LAPORAN PRESENTASI

ELEKTRONIKA DASAR 1

“ Prinsip kerja dan kurva karakteristik transistor bipolar

Dan transistor satu kutub (FET) dan MOSFET serta penggunaannya
Dalam rangkaian elektronika”

Tugas Ini Disusun Oleh :

Kelompok 3

Anggota Kelompok :
1. Nofebri Rahmatul Aula
2. Gilang Fauzan Maulana
3. Muhammad Fadhil Efendi
4. Rafli Ahmad Farizki

Kelas 1
Prodi D-4 Teknologi Rekayasa Instalasi Listrik
Jurusan Teknik Elektro
Politeknik Negeri Padang
 DAFTAR ISI

Kata

Pengantar .....................................................................................................................

Daftar

Isi ................................................................................................................................

BAB I Pendahuluan

1.1  LatarBelakang .......................................................................................................

1.2  TujuanPenulisan ...................................................................................................

BAB II Pembahasan

2.1 FET (Field EffectTransistor) ...............................................................................

2.2 Karakteristik Transfer jfet……………………………………………………………

2.3Transistor JFET (junctionFET) ............................................................................

2.4 Transistor MOSFET (Metal oxide FET) ..............................................................

2.5 Karakteristik MOSFET…………………………………………………………………

BAB III Penutup

3.1 Kesimpulan .............................................................................................................
 BAB I
PENDAHULUAN

1.1  latar Belakang
Junction Field Effect Transistor (JFET) adalah komponen yang sangat penting
dalam dunia elektronik modern. Dalam rangkaian analog, JFET digunakan dalam
amplifier (penguat). Rangkaian analog melingkupi pengeras suara, sumber listrik stabil,
dan penguat sinyal radio. Dalam rangkaian-rangkaian digital, JFET digunakan sebagai
saklar berkecepatan tinggi. Beberapa JFET juga dapat dirangkai sedemikian rupa
sehingga berfungsi sebagai logic gate, memori, dan komponen-komponen lainnya.
Pada masa kini JFET ada dalam setiap peralatan elektronika. Jika memahami
dasar kerja transistor maka akan lebih mudah mempelajari cara kerja bebagai peralatan
elektronika. JFET merupakan suatu komponen aktif yang dibuat dari bahan
semikonduktor yang berfungsi sebagai penguat arus maupun tegangan, sebagai sirkuit
pemutus dan penyambung (switching), stabilisasi tegangan, modulasi sinyal atau
sebagai fungsi lainnya.

1.3.Tujuan Penulisan
Adapun tujuan yang ingin dicapai dari makalah ini adalah:
1. Mengetahui penjelasan tentang transistor bipolar
2. Mengetahui penjelasan tentang FET (Field Effect Transistor)
3. Mengetahui penjelasan tentang Transistor JFET (junction FET)
4. Mengetahui penjelasan tentang Transistor MOSFET (Metal oxide FET)
 BAB II
PEMBAHASAN

2.1 Transistor Bipolar (BJT)

Bipolar junction transistor (BJT) atau yang biasa dikenal dengan transistor bipolar
merupakan komponen elektronika yang terdiri dari tiga lapis bahan semikonduktor, baik
untuk yang bertipe PNP ataupun NPN. Pada setiap lapisan yang membentuk transistor
tersebut memiliki nama-nama tersendiri (kolektor, basis, dan emitor). Dan pada tiap
lapisan tersebut terdapat kontak kawat untuk koneksi ke rangkaian. Simbol skematik
transistor tipe PNP dan NPN ditunjukan pada gambar dibawah ini :

Gambar 2.1 Simbol Transistor Bipolar

Perbedaan fungsi antara transistor PNP dan transistor NPN terdapat pada mode bias
(polaritas) dari persimpangan ketika transistor beroperasi. Untuk setiap keadaan
operasi tertentu, arah arus dan polaritas tegangan untuk setiap jenis transistor yang
persis akan berlawanan satu sama lain.Transistor bipolar bekerja sebagai regulator
arus yang dikontrol oleh arus. Dengan kata lain, transistor membatasi jumlah arus yang
mengalir. Pada transistor bipolar arus utama yang dikendalikan mengalir dari kolektor
ke emitor atau dari emitor ke kolektor tergantung dari masing-masing jenis transistor
tersebut (PNP atau NPN).

2.2 FET (Field Effect Transistor)

FET ( Field Effect Transistor)  atau sering disebut sebagai transistor efek medan
mempunyai fungsi yang hampir sama dengan transistor bipolar. Meskipun demikian
antara FET  dan transistor bipolar terdapat beberapa perbedaan yang mendasar.
Perbedaan utama antara kedua jenis transistor tersebut adalah bahwa dalam transistor
bipolar arus output (IC) dikendalikan oleh arus input (IB). Sedangkan dalam FET arus
output (ID) dikendalikan oleh tegangan input (VGS), karena arus input adalah nol.
Sehingga resistansi input FET sangat besar, dalam orde puluhan mega ohm.
Disamping itu, FET lebih stabil terhadap temperatur dan konstruksinya lebih kecil
serta pembuatannya lebih mudah dari transistor bipolar, sehingga amat bermanfaat
untuk pembuatan keping rangkaian terpadu. FET bekerja atas aliran pembawa
 mayoritas saja, sehingga FET cenderung membangkitkan noise (desah) lebih kecil dari
pada transistor bipolar.
Keluarga FET yang penting adalah JFET (junction field-effect transistor)
dan MOSFET (metal-oxide semiconductor field-effect transistor). JFET terdiri atas
kanal-P dan kanal-N. MOSFET terdiri atas MOSFET tipe pengosongan (D-MOSFET =
Depletion-mode metal-oxide semiconductor FET) dan MOSFET tipe peningkatan (E-
MOSFET = Enhancement-mode metal-oxide semiconductor FET). Masing-masing tipe
MOSFET ini masih terbagi juga dalam kanal-P dan kanal-N.

a.    Kelebihan FET (Field Effect Transistor)

Dibandingkan dengan BJT, FET memiliki beberapa kelebihan diantaranya adalah:
1.    hambatan dalam input sangat besar, yaitu sekitar ~ 106 Ω untuk JFET (Junction
FET) dan ~ 108 Ω untuk MOSFET (Metal Oxide Semiconductor FET).
2.    noisenya kecil, karena karena pembawa muatan pada FET tidak melewati hubungan
p-n sama sekali.
3.    densitas FET sangat tinggi sehingga dapat dibentuk rangkaian integrasi lebih padat
4.    lebih stabil terhadap suhu

b.    Kekurangan FET (Field Effect Transistor)

Disamping itu kekurangan FET dibandingkan dengan BJT adalah:
1.    kecepatan switchingnya lebih rendah/lambat
2.    tidak mampu menanggani daya besar, walaupun saat ini sudah ada FET yang
mampu bekerja untuk daya besar.
FET memiliki 3 terminal yaitu Source(S), Drain(D), dan Gate(G). Source adalah
terminal tempat pembawa muatan mayoritas masuk ke kanal untuk menyediakan arus
melalui kanal. Drain adalah terminal arus meninggalkan kanal. Gate adalah elektroda
yang mengontrol konduktansi antara Source dan Drain. Sinyal input diberikan pada
terminal Drain. Sedangkan Substrate atau bulk umumnya dihubungkan dengan Source.
Material pada substrate biasanya netral atau didope sedikit.

2.3  Transistor JFET (junction FET)

Gambar dibawah menunjukkan struktur transistor JFET kanal n dan kanal p. Kanal
n dibuat dari bahan semikonduktor tipe n dan kanal p dibuat dari semikonduktor tipe p.
Ujung atas dinamakan Drain dan ujung bawah dinamakan Source. Pada kedua sisi kiri
dan kanan terdapat implant semikonduktor yang berbeda tipe. Terminal  kedua sisi
implant ini terhubung satu dengan lainnya secara internal dan dinamakan Gate.
 Gambar 2.2 struktur transistor JFET kanal n.

Istilah field efect (efek medan listrik) sendiri berasal dari prinsip kerja transistor

ini yang berkenaan dengan lapisan deplesi (depletion layer). Lapisan ini terbentuk
antara semikonduktor tipe n dan tipe p, karena bergabungnya elektron dan hole di
sekitar daerah perbatasan. Sama seperti medan listrik, lapisan deplesi ini bisa
membesar atau mengecil tergantung dari tegangan antara gate dengan source.

a.    JFET kanal-n
Untuk menjelaskan prinsip kerja transistor JFET lebih jauh akan ditinjau  transistor
JFET kanal-n. Drain dan Source transistor ini dibuat dengan semikonduktor tipe n dan  
Gate dengan tipe p. Gambar berikut menunjukkan bagaimana transistor ini di beri
tegangan bias. Tegangan bias antara gate dan source adalah tegangan reverse
bias atau disebut bias negatif. Tegangan bias negatif berarti tegangan gate lebih negatif
terhadap source. Perlu catatan, Kedua gate terhubung satu dengan lainnya (tidak
tampak dalam gambar).

Gambar 2.3 Lapisan deplesi jika gate-source biberi bias negatif

Dari gambar di atas, elektron yang mengalir dari source menuju drain harus
melewati lapisan deplesi. Di sini lapisan deplesi berfungsi semacam keran air.
Banyaknya elektron yang mengalir dari source menuju drain tergantung dari ketebalan
lapisan deplesi. Lapisan deplesi bisa menyempit,  melebar atau membuka tergantung
dari tegangan gate terhadap source.
Jika gate semakin negatif terhadap source, maka lapisan deplesi akan semakin
menebal. Lapisan deplesi bisa saja menutup seluruh kanal transistor bahkan dapat
menyentuh drain dan source.  Ketika keadaan ini terjadi, tidak ada arus yang dapat
mengalir atau sangat kecil sekali. Jadi jika tegangan gate semakin negatif terhadap
source maka semakin kecil arus yang bisa melewati kanal drain dan source.
 Gambar 2.4 Lapisan deplesi pada saat tegangan gate-source = 0 volt

Jika misalnya tegangan gate dari nilai negatif perlahan-lahan dinaikkan sampai
sama dengan tegangan Source. Ternyata lapisan deplesi mengecil hingga sampai
suatu saat terdapat celah sempit.  Arus elektron mulai mengalir melalui celah sempit ini
dan terjadilah konduksi Drain dan Source. Arus yang terjadi pada keadaan ini adalah
arus maksimum yang dapat mengalir berapapun tegangan drain terhadap source. Hal
ini karena celah lapisan deplesi sudah maksimum tidak bisa lebih lebar lagi. Tegangan
gate tidak bisa dinaikkan menjadi positif, karena kalau nilainya positif maka gate-source
tidak lain hanya sebagai dioda.
Karena tegangan bias yang negatif, maka arus gate yang disebut IG akan sangat
kecil sekali. Dapat dimengerti resistansi input (input impedance) gate akan sangat
besar. Impedansi input transistor FET umumnya bisa mencapai satuan MOhm. Sebuah
transistor JFET diketahui arus gate 2 nA pada saat tegangan reverse gate 4 V, maka
dari hukum Ohm dapat dihitung resistansi input transistor ini adalah :
Rin = 4V/2nA = 2000 Mohm
Untuk mengambarkan JFET  pada skema rangkaian elektronika, bisa dipakai
simbol seperti pada gambar di bawah berikut.

Gambar 2.5 Simbol komponen (a)JFET-n (b)JFET-p

Karena struktur yang sama, terminal drain dan source untuk aplikasi frekuensi
rendah dapat dibolak balik. Namun biasanya tidak demikian untuk aplikasi frekuensi
tinggi. Umumnya JFET untuk aplikasi frekuensi tinggi memperhitungkan kapasitansi
bahan antara gate dengan drain dan juga antara gate dengan source. Dalam
 pembuatan JFET, umumnya ada perbedaan kapasitansi gate terhadap drain dan antara
gate dengan source.
b.    JFET kanal-p
Transistor JFET kanal-p memiliki prinsip yang sama dengan JFET kanal-n, hanya
saja kanal yang digunakan adalah semikonduktor tipe p. Dengan demikian polaritas
tegangan dan arah arus berlawanan jika dibandingkan dengan transistor JFET kanal-n.
Simbol rangkaian untuk tipe p juga sama, hanya saja dengan arah panah yang
berbeda.

2.4 Karakteristik Transfer dari JFET

Diketahui bahwa range nilai dari V GS, mulai dari 0 sampai dengan V GS (off) dapat
mengkontrol besarnya arus pada Drain (ID). Untuk n-channel JFET, VGS (off) bernilai
negatif. Sehingga hubungan antara dua besaran tersebut (V GS dan ID) menjadi penting.
Gambar 2.6 memperlihatkan hubungan antara dua besaran tersebut secara grafis, yang
sering disebut dengan kurva transfer karakteristik dari JFET. 

Gambar 2.6. Kurva transfer karakteristik dari JFET (n-channel)

Dari kurva karakteristik transfer dari JFET tersebut, dapat dilihat bahwa nilai terendah
dari sumbu VGS (bottom end dari kurva) adalah sama dengan nilai V GS (off), dan dilihat
bahwa nilai tertinggi dari sumbu ID (top end dari kurva) adalah sama dengan nilai I DSS.
Sehingga batas titik operasi dari JFET adalah:
Nilai ID = nol, ketika VGS = VGS (off)
Dan nilai ID = IDSS, ketika VGS = nol

Kurva karakteristik tranfer dapat dikembangkan dari kurva karakteristik drain dengan
cara mem-plot nilai ID untuk nilai VGS tertentu dari kurva karakteristik drain pada daerah
pinch-off, sebagaimana diperlihatkan pada Gambar 2.7
 Gambar 2.7 Pengembangan kurva transfer karakteristik dari kurva karakteristik drain
JFET

Bentuk kurva karakteristik tranfer adalah mendekati bentuk parabolik, sehingga dapat
didekati dengan persamaan sebagai berikut:
ID = IDSS(1-(VGS/VGS (off)))2
Dengan persamaan tersebut, nilai I D dapat ditentukan untuk berapapun nilai V GS, jika
nisli VGS (off) dan IDSS diketahui.

2.4 Transistor MOSFET (Metal oxide FET) 

Mirip seperti JFET, transistor MOSFET (Metal oxide FET) memiliki drain, source
dan gate. Namun perbedaannya gate terisolasi oleh suatu bahan oksida. Gate sendiri
terbuat dari bahan metal seperti aluminium. Oleh karena itulah transistor ini
sdinamakan metal-oxide. Karena gate yang terisolasi, sering jenis transistor ini disebut
juga IGFET yaitu insulated-gate FET.
Ada dua jenis MOSFET, yang pertama jenis depletion-mode dan yang kedua
jenis enhancement-mode.  Jenis MOSFET yang kedua adalah komponen utama dari
gerbang logika dalam bentuk IC (integrated circuit), uC (micro controller) dan uP (micro
processor) yang tidak lain adalah komponen utama dari komputer modern saat ini.
2.5 Karakteristik Output MOSFET
Berikut ini disajikan gambar kurva drain MOSFET yang menampilkan karakteristik arus
drain (ID) terhadap tegangan drain-source (VDS) dengan beberapa kondisi tegangan
gate-source (VGS).

Gambar 2.8 Kurva karakteristik output MOSFET

Dengan karakteristik seperti dapat dilihat dalam kurva drain diatas, maka dapat lihat
bahwa muncul beberapa daerah kerja dari MOSFET. Daerah-daerah tersebut adalah
sebagaiberikut:

A.Daerah Ohmic
Daerah ini disebut juga daerah resistansi konstan. Daerah ini berada di sebelah kiri
garis batas (threshold) VGS – VGS(th) = VDS.

B.Daerah Saturasi (jenuh)

Daerah ini juga disebut dengan daerah arus konstan. Daerah ini berada di sebelah
kanan garisbatas(thresholdVGS –VGS(th) VDS dandiatasdaeraaktif.

C.Daerah cut off

Daerah ini terletak dibawah VGS1. Disebut daerah cut-off, karena pada daerah ini nilai
tegangan gate-source lebih kecil tegangan gate-source batas/threshold (VGS <
VGS(th)).

4.KarakteristikTransfMOSFET
Dibawah ini disajikan gambar kurva karatersistik transfer MOSFET yang menampilkan
karakteristik arus drain (ID) terhadap tegangan gate-source (VGS) pada daerah aktif.
Gambar 2.9 Kurva transfer MOSFET
 BAB III
PENUTUP

3.1  Kesimpulan
FET (Field Effect Transistor) atau sering disebut sebagai transistor efek medan
mempunyai fungsi yang hampir sama dengan transistor bipolar.  FET arus output (ID)
dikendalikan oleh tegangan input (VGS), karena arus input adalah nol. Sehingga
resistansi input FET sangat besar, dalam orde puluhan mega ohm. Kelebihan FET
(Field Effect Transistor) : hambatan dalam input sangat besar, yaitu sekitar ~ 106 Ω
untuk JFET (Junction FET) dan ~ 108 Ω untuk MOSFET (Metal Oxide Semiconductor
FET), noisenya kecil, karena karena pembawa muatan pada FET tidak melewati
hubungan p-n sama sekali,densitas FET sangat tinggi sehingga dapat dibentuk
rangkaian integrasi lebih padat dan lebih stabil terhadap suhu. Kekurangan FET (Field
Effect Transistor) : kecepatan switchingnya lebih rendah/lambat dan tidak mampu
menanggani daya besar, walaupun saat ini sudah ada FET yang mampu bekerja untuk
daya besar.
struktur transistor JFET kanal n dan kanal p. Kanal n dibuat dari bahan
semikonduktor tipe n dan kanal p dibuat dari semikonduktor tipe p. transistor MOSFET
(Metal oxide FET) memiliki drain, source dan gate. Namun perbedaannya gate terisolasi
oleh suatu bahan oksida. Gate sendiri terbuat dari bahan metal seperti aluminium. Ada
dua jenis MOSFET, yang pertama jenis depletion-mode dan yang kedua
jenis enhancement-mode.