Praktikum Elektronika

INSTITUT TEKNOLOGI PADANG ELE2331

JOBSHEET V
TRANSISTOR
5.1 Dasar Teori

5.1.1 Pengertian Transistor
Transistor adalah alat semikonduktor yang dipakai sebagai penguat,
pemotong (switching), stabilisasi tegangan, modulasi sinyal atau fungsi lainnya.
Transistor dapat berfungsi semacam kran listrik, dimana berdasarkan arus
inputnya (BJT) atau tegangan inputnya (FET), memungkinkan pengaliran listrik
yang sangat akurat dari sirkuit sumber listriknya.

Pada umumnya, transistor memiliki 3 terminal. Tegangan atau arus yang

dipasang di satu terminalnya mengatur arus yang lebih besar yang melalui 2
terminal lainnya. Transistor adalah komponen yang sangat penting dalam dunia
elektronik modern. Dalam rangkaian analog, transistor digunakan dalam
amplifier (penguat). Rangkaian analog melingkupi pengeras suara, sumber listrik
stabil, dan penguat sinyal radio. Dalam rangkaian-rangkaian digital, transistor
digunakan sebagai saklar berkecepatan tinggi. Beberapa transistor juga dapat
dirangkai sedemikian rupa sehingga berfungsi sebagai logic gate, memori, dan
komponen-komponen lainnya.

5.1.2 Cara kerja transistor

Dari banyak tipe-tipe transistor modern, pada awalnya ada dua tipe dasar
transistor, bipolar junction transistor (BJT atau transistor bipolar) dan field-effect
transistor (FET), yang masing-masing bekerja secara berbeda.
Transistor bipolar dinamakan demikian karena kanal konduksi utamanya
menggunakan dua polaritas pembawa muatan: elektron dan lubang, untuk
membawa arus listrik. Dalam BJT, arus listrik utama harus melewati satu
daerah/lapisan pembatas dinamakan depletion zone, dan ketebalan lapisan ini
dapat diatur dengan kecepatan tinggi dengan tujuan untuk mengatur aliran arus
utama tersebut. FET (juga dinamakan transistor unipolar) hanya menggunakan
satu jenis pembawa muatan (elektron atau hole, tergantung dari tipe FET). Dalam
FET, arus listrik utama mengalir dalam satu kanal konduksi sempit dengan
depletion zone di kedua sisinya (dibandingkan dengan transistor bipolar dimana

TEKNIK ELEKTRO S1 FERDY RAHMAT HIDAYAT

2021310003
 Praktikum Elektronika
INSTITUT TEKNOLOGI PADANG ELE2331
daerah Basis memotong arah arus listrik utama). Dan ketebalan dari daerah
perbatasan ini dapat dirubah dengan perubahan tegangan yang diberikan, untuk
mengubah ketebalan kanal konduksi tersebut. Lihat artikel untuk masing-masing
tipe untuk penjelasan yang lebih lanjut.

5.1.3 Jenis-jenis transistor

Simbol Transistor dari Berbagai Tipe

PNP P-channel
NPN N-channel
BJT JFET
Secara umum, transistor dapat dibeda-bedakan berdasarkan banyak kategori:

1. Materi semikonduktor: Germanium, Silikon, Gallium Arsenide

2. Kemasan fisik: Through Hole Metal, Through Hole Plastic, Surface
Mount, IC, dan lain-lain
3. Tipe: UJT, BJT, JFET, IGFET (MOSFET), IGBT, HBT, MISFET,
VMOSFET, MESFET, HEMT, SCR serta pengembangan dari transistor
yaitu IC (Integrated Circuit) dan lain-lain.
4. Polaritas: NPN atau N-channel, PNP atau P-channel
5. Maximum kapasitas daya: Low Power, Medium Power, High Power
6. Maximum frekwensi kerja: Low, Medium, atau High Frequency, RF
transistor, Microwave, dan lain-lain
7. plikasi: Amplifier, Saklar, General Purpose, Audio, Tegangan Tinggi,
dan lain-lain
1.B J T

BJT (Bipolar Junction Transistor) adalah salah satu dari dua jenis

transistor. Cara kerja BJT dapat dibayangkan sebagai dua dioda yang terminal
positif atau negatifnya berdempet, sehingga ada tiga terminal. Ketiga terminal
tersebut adalah emiter (E), kolektor (C), dan basis (B).

Perubahan arus listrik dalam jumlah kecil pada terminal basis dapat
menghasilkan perubahan arus listrik dalam jumlah besar pada terminal kolektor.

TEKNIK ELEKTRO S1 FERDY RAHMAT HIDAYAT

2021310003
 Praktikum Elektronika
INSTITUT TEKNOLOGI PADANG ELE2331
Prinsip inilah yang mendasari penggunaan transistor sebagai penguat elektronik.
Rasio antara arus pada koletor dengan arus pada basis biasanya dilambangkan
dengan ß atau hFE. ß biasanya berkisar sekitar 100 untuk transistor-transisor BJT.
2.F E T

FET dibagi menjadi dua keluarga: Junction FET (JFET) dan Insulated

Gate FET (IGFET) atau juga dikenal sebagai Metal Oxide Silicon (atau
Semiconductor) FET (MOSFET). Berbeda dengan IGFET, terminal gate dalam
JFET membentuk sebuah dioda dengan kanal (materi semikonduktor antara
Source dan Drain). Secara fungsinya, ini membuat N-channel JFET menjadi
sebuah versi solid-state dari tabung vakum, yang juga membentuk sebuah dioda
antara antara grid dan katode. Dan juga, keduanya (JFET dan tabung
vakum) bekerja di “depletion mode”, keduanya memiliki impedansi input tinggi,
dan keduanya menghantarkan arus listrik dibawah kontrol tegangan input. FET
lebih jauh lagi dibagi menjadi tipe enhancement mode dan depletion mode. Mode
menandakan polaritas dari tegangan gate dibandingkan dengan source saat FET
menghantarkan listrik. Jika kita ambil N-channel FET sebagai contoh: dalam
depletion mode, gate adalah negatif dibandingkan dengan source, sedangkan
dalam enhancement mode, gate adalah positif. Untuk kedua mode, jika tegangan
gate dibuat lebih positif, aliran arus di antara source dan drain akan meningkat.
Untuk P-channel FET, polaritas-polaritas semua dibalik. Sebagian besar IGFET
adalah tipe enhancement mode, dan hampir semua JFET adalah tipe depletion
mode.

3.M O S F E T

MOSFET, singkatan dari Metal Oxyde Semi Conductor atau Transistor

efek medan, adalah jenis transistor yang bekerja dengan adanya modulasi dari
medan listrik di dalam bahan semikonduktor. Antara FET dan MOSFET tidak ada
perbedaan, hanya yang membedakan:

·         Adanya lapisan S1O2 yang mambatasi gate dan channel.

·         Arus listrik yang masuk sangat kecil sekali.

TEKNIK ELEKTRO S1 FERDY RAHMAT HIDAYAT

2021310003
 Praktikum Elektronika
INSTITUT TEKNOLOGI PADANG ELE2331
Jenis-jenis transistor efek medan adalah MOSFET, JFET, MESFET, HEMT, dan
TFT.

3. I G B T

Transistor IGBT (Insulated-Gate Bipolar Transistor) adalah piranti

semikonduktor yang setara dengan gabungan sebuah transistor bipolar (BJT) dan
sebuah transistor efek medan (MOSFET). Input dari IGBT adalah terminal Gate
dari MOSFET, sedang terminal Source dari MOSFET terhubung ke terminal
Basis dari BJT. Dengan demikian, arus drain keluar dan dari MOSFET akan
menjadi arus basis dari BJT. Karena besarnya tahanan masuk dari MOSFET,
maka terminal input IGBT hanya akan menarik arus yang kecil dari sumber. Di
pihak lain, arus drain sebagai arus keluaran dari MOSFET akan cukuo besar untuk
membuat BJT mencapai keadaan saturasi. Dengan gabungan sifat kedua elemen
tersebut, IGBT mempunyai perilaku yang cukup ideal sebagai sebuah sakelar
elektronik. Di satu pihak IGBT tidak terlalu membebani sumber, di pihak lain
mampu menghasilkan arus yang besar bagi beban listrik yang dikendalikannya.
Komponen utama di dalam aplikasi elekronika daya (power electronics) dewasa
ini adalah sakelar zat padat (solid-state switches) yang diwujudkan dengan
peralatan semikonduktor seperti transistor bipolar (BJT),transistor efek
medan (MOSFET), maupun Thyristor. Sebuah sakelar ideal di dalam aplikasi
elektronika daya akan mempunyai sifat-sifat sebagai berikut:

·         Pada saat keadaan tidak menghantar (OFF), sakelar mempunyai tahanan yang

besar sekali, mendekati nilai tak berhingga. Dengan kata lain, nilai arus bocor
struktur sakelar sangat kecil

·         Sebaliknya, pada saat keadaan menghantar (ON), sakelar mempunyai tahanan

menghantar (R_on) yang sekecil mungkin. Ini akan membuat nilai tegangan
jatuh (voltage drop) keadaan menghantar juga sekecil mungkin, demikian pula
dengan besarnya daya lesapan (power dissipation) yang terjadi, dan kecepatan
pensakelaran (switching speed) yang tinggi. Sifat nomor (1) umumnya dapat
dipenuhi dengan baik oleh semua jenis peralatan semikonduktor yang disebutkan
di atas, karena peralatan semikonduktor komersial pada umumnya mempunyai
nilai arus bocor yang sangat kecil.

TEKNIK ELEKTRO S1 FERDY RAHMAT HIDAYAT

2021310003
 Praktikum Elektronika
INSTITUT TEKNOLOGI PADANG ELE2331
Untuk sifat nomor (2), BJT lebih unggul dari MOSFET, karena tegangan
jatuh pada terminal kolektor-emitter, VCE pada keadaan menghantar (ON) dapat
dibuat sekecil mungkin dengan membuat transitor BJT berada dalam keadaan
jenuh (saturasi).Sebaliknya, untuk unsur kinerja nomor (3) yaitu kecepatan
switching, MOSFET lebih unggul dari BJT, karena sebagai divais yang bekerja
berdasarkan aliran pembawa muatan mayoritas (majority carrier), pada MOSFET
tidak dijumpai aruh penyimpanan pembawa muatan minoritas pada saat proses
pensakelaran, yang cenderung memperlamnat proses pensakelaran tersebut.
Sejak tahun 1980-an telah muncul jenis divais baru sebagai komponen sakelar
untuk aplikasi elektronika daya yang disebut sebagai Insulated Gate Bipolar
Transistor (IGBT).

Sesuai dengan yang tercermin dari namanya, divais baru ini merupakan
divais yang menggabungkan struktur dan sifat-sifat dari kedua jenis transistor
tersebut di atas, BJT dan MOSFET. Dengan kata lain, IGBT mempunyai sifat
kerja yang menggabungkan keunggulan sifat-sifat kedua jenis transistor tersebut.
Terminal gate dari IGBT, sebagai terminal kendali juga mempunyai struktur
bahan penyekat (insulator) sebagaimana pada MOSFET. Dengan demikian,
terminal masukan IGBT mempunyai nilai impedansi yang sangat tinggi, sehingga
tidak membebani rangkaian pengendalinya yang umumnya terdiri dari rangkaian
logika. Ini akan menyederhanakan rancangan rangkaian
pengendali (controller) dan penggerak (driver) dari IGBT.Di samping itu ,
kecepatan pensakelaran IGBT juga lebih tinggi dibandingkan divais BJT ,
meskipun lebih rendah dari divais MOSFET yang setara . Di lain pihak, terminal
keluaran IGBT mempunyai sifat yang menyerupai terminal keluaran (kolektor-
emitter) BJT. Dengan kata lain, pada saat keadaan menghantar, nilai tahanan
menghantar (R_on) dari IGBT sangat kecil, menyerupai R_on pada BJT. Dengan
demikian bila tegangan jatuh serta resapan dayanya pada saat keadaan menghantar
juga kecil. Dengan sifat-sifat seperti ini, IGBT akan sesuai untuk dioperasikan
pada arus yang besar, hingga ratusan amper, tanpa terjadi kerugian daya yang
cukup berarti. IGBT sesuai untuk aplikasi pada perangkat Inverter maupun
Kendali Motor Listrik (Drive).

TEKNIK ELEKTRO S1 FERDY RAHMAT HIDAYAT

2021310003
 Praktikum Elektronika
INSTITUT TEKNOLOGI PADANG ELE2331
5.2 Peralatan

1. Catu daya
2. Multimeter
3. Osiloskop
4. Project board
5. Transistor PNP 2N2955
6. Transistor NPN 2N3904
7. Resistor 100Ω, 820Ω
8. Sakelar
9. Kabel jumper

5.3 Langkah Kerja

1. Persiapkan semua peralatan dan bahan yang diperlukan.Pastikan peralatan

dan komponen dalam kondisi baik dan layak digunakan.
2. Hubungkan tegangan AC kedalam plug AC kedalam panel, jangan lupa
peralatan dioperasikan pada tegangan 220 V/50 Hz.
3. Buatlah rangkaian seperti dalam gambar 5.1 sebagai petunjuk percobaan
4. Gunakan kabel jumper untuk menghubungkan rangkaian seperti gambar
5.1

Gambar 5.1 Rangkaian PNP

5. Hidupkan power supply set tegangan DV variabel 0-25 V pada tegangan
1.5 dan matikan power.
6. Hubungkan rangkaian-rangkaian dengan $1 dan S2 terbuka.
7. Set R2 pada tahanan maksimum Tahanan RI adalah arus pembatas tahanan
dalam rangakain emitter,R3 adalah tahanan pembatas dalam rangkaian
kolektor,atur M1 dan M2 pada range yang tinggi,konsultasikan dengan
instruktur sebelum rangkaian diberi tegangan.

TEKNIK ELEKTRO S1 FERDY RAHMAT HIDAYAT

2021310003
 Praktikum Elektronika
INSTITUT TEKNOLOGI PADANG ELE2331
8. Hidupkan power.
9. Tutup saklar S1 dan S2,amati dan ukur arus emitter dan kolektor,catat dan
masukkan dalam tabel
10. Ukur dan catat tegangan emitter-basis (VBE), collector-basis (VCB) dan
tegangan collector-emitter (VCE) dalam tabel 5.1 tunjukkan polaritas
setiap tegangan.
11. Atur R2 minimun (maksimun bias emitter).Amati dan ukur IE,IC, VEB,
VBC,VCE. Catat
dan masukkan dalam tabel 5.1 tunjukkan polaritasnya.
12. Buka sakelar S1 dan buka rangkaian emitter-basis dengan membuka saklar
S2.
13. Tutup saklar S1,amati dan ukur ICB, catat dalam tabel 5.1.ini adalah nilai
dari ICBO dari kondisi rangkaian tersebut.catat dan jangan lupa
polaritasnya.
14. Matikan power supply.
15. Buatlah rangkaian seperti rangkaian gambar 5.2

Gambar 5.2 Rangkaian NPN

16. Tutup sakelar S1,set R2 pada posisi maksimun.tutup S2. Amati dan ukur
IE dan IC. Catat data-data yang sesuai dengan input data seperti pada
gambar 5.2 kemudian ukur dan catat VEB, VCB dan VCE. Tunjukkan
polaritas tegangan.
17. Atur R2 maksimun, batas ukur disesuaikan. Amati dan ukur IE,IC, VEB,
VCB dan VCE catat data pada gambar 5.2
18. Buka S1 dan S2
19. Tutup S1.amati dan ukur ICBO dan VCB.
20. Buka SI
21. Matikan power supply dan semua sakelar diposisikan off.

TEKNIK ELEKTRO S1 FERDY RAHMAT HIDAYAT

2021310003
 Praktikum Elektronika
INSTITUT TEKNOLOGI PADANG ELE2331
5.4 Gambar Percobaan

Gambar 5.3 rangkaian percobaan rangkaian transistor pnp

Gambar 5.4 rangkaian percobaan rangkaian transistor npn

TEKNIK ELEKTRO S1 FERDY RAHMAT HIDAYAT

2021310003
 Praktikum Elektronika
INSTITUT TEKNOLOGI PADANG ELE2331
5.5 Tabel Pengukuran

TEKNIK ELEKTRO S1 FERDY RAHMAT HIDAYAT

2021310003
 Praktikum Elektronika
INSTITUT TEKNOLOGI PADANG ELE2331
5.6 Analisa dan Pembahasan

TEKNIK ELEKTRO S1 FERDY RAHMAT HIDAYAT

2021310003
 Praktikum Elektronika
INSTITUT TEKNOLOGI PADANG ELE2331

TEKNIK ELEKTRO S1 FERDY RAHMAT HIDAYAT

2021310003
 Praktikum Elektronika
INSTITUT TEKNOLOGI PADANG ELE2331
5.7 Kesimpulan

TEKNIK ELEKTRO S1 FERDY RAHMAT HIDAYAT

2021310003
 Praktikum Elektronika
INSTITUT TEKNOLOGI PADANG ELE2331
DAFTAR PUSTAKA

1. Rachmat April 2014 ,Dasar Teori Transistor dan jenis jenis transistor
http://rachmat-elektronika.blogspot.com/2014/05/dasar-teori-
transistor.html
(di akses pada tanggal 22 Maret 2022)
2. S Lnu - 2017, laporan praktikum elektronika
https://repository.unikom.ac.id/52583/1/MODUL%20ELEKTRONIKA
%20II.pdf
(di akses pada tanggal 22 Maret 2022)
3. 2020 M Rahmad, Yessy Angelia, Muhammad Sahal (Jurnal Geliga Sains,
Perancangan Aplikasi Dasar Transistor:), 1 (1), 38-44, 2007

https://jgs.ejournal.unri.ac.id/index.php/JGS/article/view/7893
(di akses pada tanggal 22 Februari 2022)

TEKNIK ELEKTRO S1 FERDY RAHMAT HIDAYAT

2021310003
 Praktikum Elektronika
INSTITUT TEKNOLOGI PADANG ELE2331

LAMPIRAN

TEKNIK ELEKTRO S1 FERDY RAHMAT HIDAYAT

2021310003