LAPORAN PRAKTIKUM

ELEKTRONIKA
MODUL IV KARAKTERISTIK KERJA TRANSISTOR

Kelompok : 8A
Kelas : A
Program Studi : D3 Teknologi Listrik
Tgl Praktikum : 22 Oktober 2020
Tgl Presentasi : 29 Oktober 2020
Nama Asisten : Sri Indah Wati

LABORATORIUM DASAR TEKNIK ELEKTRO

INSTITUT TEKONOLGI PLN
JAKARTA
2020
 KELOMPOK 8A

MODUL IV
KARAKTERISTIK KERJA TRANSISTOR

I. TUJUAN

1. Memepelajari karakteristik input maupun karakteristirk output dari Bipolar Junction

Transistor (BJT).
2. Mengetahui parameter BJT dari grafik karakteristik yang diperoleh.

II. ALAT DAN PERLENGKAPAN

1. 1 Unit PC
2. Software NI Multisim

Laboratorium Rangkaian Listrik dan Elektronika

Institut Teknologi PLN
 KELOMPOK 8A
III. TEORI MODUL

4.2.1. Karakteristik DC

Pada dasarnya ada 2 karakteristik untuk transistor yaitu karakteristik output (IC VS
VCE) dan karakteristik input (IB VS VCE).

a. Karakteristik Output

Karakteristik output adalah hubungan antara tegangan dan arus kolektor pada
konfigurasi common emitter dengan arus basis sebagai parameter. Secara umum grafik
karakteristik output terlihat seperti gambar di bawah ini:

Gambar 61. Karakteristik Output

|IB1| < |IB2| < |IB3| < |IB4| < |IB5|

b. Karakteristik Input

Karakteristik input adalah hubungan antara tegangan dan arus basis pada
konfigurasi common emitter untuk tegangan kolektor yang tertentu. Kurva IB – VBE tersebut
mempunyai bentuk yang sama dengan karakteristik forward dari dioda. Secara umum
bentuk grafik karakteristik input terlihat dalam bentuk seperti gambar di bawah ini :

Gambar 62. Karakteristik Input

Laboratorium Rangkaian Listrik dan Elektronika

Institut Teknologi PLN
 KELOMPOK 8A
4.2.2. Transitor Sebagai Saklar

Penggunaan transistor sebagai saklar artinya mengoperasikan transistor pada salah satu
kondisi yaitu saturasi atau cut-off. Jika sebuah transistor berada dalam keadaan saturasi maka
transistor berlaku seperti saklar tertutup antara kolektor dan emitter. Jika transistor cutoff
transistor berlaku seperti saklar terbuka.
Pengaturan on – off transistor dengan mengatur level tegangan pada basis transistor
tersebut. Jika arus basis lebih besar atau sama dengan arus basis saat saturasi, titik kerja
transistor berada pada ujung atas garis beban DC, dalam kondisi ini transistor berlaku sebagai
saklar tertutup. Sebaliknya jika arus basis nol, titik kerja transistor berada pada titik (P) dalam
kondisi ini transistor berlaku sebagai saklar terbuka. Dapat dilihat pada gambar dibawah
berikut:

Gambar 63. Garis Beban DC

Kurva karakteristik kolektor merelasikan IC dan VCE dengan IB sebagai parameter.

Parameter – parameter transistor tidaklah konstan, meskipun tipe sama namun parameter dapat
berbeda. Kurva kolektor terbagi menjadi tiga daerah yaitu jenuh, aktif cut off. Kurva
karakteristik kolektor dapat dilihat pada gambar dibawah berikut.

Gambar 64. Kurva Karakteristik Kolektor Transistor

Laboratorium Rangkaian Listrik dan Elektronika

Institut Teknologi PLN
 KELOMPOK 8A

• Daerah Jenuh
Merupakan daerah dengan VCE kurang dari tegangan lutut (Vk). Daerah jenuh
terjadi bila sambungan emitor-basis dan sambungan basis-kolektor forward bias. Pada
daerah jenuh arus kolektor tidak bergantung pada nilai IB. Tegangan jenuh kolektor emitter
(VCE) untuk transistor silikon adalah 0,7 Volt dan untuk transistor germanium adalah 0.3
Volt.
• Daerah Aktif
Sebuah daerah yang berkisar dari tegangan lutut (Vk) sampai dengan tegangan dadal
(breakdown) serta nilainya IB berada diatas ICO atau nilai arus pada basis tidak sama dengan
arus basis saat saturasi. Daerah aktif terjadi bila sambungan emitor-basis diberi forward
bias dan kolektor-basis reverse bias. Penguatan sinyal terjadi saat transistor berada dalam
aktif
• Daerah Cut-off
Terletak ketika nilai IB dibawah nilai ICO. Sambungan emitor-basis dan kolektorbasis
keduanya berada pada reverse bias. Dimana dalam hal ini nilai IE = 0, IC = ICO = IB.

Laboratorium Rangkaian Listrik dan Elektronika

Institut Teknologi PLN
 KELOMPOK 8A
IV. TEORI TAMBAHAN
Transistor adalah salah satu komponen yang selalu ada di setiap rangkaian elektronika, seperti
radio, televisi, handphone, lampu flip-flop dll. Fungsi dari komponen ini sangatlah penting.
Kebanyakan, transistor digunakan untuk kebutuhan penyambungan dan pemutusan (switching), seperti
halnya saklar. Yaitu untuk memutus atau menyambungkan arus listrik. Selain itu transistor juga
berfungsi sebagai penguat (amplifier), stabilisasi tegangan, modulasi sinyal, dan banyak lagi.
Keinginan kita untuk merubah fungsi transistor ini adalah dari pemilihan jenis transistor atau dengan
cara perangkaian sirkit transistor itu sendiri. Dengan banyaknya fungsi itu, komponen transistor
banyak sekali digunakan di dalam rangkaian elektronika.

Transistor mempunyai 3 kaki atau tiga elektroda, yaitu Basis (Dasar), Kolektor (Pengumpul),
dan Emitor (Pemancar). Ketiga kaki transistor tersebut mempunyai manfaat tersendiri, akan tetapi
tidak dapat dipisahkan satu sama lain.

Transistor sendiri berasal dari kata “Transfer” yang berarti pemindahan dan “resistor” sebagai
penghambat. Dari dua kata tersebut dapat disimpulkan akan pengertian transistor adalah pemindahan
atau peralihan bahan setengah hantar menjadi suhu tertentu. Diibaratkan transistor secara umum
seperti keran arus yang bisa mengalirkan atau menghambat arus listrik sesuai dengan kontrol yang
diberikan.

Prinsip dasar dari kerja transistor adalah tidak akan ada arus antara colektor dan emitor apabila
pada basis tidak diberi tegangan muka atau bias. Bias pada basis ini biasanya diikuti dengan sinyal-
sinyal atau pulsa listrik yang nantinya hendak dikuatkan, sehingga pada kolektor, sinyal yang di
inputkan pada kaki basis telah dikuatkan. Kedua jenis transistor baik NPN ataupun PNP memiliki
prinsip kerja yang sama.

Jenis-jenis transistor dibedakan berdasarkan arus inputnya BJT (Bipolar Junction Transistor)
atau tegangan inputnya FET (Field Effect Transistor). Yang membedakan transistor dengan komponen
lain, adalah memiliki 3 kaki utama, yaitu Base (B), Collector, (C) dan Emitter (E). dimana base
terdapat arus yang sangat kecil, yang berguna untuk mengatur arus dan tegangan yang ada pada
Emitor, pada keluaran arus Kolektor. Sehingga apabila terdapat arus pada basis, tegangan yang besar
pada kolektor akan mengalir menuju emitor.

Daerah kerja dari sebuah transistor ada tiga, yaitu daerah saturasi (jenuh), daerah cut off, dan
daerah kerja aktif. Daerah kerja saturasi (jenuh) adalah keadaan dimana transistor mengalirkan arus
secara maksimal dari kolektor ke emiter. Pada daerah kerja saturasi ini, besarnya nilai Vce akan
mendekati nol. Daerah kerja cut off adalah keadaan dimana transistor menyumbat pada hubungan
kolektor ke emiter atau dengan kata lain arus listrik tidak dapat mengalir dari emiter ke kolektor.
Daerah cut off ini bisa disebut juga sebagai daerah kondisi saklar terbuka. Pada kondisi cut off ini,
besarnya arus basis (Ib) adalah nol. Kemudain adalah daerah kerja aktif. Daerah aktif sama seperti
saturasi yaitu arus listrik dapat mengalir dari emiter ke kolektor. Dengan besarnya arus Ic yang
berbanding lurus dengan Vce. Jika dilihat dari kurvanya, daerah kerja aktif ini terletak diantara daerah
saturasi (jenuh) dan daerah cut off..

Karakteristik input merupakan karakteristik dari tegangan base dan emitter (VBE) sebagai fungsi arus
base (IB) dengan VCE dalam keadaan konstan. Karakteristik ini merupakan karakteristik dari junction
emitter-base dengan forward bias atau sama dengan karakteristik diode pada forward bias. Pada BJT

Laboratorium Rangkaian Listrik dan Elektronika

Institut Teknologi PLN
 KELOMPOK 8A
seluruh pembawa muatan akan melewati junction Base-Emittor menuju Collector maka arus pada basis
menjadi jauh lebih kecil dari diode P-N dengan adanya faktor hfe.

Karakteristik output merupakan karakteristik dengan tegangan emitter (VCE) sebagai fungsi
arus kolektor (IC) terhadap arus base (IB) yang tetap seperti ditunjukkan pada Gambar 4. Pada saat
IB=0, arus IC yang mengalir adalah arus bocor ICB0 (pada umumnya diabaikan), sedangkan pada saat
IB ≠ 0 untuk VCE kecil (<< 0,2 V), pembawa muatan di basis tidak efisien dan transistor dikatakan
dalam keadaan saturasi dengan IB > IC / hfe . Pada saat VCE diperbesar IC pun naik hingga melewati
level tegangan VCE saturasi (0,2 -1 V) hingga transistor bekerja dalam daerah aktif dengan IB = IC /
hfe. Pada saat ini kondisi arus IC relatif konstan terhadap variasi tegangan VCE.

Sumber : https://fahmizaleeits.wordpress.com/tag/karakteristik-transistor/

https://autopower15.blogspot.com/2017/05/karakteristik-bjt-common-
emitter.html#:~:text=Karakteristik%20input%20merupakan%20karakteristik%20dari,dengan%20VCE
%20dalam%20keadaan%20konstan.&text=Pada%20saat%20VCE%20diperbesar%20IC,dengan%20I
B%20%3D%20IC%20%2F%20hfe.

Laboratorium Rangkaian Listrik dan Elektronika

Institut Teknologi PLN
 KELOMPOK 8A
V. LANGKAH PERCOBAAN
4.5.1. Karakteristik Kerja Transistor

1. Buat rangkaian seperti gambar di bawah ini.

Gambar 6.5. Percobaan Karakteristik Kerja Transistor

2. Atur DC_INTERACTIVE_VOLTAGE seperti pada berikut ini.

Maximum Value : 12 V

Minimum Value : 0 V

Increment : 10%

3. Jalankan simulasi dengan menekan tombol Run atau F5.

4. Atur Tegangan Kolektor (VCC) sesuai dengan data pengamatan dengan cara menggeser
slider ke kanan atau dengan menekan Tombol Key (Pada Gambar 65 digunakan tombol
‘A’).

5. Amati nilai arus dan tegangan yang terukur pada Multimeter DC untuk setiap nilai
Tegangan Kolektor (VCC) dan catat pada Data Pengamatan.
6. Hentikan simulasi dengan menekan tombol Stop.

Laboratorium Rangkaian Listrik dan Elektronika

Institut Teknologi PLN
 KELOMPOK 8A
4.5.2. Karakteristik Penguat Arus DC Transistor

1. Buat rangkaian seperti gambar dibawah ini.

Gambar 66. Percobaan Karakteristik Penguat Arus DC Transistor

2. Atur DC_INTERACTIVE_CURRENT seperti pada berikut ini.

Maximum Value : 50 uA

Minimum Value : 0 A

Increment : 20%

3. Jalankan simulasi dengan menekan tombol Run atau F5.

4. Atur Arus Basis (IB) sesuai dengan data pengamatan dengan cara menggeser slider ke
kanan atau dengan menekan Tombol Key (Pada Gambar 66 digunakan tombol ‘A’).
5. Amati nilai arus dan tegangan yang terukur pada Multimeter DC untuk setiap nilai Arus
Basis (IB) dan catat pada Data Pengamatan.
6. Hentikan simulasi dengan menekan tombol Stop.

Laboratorium Rangkaian Listrik dan Elektronika

Institut Teknologi PLN
 KELOMPOK 8A
4.5.3. Pengukuran VBE

1. Buat rangkaian seperti gambar dibawah ini.

Gambar 67. Percobaan Pengukuran VBE

2. Atur DC_INTERACTIVE_CURRENT seperti pada berikut ini.

Maximum Value : 50 µA

Minimum Value : 0 A

Increment : 10%

3. Jalankan simulasi dengan menekan tombol Run atau F5.

4. Atur Arus Basis (IB) sesuai dengan data pengamatan dengan cara menggeser slider ke
kanan atau dengan menekan Tombol Key (Pada Gambar 67 digunakan tombol ‘A’).
5. Amati nilai tegangan yang terukur pada Multimeter DC untuk setiap nilai Arus Basis (IB)
dan catat pada Data Pengamatan.
6. Hentikan simulasi dengan menekan tombol Stop.

Laboratorium Rangkaian Listrik dan Elektronika

Institut Teknologi PLN
 KELOMPOK 8A
4.5.4. Pengukuran VCE jenuh

1. Buat rangkaian seperti gambar dibawah ini.

Gambar 68. Percobaan Pengukuran VCE Jenuh

2. Jalankan simulasi dengan menekan tombol Run atau F5.

3. Saat saklar (S1) berada di posisi 1, amati nilai arus dan tegangan yang terukur pada
multimeter DC serta kondisi LED. Catat pada Data Pengamatan.
4. Ubah posisi saklar (S1) pada posisi 2 dengan mengklik saklar atau dengan menekan
Tombol Key (Pada Gambar 68 digunakan tombol ‘Space’).

5. Amati kembali nilai arus dan tegangan yang terukur pada Multimeter DC serta kondisi
LED. Catat pada Data Pengamatan.
6. Hentikan simulasi dengan menekan tombol Stop.

Laboratorium Rangkaian Listrik dan Elektronika

Institut Teknologi PLN
 KELOMPOK 8A
VI. DATA PENGAMATAN
Karakteristik Kerja Transistor
IB = 40 µA
VCC (Volt) IC (mA) VCE
2 11,72 827,974 mV
4 12,026 2,797 V
6 12,331 4,767 V
8 12,636 6,736 V
10 12,941 8,706 V
12 13,247 10,675 V

Karakteristik Penguat Arus DC Transistor

VCC = 12 Volt

IB (µA) IC (mA) VCE (Volt)

10 3,275 11,672
20 6,694 11,331
30 10,025 10,998
40 13,247 10,675
50 16,357 10,364

Pengukuran VBE
IB (µA) VBE (mV)
10 667,854

20 688,89
30 701,847
40 711,496

50 719,319

Pengukuran VCE Jenuh

Posisi IB IC VBE VCE Ket
1 11,001 mA 40,859 mA 829,748 mV 51,119 mV Nyala
2 -312,303 fA 4,974 nA 152,782 pV 4,963 V Padam

Laboratorium Rangkaian Listrik dan Elektronika

Institut Teknologi PLN
 KELOMPOK 8A
VII. RANGKAIAN PERCOBAAN (BESERTA HASIL ALAT UKUR)

1. Karakteristik Kerja Transistor

2. Karakteristik Penguat Arus DC Transistor

Laboratorium Rangkaian Listrik dan Elektronika

Institut Teknologi PLN
 KELOMPOK 8A
3. Pengukuran VBE

4. Pengukuran VCE Jenuh

Posisi 1

Laboratorium Rangkaian Listrik dan Elektronika

Institut Teknologi PLN
 KELOMPOK 8A
Posisi 2

Laboratorium Rangkaian Listrik dan Elektronika

Institut Teknologi PLN
 KELOMPOK 8A
VIII. TUGAS AKHIR
1. Dari percobaan 4.5.1, buatlah kurva kurva karakteristik keluaran transistor!
Jawab :

Kurva Karakteristik Percobaan 1

14000

12000

10000

8000
IC

6000

4000

2000

0
827,974 mV 2,797 V 4,767 V 6,736 V 8,706 V 10,675 V

2. Dari percobaan 4.5.2, tentukan harga beta (𝛽) untuk setiap nilai IB!
Jawab :
𝐼𝐶 3,275
𝛽= = = 0,3275
𝐼𝐵 10
𝐼𝐶 6,694
𝛽= = = 0,3347
𝐼𝐵 20
𝐼𝐶 10,025
𝛽= = = 0,334166
𝐼𝐵 30
𝐼𝐶 13,247
𝛽= = = 0,331175
𝐼𝐵 40
𝐼𝐶 16,357
𝛽= = = 0,32714
𝐼𝐵 50
3. Dari percobaan 4.5.3, buatlah kurva karakteristik masukan transistor!
Jawab :

Kurva Karakteristik Percobaan 3

60

50

40

30
IB

20

10

0
667,854 688,89 701,847 711,496 719,319

Laboratorium Rangkaian Listrik dan Elektronika

Institut Teknologi PLN
 KELOMPOK 8A
4. Jelaskan hubungan kerja antara arus dan tegangan dari percobaan 4.5.4 sekaligus cara kerja
transistor tersebut sebagai saklar!
Jawab :
Vcc atau tegangan kolektor menjadi sumber tegangan utama yang dipasang secara parallel
terhadap transistor kaki kolektor-emitter dan menjadi tegangan VCE. Vcc juga menjadi arus
untuk arus kolektor sekaligus arus basis.
Kerja Transistor sebagai saklar yaitu ada 2 posisi jika dilihat pada rangkaian percobaan :
• Saklar pada posisi 1 merupakan saklar on atau tertutup karena pada kaki basis terhubung
pada sumber positif sehingga arus mengalir ke kaki basis kemudian transistor bekerja atau
aktif dan LED menyala. Transistor disini kerja pada daerah saturasi.
• Saklar pada posisi 2 merupakan saklar off atau terbuka karena kaki basis terhubung pada
ground sehingga tidak ada arus yang mengalir ke kaki basis, maka kerja transistor pada
daerah cut-off dan LED mati.

Laboratorium Rangkaian Listrik dan Elektronika

Institut Teknologi PLN
 KELOMPOK 8A
IX. ANALISA DATA

1. Analisa Rega Nadifulloh Bimaulid

Pada praktikum kali ini kita membahas tentang modul empat yang berjudul tentang
karakteristik kerja transistor. Dan memiliki beberapa tujuan yaitu diantaranya yang pertama adalah
Mempelajari karakteristik input maupun karakteristik output dari Bipolar Junction Transistor. Yang
kedua adalah Mengetahui parameter BJT dari grafik karakteristik yang diperoleh. Alat dan
perlengkapan yang digunakan pada praktikum online ini ada dua yaitu satu unit PC dan aplikasi
Multisim. Dengan merangkai rangkaian di multisim. Transistor adalah komponen semikonduktor yang
memiliki berbagai macam fungsi seperti sebagai penguat, pengendali, penyearah, osilator, modulator
dan lain sebagainya. Transistor merupakan salah satu komponen semikonduktor yang paling banyak
ditemukan dalam rangkaian-rangkaian elektronika. Boleh dikatakan bahwa hampir semua perangkat
elektronik menggunakan Transistor untuk berbagai kebutuhan dalam rangkaiannya. Perangkat-
perangkat elektronik yang dimaksud tersebut seperti Televisi, Komputer, Ponsel, Audio Amplifier,
Audio Player, Video Player, konsol Game, Power Supply dan lain-lainnya. Secara umum, Transistor
dapat digolongkan menjadi dua keluarga besar yaitu Transistor Bipolar dan Transistor Efek Medan
(Field Effect Transistor). Perbedaan yang paling utama diantara dua pengelompokkan tersebut adalah
terletak pada bias Input (atau Output) yang digunakannya. Transistor Bipolar memerlukan arus
(current) untuk mengendalikan terminal lainnya sedangkan Field Effect Transistor (FET) hanya
menggunakan tegangan saja (tidak memerlukan arus). Pada pengoperasiannya, Transistor Bipolar
memerlukan muatan pembawa (carrier) hole dan electron sedangkan FET hanya memerlukan salah
satunya. Transistor Bipolar adalah Transistor yang struktur dan prinsip kerjanya memerlukan
perpindahan muatan pembawanya yaitu electron di kutup negatif untuk mengisi kekurangan electon
atau hole di kutub positif. Transistor Bipolar terdiri dari dua jenis yaitu Transistor NPN dan Transistor
PNP. Tiga Terminal Transistor ini diantaranya adalah terminal Basis, Kolektor dan Emitor. Transistor
NPN adalah transistor bipolar yang menggunakan arus listrik kecil dan tegangan positif pada terminal
Basis untuk mengendalikan aliran arus dan tegangan yang lebih besar dari Kolektor ke Emitor.
Transistor PNP adalah transistor bipolar yang menggunakan arus listrik kecil dan tegangan negatif
pada terminal Basis untuk mengendalikan aliran arus dan tegangan yang lebih besar dari Emitor ke
Kolektor.
Pada dasarnya ada 2 karakteristik untuk transistor yaitu karakteristik output (IC VS VCE) dan
karakteristik input (IB VS VCE). Karakteristik output adalah hubungan antara tegangan dan arus
kolektor pada konfigurasi common emitter dengan arus basis sebagai parameter. Karakteristik input
adalah hubungan antara tegangan dan arus basis pada konfigurasi common emitter untuk tegangan
kolektor yang tertentu. Kurva IB – VBE tersebut mempunyai bentuk yang sama dengan karakteristik
forward dari dioda.
Transistor memiliki daerah kerja, yaitu yang terbagi menjadi 4 daerah kerja yaitu diantaranya
daerah aktif, daerah kerja aktif ini yaitu Ketika Transistor bekerja sebagai penguat dan IC = β.IB.
Daerah kerja transistor yang normal adalah pada daerah aktif, yaitu ketika arus IC konstan terhadap
berapapun nilai VCE. Dari kurva ini diperlihatkan bahwa arus IC hanya tergantung dari besar arus IB.
Daerah kerja ini biasa juga disebut daerah linier (linear region). Yang kedua yaitu daerah kerja
Saturation, daerah kerja saturation ini yaitu Ketika Transistor “full-ON”, IC = Saturasi. Daerah saturasi
adalah mulai dari VCE = 0 Volt sampai kira – kira 0.7 Volt (transistor silikon). Ini diakibatkan oleh
efek PN junction kolektor – basis yang membutuhkan tegangan yang cukup agar mampu mengalirkan
elektron sama seperti dioda. Yang ketiga yaitu daerah kerja Cut-Off, daerah kerja Cutt-Off ini yaitu
Laboratorium Rangkaian Listrik dan Elektronika
Institut Teknologi PLN
 KELOMPOK 8A
Ketika Transistor menjadi “full – OFF”, IC = 0. Daerah dimana VCE masih cukup kecil sehingga arus
IC = 0 atau IB = 0. Transistor dalam kondisi off. Yang terakhir yaitu daerah kerja Breakdown, daerah
kerja breakdown ini yaitu Ketika Dari kurva kolektor, terlihat jika tegangan VCE lebih dari 40 V, arus
IC menanjak naik dengan cepat. Transistor pada daerah ini disebut berada pada daerah breakdown.
Seharusnya transistor tidak boleh bekerja pada daerah ini karena akan merusak transistor tersebut.
Untuk berbagai jenis transistor nilai tegangan VCE maksimum yang diperoleh sebelum breakdown
bervariasi. Breakdown tidak masuk dalam daerah kerja transitor karena sudah merupakan kondisi
rusak.

Pada praktikum kali ini kita melakukan empat kali percobaan yaitu diantaranya pada percobaan
pertama kita melakukan pengukuran tentang karakteristik kerja transistor, dan kita dapat merangkainya
pada aplikasi multisim. Dengan menggunakan IB sebesar 40 µA . Serta VCC antara 2 V – 12 V,
dengan kelipatan 2 V. Dan pada data pengamatan ini terdapat penurunan pada nilai VCE. Lalu pada
nilai IC nilai tegangan yang keluar stabil berada pada 12 V.Yang mana pada percobaan ini telah
terbukti secara teori akan membuktikan rumus dimana tegangan VCC sama dengan arus IC dikali
dengan RC kemudian ditambah dengan VCE.

Pada percobaan kedua kita melakukan pengukuran tentang karakteristik penguat arus DC
transistor, dan kita dapat merangkainya pada aplikasi multisim. Dengan menggunakan VCC sebesar 12
V . Serta dengan menggunakan IB sebesar 10 µA – 50 µA, dengan kelipatan 10 µA. Dan pada data
pengamatan ini nilai yang keluar pada VCE stabil di kisaran 11-10 V. Akan tetapi pada nilai IC yang
keluar pada data mengalami kenaikan. Dapat disimpulkan bahwa pada percobaan kedua ini transistor
berperan sebagai penguat

Pada percobaan ketiga kita melakukan percobaa tentang pengukuran VBE, dan kita dapat
merangkainya pada aplikasi multisim. dengan menggunakan IB sebesar 10 µA – 50 µA, dengan
kelipatan 10 µA. Dan pada data pengamatan ini nilai yang keluar pada VBE stabil di kisaran 600-700
mV.

Pada percobaan terakhir kita melakukan percobaa tentang pengukuran VCE jenuh dan kita dapat
merangkainya pada aplikasi multisim. Pada posisi pertama nilai yang muncul pada IB sebesar 11,001
mA. Lalu untuk arus IC yaitu sebesar 40,859 mA. Untuk VBE yaitu sebesar 829,748 mV, serta nilai VCE
yaitu sebesar 51,119 mV. Pada posisi pertama ini, kondisi lampu menyala. Pada posisi kedua nilai
yang muncul pada IB sebesar -312,303 fA. Lalu untuk arus IC yaitu sebesar 4,974 nA. Untuk VBE yaitu
sebesar 152,782 pV serta nilai VCE yaitu sebesar 4,963 V. Pada posisi kedua ini, Kondisi lampu
padam. Dapat disimpulkan bahwa pada posisi pertama lampu dapat menyala karena terminal basis
mendapat suplai tegangan dari V sumber. Sedangkan pada posisi kedua, lampu tidak dapat menyala
karena terminal basis tidak mendapatkan suplai tegangan, sehinggatidak dapat mengizinkan transistor
untuk aktif.

Laboratorium Rangkaian Listrik dan Elektronika

Institut Teknologi PLN
 KELOMPOK 8A
2. Analisa Avika Nur Anjani
Pada praktikum modul 4 kali ini berjudul “Karakteristik Kerja Transistor”. Transistor adalah
komponen semikonduktor yang memiliki berbagai macam fungsi seperti sebagai penguat, pengendali,
penyearah, osilator, modulator dan lain sebagainya. Transistor merupakan dua buah yang
dihubungkan.

Pada percobaan praktikum kali ini memiliki tujuan, yaitu yang pertama mempelajari
karakteristik input maupun karakteristik output dari Bipolar Junction Transistor (BJT) dan yang kedua
mengetahui parameter BJT dari grafik karakteristik yang diperoleh.

Pada praktikum kali ini kita akan melakukan empat macam percobaan, yaitu yang pertama
karakteristik kerja transistor, kedua karakteristik penguat arus DC transistor, yang ketiga pengukuran
𝑉𝐵𝐸 dan yang keempat pengukuran 𝑉𝐶𝐸 januh.

Pada percobaan pertama, karakteristik kerja transistor kita menggunakan DC Interactive

Voltage karna tegangan yang akan kita ubah. Tujuan pada percobaan pertama ini untuk membuktikan
rumus 𝑉𝐶𝐶 . Rumusnya adalah 𝑉𝐶𝐶 = 𝐼𝐶 × 𝑅𝐶 + 𝑉𝐶𝐸 . Pada rangkaian kali ini kita mengunakan sumber
DC 𝐼𝐵 = 40𝜇𝐴 dan yang kita atur adalah 𝑉𝐶𝐶 nya. Pada data pengamatan, ketika kita naikan 𝑉𝐶𝐶 dari
2V sampai 12V maka 𝐼𝐶 dan 𝑉𝐶𝐸 juga ikut naik. Seperti contohnya pada posisi 𝑉𝐶𝐶 sebesar 2V, besar
𝐼𝐶 11,27 dan 𝑉𝐶𝐸 nya sebesar 827,974mV. Pada posisi 𝑉𝐶𝐶 sebesar 4V, besar 𝐼𝐶 12,026 dan 𝑉𝐶𝐸 nya
sebesar 2,797V. Terlihat kenaikan pada 𝑉𝐶𝐸 nya dari mV menjadi V. Dari data hasil pengamatan,
terbukti rumus 𝑉𝐶𝐶 berbanding lurus. Dimana 𝑉𝐶𝐶 kita naikkan maka 𝐼𝐶 dan 𝑉𝐶𝐸 juga ikut naik.

Pada percobaan kedua, karakteristik penguat arus DC transistor kita menggunakan DC

Interactive Current karena arus yang akan kita ubah. Kita menggunakan sumber DC, transistor, 2
tahanan dan 2 Amperemeter. Tujuan pada percobaan kedua ini untuk membuktikan transistor sebagai
penguat atau bekerja pada daerah aktif. Kita atur juga 𝐼𝐵 nya kita atur dari 10𝜇𝐴 sampai 50𝜇𝐴. Dari
data pengamatan, pada 𝐼𝐶 nya terus naik dan sedangkan 𝑉𝐶𝐸 menurun. Hal ini membuktikan bahwa
transistor bekerja pada daerah aktif dan artinya transistor bekerja sebagai penguat. Pada daerah aktif
yang perlu diperhatikan hanya hubungan antara 𝐼𝐵 𝐼𝐶 𝑉𝐶𝐸 . Dimana ketika 𝐼𝐵 kita naikkan maka 𝐼𝐶 ikut
naik dan 𝑉𝐶𝐸 menurun.

Pada percobaan ketiga, pengukuran 𝑉𝐵𝐸 . Kita menggunakan 1 buat multimeter diukur sbagai
Voltmeter untuk mengukur tegangan basis emitter karna terhubung pada kaki basis dan emitter. Kita
menggunakan DC Interactive Current dan transistor pada kaki kolektor dibiarkan terbuka. Hubungan
𝐼𝐵 dan𝑉𝐵𝐸 termasuk karakteristik input. Pada data pengamatan 𝐼𝐵 nya kita naikkan dari 10𝜇𝐴 sampai
50𝜇𝐴. Pada percobaan ketiga, ketika kita naikkan nilai 𝐼𝐵 maka nilai 𝑉𝐵𝐸 nya juga ikut naik. Seperti
pada kurva karakteristik input, 𝑉𝐶𝐸 sebagai parameternya. Artinya hubungan 𝐼𝐵 dan𝑉𝐵𝐸 ini ketika 𝐼𝐵 nya
kita naikkan maka 𝑉𝐵𝐸 nya juga ikut naik.

Pada percobaan keempat, pengukuran 𝑉𝐶𝐸 jenuh. Pada percobaan ini, transistor berfungsi
sebagai saklar. Artinya transistor bekerja pada keadaan saturasi dan cut-off. Pada keadaan saturasi
saklar ketutup maka saklar “ON” dan ketika pada keadaan cut-off saklar terbuka maka saklar “OFF”.
Pada rangkaian ini terdapat 2 posisi. Pada posisi 1 terdapat dioda LED yang berfungsi sebagai lampu
indicator dimana pada saat saklar “ON” maka dioda akan menyala. Dari positif sumber kearah titik
percabangan, arus yang kekiri akan terus ke amperemeter, kemudian ke beban dan ke kaki basis
kolektor. Arus kiri berfungsi untuk mengaktifkan transistor. Salah satu syarat transistor menyala

Laboratorium Rangkaian Listrik dan Elektronika

Institut Teknologi PLN
 KELOMPOK 8A
adalah harus adanya arus yang mengalir ke basis kolektor otomatis transistornya menyala. LED nya
akan menyala dikarenakan transistornya menyala. Lalu arus tersebut akan dikembalikan ke negative
sumber maka terjadilah satu lope. Jadi posisi 1, transistor dalam keadaan saturasi dan LED nya akan
menyala.

Pada posisi 2, dari positif sumber ke amperemeter lalu ke tahanan, kemudian ketahan di LED.
Arusnya hanya sampai LED tidak bisa diteruskan ke transistor dan kembali ke negative sumber.
Dikarenakan transistor tidak aktif dan tidak ada arus yang melewati kaki basis. Karna itu arus tertahan
sampai LED. Jadi posisi 2 ini, transistor bekerja dalam keadaan cut-off dan lampu LEDnya padam.
Pada multimeter A1 dan V1 tidak ada arus kalaupun ada arus atau tegangan yang terukur akan sangat
kecil karena transistornya tidak aktif.

Laboratorium Rangkaian Listrik dan Elektronika

Institut Teknologi PLN
 KELOMPOK 8A
3. ANALISA Windari Nur Rahma

Pada Praktek Modul IV Elektronika berjudul Karakteristik Kerja Transistor. Transistor adalah
suatu komponen elektronika aktif yang berfungsi sebagai penguat, penstabil tegangan, dan sebagai
saklar. Pada dasarnya ada 2 karakteristik untuk transistor yaitu karakteristik input dan karakteristik
output. Karakteristik input adalah hubungan antara tegangan dan arus basis pada konfigurasi common
emitter untuk tegangan kolektor tertentu. Karakteristik output adalah hubungan antara tegangan dan
arus kolektor pada konfigurasi common emitter dengan arus basis sebagai parameter.

Adapun tujuan dari Modul IV Karakteristik Kerja Transistor yang pertama, mempelajari
karakteristik input maupun karakteristik output dari Bipolar Junction Transistor atau disingkat BJT.
Transistor BJT adalah adalah transistor yang struktur dan prinsisp kerjanya memerlukan perpindahan
muatan pembawanya yaitu elektron di kutub negatif untuk mengisi kekurangan elektron atau hole di
kutub positif. Pada praktikum ini menggunakan Transistor NPN dimana ini merupakan salah satu jenis
dari Transistor Bipolar dengan nama transistornya yaitu BC107BP, dimana B yaitu mengindikasikan
tentang bahan pebuatannya dari bahan silicon. C berarti transistor daya rendah atau transistor daya
menengah untuk fekuensi rendah, angka 107 adalah nomor seri transistor. Tujuan kedua yaitu
mengetahui parameter BJT dari grafik karakteristik yang diperoleh.

Pada transistor khususnya transistor NPN terdapat daerah kerja antara lain yaitu daerah jenuh,
daerah aktif dan daerah cut-off. Daerah jenuh atau saturasi adalah daerah dengan tegangan kolektor
emitter kurang dari tegangan lutut. Daerah jenuh ini terjadi apabila sambungan emitter basis dan
sambungan basis kolektor dalam kondisi forward bias. Pada daerah jenuh arus kolektor tidak
bergantung pada nilai arus basis. Tegangan jenuh kolektor emitter untuk transistor silikon adalah 0,7
volt dan untuk transistor germanium adalah 0,3 volt, dapat disimpulkan bahwa pada daerah saturasi
nilai tegangan kolektor emitter mendekati nol volt kemudian nilai pada arus kolektor maksimum maka
arus basis pun akan naik. Daerah aktif merupakan daerah yang berkisar dari tegangan lutut sampai
dengan tegangan dadal atau breakdown serta nilai arus pada basis berada diatas arus cut-off atau nilai
arus pada basis tidak sama dengan arus basis saat saturasi. Daerah aktif terjadi bila sambungan emitter
basis diberi forward bias dan kolektor basis reverse bias. Penguatan sinyal terjadi saat transistor dalam
kondisi aktif, dapat disimpulkan pada daerah aktif tegangan kolektor emitter turun nilainya kemudian
pada arus kolektor naik nilainya, dan pada arus basis juga akan naik nilinya. Daerah cut-off terletak
ketika nilai arus basis dibawah nilai arus cut-off, sambungan emitter basis dan kolektor basis keduanya
berada pada reverse bias. Dimana dalam hal ini nilai arus basis nol, arus kolektor nilainya nol, dan
tegangan kolektor emitter sama dengan tegangan kolektor atau Vcc maksimum.

Salah satu fungsi dari transistor adalah sebagai saklar. Transistor sebagai saklar yaitu
mengoperasikan transistor pada salah satu kondisi antara lain saturasi dan cut-off. Apabila sebuah
transistor berada dalam kondisi saturasi maka transistor berlaku seperti saklar tertutup atau saklar
dalam keadaan on antara kolektor dan emitter. Jika transistor dalam keadaan cut-off maka berlaku
seperti saklar terbuka atau saklar dalam keadaan off.

Pada percobaan pertama yaitu Karakteristik Kerja Transistor. Arus basis diberi nilai 40
mikroAmpere, kemudian ketika tegangan kolektor atau Vcc dinaikkan dari 2 Volt ke kelipatan dua
sampai dengan 12 volt, maka tegangan kolektor emitter atau VCE akan semakin besar. Pada percobaan
pertama ini membuktikan rumus tegangan kolektor atau Vcc sama dengan tegangan kolektor emitter

Laboratorium Rangkaian Listrik dan Elektronika

Institut Teknologi PLN
 KELOMPOK 8A
ditambah arus basis dikali hambatan kolektor. Tegangan kolektor atau Vcc berbanding lurus dengan
tegangan kolektor emitter atau VCE.

Pada percobaan kedua yaitu Karakteristik Penguat Arus DC Transistor. Pada tegangan kolektor
atau Vcc diberi nilai 12 volt, kemudian arus basis dinaikkan dari 10 mikroAmpere ke kelipatan
sepuluh sampai dengan 50 mikroAmpere. Ketika arus basis dinaikkan maka arus kolektor juga akan
ikut naik, ini menunjukkan bahwa arus basis penguat untuk arus kolektor, atau disini dapat dikatakan
transistor bekerja sebagai penguat arus. Akan tetapi pada tegangan kolektor emitter semakin kecil.

Pada percobaan ketiga yaitu Pengukuran tegangan basis emitter. Apabila arus basis dinaikkan
maka tegangan basis emitter akan naik juga, dimana kenaikkan ini tidak terlalu drastis dari arus basis
dengan nilai 10 mikroAmper ke 50 mikroAmpere. Diperoleh tegangan basis emitter dalam satuan
miliVolt apabila diubah ke satuan Volt maka akan menjadi 0,6 Volt dan 0,7 Volt, di percobaan ini
membuktikan transistor berbahan silikon.

Pada percobaan keempat yaitu Pengukuran tegangan kolektor emitter jenuh. Terdapat dua
posisi, posisi satu yaitu saklar dalam keadaan on atau tertutup karena kaki basis terhubung pada
sumber positif sehingga arus mengalir ke kaki basis, maka transistor akan aktif dan LED menyala,
transistor disini bekerja pada daerah saturasi. Posisi dua yaitu saklar dalam keadaan off atau terbuka
karna kaki basis terhubung pada ground sehingga tidak ada arus yang mengalir ke kaki basis, maka
kerja transistor pada daerah cut-off dan LED tidak menyala atau mati.

Laboratorium Rangkaian Listrik dan Elektronika

Institut Teknologi PLN
 KELOMPOK 8A
4. ANALISA Mochammad Aqmal Huzairi

Praktikum modul 4 kali ini berjudul “Karakteristik Kerja Transistor”. Secara garis besar, tujuan
dari praktikum kali ini adalah untuk mempelajari karakteristik input dan output pada transistor bipolar
(BJT) serta diharapkan untuk menegetahui parameter transistor BJT dari grafik karakteristik yang
diperoleh.

Transistor adalah sebuah komponen elektronika berbahan dasar material semikonduktor yang
berfungsi sebagai penguat, pemutus ataupun penyambung (switching), penstabil tegangan dan lain
sebagainya. Pada transistor terdapat tiga kaki terminal. Masing – masing kaki tersebut adalah emiter,
basis dan kolektor. Kaki emiter berfungsi sebagai pemancar atau memancarkan elektron. Basis
berfungsi sebagai gerbang masuknya arus. Dan kolektor berfungsi sebagai tempat berkumpulnya
elektron.

Prinsip kerja dari sebuah transistor adalah, apabila ada arus listrik yang mengalir pada terminal
basis maka, gerbang akan terbuka dan mengizinkan arus listrik tersebut mengalir dari kolektor ke
emiter. Transistor BJT terbagi atas transitor npn dan transistor pnp. Transistor npn adalah transistor
yang kaki basisnya mendapatkan suplai terminal positif dari V sumber. Sedangkan transistor pnp
adalah transistor yang kaki basisnya mendapatkan suplai terminal negatif dari V sumber.

Daerah kerja dari sebuah transistor ada tiga, yaitu daerah saturasi (jenuh), daerah cut off, dan
daerah kerja aktif. Daerah kerja saturasi (jenuh) adalah keadaan dimana transistor mengalirkan arus
secara maksimal dari kolektor ke emiter. Pada daerah kerja saturasi ini, besarnya arus basis (Ib) akan
naik dan arus kolektor (Ic) akan maksimal. Sedangkan besarnya nilai Vce akan mendekati nol.
Kemudian, ada daerah kerja cut off. Derah kerja cut – off adalah keadaan dimana transistor
menyumbat pada hubungan kolektor ke emiter atau dengan kata lain arus listrik tidak dapat mengalir
dari emiter ke kolektor. Daerah cut off ini bisa disebut juga sebagai daerah kondisi saklar terbuka.
Pada kondisi cut off ini, besarnya arus basis (Ib) adalah nol. Terakhir adalah daerah kerja aktif. Daerah
aktif sama seperti saturasi yaitu arus listrik dapat mengalir dari emiter ke kolektor. Namun pada daerah
kerja aktif ini, besarnya arus basis (Ib) akan naik dan arus kolektor (Ic) juga akan naik, tetapi nilai
tegangan Vbe akan menururn. Dengan kata lain dapat dikatakan bahwa, besarnya arus Ic berbanding
lurus dengan arus Ib dan berbanding terbalik dengan tegangan Vbe. Jika dilihat dari kurvanya, daerah
kerja aktif ini terletak diantara daerah saturasi (jenuh) dan daerah cut off. Biasanya jika transistor
berada pada daerah kerja aktif, maka transistor akan berperan sebagai penguat.

Pada percobaan pertama, yaitu karakteristik kerja transistor. Kita menggunakan transistor tipe
BC107BP. “B” memiliki makna bahwa transistor tersebut terbuat dari material semikonduktor silikon.
Huruf “C” mengartikan kegunaan dari transistor ini. Yaitu untuk pengunaan frekuensi daya rendah.
Dan angka “107” adalah nomor seri dari si transistor tersebut.

Dari rangkaian yang telah dibuat, dapat diamati bahwa terminal basis mendapatkan suplai
tegangan dari DC power dengan besar arus (Ib) 40 uF dan tahanan Rb 3 kiloohm. Berdasarkan prinsip
kerja dari transistor yaitu ketika terminal basis mendapatkan tegangan dan arus listrik dan kaki anoda
dihubungkan dengan terminal positif V sumber serta kaki katoda dihubungkan dengan terminal negatif
V sumber, maka arus listrik dapat melewati transistor dan transistor dikatakan aktif (ON). Maka dari
itu, ketika dipasangkan multimeter diantara kaki emiter dan kolektor, tegangan kolektor – emiter Vce
dapat terbaca. Dari data hasil pengamatan yang diperoleh, dapat diamati bahwa setiap kenaikan
tegangan Vcc maka besar arus kolektor Ic juga akan semakin naik dan teganagn Vce juga akan naik.

Laboratorium Rangkaian Listrik dan Elektronika

Institut Teknologi PLN
 KELOMPOK 8A
Sehingga dapat dikatakan bahwa nilai tegangan Vcc berbanding lurus dengan nilai arus Ic dan
tegangan Vce. Dan hal tersebut cocok dengan persamaan tegangan Vcc yaitu, Vcc = Vce + Ic.Rc.

Kemudian, percobaan kedua. Masih menggunakan transistor tipe BC107BP. Kali ini arus yang
menuju terminal basis (Ib) dapat diatur besar arus listriknya. Kemudian, nilai tegangan Vcc dibuat 12
V (konstan). Maka yang terjadi adalah transistor aktif (ON) dan dapat meneruskan arus listrik.
Multimeter yang dipasang pada rangkaian menunjukkan pengukuran besar arus kolektor dan besar
tegangan Vce. Dari data pengamatan yang diperoleh, dengan nilai tegangan Vcc 12 V (konstan) dan
arus basis Ib yang diubah – ubah (naik) maka dapat dikatakan bahwa, semakin besar arus pada
terminal basis maka semakin besar pula nilai arus kolektor Ic tetapi nilai tegangan Vce semakin
menurun. Atau dapat diartikan, besar arus Ib berbanding lurus dengan besar arus Ic tetapi berbanding
terbalik dengan nilai tegangan Vce. Dari data nilai arus dan tegangan yang diperoleh tersebut, dapat
dikatakan juga bahwa pada percobaan kedua ini transistor memasuki daerah kerja aktif dan berperan
sebagai penguat.

Selanjutnya, kita melakukan percobaan ketiga yaitu pengukuran nilai tegangan Vbe.
Multimeter dipasang pada kaki basis dan keluaran emiter. Dengan memasang sumber DC interactive
current, maka besar arus basis Ib dapat diubah – ubah (naik). Kemudian tegangan Vcc diberi nilai
sebesar 5 V DC (konstan). Setelah percobaan dilakukan, didapatkan bahwa ketika arus Ib dibuat
semakin besar, maka besar tegangan Vbe yang terbaca pada multimeter semakin besar juga. Sehingga
dapat disimpulkan bahwa pada percobaan ketiga ini untuk mengetahui cara kerja karakteristik input
pada transistor. Karena pada karakteristik input transistor, nilai Ib akan berbanding lurus dengan
tegangan Vbe.

Kemudian dipercobaan terakhir, yaitu pengukran Vce jenuh. Pengujian dilakukan dengan dua
kondisi. Yaitu kondisi ketika saklar S1 tertutup (kondisi 1) dan kondisi ketika saklar S2 tertutup
(kondisi 2). Pada kondisi 1, arus listrik mengalir dari Vcc menuju titik percabangan yang membagi
aliran arus ke arah LED dan kearah terminal basis. Ketika terminal basis mendapatkan suplai arus
listrik, maka transistor akan aktif (ON) dan mengizinkan aliran arus melewati terminal kolektor -
emiter transistor. Kondisi ini menyebabkan lampu LED menyala. Kemudian, ada kondisi kedua, yaitu
saat saklar 2 tertutup. Aliran arus listrik akan menuju lampu LED. Namun, lampu LED tidak bisa
menyala seperti pada kondisi 1. Hal ini terjadi karena terminal basis tidak mendapatkan suplai arus
yang akan mengizinkan transistor berkerja. Ketika aliran arus ke basis tidak ada, maka arus Ib yang
terbaca pada multimeter sama dengan nol, dan nilai tegangan Vbe juga akan nol. Namun, pada
percobaan yang dilakukan pada multisim, multimeter dapat membaca arus listrik dan tegangan pada
terminal basis. Hal ini terjadi karena ketelitian pada multimeter sangat tinggi. Namun nilai yang
terbaca sangatlah kecil.

Laboratorium Rangkaian Listrik dan Elektronika

Institut Teknologi PLN
 KELOMPOK 8A
X. KESIMPULAN
Kesimpulan yang didapat pada praktikum kali ini adalah

1. Komponen transistor memiliki tiga daerah kerja yaitu, daerah aktif, daerah jenuh (saturasi),
dan daerah cut – off.
2. Dari percobaan pertama, transistor dapat bekerja dengan arus Ib = 40 uF (kontan) dan nilai
Vcc yang berubah (naik). Maka dapat disimpulkan bahwa, Vcc = Vce + Ic.Rc.
3. Di percobaan kedua dengan nilai Vcc = 12 V (konstan) didapati bahwa saat nilai arus Ib
dibuat naik, maka arus Ic akan naik dan tegangan Vce menurun. Sehingga, dapat dikatakan
bahwa pada percobaan kedua ini transistor berperan sebagai penguat.
4. Pada percobaan ketiga, dapat diamati bahwa seiring dinaikkannya nilai arus Ib maka
tegangan Vbe akan naik juga. Sehingga, pada percobaan ini adalah dapat disimpulkan untuk
mengetahui kerja karakteristik input transistor.
5. Pada posisi pertama di percobaan terakhir, LED dapat menyala karena terminal basis
mendapat suplai tegangan dari V sumber. Sedangkan pada posisi kedua, LED tidak dapat
menyala karena terminal basis tidak mendapatkan suplai tegangan, sehinggatidak dapat
mengizinkan transistor untuk aktif.

Laboratorium Rangkaian Listrik dan Elektronika

Institut Teknologi PLN
 KELOMPOK 8A
PEMBAGIAN TUGAS PERKELOMPOK

• Rega Nadifulloh Bimaulid = Penyusun Laporan

• Windari Nur Rahma = Data Pengamatan, Simulasi dan Tugas Akhir
• Avika Nur Anjani = Tugas Akhir
• Mochammad Aqmal H = Teori Tambahan dan Kesimpulan.

Laboratorium Rangkaian Listrik dan Elektronika

Institut Teknologi PLN