LAPORAN

MOSFET TIPE-N

DISUSUN OLEH

ALIFYA AURA BALQIS

(4242201082)

PRODI TEKNIK REKAYASA ELEKTRO

DOSEN PEMBIMBING
IKA KARLINA LAILA NUR SUCININGTYAS,S.Si., M.Si.
 DAFTAR ISI

1.1 LATAR BELAKANG.................................................................................................................4

2.1 TUJUAN......................................................................................................................................5
3.1 MANFAAT.................................................................................................................................5
JENIS MOSFET..........................................................................................................................7
MANFAAT MOSFET:.............................................................................................................11
KELEBIHAN DARI MOSFET TIPE-N.............................................................................13
KEKURANGAN DARI MOSFET TIPE-N...............................................................................14
1.4 Alat dan Bahan..........................................................................................................................15
1.5 TABEL NILAI HASIL PRATIKUM........................................................................................17
1.5 KESIMPULAN..........................................................................................................................25
2.5 SARAN......................................................................................................................................26
 KATA PENGANTAR

Puji syukur kami panjatkan kepada Allah SWT karena atas berkat rahmat dan karuniaNyalah,
kami dapat menyelesaikan makalah yang berjudul “LAPORAN MOSFET TIPE-N ” tepat pada
waktunya. Tujuan pembuatan makalah ini adalah untuk memenuhi tugas Laporan Mosfet Tipe-
N Dengan membuat tugas ini semoga wawasan kami semakin bertambah, aamiin. Dalam
menyelesaikan makalah ini, tim penulis telah banyak mendapat bantuan dan masukan dari
berbagai pihak. Oleh karena itu, dalam kesempatan ini tim penulis ingin menyampaikan terima
kasih kepada
: Dosen Mata Kuliah Rangkaian Listrik Analog yang telah memberikan tugas mengenai makalah
ini sehingga pengetahuan tim penulis mengenai tema makalah ini semakin bertambah. Pihak-
pihak yang tidak dapat penulis sebutkan satu persatu yang telah turut membantu sehingga
makalah ini dapat terselesaikan dengan baik dan tepat waktu.
Kami menyadari bahwa penyusunan makalah ini masih jauh dari kesempurnaan. Oleh karena itu
, kami sangat mengharapkan adanya kritik dan saran yang bersifat positif, guna penulisan
makalah yang lebih baik lagi di masa yang akan datang.
Harapan kami semoga penulisan makalah yang sederhana ini bisa memberikan manfaat kepada
kita semua.

Batam, Maret 2023

Penyusun
 BAB I
PENDAHULUAN

1.1 LATAR BELAKANG

Transistor adalah salah satu komponen elektronik yang berfungsi sebagai saklar atau
penguat sinyal listrik. Dalam bentuk dasar, transistor terdiri dari tiga lapisan bahan
semikonduktor yang disebut sebagai emitter, base, dan collector. Transistor bekerja
berdasarkan prinsip pengontrolan arus listrik yang mengalir melalui lapisan
semikonduktor tersebut dengan mengubah sinyal listrik yang diberikan ke base transistor.
Dalam aplikasinya, transistor digunakan dalam berbagai macam rangkaian elektronik,
termasuk dalam komputer, televisi, radio, perangkat mobile, dan banyak lagi. Karena
transistor memungkinkan kontrol arus listrik secara presisi, maka komponen ini menjadi
sangat penting dalam pengembangan teknologi elektronik modern.
Ada tiga jenis transistor yang umum digunakan, yaitu:
Transistor BJT (Bipolar Junction Transistor): Transistor ini terdiri dari dua tipe yaitu
NPN dan PNP. BJT adalah transistor paling umum dan sering digunakan dalam aplikasi
elektronik.
Transistor MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor): Transistor
ini bekerja dengan mengontrol medan listrik di sekitar kanal semikonduktor untuk
mengontrol arus. MOSFET lebih efisien dan memiliki karakteristik yang lebih baik
dalam aplikasi daya tinggi dan kecepatan tinggi.
Transistor JFET (Junction Field Effect Transistor): Transistor ini juga mengontrol arus
melalui medan listrik, namun berbeda dengan MOSFET, medan listrik dihasilkan oleh
tegangan terapan pada junction antara lapisan semikonduktor. JFET sering digunakan
dalam aplikasi audio dan radio frekuensi tinggi karena memiliki noise yang rendah dan
karakteristik yang stabil.

Selain itu, terdapat juga jenis-jenis transistor lain seperti Darlington Transistor, IGBT
(Insulated Gate Bipolar Transistor), dan lain-lain. Setiap jenis transistor memiliki
kelebihan dan kelemahan masing-masing serta memiliki aplikasi yang berbeda-beda.
2.1 TUJUAN
 Memahami prinsip kerja MOSFET
 Dapat Mengembangkan teknologi yang lebih maju
 Dapat MenDesain sirkuit elektronik yang lebih efisien

3.1 MANFAAT
 Dapat mengembangkan dan merancang rangkaian elektronik yang lebih efisien
dan handal.
 Dapat merancang rangkaian yang menghemat daya dan mengurangi biaya energi.
 Dapat mengejar karir di bidang teknologi dan rekayasa.
 Dapat memahami prinsip kerja dari transistor yang sangat penting dalam
rangkaian elektronik.
 BAB II
LANDASAN TEORI

MOSFET atau Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor adalah jenis

transistor yang digunakan dalam elektronika untuk mengontrol arus listrik. MOSFET
memiliki tiga terminal yaitu source (sumber), gate (gerbang), dan drain (saluran), dan
mengandalkan medan listrik untuk mengontrol arus antara source dan drain.

MOSFET terdiri dari lapisan silikon yang disebut substrat, yang di atasnya terdapat
lapisan tipis oksida. Di atas lapisan oksida tersebut terdapat elektrode gate yang
dihubungkan ke terminal gate MOSFET. Arus listrik mengalir melalui substrat dari terminal
source menuju terminal drain, tetapi kontrol gerbang MOSFET dapat mengubah medan
listrik di lapisan oksida dan mempengaruhi resistivitas substrat, sehingga mengatur jumlah
arus yang dapat mengalir melalui MOSFET.

MOSFET adalah salah satu jenis transistor yang paling umum digunakan dalam
rangkaian elektronik dan memiliki banyak aplikasi, seperti sebagai saklar elektronik,
penguat sinyal, dan pengontrol daya. MOSFET juga dapat digunakan dalam teknologi
semikonduktor dan banyak industri, termasuk manufaktur, teknologi informasi, dan
otomotis.
 JENIS MOSFET

Ada beberapa jenis MOSFET berdasarkan struktur fisik dan klasifikasi lainnya, antara
lain:

 MOSFET berbasis kanal N (n-channel MOSFET):

MOSFET ini menggunakan substrat berbasis silikon bermuatan positif dan kanal N
untuk mengatur aliran arus. MOSFET ini paling umum dan banyak digunakan dalam
aplikasi elektronik.

MOSFET berbasis kanal N (n-channel MOSFET)

 MOSFET berbasis kanal P (p-channel MOSFET):

MOSFET ini menggunakan substrat berbasis silikon bermuatan negatif dan kanal P
untuk mengatur aliran arus. MOSFET ini kurang umum dibandingkan MOSFET
berbasis kanal N.

MOSFET berbasis kanal P (p-channel MOSFET)

 MOSFET berdaya tinggi (high-power MOSFET):

MOSFET ini dirancang untuk mengatasi arus dan tegangan yang lebih tinggi daripada
MOSFET konvensional. MOSFET berdaya tinggi biasanya digunakan dalam aplikasi
daya tinggi seperti motor dan lampu.

MOSFET berdaya tinggi (high-power MOSFET)

 MOSFET logika tinggi (high-speed logic MOSFET):

MOSFET ini dirancang untuk bekerja pada kecepatan tinggi dan umumnya digunakan
dalam aplikasi digital seperti memori dan mikrokontroler.

MOSFET logika tinggi (high-speed logic MOSFET)

 MOSFET isolasi tanah (ground-isolation MOSFET):

MOSFET ini dirancang untuk memisahkan sinyal atau sumber daya dari sinyal atau
sumber daya lainnya. MOSFET isolasi tanah digunakan dalam aplikasi seperti sistem
audio dan pemrosesan sinyal digital.

MOSFET isolasi tanah (ground-isolation MOSFET)

 MOSFET cascode:

MOSFET cascode digunakan dalam aplikasi elektronik di mana perkuatan sinyal

diperlukan. MOSFET cascode sering digunakan dalam aplikasi audio dan penguat
frekuensi radio.

MOSFET cascode
 MOSFET dalam mode dekat (depletion-mode MOSFET):

MOSFET ini memiliki jenis konduksi yang berlawanan dengan jenis konduksi yang
dimiliki oleh MOSFET biasa. MOSFET dalam mode dekat tidak memerlukan
tegangan gate untuk mengalirkan arus dan digunakan dalam aplikasi yang
membutuhkan saklar sederhana.

MOSFET dalam mode dekat (depletion-mode MOSFET)

 MANFAAT MOSFET:
 MOSFET dapat digunakan sebagai saklar elektronik:
 MOSFET dapat digunakan sebagai saklar elektronik yang dapat
mengontrol aliran listrik dalam rangkaian. MOSFET sebagai saklar dapat
digunakan pada berbagai aplikasi seperti dalam power supply, inverter,
motor driver, dan lain sebagainya.

Gambar Rangkaian MOSFET Sebagai Saklar

 MOSFET dapat digunakan sebagai penguat:

 MOSFET dapat digunakan sebagai penguat sinyal listrik. MOSFET
sebagai penguat sangat berguna pada aplikasi audio dan RF.

Gambar Rangkaian MOSFET Sebagai Penguat

 MOSFET membutuhkan daya yang kecil:
 MOSFET membutuhkan daya yang lebih kecil dibandingkan dengan
transistor bipolar. Oleh karena itu, MOSFET sangat berguna pada aplikasi
yang membutuhkan daya rendah.

 MOSFET memiliki efisiensi yang tinggi:

 MOSFET memiliki efisiensi yang lebih tinggi dibandingkan dengan
transistor bipolar. MOSFET dapat digunakan pada aplikasi power
amplifier yang membutuhkan efisiensi yang tinggi.

 MOSFET memiliki tegangan threshold yang rendah:

 MOSFET memiliki tegangan threshold yang rendah. Hal ini
membuat MOSFET sangat berguna pada aplikasi yang
membutuhkan level tegangan yang rendah.

 MOSFET tidak memerlukan arus bias:

 MOSFET tidak memerlukan arus bias untuk mengendalikan aliran

listrik. Oleh karena itu, MOSFET lebih efisien dan stabil dalam
penggunaannya.

 MOSFET memiliki kecepatan beralih yang tinggi:

 MOSFET memiliki kecepatan beralih yang lebih tinggi

dibandingkan dengan transistor bipolar. Hal ini membuat MOSFET
sangat cocok untuk digunakan pada aplikasi yang membutuhkan
kecepatan tinggi, seperti dalam aplikasi PWM (Pulse Width
Modulation).
 KELEBIHAN DARI MOSFET TIPE-N
MOSFET tipe n (N-channel MOSFET) memiliki beberapa kelebihan, antara lain:

 Lebih efisien dalam mengalirkan arus:

MOSFET tipe n lebih efisien dalam mengalirkan arus dibandingkan
dengan MOSFET tipe p, karena MOSFET tipe n memiliki mobility
elektron yang lebih tinggi dibandingkan dengan mobility hole pada
MOSFET tipe p.

 Konduktivitas yang lebih baik:

MOSFET tipe n memiliki konduktivitas yang lebih baik daripada
MOSFET tipe p, sehingga dapat mengalirkan arus dengan lebih baik.

 Tegangan threshold yang lebih rendah:

MOSFET tipe n memiliki tegangan threshold yang lebih rendah daripada
MOSFET tipe p, sehingga lebih mudah dikendalikan.

 Stabilitas termal yang lebih baik:

MOSFET tipe n memiliki stabilitas termal yang lebih baik daripada
MOSFET tipe p, sehingga dapat bekerja pada suhu yang lebih tinggi.

 Lebih mudah digunakan:

Karena MOSFET tipe n adalah tipe yang paling umum digunakan, maka
lebih mudah untuk menemukan MOSFET tipe n dan lebih mudah untuk
membuat rangkaian dengan MOSFET tipe n.

 Daya yang lebih rendah:

MOSFET tipe n memiliki resistansi on-state yang lebih rendah daripada
MOSFET tipe p, sehingga menghasilkan daya yang lebih rendah.
 KEKURANGAN DARI MOSFET TIPE-N
Meskipun MOSFET tipe n memiliki banyak kelebihan, namun MOSFET tipe n juga memiliki
beberapa kekurangan, antara lain:
 Sensitivitas terhadap elektrostatis:
MOSFET tipe n sensitif terhadap elektrostatis, sehingga jika terjadi elektrostatis, MOSFET
tipe n dapat rusak.
 Tegangan maksimum yang lebih rendah:
MOSFET tipe n memiliki tegangan maksimum yang lebih rendah dibandingkan dengan
MOSFET tipe p, sehingga MOSFET tipe n tidak dapat digunakan dalam aplikasi dengan
tegangan yang sangat tinggi.
 Rentang suhu kerja yang lebih sempit:
MOSFET tipe n memiliki rentang suhu kerja yang lebih sempit daripada MOSFET tipe p,
sehingga MOSFET tipe n tidak dapat digunakan pada suhu yang sangat tinggi atau sangat
rendah.
 Risiko terjadinya efek saluran pendek:
MOSFET tipe n dapat mengalami efek saluran pendek atau short-channel effect pada
dimensi yang sangat kecil atau pada tegangan yang sangat tinggi, sehingga dapat
menyebabkan performa MOSFET tipe n menurun.
 BAB IV
PRATIKUM

1.4 Alat dan Bahan

o Resitor 1k (2buah) o multimeter digital

o power supply
o Transistor MOSFET N

o kabel jumper
o led

PROJECT BOARD
 1.4 Metode pratikum

Berikut adalah beberapa metode praktikum yang dapat dilakukan saat merangkai MOSFET:

 Persiapan Bahan dan Alat:

Persiapkan semua bahan dan alat yang dibutuhkan, seperti MOSFET, resistor, kapasitor,
PCB, solder, soldering iron, multimeter, oscilloscope, dan power supply.
 Studi Datasheet MOSFET:
Pelajari datasheet MOSFET yang akan digunakan, termasuk karakteristik listrik dan
mekaniknya, serta kondisi lingkungan operasinya.
 Desain Sirkuit:
Desain sirkuit yang akan dibuat, baik secara manual maupun dengan menggunakan
software desain sirkuit seperti Eagle atau Proteus. Pastikan sirkuit yang dibuat sudah
memperhitungkan parameter MOSFET yang digunakan.
 Pembuatan PCB:
Setelah desain sirkuit selesai dibuat, buatlah PCB sesuai dengan desain sirkuit. PCB yang
dibuat harus mempertimbangkan jarak antar komponen, lebar jalur, serta area pendingin
MOSFET.
 Perakitan Komponen:
Lakukan perakitan komponen pada PCB dengan menggunakan soldering iron dan solder.
Pastikan perakitan dilakukan dengan hati-hati dan benar untuk menghindari kerusakan atau
kesalahan.
 Uji Fungsi:
Setelah perakitan selesai, uji fungsi sirkuit dengan menggunakan multimeter, oscilloscope,
dan power supply. Pastikan MOSFET bekerja dengan baik dan sesuai dengan
karakteristiknya.
 Analisis Hasil Uji:
Analisis hasil uji untuk mengetahui kinerja sirkuit yang dibuat dan membandinkannya
dengan hasil yang diharapkan.
 Evaluasi:
Evaluasi keseluruhan praktikum untuk mengetahui apakah tujuan praktikum telah tercapai
dan bagaimana cara meningkatkan keterampilan dalam merangkai MOSFET.
1.5 TABEL NILAI HASIL PRATIKUM
Vs Vgs Vg Is Id Ig
0 15 12,05mA 11,89mA 0
1 14 12,06mA 10,94mA 0
2 13 12,05mA 9,95mA 0
3 12 12,05mA 8,97mA 0
4 11 12,05mA 7,91mA 0
5 10 12,05mA 6,97mA 0
6 9 12,05mA 5,96mA 0
7 8 12,06mA 4,98mA 0
15 8 7 12,06mA 3,10mA 0
9 6 12,06mA 2,15mA 0
10 5 12,07mA 1,15mA 0
11 4 12,07mA 0mA 0
12 3 0,33mA 0mA 0
13 2 0mA 0mA 0
14 1 0mA 0mA 0
15 0 0mA 0mA 0

Vs Vgs Vg Is Id Ig
-1 15 11,01mA 11,89mA 0
0 14 11,02mA 10,89mA 0
1 13 11,02mA 9,87mA 0
2 12 11,02mA 8,90mA 0
3 11 11,03mA 7,97mA 0
4 10 11,03mA 6,98mA 0
5 9 11,02mA 6,00mA 0
6 8 11,02mA 4,96mA 0
14 7 7 11,02mA 4,02mA 0
8 6 11,02mA 3,06mA 0
9 5 11,00mA 2,08mA 0
10 4 11,00mA 1,21mA 0
11 3 0,33mA 0,28mA 0
12 2 0mA 0mA 0
13 1 0mA 0mA 0
14 0 0mA 0mA 0
Vs Vgs Vg Is Id Ig
-2 15 10,03mA 11,89mA 0
-1 14 10,03mA 10,90mA 0
0 13 10,03mA 9,90mA 0
1 12 10,02mA 8,87mA 0
2 11 10,02mA 7,94mA 0
3 10 10,02mA 6,98mA 0
4 9 10,02mA 5,96mA 0
5 8 11,01mA 5,01mA 0
13 6 7 10,00mA 4,07mA 0
7 6 10,00mA 3,66mA 0
8 5 09,98mA 2,14mA 0
9 4 09,97mA 1,16mA 0
10 3 0,88mA 0,29mA 0
11 2 0mA 0mA 0
12 1 0mA 0mA 0
13 0 0mA 0mA 0

Vs Vgs Vg Is Id Ig
-3 15 09,03mA 11,92mA 0
-2 14 09,03mA 10,89mA 0
-1 13 09,03mA 9,90mA 0
0 12 09,03mA 8,87mA 0
1 11 09,03mA 7,94mA 0
2 10 09,03mA 6,92mA 0
3 9 09,03mA 5,98mA 0
4 8 09,03mA 4,97mA 0
12 5 7 09,03mA 4,02mA 0
6 6 09,03mA 3,11mA 0
7 5 09,03mA 2,08mA 0
8 4 0,43mA 1,21mA 0
9 3 0,33mA 0,34mA 0
10 2 0mA 0mA 0
11 1 0mA 0mA 0
12 0 0mA 0mA 0
Vs Vgs Vg Is Id Ig
-4 15 08,04mA 11,93mA 0
-3 14 08,06mA 10,87mA 0
-2 13 08,06mA 9,94mA 0
-1 12 08,06mA 8,87mA 0
0 11 08,06mA 7,97mA 0
1 10 08,06mA 7,10mA 0
2 9 08,06mA 5,99mA 0
3 8 08,06mA 5,01mA 0
11 4 7 08,06mA 4,05mA 0
5 6 08,06mA 3,06mA 0
6 5 08,06mA 2,12mA 0
7 4 0,49mA 1,19mA 0
8 3 0mA 0,32mA 0
9 2 0mA 0mA 0
10 1 0mA 0mA 0
11 0 0mA 0mA 0

Vs Vgs Vg Is Id Ig
-5 15 07,05mA 11,91mA 0
-4 14 07,05mA 10,94mA 0
-3 13 07,05mA 9,93mA 0
-2 12 07,05mA 8,89mA 0
-1 11 07,05mA 7,94mA 0
0 10 07,05mA 7,01mA 0
1 9 07,05mA 6,02mA 0
2 8 07,05mA 5,00mA 0
10 3 7 07,05mA 4,06mA 0
4 6 07,05mA 3,08mA 0
5 5 07,04mA 2,12mA 0
6 4 07,04mA 1,19mA 0
7 3 0,48mA 0,28mA 0
8 2 0mA 0mA 0
9 1 0mA 0mA 0
10 0 0mA 0mA 0
Vs Vgs Vg Is Id Ig
-6 15 06,02mA 11,94mA 0
-5 14 06,02mA 10,97mA 0
-4 13 06,02mA 9,94mA 0
-3 12 06,02mA 8,89mA 0
-2 11 06,02mA 7,94mA 0
-1 10 06,02mA 7,02mA 0
0 9 06,02mA 6,00mA 0
1 8 06,02mA 5,03mA 0
9 2 7 06,02mA 4,07mA 0
3 6 06,02mA 3,13mA 0
4 5 06,02mA 2,13mA 0
5 4 06,02mA 1,23mA 0
6 3 0,30mA 0,31mA 0
7 2 0mA 0mA 0
8 1 0mA 0mA 0
9 0 0mA 0mA 0

Vs Vgs Vg Is Id Ig
-7 15 05,03mA 11,93mA 0
-6 14 05,03mA 10,96mA 0
-5 13 05,03mA 9,98mA 0
-4 12 05,03mA 9,02mA 0
-3 11 05,03mA 8,01mA 0
-2 10 05,03mA 7,01mA 0
-1 9 05,03mA 6,04mA 0
0 8 05,03mA 5,01mA 0
8 1 7 05,03mA 4,06mA 0
2 6 05,03mA 3,11mA 0
3 5 05,03mA 2,12mA 0
4 4 05,03mA 1,20mA 0
5 3 0,67mA 0,33mA 0
6 2 0mA 0mA 0
7 1 0mA 0mA 0
8 0 0mA 0mA 0
Vs Vgs Vg Is Id Ig
-8 15 04,10mA 11,95mA 0
-7 14 04,10mA 10,96mA 0
-6 13 04,10mA 9,98mA 0
-5 12 04,10mA 8,95mA 0
-4 11 04,10mA 7,98mA 0
-3 10 04,10mA 7,04mA 0
-2 9 04,10mA 6,05mA 0
-1 8 04,10mA 5,02mA 0
7 0 7 04,10mA 4,11mA 0
1 6 04,10mA 3,10mA 0
2 5 04,10mA 2,15mA 0
3 4 04,10mA 1,35mA 0
4 3 0,57mA 0,35mA 0
5 2 0mA 0mA 0
6 1 0mA 0mA 0
7 0 0mA 0mA 0

Vs Vgs Vg Is Id Ig
-9 15 03,04mA 03,06mA 0
-8 14 03,04mA 03,06mA 0
-7 13 03,04mA 03,06mA 0
-6 12 03,04mA 03,06mA 0
5 11 03,04mA 03,06mA 0
-4 10 03,04mA 03,06mA 0
-3 9 03,04mA 03,06mA 0
-2 8 03,04mA 03,06mA 0
6 -1 7 03,04mA 03,06mA 0
0 6 03,04mA 03,06mA 0
1 5 03,04mA 03,06mA 0
2 4 03,04mA 03,06mA 0
3 3 0,56mA 03,06mA 0
4 2 0mA 0mA 0
5 1 0mA 0mA 0
6 0 0mA 0mA 0
Vs Vgs Vg Is Id Ig
-10 15 02,13mA 02,13mA 0
-9 14 02,13mA 02,13mA 0
-8 13 02,13mA 02,13mA 0
-7 12 02,13mA 02,13mA 0
-6 11 02,13mA 02,13mA 0
-5 110 02,13mA 02,13mA 0
-4 9 02,13mA 02,13mA 0
-3 8 02,13mA 02,13mA 0
5 -2 7 02,13mA 02,13mA 0
-1 6 02,13mA 02,13mA 0
0 5 02,13mA 02,13mA 0
1 4 02,13mA 02,13mA 0
2 3 02,13mA 02,13mA 0
3 2 0,85mA 0,36mA 0
4 1 0mA 0mA 0
5 0 0mA 0mA 0

Vs Vgs Vg Is Id Ig
-11 15 0,12mA 1,12mA 0
-10 14 0,12mA 1,12mA 0
-9 13 0,12mA 1,12mA 0
-8 12 0,12mA 1,12mA 0
-7 11 0,12mA 1,12mA 0
-6 10 0,11mA 1,12mA 0
-5 9 0,11mA 1,12mA 0
-4 8 0,11mA 1,12mA 0
4 -3 7 0,11mA 1,12mA 0
-2 6 0,11mA 1,12mA 0
-1 5 1,11mA 1,12mA 0
0 4 1,11mA 1,12mA 0
1 3 0,81mA 0,44mA 0
2 2 0mA 0mA 0
3 1 0mA 0mA 0
4 0 0mA 0mA 0
Vs Vgs Vg Is Id Ig
-12 15 0,24mA 03,00mA 0
-11 14 0,24mA 0,27mA 0
-10 13 0,24mA 0,26mA 0
-9 12 0,24mA 0,26mA 0
-8 11 0,24mA 0,26mA 0
-7 10 0,24mA 0,26mA 0
-6 9 0,24mA 0,26mA 0
-5 8 0,24mA 0,26mA 0
3 -4 7 0,24mA 0,26mA 0
-3 6 0,24mA 0,26mA 0
-2 5 0,24mA 0,26mA 0
-1 4 0,24mA 0,26mA 0
0 3 0,22mA 0,26mA 0
1 2 0 0mA 0
2 1 0 0mA 0
3 0 0 0mA 0

Vs Vgs Vg Is Id Ig
-13 15 0 0 0
-12 14 0 0 0
-11 13 0 0 0
-10 12 0 0 0
-9 11 0 0 0
-8 10 0 0 0
-7 9 0 0 0
-6 8 0 0 0
2 -5 7 0 0 0
-4 6 0 0 0
-3 5 0 0 0
-2 4 0 0 0
-1 3 0 0 0
0 2 0 0 0
1 1 0 0 0
2 0 0 0 0
Vs Vgs Vg Is Id Ig
-14 15 0 0 0
-13 14 0 0 0
-12 13 0 0 0
-11 12 0 0 0
-10 11 0 0 0
-9 10 0 0 0
-8 9 0 0 0
-7 8 0 0 0
1 -6 7 0 0 0
-5 6 0 0 0
-4 5 0 0 0
-3 4 0 0 0
-2 3 0 0 0
-1 2 0 0 0
0 1 0 0 0
1 0 0 0 0

Vs Vgs Vg Is Id Ig
-15 15 0 0 0
-14 14 0 0 0
-13 13 0 0 0
-12 12 0 0 0
-11 11 0 0 0
-10 10 0 0 0
-9 9 0 0 0
-8 8 0 0 0
0 -7 7 0 0 0
-6 6 0 0 0
-5 5 0 0 0
-4 4 0 0 0
-3 3 0 0 0
-2 2 0 0 0
-1 1 0 0 0
0 0 0 0 0
 BAB V
KESIMPULAN DAN SARAN

1.5 KESIMPULAN

Dalam mempelajari MOSFET, ada beberapa kesimpulan yang dapat diambil, antara
lain:

 MOSFET merupakan jenis transistor yang memiliki beberapa kelebihan, seperti

konsumsi daya yang rendah, kebisingan yang rendah, kecepatan yang tinggi, tahan
terhadap tegangan tinggi, tahan terhadap suhu tinggi, dan ukuran yang kecil.

 MOSFET memiliki beberapa tipe, salah satunya adalah MOSFET tipe n, yang
memiliki kelebihan-kelebihan seperti efisiensi yang lebih baik, konduktivitas yang
lebih baik, tegangan threshold yang lebih rendah, stabilitas termal yang lebih baik,
dan lebih mudah digunakan.

 Meskipun MOSFET memiliki banyak kelebihan, namun juga memiliki beberapa

kekurangan, seperti sensitivitas terhadap elektrostatis, tegangan maksimum yang
lebih rendah, rentang suhu kerja yang lebih sempit, risiko terjadinya efek saluran
pendek, dan keamanan dan keselamatan.

 Pemilihan jenis MOSFET yang tepat dan penggunaan yang sesuai dapat
mengoptimalkan kinerja MOSFET dan mencegah terjadinya kerusakan atau bahaya.

 Dalam mempelajari MOSFET, penting untuk memahami prinsip kerjanya, jenis-jenis

MOSFET, karakteristiknya, dan aplikasi-aplikasinya, sehingga dapat diterapkan
secara efektif pada berbagai sistem elektronik dan listrik.
2.5 SARAN

Berikut adalah beberapa saran yang dapat diperhatikan dalam merangkai MOSFET:

 Pastikan MOSFET yang digunakan sesuai dengan kebutuhan, seperti tegangan

dan arus yang dibutuhkan.

 Pastikan MOSFET terpasang dengan benar pada PCB atau heat sink, dan pastikan
konektor-konektor pada MOSFET terpasang dengan benar.

 Pastikan MOSFET dilengkapi dengan pelindung seperti over-voltage protection

dan over-current protection untuk mencegah kerusakan pada MOSFET akibat
tegangan atau arus yang berlebihan.

 Pastikan MOSFET dikontrol dengan sinyal yang sesuai dan tidak melebihi batas
tegangan atau arus MOSFET.

 Pastikan sirkuit yang menggunakan MOSFET dilengkapi dengan filter untuk

menghindari interferensi atau noise pada sinyal.

 Pastikan sirkuit yang menggunakan MOSFET dilengkapi dengan pengaturan suhu

yang tepat, terutama jika MOSFET digunakan pada suhu yang tinggi.

 Pastikan MOSFET dijaga dari elektrostatis dengan menggunakan peralatan yang

sesuai seperti gelang anti-statis atau meletakkan MOSFET pada wadah anti-statis.

 Pastikan MOSFET dilengkapi dengan pendingin yang sesuai, terutama

jika MOSFET digunakan dalam aplikasi yang membutuhkan daya tinggi.

 Sebelum merangkai MOSFET, pastikan telah mempelajari datasheet MOSFET

yang akan digunakan dan melakukan perhitungan untuk mendapatkan
konfigurasi sirkuit yang tepat.

 Dengan memperhatikan saran-saran tersebut, diharapkan rangkaian yang

menggunakan MOSFET dapat bekerja dengan optimal dan tidak mengalami
kerusakan akibat kesalahan dalam penggunaannya.
 DAFTAR PUSTAKA

A. B, “Unijunction Transistor (UJT) - Construction, Working, Characteristics Curve

&Applications,” electricalfundablog.com, 31-Mar-2023.

A, Douglas Pucknell. 1994. Basic VLSI Design. Australia: Prentice Hall. Chen, Wai Kai.
2000. The VLSI Handbook. Florida: CRC Press

Qian, Weikang, Riedel, Marc D., dkk. Jurnal IEEE Transaction On Computer-Aided
Design Of Integrated Circuits And Systems. Volume 30. No.09. September 2011.