PRATIKUM ELEKTRONIKA DASAR I

“KARAKTERISTIK MOSFET”

NAMA : AGUSTIAN

NIM : A1C317049

KELAS : FISIKA REGULER A 2017

KELOMPOK : VII ( TUJUH)

LABORATORIUM FISIKA

JURUSAN PENDIDIKAN MATEMATIKA DAN ILMU PENGETAHUAN ALAM

FAKULTAS KEGURUAN DAN ILMU PENDIDIKAN

UNIVERSITAS JAMBI

2018
 PERCOBAAN IX

A. JUDUL : KARAKTERISTIK MOSFET

B. TUJUAN :
1. Setelah melakukan praktikum, praktikan dapat mengidentifikasi
karakteristik MOSFET sebagai saklar dengan benar.
2. Setelah melakukan praktikum, praktikan dapat membedakan kaki- kaki
MOSFET dengan benar.

C. LANDASAN TEORI
Menurut Suyanto (2013 : 103-106) Penyedia catu daya cadangan
untuk beban Listrik Rumah Tangga secara otomatis, sangat diperlukan
sebagai upaya penanggulangan darurat saat terjadi pemutusan hubungan
aliran listrik ke konsumen. Adapun upaya yang dilakukan adalah dilakukan
pembuatan suatu peralatan catu daya berupa perancangan system Inverter 1
Fasa untuk kapasitas Beban 1200 Watt, merupakan sebuah peralatan yang
dapat berfungsi sebagai catu daya pengganti tetap dapat bekerja efisien dan
hemat energy. Jangka panjang waktu dari sebuah inverter mampu bekerja
tergantung dari kualitas baterai serta cara pemakaiannya. Sistem inverter ini
masih menggunakan mesin diesel yang berfungsi sebagai pembangkit tenaga
listriknya. Teknologi MOS (Metal Oxid Semiconductor) telah memberikan
solusi terhadap masalah yang terdapat pada pengembangan untai terpadu
(Integrated Circuit). Disamping itu untai MOSFET lebih kecil dibandingkan
dengan untai BJT. Rangkaian ini dibuat dengan menggunakan empat buah
MOSFET Q1,Q2,Q3 dan Q4 (IRF 820) yang dipasang secara seri.
MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)
adalah suatu transistor dari bahan sermikonduktor (silikon) dengan tingkat
konsentrasi ketidakmurmian tertentu. Tingkat dari ketidakmurnian ini akan
menentukan jenis transistor tersebut, yaitu transistor MOSFET tipe-N
(NMOS) dan transistor MOSFET tipe-P (PMOS). Bahan silicon digunakan
sebagai landasan tegangan (substrat) dari penguras (drain), sumber (source),
dan gerbang (gate). Selanjutnya transistor dibuat sedemikian rupa agar
substrat dan gerbangnya dibatas oleh oksida silicon yang sangat tipis. Oksida
ini diendapkan di atas sisi kiri dari kanal, sehingga transistor MOSFET akan
mempunyai kelebihan dibanding dengan transistor BJT (Bipolor Junction
Transistor) yaitu menghasilkan disipas daya yang rendah (Enny, 2016: 2-3).
Menurut Pajer (2015 : 18061-18065) This current measurement
principle has been developed for metal oxide semiconductor field effect
transistor (MOSFET) and is based on Uds Voltage measurement. The
temperature dependence of MOSFET conductive resistance RDS-ON is
considered in order to achieve the appreciate measurement Accuracy. The
‘’MOSFET sensor’’is also accompanied by a signal acquisition electronics
circuit with an appropriate frequency bandwith. The on – state resistance of
MOSFET ,RDS-ON,can act as the shunt resistance and can be used as it. The
MOSFET was clamped via a spring in the setup device.
Menurut Bishop (2002: 84-85) Untuk transistor terdapat beberapa
fitur dan karakteristik yang harus anda pertimbangkan sebelum menentukan
jenis yang tepat bagi aplikasi anda. Salah satunya adalah transistor junction
dua – kutub (bipolar junction transistor atau BJT ). Sedangkan yang lainnya
adalah MOSFET n-kanal (atau FET ). Transistor yang tergabung dalam
kelompok ini adalah jenis BJT serbaguna (general purpoe ), yang sangat
banyak tersedia di pasaran, murah dan diproduksi oleh beberapa pabrikan
yang berbeda.Nomor tipe tidak terlalu informative untuk dijadikan rujukan
dalam memilih sebuah transistor.
Menurut Sutrisno (1986: 182-189) MOSFET (Metal Oxide
Semiconductor Field Effect Transistor ) adalah suatu transistor efek medan
dengan pintu yang diberi lapisan oksida – silicon tapis yang bersifat isolator.
Rangkaian terpadu IC semacam ini disebut LSI (Large Scale Integration )
terbuat dari MOSFET,yaitu yang dikenal dengan MOS-LSI. Ada dua susunan
MOSFET daya, yaitu susunan VMOS dan susunan DMOS .Oleh sebab itu
MOSFET daya juga dikenal sebagai MOSFET vertical. Peranan tabung
hampa tersisih.
D. ALAT DAN BAHAN
1. Resistor (1 kΩ) = 2 pcs
2. Resistor (470 Ω) = 1 pcs
3. Transistor MOSFET (IRFZ44 N) = 1 pcs
4. Potensiometer 10 K =1 pcs
5. Multimeter = 1 unit
6. Project Board / Bridge Board = 1 unit
7. Jumper = secukupnya
8. Baterai 9 volt = 1 buah
9. Transformator = 1 buah

E. PROSEDUR PERCOBAAN
Transistor Mosfet sebagai saklar
1. Persiapkan semua peralatan dan bahan-bahan yang diperlukan saat
melaksanakan percobaan.
2. Periksa semua bahan dan peralatan, pastikan semua dalam kondisi yang
baik.
3. Buatlah rangkaian seperti gambar dibawah ini pada Project Board!

4. Atur tegangan potensiometer hingga tegangan pada potensiometer menjadi

2V. Amati karakteristik LED (ON/OFF).
5. Hubungkan Sunber tegangan positif (+) pada kaki Drain dan sumber
tegangan negative (-) pada kaki source , selanjutnya hubungkan multimeter
positif (+) kekaki drain dan multimeter negative (-) kekaki source.
 6. Ubah tegangan di sumber tegangan menjafi 3V,5V,7.5V catat hasil Vin dan
Voutnya lalu amati LED.
7. Carilah nilai ID menggunakan multimeter.

F. DATA HASIL

Vin Vout ID Keterangan LED

0 0v 0 Ampere -
2 - - -
3 5,46 v 0,01 Ampere Redup
4,5 7,19 v 0,02 Ampere Hidup
6 8,57 v 0,03 Ampere Hidup Terang

G. PEMBAHASAN

MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)

adalah suatu transistor dari bahan sermikonduktor (silikon) dengan tingkat
konsentrasi ketidakmurmian tertentu. Tingkat dari ketidakmurnian ini akan
menentukan jenis transistor tersebut, yaitu transistor MOSFET tipe-N
(NMOS) dan transistor MOSFET tipe-P (PMOS). Bahan silicon digunakan
sebagai landasan tegangan (substrat) dari penguras (drain), sumber (source),
dan gerbang (gate). Selanjutnya transistor dibuat sedemikian rupa agar
substrat dan gerbangnya dibatas oleh oksida silicon yang sangat tipis. Oksida
ini diendapkan di atas sisi kiri dari kanal, sehingga transistor MOSFET akan
mempunyai kelebihan dibanding dengan transistor BJT (Bipolor Junction
Transistor) yaitu menghasilkan disipas daya yang rendah.
Berdasarkan kegiatan praktikum yang telah dilakukan berjudul
karakteristik MOSFET, dimana MOSFET adalah suatu transistor efek medan
dengan pintu yang diberi lapisan oksida- silicon tapis yang bersifat osilator.
Rangkaian terpadu IC semacam ini disebut LSIC (Large Scale Integration)
terdapat MOSFET daya , yaitu susunan virus dan susunan DMOS. Oleh sebab
itu MOSFET daya juga dikenal sebagai MOSFET vertical.Adapun tujuan
dalam melakukan percobaan ini yakni, setelah melakukan
praktikum,praktikan dapat membedakan kaki-kaki MOSFET dengan benar
dan mengidentifikasi karakteristik MOSFET sebagai saklar dengan benar.
Adapun alat dan bahan yang dipergunakan dalam percobaan kali ini,
yakni sebuah resistor ( kΩ ) ,sebuah resistor (470 Ω ) , sebuah transistor
MOSFET ( IRF 244 N) ,sebuah potensiometer 10k,sebuah multimeter ,sebuah
project board / bridge board, secukupnya jumper,sebuah baterai 9 volt dan
sebuah transformator. Adapun prosedur percobaan yang dapat dilakukan ,
yakni dipersiapkan semua peralatan dan bahan – bahan yang diperlukan saat
melaksanakan percobaan ,diperiksa semua bahan dan peralatan,pastikan
semua dalam kondisi yang baik ,dibuatlah rangkaian pada papan project
board , diatur tegangan potensiometer hingga tegangan potensiometer
menjadi 2v,diamati karakteristik LED (ON/OFF). Dihubungkan sumber
tegangan positif (+) pada kaki drain dan sumber tegangan negative (-) pada
kaki source, selanjutnya dihubungkan multimeter positif (+) ke kaki drain dan
multimeter negative (-) ke kaki source. Diubah tegangan disumber tegangan
menjadi 3v, 5v, 7,5 v dicatat hasil Vin dan Voutnya lalu amati LED. Dicarilah
nilai ID meenggunakan multimeter.
Adapun hasil data yang didapatkan berdasarkan kegiatan praktikum
yang telah dilakukan yakni : pada Vin yaitu 0 dengan Vout adalah 0
volt,sedangkan pada ID adalaha 0 A sehingga keterangan LED tidak ada. Pada
percobaan kedua,Vin didapat 2 dengan Vout adalah tidak ada dan ID tidak ada
juga sedangkan keterangan lampu tidak ada. Pada percobana ketiga Vin
adalah 3 dengan Vout adalah 5,46 V dan ID adalah 0,01 Ampere dan
keterangan lampu LED adalah hidup. Pada percobaan keempat, Vin adalah
4,5 dan Vout adalah 7,19 V sedangkan ID adalah 0,02 Ampere dan keterangan
LED adalah hidup. Pada percobaan terakhir Vin adalah 6 v dan Vout adalah
8,57 v , sedangkan ID adalah 0,03 Ampere dan keterangan LED adalah lampu
terang.
Adapun karakteristik MOSFET pada daerah Cut off merupakan
saklar terbuka dengan arus drain ID ≈ 0 Ampere.Untuk mendapatkan kondisi
MOSFET dalam keadaan open maka tegangan gate Vgs harus lebih rendah
dari tegangan threshold Vth dengan cara menghubungkan terminal input
(gate) ke ground. Sehingga, MOSFET menjadi saturasi dan dapat
dianalogikan sebagai saklar pada kondisi tertutup.
MOSFET terdiri dari 3 kaki terminal,yaitu Gate (G), Drain (D) dan
Source (S). Drain adalah kaki output , Gate adalah kaki output dan Source (S)
adalah kaki sumber.Saat mendapat suplay daya, lampu LED indicator daya
pada papan Arduino akan menyala menandakan bahwa ia siap bekerja.LED
ini dapat digunakan sebagai output saat seseorang pengguna membuat sebuah
program dan ia membutuhkan sebuah penanda dari jalannya program
tersebut.
Rangkaian LDR atau Light Dependent Resistor adalah salah satu
komponen elektronika yang masih bisa dibilang sebagai resistor yang besar
resistansi nilai tahanannya bergantung pada intensitas cahaya yang menutupi
permukaan, diumana LDR yang digunakan dalam perancangan ini adalah
yang memiliki nilai resistansi sebesar 100 Ω dari pengukuran menggunakan
perangkat avometer. Itu sebabnya makin kuat intensitas cahaya maka makin
kecil nilai tahanannya dan makin lemah intensitas cahaya maka makin besar
nilai tahanannya.
Pada umumnya, rangakaian LDR digunakan sebagai sensor cahaya.
Cara kerja yang lebih baik. Namun, dari segi intensitas cahaya belum tenu
dapat memenuhi keinginan konsumen yang kebanyakan masih mengacu
dengan terang lampu compact fluorescent lamp (CFL) yang sudah banyak
dipakai dan beredar di pasaran. Hal ini juga berbeda dengan lampu CFL
(Compact Fluorescents) yang membutuhkan waktu untuk menyala terang
pada tingkat pencahayaan maksimal , lampu LED memberikan warna terang
seketika saat dinyalakan. Sehingga dalam hal ini, LED akan menyala bila ada
arus listrik mengalir dari anoda menuju katoda. Semakin tinggi arus yang
mengalir paa LED maka semakin terang pula cahaya yang dihasilkan, namun
perlu diperhatikan bahwa besarnya arus yang diperbolehkan 10mA-20mA
dan pada tegangan 1,6 v – 3,5 v menurut karakter warna yang dihasilkan.
Maka dari itu ,dengan tegangan arus yang diberikan sebanyak 6 volt dapat
menyebabkan lampu LED semakin terang dalan penyalaannya.
 Dalam kegiatan praktikum ini, dapat diketahui bahwa setiap masing-
masing percobaan yang dilakukan hingga akhirnya mendapatkan lampu
terang menyala pada arus 6V merupakan penyebab dari tegangan arus yang
besar sehingga intensitasn cahayanya semakin besar. Meskipun oercobaan
pada kelompok kami kali ini hanya melakukan dua kali dengan Vin yang
berbeda sehingga data yang lainnya didapatkan dari kelompok lain
dikarenakan penyediaan alat dan bahan yang terbatas, serta adanya sedikir
kekurangtelitian pada saat menggunakan alat. Meskipun demikian, tetap
melakukan percobaan agar dapat memahami lebih mendalam mengenai
percobaan yang telah dilakukan.

H. KESIMPULAN
Adapun kesimpulan dari kegiatan praktikum yang telah dilakukan yaitu :
1. Karakteristik MOSFET pada daerah cut-off merupakan saklar terbuka
dengan arus drain Id = 0 Ampere. Untuk mendapatkan kondisi MOSFET
dalam keadaan open maka tegangan gate Vgs harus lebih rendah dari
tegangan threshold Vth dengan cara menghubungkan terminal input (gate)
ke grpund. Sehingga MOSFET menjadi saturasi dan dapat dianalogikan
sebagai saklar pada kondisi tertutup.
2. MOSFET terdiri dari 3 kaki terminal , yaitu Gate (G), Draian (D) dan Source
(S).
a. Gate (G) adalah kaki input
b. Drain (D) adalah kaki output
c. Source (S) adalah kaki sumber
 DAFTAR PUSTAKA

Bishop,Owen. 2002. Dasar-Dasar Elektronika. Jakarta: Erlangga.

Enny. 2016. Optimalisasi Penggunaan Alat Pratikum Power Supply Switching
dengan Menggunakan Topologi Half Bridge Konverter sebagai Alat Bantu
Pratikum Elektronika Analog. Metana. Vol. 12 No. 1 ISSN: 1858-2907.
Pajer, Rok.,dkk. 2015. MOSFET As A Current Sensor On Power Electronics
Converters. Open Access Sensors .Vol.1.No.15. ISSN: 1424-8220.
Sutrisno. 1986. Elektronika Teori dan Penerapannya. Bandung: ITB.
Suyanto, Muhammad. 2013. Aplikasi Sistem Inverer 1 Fasa Dengan Kapasitas
Bebas 1200 Watt. Jurnal Teknologi Technoscientia. Vol.6.No.1. ISSN:1979-
8415.