PENGUAT FET

Praktikan: Nicholas Melky S Sianipar (13206010)

Asisten: Saiful
Waktu Percobaan: 8 April 2009
EL2140 Praktikum Elektronika
Laboratorium Dasar Teknik Elektro
Sekolah Teknik Elektro dan Informatika ITB

Abstrak
Pada praktikum ini praktikan mencoba kit praktikum yang
berisi rangkaian percobaan karakteristik FET yaitu
transistor FET dan komponen rangkaian penguat
berkonfigurasi lainnya. Dengan menggunakan 3 buah
multimeter, praktikan dapat memahami dan mengamati
karakteristik transistor yaitu tegangan dan arus diantara
diketiga kakinya. Dengan mengubah-ubah kondisi
rangkaian, seperti tegangan yang akan mengakibatkan
perubahan arus, maka praktikan dapat memproyeksikan
data-data tersebut pada kurva yang dapat menghasilkan
beberapa kesimpulan. Namun juga, praktikan mencoba
rangkaian-rangkaian penguat FET seperti rangkaian
percobaan common source dan kedua konfigurasi penguat
lainnya. Dan dari hasil pengamatan tersebut, praktikan
dapat mengamati bagaimana karakteristik rangkaian
penguat FET dan bermacam-macam output ketiga
penguat berkonfigurasi ini.

Halaman

Pada Praktikum Elektronika EL2140 yang keempat ini,

bertujuan agar praktikan dapat melakukan percobaan dan
pengamatan secara langsung mengenai komponen
elektrik, yaitu transistor. Jenis transistor yang digunakan
pada praktikum adalah Field Effect Transistor / FET yang
bertipe CD4007UB. Dan karakteristik yang diukur
praktikum ini adalah ID, Vt, VGS, VDS dan gm dari transistor.
Dari data-data pecobaan praktikan akan mencoba
memamahai keterkaitan antara kondisi karakteristik arustegangan tersebut. Untuk tegangan yang digunakan
adalah VCC sebesar 10V dari power supply. Dan untuk

1. Pendahuluan

percobaan memahami penguat common source, Vin adalah

sebesar 50 mVpp dengan frekuensi 10KHz. Dengan
berbagai rangkaian tersebut, diharapkan praktikan dapat
memahami karakteristik FET dan aplikasinya.
2. Dasar Teori
Transistor
FET
adalah
transistor
yang
bekerja
berdasarkan efek medan elektrik yang dihasilkan oleh
tegangan yang diberikan pada kedua ujung terminalnya.
Mekanisme kerja transistor ini berbeda dengan transistor
BJT. Pada transistor ini, arus yang dihasilkan/dikontrol dari
Drain (analogi dengan kolektor pada BJT), dilakukan oleh
tegangan antara Gate dan Source (analogi dengan Base
dan Emiter pada BJT). Bandingkan dengan arus pada Base
yang digunkan untuk menghasilkan arus kolektor pada
transistor BJT. Jadi, dapat dikatakan bahwa FET adalah
transistor yang berfungsi sebagai konverter tegangan ke
arus.
Transistor FET memiliki beberapa keluarga, yaitu JFET
dan MOSFET. Pada praktikum ini akan digunakan
transistor MOSFET walaupun sebenarnya karakteristik
umum dari JFET dan MOSFET adalah serupa.
Karakteristik umum dari transistor MOSFET dapat
digambarkan pada kurva yang dibagi menjadi dua, yaitu
kurva karakteristik ID vs VGS dan kurva karakteristik ID vs
VDS. Kurva karakteristik ID vs VGS diperlihatkan pada
gambar di bawah ini. Pada gambar tersebut terlihat bahwa
terdapat VGS minimum yang menyebabkan arus mulai
mengalir. Tegangan tersebut dinamakan tegangan
threshold, Vt. Pada MOSFET tipe depletion, Vt adalah
negative, sedangkan pada tipe enhancement, Vt adalah
positif.

Transistor FET

Halaman

2.1

Gambar 2.1-1 Karakteristik Transistor FET (VGS ID)

Pada gambar tersebut terlihat bahwa terdapat VGS

minimum yang menyebabkan arus mulai mengalir.
Tegangan tersebut dinamakan tegangan threshold, Vt.
Pada MOSFET tipe depletion, Vt adalah negative,
sedangkan pada tipe enhancement, Vt adalah positif.
Kurva karakteristik ID vs. VDS ditunjukkan oleh gambar di
bawah ini. Pada gambar tersebut terdapat beberapa kurva
untuk setiap VGS yang berbedabeda. Gambar ini
digunakan untuk melakukan desain peletakan titik
operasi/titik kerja transistor. Pada gambar ini juga
ditunjukkan daerah saturasi dan Trioda.

Gambar 2.1-2 Karakteristik Transistor FET (VDS ID)

Untuk menggunakan transistor MOSFET sebagai penguat,

maka transistor harus berada dalam daerah saturasinya.
Hal ini dapat dicapai dengan memberikan arus ID dan
tegangan VDS tertentu. Cara yang biasa digunakan dalam
mendesain penguat adalah dengan menggambarkan garis
beban pada kurva ID vs VDS. Setelah itu ditentukan Q
pointnya yang akan menentukan ID dan VGS yang harus
dihasilkan pada rangkaian.
Setelah Q point dicapai, maka transistor telah dapat
digunakan sebagai penguat, dalam hal ini, sinyal yang

Penguat FET

Halaman

2.2

diperkuat adalah sinyal kecil (sekitar 4050 mVpp dengan

frekuensi 110 kHz).
Terdapat 3 konfigurasi penguat pada transistor MOSFET,
yaitu
1. Common Source
2. Common Gate
3. Common Drain
Ketiganya memiliki karakteristik yang berbedabeda dari
faktor penguatan, resistansi input, dan resistansi output.
Tabel berikut ini merangkum karakteristik dari ketiga
konfigurasi tersebut.

Gambar 2.2-1 Rangkuman Karakteristik Ketiga Konfigurasi

Rangkai kit
praktikum dan
posisikan terminal
Multimeter sesuai
model rangkaian.

Lakukan
pengukuran pada
Multimeter

Nyalakan Power
Supply untuk
tegangan pada
kaki transistor
sesuai nilai yang
ditentukan

Gambar 3-1 Metodologi Percobaan

Pada kit praktikum telah tersedia komponen yang akan

dilakukan pada percobaan. Praktikan dipermudah karena
cukup menghubung-hubungkan komponen tersebut sesuai
model rangkaian beserta 3 buah multimeter yang dipakai
untuk mengukur arus dan tegangan pada kaki transistor.
Power supply disetting sebesar 10V sebagai V CC rangkaian.
Untuk VIN pada rangkaian bias, akan telebih dahulu

Halaman

Proyeksikan
pengukuran pada
grafik dan
Lakukan analisis

3. Metodologi

dilakukan kalibrasi osiloskop, dan pengukuran amplitude

dan frekuensi sinyal dari generator sinyal yang tepat.
4. Hasil dan Analisis
4.1

Kurva Karakteristik Transistor MOSFET

Gambar 4.1-1 Rangkaian Pengukuran VGS ID

Hasil pengukuran dari rangkaian karakteristik transistor

pada Gambar 4.1-1 dilakukan dengan mengubah-ubah
tegangan VGS. Akibat perubahan pada VGS, dapat diukur
perubahan ID. Data yang diperoleh dapat dilihat pada tabel
berikut.
Tabel 4.1-1 Karakteristik ID-VGS
VGS
(V)
0
1.5
2
2.5
3
4
5
7.5

ID
(mA)
0
0
0.12
0.39
0.81
1.92
3.44
8.23

Apabila data karakteristik diatas diproyeksikan dalam

sebuah kurva, diperoleh kurva sebagai berikut.
Halaman

10
8
6
4
2
0
0

Gambar 4.1-2 Kurva Karakteristik ID-VGS

Dari data diatas dapat diamati bahwa arus ID meningkat

apabila VGS meningkat juga. Arus ID meningkat dengan
cepat ketika VBE diantara 0,25V-0,7V. Peningkatan ini
terlihat jelas secara eksponensial. Hal ini sama dengan
perhitungan matematis pada sifat yang menyerupai
transistor BJT. Dan VGS antara 0V-0,25V merupakan
tegangan cut-off yang ditunjukan dengan nilai ID nol. Dan
besar tegangan threshold adalah sebesar 0.25 V.

Gambar 4.2-1 Rangkaian Percobaan Karakteristik ID-VDS

Pada praktikum ini digunakan dua sumber tegangan yang

besarnya dapat dipilih untuk menentukan tegangan pada
kaki-kaki transistor. Oleh sebab itu tidak diperlukan lagi
pengukuran tegangan menggunakan multimeter karena
telah tertampil pada power supply. Jadi dengan mengubahubah tegangan VDS dari power supply, dapat diukur
perubahan ID untuk setiap besar tegangan VGS yang
berbeda-beda, seperti pada tabel berikut.
Tabel 4.2-1 Karakteristik Output Ic-VCE
VGS=
7V
0
0.91

VGS=
9V
0
1.12

1.29

1.94

2.33

ID (mA)
VGS=
VGS=
4V
5V
0
0
0.51
0.66

1.55

2.19

3.59

4.16

0.83

1.82

3.1

5.57

7.45

0.41

0.84

1.86

3.23

6.61

9.53

Halaman

VDS
(V)
0
0.25

VGS=
2V
0
0.1

VGS=
2.5V
0
0.23

VGS=
3V
0
0.35

0.5

0.13

0.35

0.61

0.99

0.13

0.4

0.8

0.13

0.41

0.13

0.13

0.42

0.84

1.87

3.26

6.91

10.73

0.14

0.42

0.84

1.88

3.28

6.97

11.14

0.14

0.42

0.85

1.89

3.29

7.0

11.23

0.14

0.42

0.85

1.9

3.31

7.02

11.27

0.14

0.42

0.86

1.91

3.31

7.04

11.27

0.14

0.43

0.86

1.91

3.32

7.05

11.28

Apabila data tabel diatas diproyeksikan dalam sebuah

kurva, diperoleh kurva sebagai berikut.
12
10
8
6
4
2
0
0

10

Halaman

Dari kurva diatas dapat diamati bahwa arus I D meningkat

sangat cepat sampai ketika VDS disekitar 0.4V. Namun
ketika VDS bernilai lebih besar dari 0.4V kurva I D
meningkat dengan lambat dengan suatu kemiringan /
slope yang lebih kecil. Fenomena ini hampir sama pada
penguat BJT yaitu Early Effect. Namun yang paling dapat
diamati perbedaannya adalah untuk suatu nilai VGS
menghasilkan suatu kurva ID tersendiri yang mana
semakin besar nilai VGS maka nilai ID beserta tegangan
thresholdnya juga semakin besar. Dari sifat ini dapat
disimpulkan bahwa ID bergantung / merupakan fungsi dari
nilai VGS. Ini adalah sifat dari transistor pada keadaan
active. Untuk itu daerah kerja transistor terlihat jelas yaitu
trioda region sampai pada VDS = 4V dan daerah cut-off
seperti pada kurva ID untuk VDS = 0V yang nilainya nol /
sejajar sumbu datar kurva tersebut.

Gambar 4.2-2 Kurva Karakteristik ID-VDS

4.2

Desain Q-Point

Gambar 4.2-1 Merancang Load Line (garis beban)

Gambar 4.2-2 Menentukan Q Point pada kurva

Pada kurva karakteristik ID vs. VDS setelah dirancang load

line (garis beban) seperti pada Gambar 4.2-2 dapat kita
hitung gm dengan terlebih dahulu mencari nilai K
berdasarkan formula dan perhitungan berikut.
iD K (vGS Vt ) 2

3.23 x103 K (5 0.25) 2

K 0.00014316

Dan setelah diketahui konstanta K dapat diperhitungkan

nilai gm seperti berikut.
g m 2 K (vGS Vt )
g m 0.00028632(5 0.25)

Halaman

g m 1.36 x103

Gambar 4.2-3 Merancang Q-Point dengan menentukan gm dari gradien

Gambar 4.2-4 Menghitung Gradien pada kurva ID-VGS untuk mendapatkan gm

Pada gambar dapat diketahui gm dengan menghitung

gradien pada rancangan Q-Point sebelumnya yaitu pada
titik VGS = 5V. Hasil gm tersebut adalah sebagai berikut.
gm

3.44 1.92
1.52 x103
54

Dapat dilihat hasil kedua perhitungan gm hampir

mendekati sama. Sedikit perbedaaan tersebut disebabkan
beberapa hal, salah satu diantaranya karena ketidak linier
nya kurva pada saat pengukuran yang disebabkan
kurangnya presisi pada saat pengukuran.
Penguat Common Source

Gambar 4.3-1 Rangkaian Penguat Berkonfigurasi Common Source

Halaman

4.3

Gambar 4.3-2 Hasil Output penguat FET

Namun karena keterbatasan waktu kelompok kami hanya

sempat melihat sekilas hasil output penguat FET dan tidak
mengukur resistansi input atau outputnya. Dari gambar
dapat dilihat bahwa penguatan cukup besar (hamper
menyerupai penguat BJT berkonfigurasi Common Base).

5. Kesimpulan
Transistor FET memiliki juga karakteristik yang unik
seperti transistor BJT yatiu arus ID yang merupakan fungsi
dari VGS dan arus ID yang merupakan fungsi penguatan
dari VDS sebesar . Transistor FET juga memiliki 3 wilayah
kerja yaitu trioda region, saturation region dan cut-off
region yang dapat diperoleh dari sifat karakteristik ID
terhadap VGS. Tegangan threshold dapat diperoleh ketika
transistor memulai bersifat konduksi yang dapat dilihat
pada saat ID lebih dari 0A. Dari perhitungan tersebut
dapat dicari pula karakteristik gm-nya. Transistor FET
dapat digunakan pula sebagai penguat dengan berbagai
konfigurasi seperti pada penguat BJT.
6. Daftar Pustaka
[1] A. S. Sedra et.al., Microelectronic Circuits 5th Ed, Hal.
377-458, Oxford University Press, New York, 2004

10

Mervin T. Hutabarat, Petunjuk Praktikum Elektronika

EL-2140, Hal 13-24, Laboratorium Dasar Teknik Eletro
STEI-ITB, Bandung, 2009

Halaman

[2]