BAB I PENDAHULUAN 1.1.Tujuan Percobaan 1. 2.

Memahami Karakteristik transistor BJT & FET Memahami bentuk dan karakteristik dari kurva kolektor,kurva basis dan kurva beta () 3. 4. Memahami tiga daerah kurva kolektor,yaitu :Jenuh,aktif dan cut off Memahami bentuk dan karakteristik kurva drain dan kurva

transkonduktansi

1.2. Dasar Teori Karakteristik transistor disajikan dengan kurva karakteristik yang menggambarkan kerja transistor. Akan ditinjau tiga kurva karakteristik yaitu kurva kolektor,kurva basis,dan kurva beta(). 1. Karakteristik transistor BJT a. Karakteristik Kolektor Untuk mempelajari karakteristik transistor,maka transistor dipasang dalam Untai seperti pada gambar :

Gambar 1.2.1. Rangkaian Karakteristik Kolektor Kurva karakteristik kolektor merelasikan Ic dan VCE dengan IB sebagai parameter. Pada gambar terlihat bahwa kurva kolektor terbagi menjadi 3 daerah ,yaitu jenuh,aktif,dan cutt off. 1) Daerah Jenuh(Saturasi) adalah daerah dengan VCE kurang dari tegangan lutut (knee) Vk. Daerah jenuh terjadi bila sambungan emitter dan sambungan basis bersikap maju.pada daerah jenuh,arus kolektor tidak bergantung pada nilai IB.
Karakteristik Transistor BJT dan FET 1

Tegangan jenuh kolektor-emiter,VCE(sat) untuk transistor silikon adalah 0,2 V,sedangkan untuk transistor germanium adalah 0,1 V 2) Daerah aktif adalah antara tegangan lutut VK dan tegangan dadal (Breakdown) VBR serta diatas IB = ICO.Daerah aktif terjadi bila sambungan emiter diberi bias maju dan sambungan kolektor diberi bias balik. Pada daerah aktif arus kolektor sebanding dengan arus basis.Penguatan sinyal masukan menjadi

sinyal keluaran terjadi pada daerah aktif. 3) Daerah Cut-off(putus) terletak dibawah IB = ICO. Sambungan emiter dan sambungan kolektor berbias balik.Pada daerah ini IE = 0; IC=ICO=IB.

Gambar 1.2.2. Kurva Karakteristik Kolektor Suatu Transistor

b. Karakteristik basis Kurva karakteristik basis merelasikan antara arus basis IB dan tegangan basis emiter VBE dengan tegangan kolektor-emiter sebagai parameter seperti terlihat pada gambar 1.2.3.

Karakteristik Transistor BJT dan FET

Gambar 1.2.3. Kurva Karakteristik basis suatu transistor

Pada gambar di atas terlihat bahwa dengan menghubung singkat kolektor-emiter(VCE=0) dan emiter diberi bias maju,karakteristik basis seperti diode. Dengan bertambahnya VCE pada VBE konstan,maka lebar basis efektif berkurang. Dengan berkurangnya lebar basis,maka arus basis rekombinasi berkurang : pengaruh ini disebut Early Effect. Titik ambang (threshold) atau tegangan lutut (Vk) untuk transistor germanium adalah di sekitar 0,1 sampai 0,2 V,sedang untuk transistor silikon di sekitar 0,5 sampai 0,6,nilai VBE di daerah aktif adalah 0,2 V untuk germanium dan 0,7 V untuk silikon.

2. Karakteristik Drain Operasi JFET berdasarkan pada pengubahann lebar kanal untuk mengendalikan arus drain pada saat tegangan VDS diberikan pada drain dan source. Jika lebar kanal mengecil,maka resistansi kanal bertambah dan arus drain mengecil. Dengan memberikan bias balik ke sambungan gate-source maka daerah deplesi pada kanal bertambah sehingga mengakibatkan lebar kanal mengecil. Ada dua cara mengendalikan lebar kanal,yaitu : Mengubah nilai tegangan gate-source(VGS) pada tegangan DrainSource (VDS) yang konstan Mengubah VDS pada VGS konstan

Karakteristik Transistor BJT dan FET

Pengaruh VGS terhadap ID terlihat pada gambar 1.2.4.,jika VGS bertambah negatif ,maka daerah deplesi bertambah dan lebar kanal berkurang.Dengan demikian arus drain berkurang. Pengaruh VDS terhadap ID terlihat pada gambar,bertambahnya VDS pada VGS konstan,mengakibatkan ID bertambah,hal ini mengakibatkan daerah deplesi bertambah dan kanal menjadi sempit. Karena itu sampai pada nilai VDS tertentu,pertambahan VDS tidak menambah nilai ID. Pada VGS = 0,nilai VDS yang menyebabkan ID Maksimum disebut tegangan pinch-off(tegangan jepit)

VP.Hal ini terlihat pada gambar 1.2.5 setelah VP tercapai VDS dan resistansi kanal bertambah dengan laju yang sama.Karena itu ID mendekati konstan dengan

bertambahnya VDS. Daerah operasi antara VP dan VBR(tegangan dadal),disebut daerah arus konstan.

Gambar 1.2.4. Rangkaian Karakteristik FET

Gambar 1.2.5. Kurva Karakteristik Drain suatu FET

Pada saat gate dan source dihubung singkat(VGS=0 V) ID mencapai nilai maksimumnya di IDSS(Shorted gate drain current).
Karakteristik Transistor BJT dan FET 4

Jika VGS makin negatif,maka ID makin turun.Nilai VGS yang menyebabkan ID Mendekati nol disebut VGS(off)(tegangan cut-off gate-source).Nilai VGS(off) dan VP selalu sama dan berlawanan.Misalnya jika VP=5V ,maka VGS(off) adalah -5 V. Karakteristik arus-tegangan di daerah jenuh(saturasi) secara eksperimental dapat didekati dengan hukum kuadrat(square low),seperti berikut :

Untuk [ VGS] < [VGS(off)] Dengan, IDS = arus drain dengan gate terhubung singkat

VGS = tegangan gate-source VGS(off)= tegangan cut off gate-source Hubungan antara ID dan Vgs untuk suatu JFET dapat digambarkan dengan kurva transkonduktansi(Gambar 1.2.6)

Gambar 1.2.6 Kurva Transkonduktansi Transistor merupakan komponen penting yang dipakai dalam barangbarang elektronika seperti TV,Radio,Komputer,dll. Transistor merupakan alat semikonduktor yang berfungsi sebagai penguat ,sebagai sirkuit pemutus dan penyambung ( Switching ), Stabilitasi tegangan,modulasi sinyal atau sebagai fungsi lainnya. Transistor dapat berfungsi semacam kran listrik,dimana berdasarkan arus inputnya (BJT) atau tegangan inputnya (FET), memungkinkan pengaliran listrik yang sangat akurat dari sirkuit sumber listriknya. Dari banyaknya tipe-tipe transistor modern,ada dua tipe dasar transistor, bipolar junction transistor (BJT) dan field effect transistor ( FET),yang masing-masing bekerja secara berbeda. (http : // www.sisilain.net /)

Karakteristik Transistor BJT dan FET

Perbedaan utama antara BJT dan FET adalah pengontrol kerja dari transistor tersebut. Jika BJT kerjanya dikontrol aleh arus pengontrol maka FET bekerja dengan dikontrol oleh tegangan pengontrol. Perhatikan Gambar 1.2.7 berikut untuk lebih jelasnya. Pada Gambar 1.2.7a Nilai Ic bergantung pada nilai dari IB,sementara FET (gambar 1.2.7b ) arus ID nilainya bergantung pada tegangan VGS. Jika pada BJT terdapat jenis transistor PNP dan NPN,maka pada FET sejenisnya adalah n-

channel dan p-channel. Karakteristik lainnya dari FET adalah impedansi inputnya yang tinggi. FET memiliki dua tipe yaitu : Junction Field Effect Transistro (JFET) dan metal oxide semikonduktor-field effect transistor (MOSFET) (http : // ermach.staff.gunadarma.ac.id )

Karakteristik Transistor BJT dan FET

BAB II PROSEDUR PERCOBAAN 2.1.Alat dan Bahan Tabel 2.1 Alat dan Bahan No 1 2 3 4 5 6 7 Nama Alat dan Bahan Multimeter Digital Transistor 2N3903 JFET 2N5457 Resistor Transformator Transformator CT ET-SCM 1 Jumlah 1 Buah 1 Buah 1 Buah 2 Buah 1 Buah 1 Buah 1 Buah

2.2.Prosedur Percobaan a. Karakteristik Transistor 1. Emitter Ditanahkan (Emitter Grounding) karakteristik VCE-IC(IB = konstan) 2. S01 diset pada panel rangkaian karakteristik pada posisi (1) 3. Dihubungkan Voltmeter DC(V1) dan (V2) pada amperemeter DC (A1) dan (A2) seperti yang ditunjukan pada gambar.

Gambar.2.2.1 Karakteristik Transistor Emitter Sekutu 4. Power Supply dihidupkan 5. IB konstan diset pada 0,1 mA dengan diatur R01 6. Tegangan VCE dinaikkan secara bertahap mulai dari 0 V dengan diatur R06. 7. Dibaca dan dicatat IC untuk setiap kenaikan tegangan VCE
Karakteristik Transistor BJT dan FET 7

8. Diulangi langkah (5-7) untuk IB 0,1 mA dan 0,2 mA

b. Basis Grounding 1. Basis ditanahkan (Base Grounding) karakteristik VCB-IC(IE=Konstan) 2. S01 diatur pada panel rangkaian karakteristik pada posisi (2)

Gambar 2.2.2. Karakteristik Transistor Basis Sekutu 3. Voltmeter DC(V1) dan (V2) dihubungkan dan amperemeter DC(A1) dan (A2) Seperti yang ditunjukkan pada gambar. 4. Power Supply dihidupkan 5. IE diset konstan pada 10 mA dengan diatur R01 6. Tegangan VCB dinaikan secara bertahap mulai dari 10 V dengan mengatur R06 7. Dibaca dan dicatat Ic untuk setiap kenaikan tegangan VCE 8. Langkah (5-7) untuk IE 10 mA dan 20 mA

Karakteristik Transistor BJT dan FET

BAB III ANALISA DATA & PEMBAHASAN 3.1. Data Percobaan A. Emitter ditanahkan Tabel 3.1.1. Hasil Percobaan Emitter ditanahkan IB = 0,1 mA VCE(V) 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 IC (mA) 10,61 12,80 15,20 17,54 20,40 22,50 IB = 0,2 mA VCE(V) 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 IC (mA) 10,58 13,05 15,00 17,53 19,55 21,64

B. Basis Ditanahkan Tabel 3.1.2. Hasil Percobaan Basis Ditanahkan IE = 10 mA VCB(V) 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 IC(mA) 21,80 23,45 26,00 28,40 31,20 34,20 IE = 20 mA VCB(V) 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 IC(mA) 60,00 66,60 71,00 42,50 44,40 46,50

Karakteristik Transistor BJT dan FET

3.2. Analisa Data A. Emitter ditanahkan

25 20

IC(mA)

15 10 IB = 0.1 mA 5 0 1 1.2 1.4 1.6 1.8 2 IB = 0.2 mA

VCE (Volt) Gambar 3.2.1. Kurva Karakteristik Emiter ditanahkan

B.Basis ditanahkan
80 70 60 50 40 30 20 10 0 1 1.2 1.4 1.6 1.8 2 IE = 20 mA IE =10 mA

IC(mA)

VCB (Volt)

Gambar 3.2.2. Kurva Karakteristik Basis Ditanahkan

Karakteristik Transistor BJT dan FET

10

3.2. Pembahasan Pada percobaan pertama yaitu emiter ditanahkan dengan menggunakan sebuah transistor BJT dengan tipe NPN memiliki tujuan untuk menentukan berapa nilai arus collector (Ic) yang mengalir pada rangkaian untuk nilai tegangan collectoremitter yang diubah secara bertahap dari 1,0 Volt sampai 2,0 Volt. Dari data hasil percobaan tampak bahwa nilai Ic semakin besar seiring dengan semakin besarnya nilai tegangan VCE yang diatur pada R06,selain mengatur nilai VCE pada percobaan ini juga mengatur arus basis pada 0,1 mA dan 0,2 mA.

Dari grafik pada analisa data,untuk emitter ditanahkan tampak bahwa semakin besar VCE maka semakin besar pula Ic yang dihasilkan sehingga kurvanya mengalami kenaikan secara terus-menerus. Pada percobaan kedua yaitu basis yang ditanahkan juga menggunakan transistor BJT dengan tipe NPN. Bedanya adalah tegangan yang diatur yaitu VCB (collector basis) dan arus yang diukur sama,yaitu arus collector. Dari data hasil percobaan tampa bahwa nilai Ic saat IE(Arus-Emitter) sebesar 10 mA,semakin besar pula nilai VCB. Sedangkan pada saat IE = 20 mA, Ic pertama-tama mengalami kenaikan yang cepat sampai titik 71,00 mA , tetapi kemudian turun kembali pada saat VCB sebesar 1,6 V dan naik lagi secara bertahap sampai nilai 46,50 mA.

Sehingga dari grafik kedua pada analisa data,tampak bahwa untu IE = 10 mA,kurvanya mengalami kenaikan secara bertahap sampai Ic maksimum bernilai 34,20 mA untuk VCB = 2,0 Volt. Pada saat IE = 20 mA,kurva mengalami kenaikan yang begitu besar yaitu saat VCB sebesar 1,4 V,Ic memiliki nilai maksimum = 71,00 mA tetapi kemudian pada titik VCB = 1,6 V, Ic turun menjadi 42,50 mA dan naik kembali sampai pada nilai 46,50 mA. Hal ini merupakan salah satu kelemahan dari common base yaitu ketika mencapai keadaan saturasi ( jenuh),beban arus akan turun.

Karakteristik Transistor BJT dan FET

11

BAB IV PENUTUP 4.1. Kesimpulan Dari percobaan ini dapat diambil beberapa kesimpulan sebagai berikut :

1) Berdasarkan sistem pentanahan transistor (grounding) penguat transistor dibagi menjadi tiga jenis,yaitu : Common Base( Base Grounding), Common Emitter ( Emitter Grounding) dan Common Collector ( Collector Grounding).

2) Penguat Base-grounding adalah penguat yang kaki basisnya ditanahkan,lalu input dimasukkan melalui emitor dan output diambil pada kaki kolektor. Dan penguat ini mempunyai karakteristik sebagai penguat tegangan.

3) Penguat

Emitter-Grounding

adalah

penguat

yang

kaki

emiter

digroundkan,lalu input dimasukkan melalui basis dan output diambil pada kaki kolektor. Penguat ini juga mempunyai karakter sebagai penguat tegangan.

4) Hasil keluaran pada kedua percobaan adalah berupa arus colector (Ic), dimana untuk common emitter yang diatur adalah IB dan VCE,sedangkan pada common base adalah IE dan VCB.

5) Kurva karakteristik penguat common emitter adalah berupa garis yang semakin naik, sedangkan pada common base,arus Ic turun pada saat titik tertentu dan naik kembali.

Karakteristik Transistor BJT dan FET

12

4.2 Tugas 1. Apa yang dimaksud dengan tegangan lutut( knee) dan tegangan perintang ( barrier) ? Jawab : Tegangan lutut (knee) adalah tegangan pada saat arus mulai membesar secara cepat,nilainya sama dengan tegangan barrier. Tegangan perintang (Barrier) adalah tegangan atau potensial ekivalen pada daerah pegosongan (depletion region ) akibat adanya kombinasi elektron dan hole yang saling meniadakan. Besarnya tegangan barrier ini adalah 0,2 V untuk Ge dan 0,6 V untuk silikon.

2. Jelaskan tentang karakteristik kolektor dan karakteristik basis pada karakteristik transistor ! Jawab : Karakteristik Kolektor Sinyal outputnya sefasa dengan sinyal input Mempunyai penguatan tegangan sama dengan 1 Mempunyai penguatan arus sama dengan HFE transistor Cocok dipakai untuk penguatan penyangga (buffer) karena mempunyai impedansi impedansi input tinggi dan mempunyai impedansi output yang rendah Karakteristik Basis Adanya isolasi yang tinggi dari output ke input sehingga meminimalkan efek umpan balik, Mempunyai impedansi input yang relatif tinggi sehingga cocok untuk penguat sinyal kecil (Preamplifier) Sering dipakai pada penguat frekuensi tinggi pada jalur VHF dan UHF Bisa juga dipakai sebagai Buffer / Penyangga

3. Jelaskan tentang kurva kolektor,kurva basis,kurva Beta () dan gambarkan bentuk kurvanya !
Karakteristik Transistor BJT dan FET 13

 Jawab : Kurva Kolektor Daerah saturasi,dimana VCE kurang dari tegangan lutut ( knee) Vk, dan terjadi bila sambungan emiter dan basis bersifat maju. Daerah aktif,dimana Vk dan tegangan breakdown ( VBR) diatas IB= ICO, dan terjadi bila sambungan emitter dibias-maju dan kolektor dibias balik. Daerah Cut-off(Putus) terletak dibawah IB=ICO,dan terjadi bila sambungan emitter dan kolektor dibias balik. Kurva Basis Seperti dioda,yaitu pada saat kolektor dan emitter dihubung singkat dan emitter diberi bias maju, Lebar basis efektif berkurang karena bertambahnya VCE pada VBB yang konstan,sehingga IB berkurang (disebut early effect) Kurva Beta() didefinisikan sebagai perbandingan antara arus total pada kolektor dan arus pada base. mempunyai harga konstan untuk sebuah transistor,tidak bergantung dari kondisi kerja, Perbandingan arus kolektor dan arus base adalah sinyal ,sinyal besar atau dc, DC dikenal juga sebagai HFE

4. Jelaskan tentang kurva drain,kurva transkonduktansi dan gambarkan bentuk kurva ! Jawab : Bertambahnya VDS pada VGS konstan ,mengakibatkan ID bertambah sehingga menyebabkan daerah deplesi bertambah dan kanal menjadi sempit, Daerah operasi antara VP( Tegangan Jepit ) dan VBR ( Tegangan dadal) disebut daerah arus konstan, Pada saat gate dan source dihubungsingkat ( VGS=OV) ID mencapai nilai maksimum di IDSS (Shorted Gate Drain Current)
Karakteristik Transistor BJT dan FET 14

VGS makin negatif,maka ID makin turun ,nilai VGS yang menyebabkan ID mendekati nol disebut VGS (off) (tegangan cut-off gate-source). Nilainya selalu sama dan berlawanan dengan VP.

Kurva Transkonduktansi : menunjukkan hubungan antara ID dan VGS untuk suatu JFET (Salah satu tipe dari transistor FET,dimana J = Junction ).

Gambar 4.2.1 Kurva Drain

Gambar 4.2.2 Kurva Transkonduktansi

5.

Dari data dibawah ini,buatlah kurva karakteristik kolektor Jawab : Tabel 4.2. Diketahui data berikut : IB 5 uA 10 uA 15 uA 20 uA 25 uA IC 0,5 mA 1,0mA 1,5 mA 2,0 mA 2,5 mA

Karakteristik Transistor BJT dan FET

15

2,5

25 A 20 A

2,0 15 A 1,5 10 A 1,0 5 A 0,5

Gambar 4.2.3 Kurva Karakteristik kolektor

Karakteristik Transistor BJT dan FET

16

DAFTAR PUSTAKA

http : // abisabrina.htm.com / tanggal akses 19 April 2011 http : // www.sisiliain.net / tanggal akses 19 April 2011 http : // www.ermach.staff.gunadarma.ac.id / tanggal akses 19 April 2011 http : // wahyukr.staff.gunadarma.ac.id / tanggal akses 19 April 2011

Karakteristik Transistor BJT dan FET

17