MODUL 04

TRANSISTOR
PRAKTIKUM ELEKTRONIKA TA 2018/2019

LABORATORIUM ELEKTRONIKA DAN INSTRUMENTASI

PROGRAM STUDI FISIKA
FAKULTAS MATEMATIKA DAN PENGETAHUAN ALAM
INSTITUT TEKNOLOGI BANDUNG

Riwayat Revisi Rev.

28-08-2018 1
 1 TUJUAN
 Memahami prinsip kerja Transistor sebagai saklar atau switch yang terdiri dari rangkaian
Transistor BJT dan Transistor FET
 Mengetahui karakterisasi transistor sebagai penguat dengan konfigurasi Common Emiter,
Common Collector

2 PERSIAPAN
 Transistor Switch (Malvino, hal. 235-236)
 “Bipolar Junction Transistors”, Bab 6 buku “Electronics Principles” Oleh Albert Malvino dan
David J. Bates
 Bab 4, bab 6, bab 8 buku “Electronic devices conventional current version” oleh Thomas L.
Floyd
 Datasheet transistor 2N3904
 Datasheet transistor IRF520
 Datasheet transistor BD139

3 PERALATAN PRAKTIKUM
 Sumber Tegangan DC (1)
 Multimeter (2)
Note: Jika Arus yang dihasilkan pada rangkaian melebihi 300mA GANTI multimeter dengan
Ampermeter atau multimeter yang memiliki ketahanan arus diatas 1A (Minta multimeter dan ikuti
petunjuk pemakaian (Kepada Asisten, Koor-Shift, atau PJ-Modul))
 Osiloskop (1)
 Signal Generator (1)
 Bread Board (1)
 Kit Box (1 Set)
 Resistor (3.3kΩ, 1kΩ, 33kΩ, 330Ω, 510Ω, 220Ω)
 Capasitor (1uF, 47uF, 180nF)
 Potensiometer atau Resistor Variabel (50kΩ, 100kΩ)
 Transistor 2N3904 (1)
 Transistor IRF540 (1)
 Transistor BD139 (1)
 Kabel Jumper
Note: Sebelum melakukan percobaan diHARUSkan membaca datasheet dari transistor yang
digunakan. Hal ini akan ditanyakan pada TES AWAL praktikum.
4 DASAR TEORI
Transistor merupakan komponen elektronika yang pada dasarnya berfungsi sebagai pengontrol
arus listrik. Fungsi utama transistor adalah sebagai penguat sinyal dan switch (saklar). Dalam aplikasi
nya pada divais elektronik, penguatan pada sinyal listrik dan switch banyak digunakan. Oleh karena itu,
transistor menjadi salah satu komponen yang penting. Berdasarkan perkembangannya, transistor
terbagi menjadi BJT (bipolar junction transistor) dan FET (field effect transistor).
1. Bipolar Jucnticon Transistor (BJT)
Transistor BJT disusun oleh material semikonduktor tipe p dan tipe n. Berdasarkan konfigurasi
material penyusunnya, BJT terbagi menjadi PNP dan NPN. Pada gambar 1 ditunjukkan simbol dari
transistor BJT.
 Gambar 1. Struktur dan Simbol Transistor BJT[2]
Transistor BJT memiliki tiga bagian/pin yaitu collector, emitter, dan base. Besarnya kuat arus
yang mengalir dikontrol oleh besar arus yang mengalir dari basis ke emitter. Pada pemakaian standar,
arus kecil yang mengalir dari basis ke emitter akan menyebabkan arus besar mengalir dari collector ke
emitter. Cara kerja transistor BJT tipe npn adalah ketika kondisi antara pin base dan emitter dipanjar
mundur, (VB < 0.7), tidak ada arus yang mengalir dari collector ke emitter. Kondisi ini dinamakan cut-
off. Pada kondisi ini, transistor berperan sebagai saklar terbuka (open switch) dan besar tegangan VCE
akan sama dengan VCC. Sementara, transistor berperan sebagai saklar tertututp (closed switch) apabila
pin base dan emitter dipanjar maju (VB > 0.7). Pada kondisi tersebut arus akan mengalir dari collector
ke emitter. Kondisi ini disebut keadaan saturasi. Besar arus yang mengalir dari collector ke emitter
dalam keadaan saturasi disebut IC(sat).

Vcc
I c ( sat )  (1)
Rc
Sementara, besar arus minimum pada basis yang diperlukan untuk menghasilkan keadaan saturasi
adalalah IB(min)

I c ( sat )
I B (min)  (2)
 DC
βDC adalah gain transistor. Nilai gain terdapat di datasheet dan ditulis sebagai hfe.

Gambar 2. BJT sebagai switch

2. Field Effect Transistor
Field Effect Transistor (FET) adalah transistor yang menggunakan medan listrik untuk mengatur
konduktivitas bahannya. FET terbagi dua, yaitu Junction FET (JFET) dan Insulated Gate FET (IGFET)
atau dikenal juga dengan Metal Oxide FET (MOSFET). FET terdiri dari tiga kaki, yaitu Drain (D),
Gate(G), dan Source (S). Besar medan listrik pada gate mempengaruhi lebar zona deplesi sehingga
mempengaruhi konduktivitas listrik didalamnya. FET juga disebut sebagai voltage-controlled device
karena output dari FET ditentukan oleh tegangan di gate, tidak seperti BJT yang dikendalikan oleh
arus. Threshold voltage setiap FET berbeda dan tercantum di datasheet sebagai VGS threshold.

Gambar 3. Simbol dan Tampilan MOSFET n-channel IRF540[2]

3. Transistor Sebagai Penguat
Transistor merupakan komponen dasar untuk sistem penguat. Untuk bekerja sebagai penguat,
transistor harus berada pada kondisi aktif. Kondisi aktif dihasilkan dengan memberikan bias pada
transistor. Bias dapat dilakukan dengan memberikan arus konstan pada basis atau pada collector.
Terdapat tiga jenis penguat yang dapat diberikan oleh transistor, yaitu penguat emitter ditanahkan
(Common Emiter, CE), penguat kolektor ditanahkan (Common Collector, CC), dan penguat basis
ditanahkan(Common Base, CB).
 Penguat Common Emitter

Gambar 4. Rangkaian Penguat Common Emitter

Pada gambar 4 diatas ditunjukkan rangkaian common emitter. Pada rangkaian common emitter
tegangan input berasal dari pin basis dengan output pada pin collector. Untuk dapat menentukan besar
penguatannya, kita harus terlebih dahulu menentukan tegangan input yang berasal dari sumber dan
juga tegangan outputnya (Vc). Untuk menghitung tegangan output (Vc) dapat digunakan langkah
berikut :
(1) Hitung tegangan pada basis.

R2
VBB  VCC (1)
R1  R2

(2) Hitung tegangan pada emitter dengan VBE = 0.7

VE  VBB  VBE (2)

(3) Hitung arus yang melari di emitter untuk mendapatkan arus yang mengalir di kolektor
 VE
IE  (3)
R4

(4) Karena IC ≈ IE, maka

VC  VCC  I C R3 (4)

Besar penguatan pada rangkaian Common Emmiter dapat dinyatakan sebagai perbandingan antara
tegangan output dan tegangan input.

Vout
A (5)
Vin

Keterangan :
VBB : Tegangan pada pin basis transistor
VE : Tegangan pada pin emitter transistor
VC : Tegangan pada pin collector transistor
IE : Arus yang melewati pin emitter transistor
IC : Arus yang melewati pin collector transistor
A : Besar penguatan

 Penguat Common Collector

Gambar 5. Rangkaian Penguat Common Collector

Pada gambar 4 diatas ditunjukkan rangkaian common Collector. Dalam rangkaian tersebut
tegangan input berasal dari pin basis, berbeda dengan common emitter, output dari rangkaian common
Collector berada pada kaki emiternya. Hal ini menunjukan bahwa kaki dari collector rangkaian ini
digraund kan. Untuk dapat menentukan besar penguatannya, kita harus terlebih dahulu menentukan
tegangan input yang berasal dari sumber dan juga tegangan outputnya (Vc). Proses perhitungan
rangkaian common colector cendrung sama dengan rangkaian common emitter. Namun terjadi
perbedaan pada rangkaian setara ACnya yang menyebabkan hasil penguatan atau Gain yang dihasilkan
berbeda.
 5 TUGAS PENDAHULUAN
1. Transistor terdiri dari 2 jenis FET dan BJT, jelaskan secara singkat mengenai jenis-jenis transistor
tersebut serta klasifikasi dari jenis transistor tersebut! [Nilai : 25]
2. Apa yang dimaksud dengan garis beban, dan titik kerja pada rangkaian penguat? Apa yang terjadi
jika titik kerja lebih besar dari garis beban? Gambarkan garis beban dari rangkaian common
emiter. [Nilai : 25]
3. Gambarkan rangkaian setara AC dari rangkaian common emitter pada gambar 4 dan pada
gambar 5 common collector. [Nilai : 25]
4. Turunkan persamaan penguatan dari common emitter dan common collector berdasarkan
rangakaian setara AC pada gambar 4 dan 5 [Nilai : 25]

6 LANGKAH PERCOBAAN
4.1 Transistor Sebagai Saklar
4.1.1 MOSFET Sebagai Saklar

Gambar 6. Rangkaian MOSFET sebagai saklar

1. Susun rangkaian pada breadboard seperti gambar 6.

2. Gunakan VCC dari sumber DC sebesar 5V.
3. Hubungkan kaki Gate kemultimeter dalam mode tegangan dan kaki Drain kemultimeter, namun
sebelum itu pastikan seluruh rangkaian berjalan.
Note: Proses pengecekan dengan menghubungkan rangkaian dengan tegangan 5Vdan putar
potensiometer ke kiri maksimum dan kekanan maksimum lihat pada Power Supply apakah terjadi
short circuit. Jika Potensio panas ganti nilai R1 dengan nilai yang lebih besar
4. Atur Potensiometer agar benilai minimum sehingga nilai VGS = 0.
5. Catat nilai awal VDS.
6. Naikkan tegangan VGS perlahan-lahan dengan memutar potensiometer.
7. Atur kenaikkan VGS dengan besar 0,5 V untuk rentang 0 V – 2.5 V dan kenaikan 0,1 V untuk
rentang 2.5 V – 4 V.
8. Amati dan catat tegangan yang terukur pada kaki gate-source dan drain-source
9. Buat Kurva VDS terhadap VGS (sumbu y terhadap sumbu x)
4.1.2 BJT Sebagai Saklar

Gambar 7. Rangkaian untuk karakterisasi BJT

1. Susun rangkaian seperti pada gambar schematic di atas.

2. Gunakan VCC sebesar 5V.
Note: Sebelum Sumber dinyalakan atur besar hambatan potensio sebesar 50kΩ
3. Atur potensiometer sehingga menunjukkan nilai VCE sebesar 0.2 V.
4. Variasikan nilai VCE dari 0.2 V sampai dengan 5 V dengan kenaikan 0.2 V dengan cara memutar
potensiometer
5. Catat nilai IC untuk setiap nilai VCE yang diambil.
6. Plot pada kurva data IC terhadap VCE
Note: Pastikan Transistor tidak rusak tanya kepada asisten untuk pengecekan transistor BJT (Note:
Hanya BJT bukan FET).

4.2 Transistor Sebagai Penguat

4.2.1.1 Transistor Sebagai Penguat (Common Emitter)

Gambar 8. Rangkaian Common Emitter

1. Susunlah rangkaian Common Emitter seperti gambar di atas.
2. Berikan nilai VCC sebesar 5 V.
3. Spesifikasi resistor pada gambar xx adalah R1 = 1 kΩ, R2 = 330 Ω, R3 = 1kΩ, R4 = 220 Ω,
kapasitor C1 = 47μF, transistor NPN 2N3904
4. Berikan input AC dari signal generator sebesar 500 mVpp dan frekuensi 500 Hz.
5. Ukur dan catat besar tegangan output (Vout) dan tegangan input (Vin) AC. Amati ambil gambar
sinyal input dan output yang terbacapada osiloskop, catat besar tegangan keluarannya.
6. Selanjutnya ganti nilai R3 dengan Resistor 2.2kΩ dan lakukan langkah yang sama dari 4-7

4.2.1.2 Transistor Sebagai Penguat (Common Collector)

Gambar 9. Rangkaian Common Collector

1. Susunlah rangkaian seperti gambar di atas.

2. Berikan nilai VCC sebesar 8 V.
3. Spesifikasi resistor pada gambar 9 adalah R1 = 33 kΩ, R2 = 3.3kΩ, R3 = 330Ω, R5 = 1kΩ,
kapasitor C1 dan C2 = 47μF, transistor NPN 2N3904
4. Berikan input AC dari signal generator sebesar 3Vpp dan frekuensi 1000 Hz
5. Ukur dan catat besar tegangan output (Vout) dan tegangan input (Vin) AC. Amati sinyal input dan
output yang terbaca pada osiloskop, catat besar tegangan keluarannya.
6. Selanjutnya ganti nilai R3 dengan variasi nilai 1kΩ dan lakukan langkah yang sama dari 4-5.
4.2.2 Kurva Pembebanan

Gambar 10. Rangkaian Penguat Kelas A

1. Susunlah rangkaian seperti gambar di atas.

2. Berikan nilai VCC sebesar 10 V.
3. Spesifikasi resistor pada gambar dan rangkaian seperti atas
4. Set R5 pada keadaan paling rendah (sebelum dipasang pada rangkaian coba dahulu pada arah
mana R5 dengan nilai paling rendah.
5. Berikan input AC dari signal generator sebesar 300mVpp dan frekuensi 500 Hz
6. Ukur dan catat besar tegangan output (Vout) Pada R4 dan tegangan input (Vin) AC. Amati sinyal
input dan output yang terbaca pada osisloskop pada keadaan awal.
7. Putar R5 sampai gambar tidak terjadi saturasi
8. Ukur dan catat besar tegangan output (Vout) pada R4 dan tegangan input (Vin) AC. Amati sinyal
input dan output yang terbaca pada osisloskop pada keadaan awal kembali.
9. Ukur tegangan VB, VBE, dan VCE dengan multimeter.
10. Ambil gambar keadaan tersebut catat nilai R5.
11. Selanjutnya ganti nilai nilai capasitor C1 C2 dan C3, dengan cara, Keadaan awal cabut semua
nilai Capasitor baik C1, C2 dan C3 selanjutnya ambil gambar sinyal yang dihasilkan. Selanjutnya
pasang C1 dengan capasitor 1uF ambil gambar, ganti C1 dengan 47uF ambil gambarnya,
selanjutnya ganti C2 dengan 1uF ambil gambar, ganti C2 dengan 47uF ambil gambar dan lakukan
hal yang sama dengan C3.
 7 TUGAS LAPORAN
1. Setelah dilakukan pengambilan data percobaan MOSFET, bagaimana hubungan tegangan input
(VGS) terhadap tegangan output (VDS)? Pada percobaan MOSFET, pada saat kapan rangkaian
bekerja sebagai switch (adanya perubahan kondisi high ke low atau sebaliknya)?
2. Berdasarkan data dari percobaan 2, plot kurva IC terhadap VCE lalu bandingkan dengan dengan
hasil analitik ! Jika terjadi perbedaan jelaskan penyebab perbedaan tersebut!
3. Dari percobaan 4.2.1, berdasarkan data yang didapat, hitung nilai penguatan yang dihasilkan
rangkaian tersebut! Apakah terjadi beda fasa atau tidak pada sinyal yang teramati oleh osiloskop?
Jelaskan! Dan jelaskan secara rinci perbedaan antara Common Collector dan Common
Emiter dan kegunaan masing masingnya berdasarkan data yang diperoleh!
4. Pada percobaan 4.2.2 mengapa pada saat hambatan pada R5 dirubah terjadi perubahan sinyal,
jelaskan secara rinci dan terstruktur! Jelaskan secara kalkulasi proses yang terjadi pada percobaan
5, hubungkan dengan kurva pembebanan, dan rangkaian penguat kelas A Ideal!
5. Pada pergantian capasitor jelaskan pengaruh dari capasitor C1, C2, dan C3!

8 REFERENSI
1) Malvino, Albert Paul. Electronics Principles, 8th edition. McGraw-Hill Education. United states:
2007. Chapter 6: Bipolar Junction Transistors
2) Floyd, Thomas L. Electronic devices conventional current version, 9th edition. Prentice Hall.
United States: 2012.
 LOG AKTIVITAS

Nama :
NIM :
Shift :

1. Percobaan 1. Transistor Sebagai Saklar

MOSFET sebagai saklar (ambil 25 data) BJT sebagai saklar (ambil 25 data)
VDS( ) VGS( ) VCE( ) IC( )
 MOSFET sebagai saklar BJT sebagai saklar

Kurva VDS trhadap VGS Kurva IC terhadap VCE

2. Percobaan 2 Transistor sebagai penguat

a) Penguat Common Emitter b) Penguat Common Collector
Besaran Nilai Besaran Nilai Besaran Nilai Besaran Nilai

R1 VCC R1 VCC

R2 Frekuensi R2 Frekuensi

R4 R4

C1 C1

Data Gambar Data Gambar

R3= R3=

Vin= Vin=

Vout= Vout=

Gain= Gain=

Data Gambar Data Gambar

R3= R3=

Vin= Vin=

Vout= Vout=

Gain= Gain=

3. Kuva Pembebanan
Besaran Nilai Besaran Nilai Besaran Nilai Besaran Nilai

R1 Vcc VB C1 47uF

R2 Vinput VBE C2 1uF

R3 Voutput VCE C3 47uF

R4 frekuensi Gain

R5
 Gambar

Kurva Pembebanan dan Titik Kerja

Variasi Capasitor(9 Gambar)

Data Gambar
Data Gambar
C1=0
C1=1u
C2=0 C2=0
C3=0
C3=0

Data Gambar
C1=47u
Data Gambar
C2=0
C1=0
C3=0
C2=1u
C3=0
Data Gambar
C1=47u
Data Gambar
C2=1u
C1=0
C3=0
C2=47u
C3=0
Data Gambar
C1=47u
Data Gambar
C2=47u
C1=0
C3=0
C2=0
C3=1u
Data Gambar
C1=47u
Data Gambar
C2=1u
C1=0
C3=47u
C2=0
C3=47u