MODUL 06

TRANSISTOR
LAPORAN PRAKTIKUM ELEKTRONIKA
Asla Roudhatu Rohmah, Achmad Qoddri, Ahmad Hasbi Salimi , Ahmad Najib Dhiya Ulhaq
10219025, 10219078, 10217017, 10219103
Program Studi Fisika, Institut Teknologi Bandung aslaroudhatu9@gmail.com

Tanggal Praktikum:21-10-2020
Asisten: Sefrico Agung Saifulloh / 10218035
 FAKULTAS MATEMATIKA DAN ILMU PENGETAHUAN ALAM

TAHUN AJARAN 2020-2021

1. TUJUAN
a. Menentukan nilai VGS dan VDS yang divisualisasikan terhadap grafik dengan memvariasikan
nilai
hambatan pada potensiometer dengan rentang 50-0%.
b. Menentukan nilai IC dan VCE yang divisualisasikan terhadap grafik dengan memvariasikan nilai
hambatan pada potensiometer dengan rentang 0-100%.
c. Menentukan nilai resistansi pada resistor yang tidak diketahui agar diperoleh arus dan tegangan
yang diinginkan.
d. Menentukan nilai Vin dan Vout menggunakan osiloskop dan voltmeter dengan memvariasikan Vc
 dan tegangan Vpp pada rangkaian common emmiter.
e. Menentukan nilai Vin dan Vout menggunakan osiloskop dan voltmeter dengan memvariasikan Vc
dan tegangan Vpp pada rangkaian common collector.

2. DASAR TEORI

Transistor adalah komponen semikonduktor yang memiliki berbagai macam fungsi seperti
sebagai penguat, pengendali, penyearah, osilator, modulator dan lain sebagainya. Transistor
merupakan salah satu komponen semikonduktor yang paling banyak ditemukan dalam
rangkaian-rangkaian elektronika. Boleh dikatakan bahwa hampir semua perangkat elektronik
menggunakan Transistor untuk berbagai kebutuhan dalam rangkaiannya. Secara umum,
Transistor dapat digolongkan menjadi dua keluarga besar yaitu Transistor Bipolar dan
Transistor Efek Medan (Field Effect Transistor). Perbedaan yang paling utama diantara dua
pengelompokkan tersebut adalah terletak pada bias Input (Output) yang digunakannya.
Transistor Bipolar memerlukan arus (current) untuk mengendalikan terminal lainnya
sedangkan Field Effect Transistor (FET) hanya menggunakan tegangan saja (tidak
memerlukan arus). Pada pengoperasiannya, Transistor Bipolar memerlukan muatan pembawa
(carrier) hole dan elektron sedangkan FET hanya memerlukan salah satunya.Transistor
Bipolar (BJT) adalah Transistor yang struktur dan prinsip kerjanya memerlukan perpindahan
muatan pembawanya yaitu elektron di kutub negatif untuk mengisi kekurangan elekton atau
hole di kutub positif. Bipolar berasal dari kata “bi” yang artinya adalah “dua” dan kata
“polar” yang artinya adalah “kutub”. Transistor Bipolar juga sering disebut juga dengan
singkatan BJT yang kepanjangannya adalah Bipolar Junction Transistor.Transistor Bipolar
terdiri dari dua jenis yaitu Transistor NPN dan Transistor PNP. Tiga Terminal Transistor ini
diantaranya adalah terminal Basis, Kolektor dan Emitor.

1. Transistor NPN adalah transistor bipolar yang menggunakan arus listrik kecil dan
tegangan positif pada terminal Basis untuk mengendalikan aliran arus dan tegangan
yang lebih besar dari Kolektor ke Emitor.Transistor PNP adalah transistor bipolar
yang menggunakan arus listrik kecil dan tegangan negatif pada terminal Basis untuk
mengendalikan aliran arus dan tegangan yang lebih besar dari Emitor ke Kolektor.

Transistor Efek Medan (Field Effect Transistor) yang disingkat menjadi FET ini adalah
jenis Transistor yang menggunakan listrik untuk mengendalikan konduktifitasnya. Yang
dimaksud dengan Medan listrik disini adalah Tegangan listrik yang diberikan pada
terminal Gate (G) untuk mengendalikan aliran arus dan tegangan pada terminal Drain (D)
ke terminal Source (S). Transistor Efek Medan (FET) ini sering juga disebut sebagai
Transistor Unipolar karena pengoperasiannya hanya tergantung pada salah satu muatan
pembawa saja, apakah muatan pembawa tersebut merupakan Elektron maupun
Hole.Transistor jenis FET ini terdiri dari tiga jenis yaitu Junction Field Effect Transistor
(JFET), Metal Oxide Semikonductor Field Effect Transistor (MOSFET) dan Uni Junction
Transistor (UJT).

2. JFET (Junction Field Effect Transistor) adalah Transistor Efek Medan yang
menggunakan persimpangan (junction) p-n bias terbalik sebagai isolator antara
Gerbang (Gate) dan Kanalnya. JFET terdiri dari dua jenis yaitu JFET Kanal P (p-
channel) dan JFET Kanal N (n-channel). JFET terdiri dari tiga kaki terminal yang
masing-masing terminal tersebut diberi nama Gate (G), Drain (D) dan Source (S).
 3. MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) adalah Transistor
Efek Medan yang menggunakan Isolator (biasanya menggunakan Silicon Dioksida
atau SiO2) diantara Gerbang (Gate) dan Kanalnya. MOSFET ini juga terdiri dua jenis
konfigurasi yaitu MOSFET Depletion dan MOSFET Enhancement yang masing-
masing jenis MOSFET ini juga terbagi menjadi MOSFET Kanal-P (P-channel) dan
MOSFET Kanal-N (N-channel). MOSFET terdiri dari tiga kaki terminal yaitu Gate
(G), Drain (D) dan Source (S).

4. UJT (Uni Junction Transistor) adalah jenis Transistor yang digolongkan sebagai Field
Effect Transistor (FET) karena pengoperasiannya juga menggunakan medan listrik
atau tegangan sebagai pengendalinya. Berbeda dengan jenis FET lainnya, UJT
mememiliki dua terminal Basis (B1 dan B2) dan 1 terminal Emitor. UJT digunakan
khusus sebagai pengendali (switch) dan tidak dapat dipergunakan sebagai penguat
seperti jenis transistor lainnya[3]

Konfigurasi Common Collector (CC) atau Kolektor Bersama memiliki fungsi yang dapat
menghasilkan Penguatan Arus namun tidak menghasilkan penguatan Tegangan. Pada
Konfigurasi Common Collector, Input diumpankan ke Basis Transistor sedangkan Outputnya
diperoleh dari Emitor Transistor sedangkan Kolektor-nya di-ground-kan dan digunakan
bersama untuk input maupun output. Konfigurasi Kolektor bersama (Common Collector) ini
sering disebut juga dengan Pengikut Emitor (Emitter Follower) karena tegangan sinyal Output
pada Emitor hampir sama dengan tegangan Input Basis.

Konfigurasi Common Emitter (Emitor Bersama), Konfigurasi Common Emitter (CE) atau
Emitor Bersama merupakan Konfigurasi Transistor yang paling sering digunakan, terutama
pada penguat yang membutuhkan penguatan Tegangan dan Arus secara bersamaan. Hal ini
dikarenakan Konfigurasi Transistor dengan Common Emitter ini menghasilkan penguatan
Tegangan dan Arus antara sinyal Input dan sinyal Output. Common Emitter adalah
konfigurasi Transistor dimana kaki Emitor Transistor di-ground-kan dan dipergunakan
bersama untuk input dan output. Pada Konfigurasi Common Emitter ini, sinyal input
dimasukan ke Basis dan sinyal output-nya diperoleh dari kaki Kolektor.[4] Transistor
merupakan komponen dasar untuk sistem penguat. Untuk bekerja sebagai penguat, transistor
harus berada pada kondisi aktif. Kondisi aktif dihasilkan dengan memberikan bias pada
transistor. Bias dapat dilakukan dengan memberikan arus konstan pada basis atau pada
collector.
Terdapat tiga jenis penguat yang dapat diberikan oleh transistor, yaitu penguat emitter ditanahkan
(Common Emiter, CE), penguat kolektor ditanahkan (Common collector, CC), dan penguat basis
ditanahkan (Common Base, CB).
Pada rangkaian common emitter tegangan input berasal dari pin basis dengan output pada pin
collector. Untuk dapat menentukan besar penguatannya, kita harus terlebih dahulu menentukan
tegangan input yang berasal dari sumber dan juga tegangan outputnya (Vc). Untuk menghitung
tegangan output (Vc) dapat digunakan langkah Dalam penguat menggunakan transistor terdapat garis
beban AC dan DC, Garis beban dc dibuat berdasarkan tanggapan rangkaian terhadap tegangan dc
(tegangan catu daya), dan garis beban ac diperoleh karena tanggapan rangkaian terhadap sinyal ac.
Dengan adanya garis beban dc dan ac pada kurva karakteristik, maka kondisi kerja transistor dapat
diketahui dan penerapan sinyal ac pada penguat dapat dianalisis dengan mudah. [2]
untuk menentukan besar tegangan base, digunakan persamaan pembagi tegangan.
 R2
V B= V
R1 + R2 cc

Tegangan pada emitter merupakan selisih tegangan base dan knee voltage dari transistor,
yang apabila digunakan material silikon sebesar 0,7 Volt. Arus pada emitter dapat ditentukan dengan
persamaan

V E V B −V EB
I E= =
RE RE

Sementara itu, tegangan pada collector dari rangkaian VDB merupakan tegangan 𝑉𝐶𝐶 yang
telah dikurangi tegangan pada resistor 𝑅𝐶, sehingga

V C =V CC−I C R C

Kemudian 𝑉𝐶𝐸 merupakan selisih tegangan collector dan emitter, sehingga dapat ditentukan
dengan persamaan
V CE =V C −V E

Dalam rangkaian common collector tegangan input berasal dari pin basis, berbeda dengan
common emitter, output dari rangkaian common collector berada pada kaki emiternya. Hal ini
menunjukan bahwa kaki dari collector rangkaian ini di-ground-kan. Untuk dapat menentukan besar
penguatannya, kita harus terlebih dahulu menentukan tegangan input yang berasal dari sumber dan
juga tegangan outputnya (Vc). Proses perhitungan rangkaian common colector cenderung sama
dengan rangkaian common emitter. Namun terjadi perbedaan pada rangkaian setara ACnya yang
menyebabkan hasil penguatan atau Gain yang dihasilkan berbeda.
Besar Penguatan(Gain) pada rangkaian Common Emmiter dapat dinyatakan sebagai
perbandingan antara tegangan output dan tegangan input, sebagai berikut

V out
A=| |
V¿

Keterangan :
VB = Tegangan pada pin basis transistor (V)
VE = Tegangan pada pin emmiter transistor (V)
VC = Tegangan pada pin collector transistor(V)
VCC = Tegangan DC input (V)
Vin = Tegangan AC input (V)
Vout = Tegangan output (V)
IE = Arus yang melewati pin emmiter transistor (A)
IC = Arus yang melewati pin collector transistor (A)
R1 = Nilai resistansi hambatan 1 ()
R2 = Nilai resistansi hambatan 2 ()
RE = Nilai resistansi hambatan pada pin emmiter transistor ()
RC = Nilai resistansi hambatan pada pin collector transistor ()
 A = Besar penguatan[1]

3. DATA HASIL DAN PENGOLAHAN DATA

Percobaan I : Transistor sebagai saklar

 MOSFET sebagai saklar

Gambar 1. Rangkaian MOSFET sebagai saklar

Tabel 1. Data nilai VGS dan VDS

VGS VDS
2.45 0
2.35 0
2.25 0.01
2.15 0.02
2.05 2.96
1.95 4.99
1.85 4.99
1.75 4.99
1.65 4.99
 1.55 4.99 BJT sebagai
saklar
1.45 4.99
1.35 4.99
1.25 4.99
1.15 4.99
1.05 4.99
0.95 4.99
0.85 4.99
0.75 4.99
0.65 4.99
0.55 4.99
 VCE IC
Gambar 2. 8 0 Rangkaian BJT
sebagai saklar 6 2
1.9 6.1
0.21 7.79
0.18 7.82
0.16 7.84
0.15 7.85
0.15 7.85
0.14 7.86
0.14 7.86
0.13 7.87
Tabel 2. Data VCE dan IC
0.13 7.87
0.12 7.88
0.12 7.88
0.11 7.89
0.11 7.89
0.09 7.9
0.08 7.91
0.07 7.93
0.06 7.92

Percobaan II : Transistor BJT sebagai penguat

 Transistor BJT sebagai penguat Common Emitter

Gambar 3. Rangkaian Common Emitter

Tabel 3. Data percobaan rangkaian commin emitter pada tegangan 0,5 Vpp

Besaran Nilai Besaran Nilai

R1 1KΩ Vcc 5V
R2 334 Ω f 500 Hz
RE 220 Ω C 47uF
Data
RC 660 Ω
Vin 0.18 V
Vout 1.73 V
Gain 9.61
 Data
RC 330 Ω
Vin 0.18 V
Vout 1.46 V
Gain 7.44

Tabel 4. Data percobaan common emitter pada tegangan 1 Vpp

Besaran Nilai Besaran Nilai

R1 1KΩ VCC 5V
R2 334 Ω f 500 Hz
RE 220 Ω C1 47uF
 Data
RC 660 Ω
Vin 0.36 V
Vout 1.78 V
Gain 3.353

Data
RC 330 Ω
Vin 0.36 V
Vout 1.62 V
Gain 3.6

Tabel 5. Data percobaan common emitter pada tegangan 2 Vpp

 Besaran Nilai Besaran Nilai
R1 1KΩ VCC 5V
R2 334 Ω f 500 Hz
RE 220 Ω C1 47uF
Data
RC 660 Ω
Vin 0.61 V
Vout 1.73 V
Gain 1.57

Data
RC 330 Ω
Vin 0.61 V
Vout 1.53 V
Gain 1.3
  Transistor BJT sebagai penguat Common Collector

Gambar 4. Rangkaian transistor BJT sebagai penguat common collector

Tabel 6. Data percobaan common collector pada 0,5 Vpp
Besaran Nilai Besaran Nilai
R1 10 K Ω VCC 10 V
R2 10 KΩ f 1 KHz
RE 4.3 KΩ C1 47uF
C2 47uF
Data
Vin 0.18 V
Vout 0.16 V
Gain 0.888

Tabel 7. Data percobaan common collector pada 1 Vpp

Besaran Nilai Besaran Nilai

R1 10 K Ω VCC 10 V
 R2 10 KΩ f 1 KHz
RE 4.3 KΩ C1 47uF
C2 47uF
Data
Vin 0.35 V
Vout 0.31 V
Gain 0.886

Besaran Nilai Besaran Nilai

R1 10 K Ω VCC 10 V
R2 10 KΩ f 1 KHz
RE 4.3 KΩ C1 47uF
C2 47uF
Data
Vin 0.71 V
Vout 0.62 V
Gain 0.873

Tabel 8. Data percobaan common collector pada 2 Vpp

PENGOLAHAN DATA
Percobaan I : Transistor sebagai saklar
a. MOSFET sebagai saklar
Dari data pada tabel 1, maka dapat dibuat sebuah grafik antara Vgs dan Vds.
Gambar 5. Grafik nilai tegangan VGS terhadap VDS pada percobaan I.a
b. BJT sebagai saklar

Gambar 6. Grafik nilai Ic terhadap VCE pada percobaan I.b

Percobaan II :
BJT sebagai penguat CE

V CE =V CC −V E −V C
asumsikan Ic I E maka
V CE =V CC −i C RC
V CE =5−0.00245 ( R C + RE )
V CE =5−0.00245 ( 660+ R E )
 R E=220 Ω
V Be =0.7
V B =V Be + I E R E dengan Ic I E
V B =0.7+ 0.00245 x 220
V B =1.2399
1.239 × ( 1000+ R 2) =5 A 2
A2=330
Percobaan II :
BJT sebagai penguat CE
Untuk Rc = 660, dengan tegangan 0.5 Vpp diperoleh :
V out
A= | |
V¿
=9.61

Untuk Rc = 330, dengan tegangan 0.5 Vpp diperoleh :

V out
A= | |
V¿
=7.44

Untuk Rc = 660, dengan tegangan 1 Vpp diperoleh :

V out
A= | |
V¿
=3.353

Untuk Rc = 330, dengan tegangan 1 Vpp diperoleh :

V out
A= | |
V¿
=3.6

Untuk Rc = 660, dengan tegangan 2 Vpp diperoleh :

V out
A= | |
V¿
=1.57

Untuk Rc = 330, dengan tegangan 2 Vpp diperoleh :

V out
A= | |
V¿
=1.3

BJT sebagai penguat CC

Untuk tegangan 0.5 Vpp diperoleh :
V out
A= | |V¿
=0.888

Untuk tegangan 1 Vpp diperoleh :

V out
A=| | V¿
=0.886

Untuk tegangan 2 Vpp diperoleh :

V out
A=| | V¿
=0.873
4. ANALISIS DAN PEMBAHASAN
Pada percobaan 1.a pada tegangan 2.35 V rangkaian tersebut bekerja sebagai switch (saklar) dapat terlihat
juga pada grafiknya . Hal ini dapat terjadi karena ada perubahan fase kerja pada transistor. Ketika
tegangan VDS bersifat konstan, transistor berfungsi sebagai komponen elektronika biasa dengan tidak
adanya perubahan tegangan. Pada percobaan MOSFET, rangkaian bekerja sebagai switch ketika tegangan
VGS sudah mencapai angka 2,35 V yang ditandai dengan terjadinya perubahan kondisi dari high ke low
pada transitor. Pada rentang tegangan VGS dari 2,35 V sampai dengan 4.99 V, transistor berfungsi sebgai
switch yaitu dengan mengurangi tegangan VDS ketika terjadi pertambahan VGS.

Pada percobaan 1.b , rangkaian tersebut bekerja sebagai switch(saklar) ketika nilai hambatan pada
potensiometer bernilai 20%. Hal tersebut bisa terjadi karena nilai hambatan pada potensiometer di titik
itu menyebabkan arus tidak dapat mengalir dan juga salah dalam pengamatan. Berdasarkan kurva IC
terhadap VCE pada gambar 6, diperoleh bahwa hasil percobaan sangat mendekati dengan hasil
analitik. Grafik hasil percobaan bersifat linear dengan gradien negatif. Nilai perubahan arus I C
pada rangkaian tersebut cenderung mempunyai penurunan yang konstan.

Fungsi dari potensiometer pada percobaan 1 ialah untuk mengatur nilai hambatan yang dibutuhkan agar
berfungsi sebagai saklar. Potensio yang berfungsi sebagai hambatan berfungsi untuk mengatur nilai arus
pada rangkaian, sehingga ketika potensio diputar, maka akan terjadi perubahan sinyal pada osiloskop.

Sinyal output yang diperoleh pada percobaan 2.a semakin besar dibandingkan sinyal input hal itu
menandakan nilai gain>1. Sinyal output dapat dilihat pada tabel 3- tabel 5.

Sinyal output yang diperoleh pada percobaan 2.b terlihat berbentuk sinusoidal dan semakin kecil
dibandingkan sinyal inputnya hal itu menandakan nilai gain<1. Sinyal output dapat dilihat pada tabel 6-
tabel 8.

5. SIMPULAN

a. Nilai VGS dan VDS dapat dilihat pada tabel 1 dengan grafik yang dapat dilihat pada gambar 5.
b. Nilai IC dan VCE dapat dilihat pada tabel 2 dengan grafik yang dapat dilihat pada gambar 6.
c. Dapat diperoleh RE adalah 220 dan R2 adalah 330 melalui persamaan yang ada.
d. Nilai Vin dan Vout yang diperoleh serta sinyal output dari rangkaian common emitter dapat dilihat
pada gambar 3- gambar 5.
e. Nilai Vin dan Vout yang diperoleh serta sinyal output dari rangkaian common collector dapat dilihat
pada gambar 6- gambar 8.
f.
6. REFERENSI
[1] Floyd, Thomas L. Electronic devices conventional current version, 9th edition. Prentice Hall.United
states: 2012.
[2] Malvino, Albert Paul. Electronics Principles, 8th edition. McGraw-Hill Education. United states:
2007. Chapter 6: Bipolar Junction Transistors.
[3] Kho,    Dickson.    Pengertian    Transistor    dan    Jenis-jenis    Transistor.
https://teknikelektronika.com/pengertian-transistor-jenis-jenis-transistor/. (Diakses pada 24 Oktober
2020 pukul 20.05)

[4] Kho, Dickson. Tiga Jenis Konfigurasi Transistor Bipolar. https://teknikelektronika.com/tiga-jenis-

konfigurasi-transistor-bipolar/. (Diakses pada 24 Oktober 2020 20.48)