LAPORAN

PRAKTIK ELEKTRONIKA DAYA

Oleh
Muhammad Harits
18066031
3ED3

DOSEN PENGAMPU:
Winda Agustiarni, S.Pd, M.Pd.T

PROGRAM STUDI D3 TEKNIK ELEKTRONIKA

JURUSAN TEKNIK ELEKTRONIKA - FAKULTAS TENIK
UNIVERSITAS NEGERI PADANG
2020
Fakultas Teknik – UNP Lembaran 04
Jurusan : Teknik Elektronika Mata Kuliah : Pr. Elektronika Daya
Waktu : 3 x70 Topik : MOSFET
Kode : ELA1.52.5003 Judul : Karakteristik MOSFET

A. Tujuan
a. Mahasiswa diharapkan dapat memahami karakteristik switching dari mosfet
b. Mahasiswa diharapkan dapat menggambarkan kurva karakteristik v-i masukan dan
keluaran mosfet.

B. Alat Dan Bahan

1. Multimeter 2 buah
2. DC Power supply 1 buah
3. Project board 1 buah
4. Mosfet IRFZ44 1buah
5. RD 10K, 0,5Watt 1 buah
6. RG 470 Ohm, 0,5Watt 1 buah
7. Kabel jumper secukupnya

C. Dasar Teori

MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) adalah suatu transistor dari
bahan semikonduktor (silikon) dengan tingkat konsentrasi ketidakmurnian tertentu.
Tingkat dari ketidakmurnian ini akan menentukan jenis transistor tersebut, yaitu transistor
MOSFET tipe-N (NMOS) dan transistor MOSFET tipe-P (PMOS).

Bahan silicon digunakan sebagai landasan (substrat) dari penguras (drain), sumber (source),
dan gerbang (gate). Selanjutnya transistor dibuat sedemikian rupa agar antara substrat dan
gerbangnya dibatasi oleh oksida silikon yang sangat tipis. Oksida ini diendapkan di atas
sisi kiri dari kanal, sehingga transistor MOSFET akan mempunyai kelebihan dibanding
dengan transistor BJT (Bipolar Junction Transistor), yaitu menghasilkan disipasi daya
yang rendah.
Bila dilihat dari cara kerjanya, transistor MOS dapat dibagi menjadi dua, yaitu:

1) Transistor Mode Pengosongan (Transistor Mode Depletion)

Pada transistor mode depletion, antara drain dan source terdapat saluran yang menghubungkan
dua terminal tersebut, dimana saluran tersebut mempunyai fungsi sebgai saluran tempat
mengalirnya elektron bebas. Lebar dari saluran itu sendiri dapat dikendalikan oleh
tegangan gerbang. Transistor MOSFET mode pengosongan terdiri dari tipe-N dan tipe-P,
simbol transistor ditunjukkan dalam Gambar 1.

2) Transistor Mode peningkatan (Transistor Mode Enhancement)

Transistor mode enhancement ini pada fisiknya tidak memiliki saluran antara drain dan
sourcenya karena lapisan bulk meluas dengan lapisan SiO2 pada terminal gate. Transistor
MOSFET mode peningkatan terdiri dari tipe-N dan tipe-P, simbol transistor ditunjukkan
dalam Gambar 2.
Dilihat dari jenis saluran yang digunakan, transistor MOSFET dapat dikelompokan menjadi
tiga, antara lain:

1) NMOS

Transistor NMOS terbuat dari substrat dasar tipe p dengan daerah source dan drain didifusikan
tipe n+ dan daerah kanal terbentuk pada permukaan tipe n. NMOS yang umumnya banyak
digunakan adalah NMOS jenis enhancement, dimana pada jenis ini source NMOS
sebagian besar akan dihubungkan dengan –Vss mengingat struktur dari MOS itu sendiri
hampir tidak memungkinkan untuk dihubungkan dengan +Vdd. Dalam aplikasi gerbang
NMOS dapat dikombinasikan dengan resistor, PMOS, atau dengan NMOS lainnya sesuai
dengan karakteristik gerbang yang akan dibuat. Sebagai contoh sebuah NMOS dan
resistor digabungkan menjadi sebuah gerbang NOT. Negatif MOS adalah MOSFET yang
mengalirkan arus penguras sumber menggunakan saluran dari bahan electron, sehinga
arus yang mengalir jika tegangan gerbang lebih positif dari substrat dan nilai mutlaknya
lebih besar dari VT (Voltage Treshold). Skematik MOSFET tipe-n ditunjukkan dalam
Gambar 3.

2) PMOS

Transistor PMOS terbuat dari substrat dasar tipe-n dengan daerah source dan drain didifusikan
tipe p+ dan deerah kanal terbentuk pada permukaan tipe p. Positif MOS adalah MOSFET
yang mengalirkan arus penguras sumber melalui saluran positif berupa hole, dimana arus
akan mengalir jika tegangan gerbang lebih negative terhadap substrat dan nilai mutlaknya
lebih besar dari VT. PMOS yang umumnya banyak digunakan adalah PMOS jenis
enhancement, dimana pada jenis ini source PMOS sebagian besar akan dihubungkan
dengan +Vdd mengingat struktur dari MOS itu sendiri hampir tidak memungkinkan untuk
dihubungkan dengan -Vss. Dalam aplikasi gerbang PMOS dapat dikombinasikan dengan
resistor, NMOS, atau dengan PMOS lainnya sesuai dengan karakteristik gerbang yang
akan dibuat. Sebagai contoh sebuah PMOS dan resistor digabungkan menjadi sebuah
gerbang NOT.

3) CMOS (Complementary MOS)

MOSFET tipe complementary ini mengalirkan arus penguras sumber melalui saluran tipe-
 n dan tipe-p secara bergantian sesuai dengan tegangan yang dimasukkan pada gerbangnya
(gate).

D. Langkah Kerja
1. Rangkailah peralatan–peralatan percobaan sesuai dengan Gambar berikut:

1. Aktifkan sumber tegangan DC yang mencatu mosfet (tegangan VDD)

2. Aktifkan Tegangan catu VGG. Kemudian naikkan perlahan – lahan sesuai dengan
range tegangan yang ditentukan. Gunakanlah Voltmeter DC untuk mengecek nilai
tegangan tersebut.
3. Amatilah besarnya arus ID dan IG pada Amperemeter saat tegangan catu VGG
dinaikkan.
4. Lakukan pengukuran besar tegangan pada terminal Drain-Source (VDS),
tegangan.
5. pada terminal Gate-Source (VGS) dan tegangan pada beban RD mulai saat VGG
= 0 V sampai saat tegangan catu VGG dinaikkan.
6. Catatlah data hasil pengukuran yang Saudara lakukan pada tabel berikut

VGG( VDD (v) ID(A) VGS (v) VDS(v) VRD (V)

v)
0 10V 0.0 A 0.0 V 9.90 V 0.10V
2 10V 0.1mA 0.0 9.90V 0.10 V
4 10V 1 mA 0.0 0.0 10 V
6 10V 1 mA 0.0 0.0 10 V
8 10V 1 mA 0.0 0.0 10 V
10 10V 1 mA 0.0 0.0 10 V

7. Ulangi langkah 3 sampai dengan f untuk masing-masing data tegangan catu (VGG)
8. Gambarlah Grafik karakteristik v-i masukan dan keluaran MOSFET dengan
menggunakan data – data pada Tabel 1.
9. Lakukan analisa secara teori terhadap percobaan yang telah dilakukan. Kemudian
bandingkan hasilnya dengan hasilpercobaan.
10. Buatlah kesimpulan dari hasil analisa yang saudara lakukan

Grafik karakteristik