inversi membentuk terus menerus
melakukan jalur antara sumber dan daerah tiriskan. Biasanya ini tumpang tindih dibuat sekecil
mungkin untuk meminimalkan kapasitansi parasit tersebut.

Fig.7.1.2 Top melihat dari tipe-n Metal-Oxide-Semiconductor Field–Transistor Efek-(MOSFET)

Aliran elektron dari sumber ke drain dikendalikan oleh tegangan diterapkan ke pintu
gerbang. Sebuah tegangan positif diterapkan ke pintu gerbang, menarik elektron untuk
antarmuka antara dielektrik gerbang dan semikonduktor. Elektron ini membentuk saluran
melakukan antara sumber dan drain, yang disebut lapisan inversi. Tidak ada arus gerbang
diperlukan untuk menjaga lapisan inversi di antarmuka sejak oksida gerbang memblok aliran
pembawa. Hasil akhirnya adalah bahwa saat ini antara drain dan source dikendalikan oleh
tegangan yang diterapkan ke pintu gerbang.
 BAB III

PENUTUP

3.1.KESIMPULAN

Pertumbuhan teknologi seperti mikroprosesor telah memberikan motifasi untuk

memajukan teknologi MOSFET lebih cepat dari pada jenis lain dari transistor jenis lain
dari transistor berbasis silicon.

Keuntungan MOSFET di sirkuit digital yaitu tidak perlu diterjmahkan ke dalam

supremasi di semua sirkuit analog.

3.2.SARAN

Zaman mungkin semakin maju dan diikuti dengan kemjuan teknologi namun ada
baiknya kita sebagai pengguna teknologi lebih waspada dari dampak negative yang
ditimbulkan oleh kemajuan teknologi yang dapat merusak merusak citra kita sebagai
makhluk social.