PERTANYAAN DAN JAWABAN

PERANGKAT ELEKTRONIKA
BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR (BJT)

KELOMPOK 1

 Muhammad Hidayatullah Isrofil NIM : 42122053

 Febrysai Patulak NIM : 42122054

 Ilham Thamrin Wasistha NIM : 42122055

 Kudikal Hazrat Ahmad Muhammad NIM : 42122056

JURUSAN TEKNIK ELEKTRO

D4 TEKNIK LISTRIK
2022/2023
PERTANYAAN-PERTANYAAN

 KELOMPOK 2 ( DIODA )
1. Apa perbedaan transistor BJT dengan transistor JFET dan apa kelebihannya ?
2. Bagaimana hubungan arus-arus pada Transistor BJT ?
3. Apa itu emitor ?
4. Apa yang dimaksud dengan semi konduktor berdopping sedang (kolektor). Dan apa
perbedaannya dengan Emitter (dopping paling banyak) ?

 KELOMPOK 3 ( MOSFET DEPLATION MODE )

1. Apa perbedaan transistor bipolar dengan transistor lainnya ?
2. Apa yang dimaksud dengan Emitter ?
3. Jelaskan kelebihan dan kekurangan transistor NPN dan PNP !

 KELOMPOK 4 ( JFET )
1. Jelaskan mengapa dalam transistor BJT wilayah dasarnya harus sangat tipis !
2. Transistor BJT dinamakan transistor bipolar kanal konduksi utama nya memakai 2
polaritas pembawa muatan elektron dan lubang. Lubang apakah yang dibawa oleh kanal
konduksi utama ?
3. Mengapa transistor NPN yang merupakan salah satu tipe transistor BJT apabila
dihidupkan tegangan dasar nya bertambah tinggi daripada emitor ?

 KELOMPOK 5 ( DIODA ZENER )

1. Apa itu Kolektor & Emitor ?
2. Apa maksud dari Doping ?
3. Apa yang dimaksud dengan Short Circuit ?

 KELOMPOK 6 (MOSFET ENHANCEMENT MODE )

1. Bagaimana pengaplikasian transistor sebagai saklar dan penguat ?
2. Jelaskan simbol Bipolar Junction Transistor (BJT) !
3. Jelaskan apa yang dimaksud dengan Base Emitor Kolektor !
 JAWABAN-JAWABAN

 KELOMPOK 2 ( DIODA )

1. Transistor BJT dan JFET memiliki cara kerja yang sama, namun terdapat beberapa
perbedaan yang diantaranya sebagai berikut.

a) Konversi: Transistor BJT mengkonversi arus menjadi arus, FET mengkonversi tegangan

menjadi arus
b) Arus input: BJT membutuhkan arus input, FET tidak membutuhkan arus input
c) Input/output: Hubungan input/output BJT adalah linear direpresentasikan oleh sebuah
garis lurus, namun hubungan input/output sebuah FET tidak linear untuk sinyal-sinyal
besar (bertegangan tinggi). Hal ini dapat mengakibatkan terjadinya distorsi pada sinyal-
sinyal besar yang diumpankan ke sebuah FET
d) Kecepatan: FET dapat melaksanakan proses pensaklaran secara lebih cepat dibandingkan
BJT, namun demikian kedua jenis transistor ini dirasa cukup cepat untuk memenuhi
kebutuhan sebagian besar aplikasi elektronik

salah satu kelebihan transistor FET dibandingkan dengan transistor bipolar adalah arus listrik yang
digunakan untuk mengoperasikannya dapat dibuat jauh lebih kecil daripada arus listrik yang
digunakan untuk mengoperasikan transistor bipolar, sehingga lebih ekonomis.

2. Hubungan arus  pada sebuah transistor BJT dimana emitor adalah sumber elektron maka emitor memiliki
arus yang terbesar. Karena sebagian besar elektron emitor mengalir ke kolektor, arus kolektor hampir
sebesar arus emitor. Arus basis sangat kecil sebagai perbandingan, seringkali kurang dari 1 persen dari
arus kolektor.

3. Emitter atau Emitor aadalah salah satu topologi dasar penguat BJT yang berfungsi untuk
memancarkan/menyebarkan elektron.

4. Collector atau kolektor (C) salah satu bagian dasar penguat BJT yang berfungsi untuk
mengumpulkan/mengeluarkan elektron. Perbedaannya dapat dilihat dari fungsinya yang
dimana Emitor dapat memancarkan/menyebarkan elektron, sedangkan Kolektor dapat
mengumpulkan dan mengeluarkan elektron.
 KELOMPOK 3 ( MOSFET DEPLATION MODE )

1. Transistor Junction disebut juga Transistor Bipolar karena kristal PNP dan NPN disebut Transistor
Junction dan karena mempunyai dua macam pembawa muatan yaitu elektron bebas pada N dan hole
pada P. Pengertian Transistor Bipolar sendiri adalah Transistor yang memiliki dua sambungan
kutub, sedangkan Transistor Unipolar Adalah Transistor yang memiliki satu sambungan kutub,
yang terbagi menjadi dua yaitu FET ( Field Effect Transistor ) memiliki JFET kanal P dan N, dan
MOSFET memilki kanal P dan N. Fungsinya membuat N – Channel JFET menjadi sebuah versi
solid – state dari tabung vakum, yang juga membentuk sebuah dioda antara grid dan katode.
Keduanya bekerja di “depletion mode”, dan juga memilki impedansi input tinggi dan
menghantarkan arus listrik dibawah kontrol tegangan input.

2. Emitter merupakan alat pengeluaran air yang disebut pemancar. Emitter mengeluarkan dengan cara
meneteskan air langsung ke tanah ke dekat tanaman.

3. Kelebihan
a. Transistor memiliki arus pengendali yang relatif kecil sehingga lebih mudah dikendalikan
b. Pengoperasian transistor tidak menyaratkan kontrak mekanis atau fisik dengan komponen lain
sehingga mengurangi risiko korsleting
c. Transistor memiliki dimensi yang lebih ringkas atau kecil.
d. Transistor mampu beroperasi pada beragam tegangan.
Kekurangan:
a. Kesalahan pemasangan kaki transistor dapat berujung pada kerusakan komponen
b. Transistor menghasilkan panas cukup besar sehingga dapat berujung pada penurunan umur pakai
jika tidak dikelola dengan baik.

 KELOMPOK 4 ( JFET )

1. Karena kristal silikon murni mempunyai muatan netral, maka supaya dapat memiliki muatan atau
menghantarkan arus listrik, kristal silikon harus dibuat tidak murni (dikotori) dengan cara
memasukkan atom-atom dari elemen lainnya. Bila di-doping dengan atom golongan III seperti
boron, kristal silikon mempunyai total muatan yang positif dan jika di-doping oleh atom golongan
V seperti fosfor, maka total muatannya negatif. Kristal silikon yang total muatannya positif disebut
tipe p, dan yang negatif disebut tipe n.

2. Di dalam transistor BJT, arus listrik utamanya harus melewati satu daerah atau lapisan pembatas
yang dinamakan depletizon

3. Karena transistor NPN memiliki tegangan positif pada terminal dasar dan digunakan sebagai
pengendali tegangan dan arus listrik.

 KELOMPOK 5 ( DIODA ZENER )

1. Collector atau kolektor (C) salah satu bagian dasar penguat BJT yang berfungsi untuk
mengumpulkan/mengeluarkan elektron. Emitter atau Emitor aadalah salah satu topologi dasar
penguat BJT yang berfungsi untuk memancarkan/menyebarkan elektron.

2. Doping menunjuk ke proses yang bertujuan menambah ketidakmurnian (impurity) kepada

semikonduktor sangat murni (juga disebut intrinsik) dalam rangka mengubah sifat listriknya,
dengan cara merubah jumlah pembawa muatan.

3. Yang dimaksud Short Circuit adalah hubungan yang disengaja antara konduksi melalui
hambatan atau impedansi yang memiliki perbedaan yang cukup potensial.
 KELOMPOK 6 ( MOSFET ENHANCEMENT MODE )

1. Prinsip kerjanya transistor diaplikasikan dengan memberi tegangan atau arus listrik pada kedua
kaki terminal untuk mengatur arus listrik yang mengalir melalui terminal yang lain.

2. - Daerah Aktif >> Transistor beroperasi sebagai penguat dan Ic = β.Ib

Daerah kerja transistor yang normal adalah pada daerah aktif, yaitu ketika  arus IC konstans
terhadap berapapun nilai VCE. Dari kurva ini diperlihatkan bahwa arus IC hanya tergantung dari
besar arus IB. Daerah kerja ini biasa juga disebut daerah linear (linear region).

- Saturation   >>   Transistor "fully-ON", Ic = I(saturation)

Daerah saturasi adalah mulai dari VCE  = 0 volt sampai kira-kira 0.7 volt (transistor silikon). Ini
diakibatkan oleh efek p-n junction kolektor-basis yang membutuhkan tegangan yang cukup agar
mampu mengalirkan elektron sama seperti dioda. 

- Cut-off   >>  Transistor menjadi "fully-OFF", Ic = 0

Daerah dimana Vce masih cukup kecil sehingga Arus IC = 0 atau IB = 0. Transistor dalam kondisi
off

- Daerah Breakdown
Dari kurva kolektor, terlihat jika tegangan VCE  lebih dari 40 V, arus IC menanjak naik dengan
cepat. Transistor pada daerah ini disebut berada pada daerah breakdown. Seharusnya transistor tidak
boleh bekerja pada daerah ini, karena akan dapat merusak transistor tersebut. Untuk berbagai jenis
transistor nilai tegangan VCE max  yang diperbolehkan sebelum breakdown bervariasi.

3. Konfigurasi common emitter atau emitor bersama adalah salah satu jenis konfigurasi transistor yang
paling umumnya digunakan daripada konfigurasi common base ataupun common collector, baik itu
untuk keperluan video, audio, penguat frekuensi tinggi dan lain sebagainya. Hal tersebut karena
konfigurasi transistor dengan emitor bersama ini mampu menghasilkan penguatan tegangan dan
arus antara sinyal input dengan sinyal output.