Anda di halaman 1dari 5

MODUL VI KARAKTERISTIK TRANSISTOR

PAF15210P-Praktikum Elektronika Dasar I


Laboratorium Elektronika, Instrumentasi dan Geofisika–Fakultas Matematika dan Ilmu Pengetahuan Alam Unsoed

Abstrak Pada umumnya, transistor memiliki 3 terminal,


yaitu Basis (B), Emitor (E) dan Kolektor (C).
Pada praktikum ini praktikan diharapkan dapat memahami Tegangan yang di satu terminalnya misalnya Emitor
karakteristik dari sebuah Transistor. Karakteristik Transistor dapat dipakai untuk mengatur arus dan tegangan
salah satunya dapat membedakan penggunaan jenis transistor yang lebih besar daripada arus input Basis, yaitu
berdasarkan polaritasnya yaitu jenis PNP dan NPN. Selain pada keluaran tegangan dan arus output Kolektor.
itu praktikan dapat mengetahui tiga terminal pada transistor
yaitu terminal Basis (B), Emitor (E), dan Collector (C). Transistor merupakan komponen yang sangat
Peralatan dan bahan yang digunakan pada praktikum ini penting dalam dunia elektronik modern. Dalam
adalah Baterrai 9 V, Trasnsistor, Potensio, Kapasitor, rangkaian analog, transistor digunakan dalam
Resistor, Breadboard dan Multimeter Digital. Hasil akhir dari amplifier (penguat). Rangkaian analog melingkupi
praktikum ini adalah menentukan jenis, kaki-kaki, dan nilai pengeras suara, sumber listrik stabil (stabilisator)
hfe transistor lalu mencari arus Ic dan tegangan Vce pada dan penguat sinyal radio. Dalam rangkaian-
potensio Rc. rangkaian digital, transistor digunakan sebagai
saklar berkecepatan tinggi. Beberapa transistor juga
Kata Kunci: Transistor, peralatan, hasil akhir. dapat dirangkai sedemikian rupa sehingga
berfungsi sebagai logic gate, memori dan fungsi
1. PENDAHULUAN
rangkaian-rangkaian lainnya.
Praktikum pada praktikum Karakteristik Transistor
praktikan diharapkan memahami konsep dari
fungsi maupun rangkaian penguat Commen Emitter
sendiri. Rangkaian yang akan digunakan dalam
praktikum itu sendiri adalah rangkaian lengkap
penguat Commen Emitter, peralatan dan bahan
yang digunakan pada rangkaian ini adalah satu
buah transistor, tiga buah potensio, saru resistor,
tiga kapasitor, satu baterai, breadboard dan
beberapa kabel penghubung dan jumper.

2. STUDI PUSTAKA Gambar 2.1 Transistor

Transistor adalah alat semikonduktor yang dipakai Dari banyak tipe-tipe transistor modern, pada
sebagai penguat, sebagai sirkuit pemutus dan awalnya ada dua tipe dasar transistor, bipolar
penyambung (switching), stabilisasi tegangan, junction transistor (BJT atau transistor bipolar) dan
modulasi sinyal atau sebagai fungsi lainnya. field-effect transistor (FET), yang masing-masing
Transistor dapat berfungsi semacam kran listrik, di bekerja secara berbeda.
mana berdasarkan arus inputnya (BJT) atau
Disebut Transistor bipolar karena kanal konduksi
tegangan inputnya (FET), memungkinkan
utamanya menggunakan dua polaritas pembawa
pengaliran listrik yang sangat akurat dari sirkuit
muatan: elektron dan lubang, untuk membawa arus
sumber listriknya.
listrik. Dalam BJT, arus listrik utama harus melewati
Transistor through-hole (dibandingkan dengan pita satu daerah/lapisan pembatas dinamakan depletion
ukur sentimeter) zone, dan ketebalan lapisan ini dapat diatur dengan
kecepatan tinggi dengan tujuan untuk mengatur
aliran arus utama tersebut.

FET (juga dinamakan transistor unipolar) hanya


menggunakan satu jenis pembawa muatan (elektron
Laporan Praktikum –Laboratorium Elektronika, Instrumentasi dan Geofisika – FMIPAUnsoed 1
atau hole, tergantung dari tipe FET). Dalam FET, polaritas dari tegangan gate dibandingkan dengan
arus listrik utama mengalir dalam satu kanal source saat FET menghantarkan listrik. Jika kita
konduksi sempit dengan depletion zone di kedua ambil N-channel FET sebagai contoh: dalam
sisinya (dibandingkan dengan transistor bipolar di depletion mode, gate adalah negatif dibandingkan
mana daerah Basis memotong arah arus listrik dengan source, sedangkan dalam enhancement
utama). Dan ketebalan dari daerah perbatasan ini mode, gate adalah positif. Untuk kedua mode, jika
dapat diubah dengan perubahan tegangan yang tegangan gate dibuat lebih positif, aliran arus di
diberikan, untuk mengubah ketebalan kanal antara source dan drain akan meningkat. Untuk P-
konduksi tersebut. Lihat artikel untuk masing- channel FET, polaritas-polaritas semua dibalik.
masing tipe untuk penjelasan yang lebih lanjut. Sebagian besar IGFET adalah tipe enhancement
mode, dan hampir semua JFET adalah tipe depletion
Berdasarkan tipe transistor pada awalnya ada dua mode
tipe dasar transistor, yaitu BJT (Bipolar Junction
Transistor) dan FET (Field Effect Transistor). Prinsip Transistor selain dibedakan berdasarkan tipenya
kerja kedua tipe transistor tersebut berbeda satu juga dapat dibedakan berdasarkan jenis
sama lain. polaritasnya. Jenis transistor berdasarkan
polaritasnya terdiri dari dua macam, yaitu transistor
BJT (Bipolar Junction Transistor) adalah salah satu PNP dan jenis NPN. NPN artinya tipe transistor
dari dua jenis transistor. Cara kerja BJT dapat yang bekerja atau mengalirkan arus negatif dengan
dibayangkan sebagai dua diode yang terminal positif sebagai biasnya. Transistor NPN mengalirkan
positif atau negatifnya berdempet, sehingga ada tiga mengalirkan arus negatif dari Emitor menuju
terminal. Ketiga terminal tersebut adalah emiter (E), kolektor. Emitor berperan sebagai input dan
kolektor (C), dan basis (B). kolektor berperan sebagai output apabila transistor
tersebut diberikan arus positif pada basisnya.
Perubahan arus listrik dalam jumlah kecil pada Sebaliknya transistor PNP mengalirkan arus positif
terminal basis dapat menghasilkan perubahan arus dari emitor menuju kolektor. Emitor difungsikan
listrik dalam jumlah besar pada terminal kolektor. sebagai input dan kolektor sebagai outputnya jika
Prinsip inilah yang mendasari penggunaan basisnya dialiri arus negatif.
transistor sebagai penguat elektronik. Rasio antara
arus pada koletor dengan arus pada basis biasanya
dilambangkan dengan β atau h F E {\displaystyle
h_{FE}} {\displaystyle h_{FE}}. β biasanya berkisar PNP P-channel
sekitar 100 untuk transistor-transisor BJT.

FET dibagi menjadi dua keluarga: Junction FET


(JFET) dan Insulated Gate FET (IGFET) atau juga
dikenal sebagai Metal Oxide Silicon (atau
NPN N-channel
Semiconductor) FET (MOSFET). Berbeda dengan
IGFET, terminal gate dalam JFET membentuk
sebuah diode dengan kanal (materi semikonduktor
antara Source dan Drain). Secara fungsinya, ini BJT JFET
membuat N-channel JFET menjadi sebuah versi
solid-state dari tabung vakum, yang juga Gambar 2.2 Transistor berdasarkan jenis dan tipenya
membentuk sebuah diode antara grid dan katode.
Dan juga, keduanya (JFET dan tabung vakum) Rangkaian Common Emitter adalah rangkaian
bekerja di "depletion mode", keduanya memiliki Bipolar Junction Transistor yang menggunakan
impedansi input tinggi, dan keduanya terminal Emitter sebagai terminal bersama yang
menghantarkan arus listrik di bawah kontrol terhubung ke Ground, sedangkan terminal masukan
tegangan input. dan keluarannya masing-masing terletak pada
terminal Basis dan terminal Collector.

Rangkaian penguat Common Emitter adalah


FET lebih jauh lagi dibagi menjadi tipe enhancement rangkaian yang paling banyak digunakan karena
mode dan depletion mode. Mode menandakan memiliki sifat menguatkan tegangan puncak

Laporan Praktikum –Laboratorium Elektronika, Instrumentasi dan Geofisika – FMIPAUnsoed 2


amplitude dari sinyal masukkan. Factor penguatan IC/IB, dengan IC adalah arus kolektor dan IB adalah
dari Transistor dilambangkan dengan simbol beta arus basis. Karena berupa rasio maka tidak ada
(β). Rangkaian Common Emitter dapat dibagi satuan yang menyertainya, misalnya hfe = 200.
menjadi rangkaian Fixed Bias, Voltage Divider Bias,
dan Emitter Bias. 3. METODOLOGI

Karakteristik Penguat Common Emitter Peralatan dan bahan yang digunakan antar lain :
1. Breadboard
· Sinyal outputnya berbalik fasa 180 derajat
2. Transistor
terhadap sinyal input.
3. Multimeter Digital
· Sangat mungkin terjadi osilasi karena adanya 4. Baterai 9 Volt
umpan balik positif, sehingga sering dipasang 5. Kabel penghubung
umpan balik negatif untuk mencegahnya. 6. Potensio
7. Resistor
· Sering dipakai pada penguat frekuensi rendah 8. Kapasitor
(terutama pada sinyal audio). Cara Kerja :

· Mempunyai stabilitas penguatan yang rendah a. Menentukan jenis, kaki-kaki dan nilai hfe
karena bergantung pada kestabilan suhu dan bias Transistor
transistor.

· Memiliki resistansi input (Ri) dan resistansi Mengambil tiga buah transistor
output (Ro) yang besar, dan penguatannya cukup yang telah tersedia
besar tetapi berbeda fasa sebesar π.

· Berfungsi sebagai penguat tegangan, VO>VI , VO


menjadi lebih besar karena melawan turunnya Menentukan Seri/Kode pada setiap
VOoleh arus beban sehingga keluaran VO tetap. transistor

· Arus masukan (Ii) dan arus keluaran (IO)


memiliki arus yang disebut dengan β. β= α1-α dan
β=ICIB, α=ICIE.
Menentukan Jenis Transistor
NPN/PNP pada setiap transistor

Pasang kaki-kaki Transistor dengan


MMD pada setiap Transistor

Gambar 2.3 Rangkaian Common Emitter Sederhana

Menentukan besar nilai hfe

hfe adalah salah satu dari sekian banyak parameter


transistor yang ada dalam lembaran data sheet
b. Menentukan Lengkung Ciri Keluaran Transistor
transistor. hfe adalah rasio (perbandingan) dari
Laporan Praktikum –Laboratorium Elektronika, Instrumentasi dan Geofisika – FMIPAUnsoed 3
Menentukan tipe, kaki dan nilai hfe pada transistor
diwali dengan memilih sebuah transistor, kemudian
Merangkai rangkaian lengkap penguat Common Emitor tulis seri dank ode yang ada pada transistor. Setelah
pada breadboard, dengan komponen :
RB1 = Potensio 100 K itu transistor dipasang pada konektor yang tersedia
RB2 = 12 K pada MMD untuk dibaca. Pilih bagian hfe pada
RC = Potensio 10 K
RE = Potensio 1 K MMD untuk membaca transistor sampai muncul
RL = 1K sebuah nilai pada layar MMD. Apabila tidak muncul
C1 dan C2 = 10 mikoF nilai pada layar MMD, pemasangan transistor
CE = 100 mikroF
diubah sampai muncul niali tersebut. Dari
percobaan didapatkan sebagai berikut :

Seri/Kode Jenis hfe Kaki-kaki


Tanpa isyarat masukan dan tanpa memasang RL, ataur C828A NPN 274 EBC
postensio RC agar VCE = 1/2 Vcc
R118

C828A NPN 267 EBC


Hitung arus IC dengan mengukur pada RC dan arus IB serta R118
VBE

C828A NPN 263 EBC

R118

Pasang isyarat masukan dengan frekuensi 1 Hz Tabel 4.1.1 Tabel Jenis, nilai hfe, dan kaki-kaki

4.2 Menentukan Lengkung Ciri Keluaran Transistor


Ukur Vin dan Vout dengan CRO
Percobaan kali ini diawali dengan membuat
rangkaian lengkap penguat Common Emitor dengan
komponen-komponen seperti potensio 100 K,10 K
Pasang RL, kemudian ukur Vin dan Vout dan 1 K, resistor 12 K dan 1 K, dan kapasitor 10 μF
dan 100 μF sedemikian rupa. Kemudian rangkaian
dihubungkan dengan baterai 9 Volt. Setelah itu
rangkaian diukur arus yang melewati RC dengan
Aturlah potensio RB1 agar IB minimum setiap variasi tegangan pada VCE. Dari percobaan
yang telah dilakukan, didapatkan sebagai berikut :

Variasikan VCE dengan cara mengaur potensio RC, catat Nilai IB -1 Nilai IC (Ma) Nilai VCE (Mv)
perubahan IC untuk stiap perubahan VCE
(μA)

0.16 0.10 0.76

Lakukan pengulangan 3 langkan terakhir untuk variasi nilai


0.10 0.77
VCE yang lain
0.10 0.78

0.11 0.79

0.11 0.80
4. HASIL DAN ANALISIS
0.12 0.81
4.1 Menentukan Jenis, Kaki-kaki dan hfe transistor
Laporan Praktikum –Laboratorium Elektronika, Instrumentasi dan Geofisika – FMIPAUnsoed 4
0.13 0.82 Perbandingan nilai arus IC dengan VCE sebanding
dengan kenaikannua sesuai deagan referensi yang
0.13 0.84 sudah ada.

0.14 0.85 Daftar Pustaka


Tabel 4.2.1 Tabel Menentukan Lengkung Ciri Keluaran Transistor [1] http://komponenelektronika.biz/jenis-
jenis-transistor.html, Diakses pada 26
November 2017 pukul 07.47 pm.

[2] http://werden-
forscher.blogspot.co.id/2015/03/pengerti
an-transistor-jenis-dan.html, Diakses pada
26 November 2017 pukul 08.03 pm.

[3] Hartono, Panduan Praktikum Eleltronika


Dasar 1, FMIPA Unsoed, Purwokerto,
2017.

Grafik 4.2.1 Grafik Perbandingan Kuat Arus dan Tegangan

Dari percobaan yang telah dilakukan bahwa


perbandingan antara arus Ic dengan Tegangan VCE
berbanding lurus sesuai referensi karakteristik
transistor yang sebenarnya, yaitu menaikkan arus
sesuai dengan kenaikan tegangan masukan.

5. KESIMPULAN

Berdasarkan hasil praktikum yang telah dilakukan,


Lampiran
dapat diambil beberapa kesimpulan yaitu : Gambar 1 Karakteristik Transistor

• Menentukan Tipe, Kaki dan Nilai hfe Transistor Gambar 2 Karakteristik Transistor

Transistor I

Seri C828A R118, tipe NPN, Nilai hfe 274 dan Kaki
EBC

Transistor II

Seri C828A R118, tipe NPN, Nilai hfe 267 dan Kaki
ECB

Transistor III

Seri C828A R118, tipe NPN, Nilai hfe 263 dan Kaki
EBC

• Lengkung Ciri Keluaran Transistor

Laporan Praktikum –Laboratorium Elektronika, Instrumentasi dan Geofisika – FMIPAUnsoed 5

Anda mungkin juga menyukai