Percobaan IV

Karateristik dan Penguat BJT

Rinaldi Madani Pakpahan (14s16032)
Tanggal Percobaan : 16/03/2018
[ELS2202] [Elektronika I]
[Laboratorium Dasar Teknik Elektro] – Teknik Elektro
Institut Teknologi Del

Abstrak— Pada praktikum karateristik dan penguat FET

dilakukan beberapa percobaan yang diantaranya melakukan II. LANDASAN TEORETIS
testing transistor dari kurva karateristik id-Vgs kita dapat
mengetahui besarnya tegangan threshold transistor. Dari A. Transistor FET.
kurva karateristik tersebut dapat mengetahui daerah kerja
transistor yaitu daerah triode, daerah saturasi, dan daerah cut-off. Transistor FET adalah transistor yang bekerja berdasarkan
Transistor memiliki tiga konfigurasi yaitu common source(input efek medan elektrik yang dihasilkan oleh tegangan yang
pada gate dan outputnya pada drain), commong gate (input pada diberikan pada kedua ujung terminalnya. Mekanisme kerja
source dan output pada drain), dan commong drain (input pada transistor ini berbeda dengan transistor BJT. Pada transistor
gate dan outputnya pada source). Selanjutnya dilakukan ini, arus yang dihasilkan/dikontrol dari Drain (analogi dengan
percobaan untuk menghitung nilai besarnya penguatan, resistansi kolektor pada BJT), dilakukan oleh tegangan antara Gate dan
input, dan resistansis Output untuk konfigurasi tersebut. Tujuan
Source (analogi dengan Base dan Emiter pada BJT).
dari praktikum kali ini adalah mengetahui dan mempelajari
karateristik transistor FET, memahami penggunaan FET sebagai Bandingkan dengan arus pada Base yang digunkan untuk
penguat untuk konfigurasi common source, common gate, dan menghasilkan arus kolektor pada transistor BJT. Jadi, dapat
common drain, dan memahami resistansi input dan output untuk dikatakan bahwa FET adalah transistor yang berfungsi sebagai
ketiga konfigurasi tersebut. “konverter” tegangan ke arus.Transistor FET memiliki
beberapa keluarga, yaitu JFET dan MOSFET. Pada praktikum
Kata Kunci—Transistor, Commong Surce, Common Gate, ini akan digunakan transistor MOSFET walaupun sebenarnya
Common Drain. karakteristik umum dari JFET dan MOSFET adalah serupa.
Karakteristik umum dari transistor MOSFET dapat
digambarkan pada kurva yang dibagi menjadi dua, yaitu kurva
I. PENDAHULUAN karakteristik ID vs VGS dan kurva karakteristik ID vs VDS.
Field Effect Transistor (FET) adalah salah satu jenis Kurva karakteristik ID vs VGS diperlihatkan pada gambar
transistor yang menggunakan medan listrik untuk berikut. Pada gambar tersebut terlihat bahwa terdapat VGS
megendalikan konduktifitas suatu kanal dari jenis pembawa minimum yang menyebabkan arus mulai mengalir. Tegangan
muatan tunggal dalam bahan semikonduktor. Pada praktikum tersebut dinamakan tegangan threshold, Vt. Pada MOSFET
karateristik dan penguat FET dilakukan beberapa percobaan tipe depletion, Vt adalah negative, sedangkan pada tipe
yang diantaranya melakukan testing transistor dari kurva enhancement, Vt adalah positif.
karateristik id-Vgs kita dapat mengetahui besarnya tegangan
threshold transistor. Jenis transistor yang digunakan pada
praktikum karateristik dan penguat FET adalah yang bertipe
CD4007UBE. Dan karateristik yang diukur pada praktikum ini
adalah ID, Vt, Vgs, VDS, dan gm dari transistor. Berdasarkan
hasil dari praktikum akan dilakukan pemahaman dan
penganalisisan terhadap data tersebut dan disimpulkan. Tujuan
dari praktikum karateristik dan penguat FET adalah sebagai
berikut:
a. Mengetahui dan mempelajari karateristik transistor
FET.
b. Memahami penggunaan FET sebagai penguat untuk
konfigurasi common source, common gate, dan
common drain.
c. Memahami resistansi input dan output untuk ketiga
konfigurasi tersebut. Gambar1. Karateristik Transistor FET (VGS-ID).
Pada gambar tersebut terlihat bahwa terdapat VGS minimum III. HASIL DAN ANALISIS
yang menyebabkan arus mulai mengalir. Tegangan tersebut
A. Kurva Karateristik Transistor MOSFET.
dinamakan tegangan threshold, Vt. Pada MOSFET tipe
depletion, Vt adalah negative, sedangkan pada tipe
enhancement, Vt adalah positif. Kurva karakteristik ID vs.
VDS ditunjukkan oleh gambar di bawah ini. Pada gambar
tersebut terdapat beberapa kurva untuk setiap VGS yang
berbeda-beda. Gambar ini digunakan untuk melakukan desain
peletakan titik operasi/titik kerja transistor. Pada gambar ini
juga ditunjukkan daerah saturasi dan Trioda.

Gambar4. Rangkaian Pengukuran VGS-ID.

Hasil pengukuran dari rangkaian karateristik transistor pada
gambar diatas dilakukan dengan mengubah-ubah tegangan
VGS. Akibat perubahan pada VGS, dapat diukur perubahan ID.
Data yang diperoleh adalah sebagai berikut.
VGS (V) ID (mA)
0 0.01
1.5 0.02
2 0.02
2.5 0.03
3 0.08
3.5 0.12
Gambar2. Karateristik Transistor FET (VDS-ID). 4 0.19
B. Penguat FET. 5 0.38
7.5 0.69
Untuk menggunakan transistor MOSFET sebagai penguat,
maka transistor harus berada dalam daerah saturasinya. Hal ini
dapat dicapai dengan memberikan arus ID dan tegangan VDS
tertentu. Cara yang biasa digunakan dalam mendesain penguat
adalah dengan menggambarkan garis beban pada kurva ID vs
VDS. Setelah itu ditentukan Q point-nya yang akan
menentukan ID dan VGS yang harus dihasilkan pada
rangkaian. Setelah Q point dicapai, maka transistor telah dapat
digunakan sebagai penguat, dalam hal ini, sinyal yang
diperkuat adalah sinyal kecil (sekitar 40-50 mVp-p dengan
frekuensi 1-10 kHz). Terdapat tiga konfigurasi penguat pada
transistor MOSFET, yaitu
 Common Source
 Common Drain
 Common Gate
Ketiganya memiliki karakteristik yang berbeda-beda dari
faktor penguatan, resistansi input, dan resistansi output. Tabel
berikut ini merangkum karakteristik dari ketiga konfigurasi
tersebut.

Apabila data yang dihasilkan diproyeksikan kepada sebuah

kurva, diperoleh kurva sebagai berikut:

Gambar3. Rangkuman Karateristik Ketiga Konfigurasi.

 10

0
1 2 3 4 5 6 7 8 9

VGS (V) ID (mA)

Gambar5. Kurva Karateristik VGS-ID.

Berdasarkan data dan kurva yang dihasilkan dari data yang

didapat dapat disimpulkan bahwa arus ID akan meningkat
apabila VGS juga meningkat. Peningkatan tersebut dapat
terlihat jelas dengan eksponensial. Tegangan threshold adalah Apabila data dibuat menjadi dalam bentuk kurva maka,
2.5 V diperoleh kurva sebagai berikut:
40
B. Kurva ID vs VDS.
30

20

10

0
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15
-10

Series1 Series2 Series3 Series4

Gambar6. Rangkaian Percobaan Karateristik ID-VDS. Series5 Series6 Series7 Series8

Pada praktikum karateristik dan penguat FET digunakan dua Gambar6. Kurva Karateristik I D-VDS.
sumber tegangan yang besarnya dapat diatur pada kaki-kaki
transistornya. Maka diperlukan lagi multimeter untuk Berdasarkan data dan kurva yang diperoleh dapat dilihat
mengukur nilai dari ID yang dihasilkan dengan mengubah- bahwa ID meningkat dengan cepat. Percobaan kali ini hampir
ubah nilai VDS. Sehingga didapat data sebagai berikut: mirip dengan percobaan transistor BJT pada percobaan early
effect hanya terdapat perbedaan pada ketika pada ID semakin
ID (mA)
meningkat maka VGS juga meningkat dan juga tegangan
VDS VGS (V)
thersholdnya juga meningkat. Berdasarkan hal ini juga dapat
2 2.5 3 4 5 7 9
disimpulkan bahwa ID bergantung pada VGS.
0 - - - - - - -
0.02 0.02 0.02 0.02 0.02 0.02 0.02 C. Desain Q point.
0.25 - - - - - - - Analisis : Titik Q ditentukan pada saat ID = 0,37 mA,
0.02 0.02 0.01 0.02 0.02 0.02 0.02 dengan VGS = 4 V, dan VDS = 7 V
0.5 - - - - - - - Sehingga dapat diperoleh :
0.02 0.01 0.01 0.02 0.02 0.02 0.02
iD  K (vGS  Vt )2
1 0 0 - - - - -
0.01 0.01 0.01 0.01 0.01 0,37 𝑚𝐴 = 𝐾 (4 − 0,5)2
2 0.11 0.11 0.11 0.11 0.11 0.11 0.11 0,37 𝑚𝐴 = 𝐾 (3,5)2
3 0.24 0.24 0.25 0.25 0.23 0.23 0.22 0,37 𝑚𝐴 = 𝐾(12,25)
4 0.37 0.36 0.37 0.37 0.37 0.37 0.36 𝐾 = 0,000030204
5 0.49 0.5 0.5 0.5 0.49 0.5 0.49 𝑔𝑚 = 2𝐾 (𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑡 )
6 0.67 0.62 0.62 0.62 0.62 0.61 0.6 𝑔𝑚 = 2(0,000030204) (4 − 0,5)
7 0.75 0.74 0.75 0.74 0.75 0.74 0.73 𝑔𝑚 = 0,000211428
8 0.87 0.87 0.87 0.86 0.86 0.87 0.85 𝑔𝑚 = 211,428 𝑥 10−3
9 0.98 0.98 0.99 0.99 0.98 0.98 0.97
 Vgs = 3
IV. SIMPULAN
0.4
1. Transistor FET memiliki karateristik unik yaitu arus
0.3 y = 0.0186x + 0.1074
ID yang merupakan fungsi dari VGS dan arus ID yang
0.2 merupakan penguatan dari VDS sebesar β.
2. Tegangan threshold dapat diperoleh ketika transistor
0.1 memulai bersifat konduksi yang dapat dilihat saat ID
0 lebih dari 0 A.
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 3. Transistor FET memiliki daerah kerja yang hampir
sama dengan transistor BJT. Pada FET terdapat tiga
Vgs = 3 yaitu, saturasi, cut-off, dan triode region.

REFERENSI
Berdasarkan data yang didapat dari perhitungan dan kurva
diatas dapat disimpulkan bahwa adanya perbedaan nilai yang 1. Pandapotan Siagian,”Petunjuk Praktikum Elektronika
cukup jauh dari hasil yang didapat dari perhitungan dan dari I, Laboratorium Dasar Teknik Elektro”,
kurva, hal ini disebabkan adanya hal-hal tertentu yang Sitoluama,2015.
menyebabkan hal tersebut dapat terjadi. Salah satu diantaranya 2. Buece, F. 1998. Principles Of Physics. United State Of
ketidaklinearnya kurva saat pada pengukuran yang disebabkan America:Mcgraw-Hill. Inc.
kurangnya presisi pada saat pengukuran. 3. https://teknikelektronika.com/pengertian-field-effect-
transistor-fet-dan-jenis-jenisnya/. Diakses tanggal 19
D. Faktor Penguatan, Maret 2018.
Pada percobaan faktor penguatan hasil yang didapat tidak ada
karena pada saat praktikum, kurangnya waktu sehingga
percobaan faktor penguatan tidak dapat dilakukan.
Lampiran