UNIPOLAR JUNCTION

TRANSISTOR
KELOMPOK 3
Muhammad Isa Hamdani - 20201330033
Alfan Nuril Fanani - 20201330040
Moch Usman Ardhiansyah - 20201330042
 Transistor

• Transistor adalah alat semikonduktor yang dipakai sebagai penguat, sebagai sirkuit
pemutus dan penyambung (switching), stabilisa.
• Beberapa transistor juga dapat dirangkai sedemikian rupa sehingga berfungsi sebagai
logic gate, memori dan fungsi rangkaian-rangkaian lainnya.

Unipolar Junction Transistor

• Uniplar Junction Transistor menggunakan hanya satu jenis muatan pembawa (Elektron
atau hole, tergantung jenis UJT)
• UJT dikenal juga dengan istilah FET (Field-Effect Transistor)
 Field Effect Transistor (FET)

Field Effect Transistor atau disingkat dengan FET adalah komponen

Elektronika aktif yang menggunakan Medan Listrik untuk
mengendalikan Konduktifitasnya. Field Effect Transistor (FET) dalam
bahasa Indonesia disebut dengan Transistor Efek Medan. Dikatakan
Field Effect atau Efek Medan karena pengoperasian Transistor jenis ini
tergantung pada tegangan (medan listrik) yang terdapat pada Input
Gerbangnya. FET merupakan Komponen Elektronika yang tergolong
dalam keluarga Transistor yang memilki Tiga Terminal Kaki yaitu Gate
(G), Drain (D) dan Source (S).
 Jenis-jenis Field Effect Transistor (FET) dan Cara Kerjanya

Pada dasarnya terdapat dua jenis klasifikasi utama pada Field Effect Transistor atau
FET ini, kedua jenis tersebut diantaranya adalah JFET (Junction Field Effect
Transistor) dan MOSFET (Metal Oxide Semiconduction Field Effect Transistor).

1. Junction FET (JFET)

Cara Kerja JFET pada prinsipnya seperti kran air yang mengatur aliran air pada pipa.
Elektron atau Hole akan mengalir dari Terminal Source (S) ke Terminal Drain (D). Arus
pada Outputnya yaitu Arus Drain (ID) akan sama dengan Arus Inputnya yaitu Arus
Source (IS). Prinsip kerja tersebut sama dengan prinsip kerja sebuah pipa air di rumah
kita dengan asumsi tidak ada kebocoran pada pipa air kita.
Besarnya arus listrik tergantung pada tinggi rendahnya Tegangan yang
diberikan pada Terminal Gerbangnya (GATE (G)). Fluktuasi Tegangan pada
Terminal Gate (VG) akan menyebabkan perubahan pada arus listrik yang
melalui saluran IS atau ID. Fluktuasi yang kecil dapat menyebabkan variasi
yang cukup besar pada arus aliran pembawa muatan yang melalui JFET
tersebut. Dengan demikian terjadi penguatan Tegangan pada sebuah
rangkaian Elektronika.
Junction FET atau sering disingkat dengan JFET memiliki 2 tipe
berdasarkan tipe bahan semikonduktor yang digunakan pada saluran atau
kanalnya. JFET tipe N-Channel (Kanal N) terbuat dari bahan
Semikonduktor tipe N dan P-Channel (Kanal P) yang terbuat dari
Semikonduktor tipe P.
1.1. JFET Kanal-N
Berikut dibawah ini adalah gambar struktur dasar JFET jenis Kanal-N.
Saluran atau Kanal pada jenis ini terbentuk dari bahan semikonduktor tipe N
dengan satu ujungnya adalah Source (S) dan satunya lagi adalah Drain (D).
Mayoritas pembawa muatan atau Carriers pada JFET jenis Kanal-N ini adalah
Elektron.
Gate atau Gerbang pada JFET jenis Kanal-N ini terdiri dari bahan semikonduktor
tipe P. Bagian lain yang terbuat dari Semikonduktor tipe P pada JFET Kanal-N ini
adalah bagian yang disebut dengan Subtrate yaitu bagian yang membentuk batas di
sisi saluran berlawanan Gerbang (G).
Tegangan pada Terminal Gerbang (G) menghasilkan medan listrik yang
mempengaruhi aliran pada pembawa muatan yang melalui saluran tersebut.
Semakin Negatifnya VG,  semakin sempit pula salurannya yang akhirnya
mengakibatkan semakin kecil arus pada outputnya (ID).
1.2. JFET Kanal-P
Berikut dibawah ini adalah gambar struktur dasar JFET jenis Kanal-P.
Saluran pada JFET jenis Kanal-P terbuat dari Semikonduktor tipe P. Mayoritas
pembawa muatannya adalah Hole. Bagian Gate atau Gerbang (G) dan Subtrate-
nya terbuat dari bahan Semikonduktor tipe N.
Di JFET Kanal-P, semakin Positifnya VG, semakin sempit pula salurannya yang
akhirnya mengakibatkan semakin kecilnya arus pada Output JFET (ID).
Dari Simbolnya, kita dapat mengetahui mana yang JFET Kanal-N dan JFET
Kanal-P. Anak Panah pada simbol JFET Kanal-N adalah menghadap ke dalam
sedangkan anak panah pada simbol JFET Kanal-P menghadap keluar.
2. Metal Oxide Semiconduction Field Effect Transistor (MOSFET)
Seperti halnya JFET, Saluran pada MOSFET juga dapat berupa semikonduktor tipe-N ataupun
tipe-P. Terminal atau Elektroda Gerbangnya adalah sepotong logam yang permukaannya
dioksidasi. Lapisan Oksidasi ini berfungsi untuk menghambat hubungan listrik antara Terminal
Gerbang dengan Salurannya. Oleh karena itu, MOSFET sering juga disebut dengan nama
Insulated-Gate FET (IGFET). Karena lapisan Oksidasi ini bertindak sebagai dielektrik, maka pada
dasarnya tidak akan terjadi aliran arus antara Gerbang dan Saluran. Dengan demikian, Impedansi
Input pada MOSFET menjadi sangat tinggi dan jauh melebihi Impedansi Input pada JFET. Pada
beberapa jenis MOSFET Impedansi dapat mencapai Triliunan Ohm (1012 Ohm). Dalam bahasa
Indonesia, MOSFET disebut juga dengan Transistor Efek Medan Semikonduktor Logam-Oksida.
Salah kelemahan pada MOSFET adalah tipisnya lapisan Oksidasi sehingga sangat rentan rusak
karena adanya pembuangan elektrostatik (Electrostatic Discharge).
Seperti yang disebut sebelumnya, bahwa MOSFET pada dasarnya terdiri dari 2 tipe yaitu
MOSFET tipe N dan MOSFET tipe P.
2.1. MOSFET tipe N
N-Channel MOSFET,
Struktur N-Channel Mosfet atau disebut dengan NMOS terdiri dari subtract
tipe P dengan daerah Source dan Drain deberi Difusi N+. Diantara daerah
Source dan Drain terdapat sebuah celah sempit dari subtract P yang di sebut
dengan channel yang di tutupi oleh isolator yang terbuat dari Si02
2.2. MOSFET tipe P
P-Channel MOSFET,
P-Channel MOSFET memiliki wilayah P-Channel diantara Source dan Drain. Dia
memiliki empat terminal seperti Gate, Drain, Source dan Body. Struktur Transistor
PMOS terdiri atas tipe-n dengan daerah Source dan Drain diberi difusi P+.
Aplikasi Rangkaian MOSFET
Rangkaian MOSFET pengendali
Kecepatan MOTOR
Mosfet pada umumnya di gunakan
untuk driver pengendali kecepatan
motor. dengan input PWM pada Gate
maka akan mengontrol tegangan
yang lewat melalui Source ke Drain.
Besar kecil nya tegangan yang di
lalui source dan Drain ini ditentukan
besar kecil nya nilai PWM yang di
input di Gate. Lebih Jelas nya lihat
gambar rangkaian di samping ini
Rangkaian MOSFET Sebagai
Switch
Karena MOSFET juga bisa bekerja
selayaknya Transistor, maka
MOSFET juga bisa diguanakan
sebagai switch. Pada MOSFET N-
Channel, ketika ada tegangan pada
Gate, maka tegangan dari Source
akan mengalir ke Drain. begitu juga
sebalik nya. Ketika tidak ada
Tegangan pada Gate maka tegangan
dari source tidak akan mengalir.
Untuk Rangkaian nya bisa dilihat
pada gambar rangkaian di samping
ini.
MESFET = Metal Semiconductor Field Effect Transistor =
Schottky Gate FET.

MESFET Terdiri dari saluran diposisikan antara sumber dan

menguras kontak daerah. Pembawa arus dari sumber ke saluran
dikendalikan oleh Gerbang Logam Schottky. Kontrol saluran
diperoleh dengan memvariasikan lebar lapisan deplesi di bawah
kontak logam yang memodulasi ketebalan saluran konduktor dan
arus antara Source dan Drain.
Panjang Gerbang ke rasio kedalaman, penting karena
menentukan sejumlah parameter kinerja. Biasanya disimpan
sekitar empat karena ada Trade-Off antara Parasit, Kecepatan,
dan Efek Saluran Pendek.
Sumber dan daerah drainase dibentuk oleh Implantasi ION.
Kontak saluran untuk GaAs MESFET biasanya Paduan Gold-
Germanium (AuGe).
Operasi MESFET

Bentuk lain transistor efek medan,

GaAs FET atau MESFET memiliki dua bentuk yang dapat
digunakan:
Depletion Mode MESFET:
Jika wilayah penipisan tidak meluas sampai ke substrat Tipe-P,
MESFET Deplesi-Mode - Konduktif atau "ON" ketika tidak ada
Gerbang-ke-Sumber tegangan diterapkan dan berubah "OFF"
pada penerapan tegangan Gerbang-ke-Sumber Negatif,
meningkatkan lebar daerah penipisan sehingga "Depletion"
saluran.
Enhancement Mode MESFET:
Daerah penipisan cukup lebar untuk mencubit saluran tanpa
tegangan yang diberikan. secara alami akan "OFF". Ketika
tegangan positif diterapkan antara gerbang dan sumber, daerah
penipisan menyusut, dan saluran menjadi konduktif. Tegangan
Gerbang-ke-Sumber yang positif menempatkan Dioda Schottky
dalam bias ke depan, di mana arus besar dapat mengalir.
Karakteristik MESFET / GaAsFET

MESFET di aplikasi RF dan microwave dimana karakteristiknya memberikan keunggulan dibandingkan

teknologi lainnya. Karakteristik utama meliputi:
➽ Mobilitas Elektron yang Tinggi
Penggunaan Gallium Arsenide atau material semikonduktor kinerja tinggi lainnya menyediakan mobilitas
elektron tingkat tinggi yang diperlukan untuk aplikasi RF berkinerja tinggi. MESFET memungkinkan amplifier
dapat beroperasi hingga 50 GHz dan hingga frekuensi 100 GHz.
➽ Tingkat Kapasitansi Rendah
Struktur Gerbang Dioda Schottky menghasilkan tingkat kapasitansi yang sangat rendah yang memungkinkan
kinerja RF dan microwave sangat baik.
➽ Kurangnya Perangkap Oksida
Dibanding dengan MOSFET Silikon lebih umum, GaAs FET atau MESFET tidak memiliki masalah yang
terkait dengan Perangkap Oksida.
➽ Kontrol Geometri Tingkat Tinggi
Memiliki kontrol panjang saluran lebih baik dari JFET. JFET memerlukan proses difusi untuk membuat gerbang
dan proses jauh dari yang terdefinisi.
Geometri yang lebih tepat dari GaAS FET / MESFET menyediakan produk yang jauh lebih baik dan lebih
terulang, memungkinkan geometri sangat kecil yang cocok untuk Frekuensi Gelombang Mikro RF.
 Aplikasi MESFET

➽ Aplikasi Penguat RF
Teknologi semikonduktor, menyediakan mobilitas elektron yang lebih tinggi, dan dalam
Substrat Semi-Isolasi ada kapasitansi liar yang lebih rendah. Kombinasi membuat
MESFET Ideal sebagai Penguat RF.
➽ Penguat Daya Gelombang Mikro
Frekuensi tinggi penguat RF kebisingan rendah, osilator, dan dalam mixer.
Memungkinkan Amplifier beroperasi hingga frequency 50 GHz dan 100 GHz.

Geometri yang lebih tepat dari GaAS FET / MESFET menyediakan produk yang jauh
lebih baik dan lebih terulang, dan memungkinkan geometri sangat kecil yang cocok
untuk Frekuensi Gelombang Mikro RF untuk dipenuhi.
Kelebihan dan Kekurangan Field Effect Transistor (FET)

FET memiliki beberapa kelebihan dan kekurangan jika dibanding dengan

transistor bipolar. Kelebihan yang bisa dilihat yaitu FET yang dapat
bekerja dengan baik pada rangkaian elektronika yang memiliki sinyal
rendah. Misalnya saja pada perangkat komunikasi dan receiver. FET
sering digunakan pada rangkaian elektronika yang memerlukan
impedansi tinggi.

FET umumnya tidak dapat diragukan lagi pada penggunaan perangkat

lain atau rangkaian elektronika yang bekerja. Kinerjanya itu mampu
bekerja untuk penguat daya tinggi seperti pada perangkat komunikasi
berdaya tinggi dan transmitter atau alat-alat pemancar. Itulah
pembahasan tentang pengertian field effect transistor.
 Pembiasan FET
(Biasing FET)

• Untuk mengetahui karakteristik tegangan dan arus yang bekerja pada rangakaian
FET lebih lanjut.

• Ada 3 pendekatan model pembiasan FET ini yaitu:

1. Pembiasan yang ditetapkan (fixed-biasing)
2. Pembiasan sendiri (self-biasing)
3. Pembiasan pembagi tegangan (voltage devider biasing)
 Contoh soal
Sebuah FET pada rangkaian berikut ini memiliki nilai ; . Tentukan , dan dari rangkaian tersebut.
Penyelesaian:

 tegangan gate-source sebanding besarnya dengan tegangan

bias-gate yaitu sebesar,

Vout
 arus drain sebesar;
Vin

 
 diperoleh dari persamaan :
Pembiasan sendiri
(self-biasing)

 Penerapannya: untuk mengeliminasi terjadinya penggunaan

sumber tegangan DC lebih dari satu.
 Komponen DC arus drain yang mengalir melewati resistansi
source menghasil pembiasan tegangan source sebesar:
𝑉 𝑆=𝐼 𝐷 𝑅 𝑆
Vout
 Tegangan gate terhadap ground (), maka diperoleh:

𝑉 𝐺𝑆 =𝑉 𝐺 − 𝑉 𝑆¿ − 𝐼 𝐷 𝑅 𝑆 Vin

 Tegangan VDS sbg tegangan keluaran dapat ditentukan sebesar:

¿
dimana

𝐼 𝐷 =𝐼 𝐷𝑆𝑆 ¿ ¿ 𝑝𝑎𝑑𝑎 𝑠𝑎𝑎𝑡 𝑡𝑖𝑡𝑖𝑘 𝑘𝑒𝑟𝑗𝑎(𝑡𝑖𝑡𝑖𝑘 𝑄)

 Contoh soal
Dalam sebuah bias sendiri (self-bias) N-kanal JFET yang daerah titik operasi kerjanya di setting
pada dan . Sedangkan informasi yang diberikan oleh parameter JFET tipe ini adalah ; dan .
Tentukan nilai resistansi source dan resistansi drain
Penyelesaian:

 Resistansi source dapat ditentukan dulu sebesar:

 Sehingga nilai resistansi source

Sebelumnya cari nilai tegangan source dari persamaan:
kita dapatkan sebesar:

nilai harus ditentukan sebelum mendapatkan Vs :

Akhirnya ,
 
 Pembiasan pembagi tegangan
(voltage devider biasing)

• Digunakan untuk mempermudah analisis rangkaian dan meningkatkan

stabilitas khusus pada rangkaian penguat FET.
VDD VDD

RD RD
R1 R1
ID
IG = 0

+
Cc VGS
- IS
+
+
R2 CS R2 VG
RS VRS RS
-
-
 Analisis rangkaiannya:

• Tegangan gate melalui merupakan pintu masukan rangkaian dimana pada

kondisi ini sehingga besarnya tegangan gate ini diperoleh sebesar:
𝑅2
𝑉 𝐺= 𝑥 𝑉 𝐷𝐷
𝑅1 + 𝑅 2

• Kemudian, tegangan VGS sebagai pengendali operasi kerja FET dapat dicari
dari hubungan persamaan :
𝑉 𝐺𝑆 =𝑉 𝐺 − 𝐼 𝐷 𝑅𝑆
• Sehingga, titik operasinya dinyatakan oleh:
𝐼 𝐷=
𝑉 𝐺 −𝑉 𝐺𝑆
𝑅𝑆
𝑑𝑎𝑛 ¿
 Contoh soal
Seperti yang terlihat dalam gambar dibawah. Tentukan tegangan drain dan tegangan
gate-source melalui pendekatan metoda pembiasan pembagian tegangan saat
Penyelesaian:
Arus drain dapat dicari besarnya persamaan:
+ 12 V

Tegangan gate dan source menggunakan pendekatan persamaan:

3,3 kΩ
6,8 MΩ
ID
 Kemudian kita cari dulu Vs, sebesar:
+
VGS
-
+
1 MΩ VG
1,8 kΩ RS  Sehingga diperoleh tegangan gate-source sebesar:
-