MODUL III

BJT DAN MOSFET

Ramadan pangestu (120400117)
Asisten : fahmi dian nugroho (119400026)
Tanggal Percobaan : 21/05/2022
TT2207_Praktikum_Teknik Telekomunikasi
Laboratorium Teknik Telekomunikasi
Institut Teknologi Sumatera

3. Mengaplikasikan transistor sebagai penguat dan

Abstrak— Pada praktikum modul 3 membahas tentang BJT dan
MOSFET Tujuan dari praktikum ini adalah praktikan Mampu
memahami dan menggambarkan kurva karakteristik transistor
beserta dengan garis bebannya, Dapat mengidentifikasi daerah
kerja transistor berdasarkan pada kurva karakteristik transistor
yang telah didapatkan melalui percobaan, Mengaplikasikan
transistor sebagai penguat dan sebagai saklar berdasarkan pada
daerah kerja transistor dan datasheet-nya, Pengenalan aplikasi
TTL (Transistor-Transistor Loic), serta Mampu memahami dan
menggambarkan kurva karakteristik transistor MOSFET,
Mampu mengkonfigurasikan MOSFET sebagai penguat sinyal
kecil AC, Menentukan respon frekuensi dan jenis filter,
Mengaplikasikan MOSFET sebagai saklar Hasil data yang
diamati yaitu Hasil dari Id dan Vd pada rangkaian karakteristik
BJT dan MOSFET serta menganalisis Rangkaian dari aplikasi
BJT dan MOSFET. Dalam praktikum modul 3 ini di lakukan
secara simulasi mrngunakan software electronic workbench.
Kata Kunci— Transistor, BJT,Transistor
I. PENDAHULUAN
Transistor adalah komponen elektronika terbuat dari
alat semikonduktor. Transistor sebenarnya berasal dari kata
“transfer” yang berarti pemindahan dan “resistor” yang berarti
penghambat. Dari kedua kata tersebut dapat kita simpulkan,
pengertian transistor adalah pemindahan atau peralihan bahan
setengah penghantar menjadi suhu tertentu. Transistor pertama
kali ditemukan pada tahun 1948 oleh William Shockley, John
Barden dan W.H, Brattain. Tetapi, komponen ini mulai
digunakan pada tahun 1958. Jenis Transistor terbagi menjadi 2,
yaitu transistor tipe P-N-P dan transistor N-P-N.
Fungsi Transistor sangat berpengaruh besar di dalam
kinerja rangkaian elektronika. Karena di dalam sirkuit
elektronik, komponen transistor berfungsi sebagai jangkar
rangkaian.
Adapun tujuan dari percobaan modul 2 (dua) ini :
1. Mampu memahami dan menggambarkan kurva
karakteristik transistor beserta dengan garis bebannya.
2. Dapat mengidentifikasi daerah kerja transistor
berdasarkan pada kurva karakteristik transistor yang
telah didapatkan melalui percobaan.
sebagai saklar berdasarkan pada daerah kerja
transistor dan datasheet-nya.
4. Pengenalan aplikasi TTL (Transistor-Transistor
Logic).
5. Mampu memahami dan menggambarkan kurva
karakteristik transistor MOSFET.
6. Mampu mengkonfigurasikan MOSFET sebagai
penguat sinyal kecil AC.
7. Menentukan respon frekuensi dan jenis filter.
8. Mengaplikasikan MOSFET sebagai saklar
II. LANDASAN TEORI
TRANSISTOR
Transistor adalah komponen elektronika yang terbuat
dari komponen semikonduktor. Transistor sebenarnya berasal
dari kata “transfer” yang berarti transfer dan “resistance” yang
berarti hambatan. Dari kedua kata tersebut dapat kita simpulkan
bahwa pengertian transistor adalah pergerakan atau transisi
suatu bahan semikonduktor ke suhu tertentu. Transistor adalah
William Shockley, John Bardeen, W.H. pada tahun 1948.
Pertama kali ditemukan oleh. Diciptakan oleh Bratten. Namun,
komponen ini digunakan pada tahun 1958. Transistor dapat
dibagi menjadi dua jenis: transistor PNP dan transistor NPN.
Fungsi transistor sangat berpengaruh terhadap kinerja
rangkaian elektronika. Hal ini dikarenakan pada rangkaian
elektronika, komponen transistor berperan sebagai armature
rangkaian. Transistor adalah perangkat semikonduktor dengan
tiga elektroda: basis (B), kolektor (C), dan emitor (E). Dua
koneksi lainnya. Fungsi transistor lainnya adalah sebagai
penguat, sebagai pemutus dan saklar (switching), sebagai
pengatur kestabilan tegangan, sebagai penguat arus, mampu
menahan sebagian arus yang mengalir, penambah arus pada
rangkaian, dan rendah atau tinggi. pembangkit frekuensi.
Sebagai generator frekuensi rendah atau frekuensi tinggi.BJT.
BJT
Bipolar Junction Transistor (BJT) adalah komponen
elektronika yang dapatberfungsi sebagai penguat sinyal dan
sebagai switch. BJT terbuat dari bahan semikonduktor dan
terdiri atas dua sambungan p-n. BJT terdiri dari tiga terminal,
yaitu Emitter (E), Base (B), dan Collector (C). BJT mengatur
besarnya arus yang mengalir melalui emitter ke collector sesuai
dengan tegangan bias yang diberikan pada terminal base,
sehingga arus kecil yang mengalir pada base mengontrol arus
lebih besar yang mengalir ke collector.

Sifat-sifat rangkaian common base adalah

• Impedansi input rendah
• Impedansi output tinggi
• Penguatan arus <1
• Penguatan tegangan besar
• Output tidak mengalami perubahan fasa terhadap
input
3. Common Collector
Penguat Common Collector adalah penguat yang
kaki kolektor transistor di groundkan. Penguat
Untuk bekerja sebagai penguat, transistor harus berada Common Collector juga mempunyai karakter sebagai
dalam kondisi aktif, yaitu dengan memberikan bias pada Penguat arus.
transistor. Bias dapat dilakukan dengan memberikan arus yang
konstan pada basis atau pada collector.
Terdapat tiga konfigurasi dari rangkaian penguat
menggunakan BJT, yaitu Common Emitter, Common Base,
dan Common Collector
1. Common-Emitter
Konfigurasi Transistor yang paling sering digunakan
dalam rangkaian-rangkaian adalah Common Emitter. Sifat-sifat rangkaian common collector adalah
Penguat Common Emitter adalah penguat yang kaki
• Impedansi output tinggi
emitter transistor di groundkan. Penguat Common
• Penguatan tegangan =1
Emitter juga mempunyai karakter sebagai penguat
tegangan. • Output tidak mengalami perubahan fasa terhadap
input

Transistor FET

Transistor FET (Field Effect Transistor) adalah

Sifat-sifat rangkaian common-emitter adalah
• Impedansi output tinggi
• Penguatan tegangan besar
• Penguatan daya besar
• Output mengalami perubahan fase 180’
terhadap input
2. Common Base
Pada konfigurasi Common Base, basis dari transistor
terhubung dengan ground dari input dan output.
Umumnya, pada transistor npn, input di masukkan ke
mitor dan output diambil pada kaki kolektor. Penguat
Common Base mempunyai karakter sebagai penguat
tegangan.
transistor yang bekerja berdasarkan efek medan listrik yang
dihasilkan oleh tegangan yang diberikan pada kedua ujung
terminalnya. Transistor FET terdiri dari empat terminal, yaitu
Source (S), Gate (G), Drain (D), dan Body (B). Pada transistor
ini, arus yang dihasilkan dari Drain dilakukan oleh tegangan
antara Gate dan Source. Sehingga, FET adalah transistor yang
berfungsi sebagai konverter tegangan ke arus. Transistor FET
memiliki beberapa keluarga, yaitu JFET dan MOSFET. Pada
praktikum ini, akan digunakan transistor MOSFET.
Karakteristik umum dari transistor MOSFET dapat
digambarkan pada dua kurva karakteristik, yaitu kurva ID
terhadap VGS dan kurva ID terhadap VDS.
 Dimana Dari kurva karakteristik ID-VGS dapat 10. Ulangi langkah 9 dan 10.
diketahui bahwa terdapat VGS minimum yang menyebabkan
arus mulai mengalir, yaitu tegangan threshold (Vt). A.1. Aplikasi BJT
1. Dengan menggunakan software EWB, buatlah
rangkaian seperti gambar berikut:

Dari kurva karakteristik ID-VDS terdapat beberapa

kurva untuk setiap nilai VGS yang berbeda. Kurva ini
digunakan untuk melakukan desain peletakan titik operasi atau
titik kerja transistor, serta untuk menunjukkan daerah saturasi
dan daerah trioda.

2. Atur nilai tegangan sumber DC sebesar 5 Volt.

III. METODOLOGI 3. Hubungkan Vin dan Vcc ke sumber tegangan
DC.
Alat dan Bahan 4. Sambungkan – Lepaskan titik 1 dan 2.
5. Amati bentuk perubahan yang terjadi untuk
1. Laptop.
setiap perubahan (titik 1 dan 2 tersambung - titik
2. Software electronic workbeach.
1 dan 2 di lepas)
6. Catat hasil pengamatan pada logbook.
7. Dengan menggunakan software EWB, buatlah
rangkaian seperti gambar berikut:
Langkah Kerja

A. karakteristik BJT
1. Dengan menggunakan software EWB, buatlah
rangkaian seperti gambar berikut:

8. Atur nilai tegangan sumber DC sebesar 5 Volt.

1. Hubungkan titik 1 dan 2 ke Amperemeter, Lalu
hubungkan Vs dengan sumber tegangan DC.
2. Ubah nilai Vs sampai diperoleh nilai arus Ib sebesar
0.04 mA.
3. Hubungkan titik 3 dan 4 ke Amperemeter.
4. Hubungkan Vcc dengan sumber tegangan DC, Lalu
hubung singkatkan titik 1 dan
5. Ubah nilai Vcc dari rentang 0 – 10 Volt dengan
rentang perubahan 1 Volt.
6. Catat nilai yang terukur pada alat ukur untuk tiap
perubahan nilai tegangan sumberkemudian masukkan
dalam tabel dan laporan Anda
7. Reset ke nilai 0 nilai tegangan sumber DC (Vcc).
8. Hubung singkatkan titik 3 dan 4.
9. Hubungkan titik 5 dan 6 ke Voltmeter (perhatikan
aturan penggunaan Multimeter).
9. Hubungkan Vin dan Vcc ke sumber tegangan
DC.
10. Sambungkan – Lepaskan titik 1 dan 2.
11. Amati bentuk perubahan yang terjadi untuk
setiap perubahan (titik 1 dan 2 tersambung - titik
1 dan 2 di lepas)
12. Catat hasil pengamatan pada logbook.
.
B. Karakteristik MOSFET
1. Dengan menggunakan software EWB, buatlah
rangkaian seperti gambar berikut:
 2. Berikan catuan Vgs (dengan DC power supply)
dengan nilai 0 Volt.
3. Hubungkan titik 1 dan 2 ke Amperemeter
4. Berikan catuan Vdd (dengan DC power supply)
dengan rentang: 0 – 10 Volt 2. Atur nilai tegangan sumber DC sebesar 5 Volt.
5. (rentang perubahan= 1 Volt).
3. Hubungkan Vin dan Vcc ke sumber tegangan
6. Catat nilai yang terukur (Id) untuk setiap
DC.
perubahan nilai Vdd pada logbook.
7. Setelah selesai, reset nilai Vdd menjadi 0 Volt. 4. Sambungkan – Lepaskan titik 1 dan 2.
8. Lepaskan Amperemeter dari titik 1 dan 2. 5. Amati bentuk perubahan yang terjadi untuk setiap
9. Hubungsingkatkan titik 1 dan 2. perubahan (titik 1 dan 2 tersambung - titik 1 dan 2
10. Hubungkan titik 2 dan 3 ke Voltmeter. di lepas)
11. Berikan catuan Vdd (dengan DC power supply) 6. Catat hasil pengamatan pada logbook dan lakukan
dengan rentang: 0 – 10 Volt Analisis pada laporan praktikum.
12. (rentang perubahan= 1 Volt).
13. Catat nilai yang terukur (Vds) untuk setiap
perubahan nilai Vdd pada logbook. IV. HASIL DAN ANALISIS
14. Ulangi langkah 6 – 14 dengan mengubah nilai
Vgs (nilai perubahan: 1 Volt, 2 Volt, 3 Volt, 4 Karakteristik BJT
Volt, 5 Volt). Tabel 1 Karakteristik BJT Id
B.1. APLIKASI MOSFET
Id
a) INVERTER NO VCC
1. Dengan menggunakan software EWB, buatlah 0.04 mA 0.02mA 0.1mA
rangkaian seperti gambar berikut: 1 0 -21.32 µA -14.54 µA -29.35 µA
2 1V 1.879 mA 1.763 mA 1.947 mA
3 2V 3.830 mA 2 mA 4.021 mA
4 3V 4 mA 2 mA 6.103 mA
5 4V 4 mA 2 mA 8.174 mA
6 5V 4 mA 2 mA 9.99 mA
7 6V 4 mA 2 mA 10 mA
8 7V 4 mA 2 mA 10 mA
9 8V 4 mA 2 mA 10 mA
10 9V 4 mA 2 mA 10 mA
11 10 V 4 mA 2 mA 10 mA
2. Atur nilai tegangan sumber DC sebesar 5 Volt.
3. Hubungkan Vin dan Vcc ke sumber tegangan DC. Dari percobaan yang telah dilakukan dengan
4. Sambungkan – Lepaskan titik 1 dan 2. rangkaian karakteristik transistor BJT sesuai dengan perintah
5. Amati bentuk perubahan yang terjadi untuk setiap yang ada di modul pertama ubah nilai Vs nya sampai diperoleh
perubahan (titik 1 dan 2 tersambung - titik 1 dan 2 Ib sebesar 0,04 dan setelah itu lakukan percobaan dengan
di lepas) mengubah Vcc nya dari rentang 0V-10V.Untuk mencari Id nya
6. Catat hasil pengamatan pada logbook dan lakukan kita memasang
Analisis pada laporan praktikum.
b) SWITCH
1. Dengan menggunakan software EWB, buatlah
rangkaian seperti gambar berikut:
ampermeter ke rangkaian sesuai dengan perintah yang ada di A.1. Aplikasi BJT
modul maka didapatkan hasil data Id.
Saat Id 0,04 mA dan mengubah Vcc nya dari 0V- 1. Rangkaian Inverter
10V maka didapatkan data dimana pada saat Vcc di 0V-
2V maka nilai Id makin besar, sedangkan pada saat Vcc di
3V-10V maka Id yang diperolah hasilnya sama dan tidak
berubah sama sekali yaitu sebesar 4mA.
Saat Id 0,02mA dan mengubah Vcc nya dari 0V-
10V maka didapatkan data dimana pada saat Vcc di 0V-1V
maka nilai Id makin besar, sedangkan pada saat Vcc di 2V-
10V maka Id yang diperolah hasilnya sama dan tidak
berubah sama sekali yaitu sebesar 2mA.
Saat Id 0,1mA dan mengubah Vcc nya dari 0V-
10V maka didapatkan data dimana pada saat Vcc di 0V-5V
maka nilai Id makin besar, sedangkan pada saat Vcc di 6V-
10V maka Id yang diperolah hasilnya sama dan tidak Ragkaian Inverter pada aplikasi BJT yang ada pada
berubah sama sekali yaitu sebesar 10mA. modul praktikum didapatkan hasil LED tidak menyala sama
sekali saya sudah melakukan perubahan rangkian dan LED
Tabel 2 Karakteristik BJT Vd.
tersebut menyala tetapi mengeluarkan Tulisan eror hal ini bisa
Id terjadi karena kesalahan pada rangkaiannya saat merangkai,
NO VCC
0.04 mA 0.02mA 0.1mA yang membuat LED tersebut tidak menyala atau erorr dan.
1 0V 10.02 mV 6.831 mV 13.79 mV Dan saya mencoba mengunkan aplikasi lain tang
2 1V 116.8 mV 171.3 mV 84.80 mV benama ni multisim dan berhasil led menyala dengan tangkaian
sebagai sepetidi bawah ini.
3 2V 200 mV 1.060 V 110 mV
4 3V 1.120 V 2.059 V 131.5 mV
5 4V 2.119 V 3.059 V 158.4 mV
6 5V 3.119 V 4.058 V 303.2 mV
7 6V 4.118 V 5.058 V 1.299 V
8 7V 5.118 V 6.087 V 2.298 V
9 8V 6.117 V 7.057 V 4.298 V
10 9V 7.117 V 8.056 V 4.297 V
11 10 V 8.116 V 9.056 V 5.297 V

Dari percobaan yang telah dilakukan dengan

rangkaian karakteristik transistor BJT sesuai dengan perintah
yang ada di modul pertama ubah nilai Vs nya sampai diperoleh
Ib sebesar 0,04 dan setelah itu lakukan percobaan dengan
mengubah Vcc nya dari rentang 0V-10V.Untuk mencari Id nya 2. Rangkian Switch
kita memasang Voltmeter ke rangkaian sesuai dengan perintah
yang ada di modul maka didapatkan hasil data Vd.
Saat Id 0,04 mA dan mengubah Vcc nya dari 0V-10V
maka didapatkan data yang semakin lama jika Vcc nya
ditambahkan maka data akan semakin besar di setiap
penambahan nya.
Saat Id 0,02 mA dan mengubah Vcc nya dari 0V-
10V maka didapatkan data yang semakin lama jika Vcc nya
ditambahkan maka data akan semakin besar di setiap
penambahan nya.
Saat Vd 0,1mA dan mengubah Vcc nya dari 0V-
10V maka didapatkan data yang semakin lama jika Vcc nya
ditambahkan maka data akan semakin besar di setiap
penambahan nya

Ragkaian switch pada aplikasi BJT yang ada pada modul

praktikum didapatkan hasil LED tidak menyala sama sekali
saya sudah melakukan perubahan rangkian dan LED tersebut ampermeter akan menunjukan besaran Id pada rangkaian dan
menyala tetapi mengeluarkan Tulisan eror hal ini bisa terjadi didapatkan data seperti pada table.
karena kesalahan pada rangkaiannya saat merangkai, yang
membuat LED tersebut tidak menyala atau erorr dan. Table 2 Karakteristik MOSFET Vd
Dan saya mencoba mengunkan aplikasi lain tang
Vd
benama ni multisim dan berhasil led menyala dengan tangkaian Vdd
0V 1V 2V 3V 4V 5V
sebagai sepetidi bawah ini.
0V 0µA 0 µA 0 µA 0 µA 0 µA 0 µA

1V 997.8 975.9 934.9 897.3 862.6 830.6

2V 1.996 1.974 1.908 1.828 1.755 1.688

3V 2.993 2.971 2.906 2.797 2.680 2.574

4V 3.991 3.969 3.903 3.794 3.643 3.492

5V 4.989 4.967 4.901 4.761 4.638 4.474

6V 5.987 5.965 5.899 5.789 5.636 5.438

7V 6.985 6.963 6.897 6.787 6.633 6.436

8V 7.982 7.960 7.895 7.785 7.631 7.434

Karakteristik MOSFET
9V 8.980 8.958 8.892 8.763 8.629 8.431
Table 1 Karakteristik MOSFET Id
Id 10V 9.98 9.96 9.890 9.780 9.627 9.429
Vdd
0V 1V 2V 3V 4V 5V
0V 0µA 0 µA 0 µA 0 µA 0 µA 0 µA
28.7 45.96 61.67 76.29 Dari percobaan yang dilakukan dengan rangkaian
1V 0 µA 9.99µA yang seperti yang ada pada modul setelah itu Vgs nya diberikan
µA µA µA µA
39.92 76.36 109.8 140.5 tegangan 0V-5V setelah itu hubungkan voltmeter pada
2V 0 µA 10 µA rangkaian sesuai dengan modul setelah itu kita rubah pada Vdd
µA µA µA µA
89.61 142.7 191.4 dari 1V-10V maka didapatkan hasil seperti pada table jika. Pada
3V 0 µA 10 µA 40 µA
µA µA µA rangkaian yang dibuat ini merupakan rangkaian MOSFET
158.8 227.5 maka jika Vgs nol maka N chanel MOSFET akan memutuskan
4V 0 µA 10 µA 40 µA 90 µA
µA µA source dan drain nya, maka data pada table pada saat Vgs nya
5V 0 µA 10 µA 40 µA 90 µA 160 247 bernilai 0, maka hasil dari arus nya adalah 0. Pada saat Vgs nya
µA µA bernilai bukan 0 dan Vdd nya bukan bernilai 0 juga, voltmeter
6V 0 µA 10 µA 40 µA 90 µA 160 250 akan menunjukan besaran Vd pada rangkaian dan didapatkan
µA µA data seperti pada table.
7V 0 µA 10 µA 40 µA 90 µA 160 250
µA µA
B.1. Aplikasi MOSFET
8V 0 µA 10 µA 40 µA 90 µA 160 250
µA µA
1. Rangkaian Inverter
9V 0 µA 10 µA 40 µA 90 µA 160 250
µA µA

10V 0 µA 10 µA 40 µA 90 µA 160 250

µA µA

Dari percobaan yang dilakukan dengan rangkaian

yang seperti yang ada pada modul setelah itu Vgs nya diberikan
tegangan 0V-5V setelah itu hubungkan ampermeter pada
rangkaian sesuia dengan modul setelah itu kita rubah pada Vdd
dari 1V-10V maka didapatkan hasil seperti pada table jika. Pada
rangkaian yang dibuat ini merupakan rangkaian MOSFET
maka jika Vgs nol maka N chanel MOSFET akan memutuskan Ragkaian Inverter pada aplikasi BJT yang ada pada
source dan drain nya, maka data pada table pada saat Vgs nya modul praktikum didapatkan hasil LED tidak menyala sama
bernilai 0, maka hasil dari arus nya adalah 0. Pada saat Vgs nya sekali saya sudah melakukan perubahan rangkian dan LED
bernilai bukan 0 dan Vdd nya bukan bernilai 0 juga, tersebut menyala tetapi mengeluarkan Tulisan eror hal ini bisa
terjadi karena kesalahan pada rangkaiannya saat merangkai,
yang membuat LED tersebut tidak menyala atau erorr dan.
Dan saya mencoba mengunkan aplikasi lain tang
benama ni multisim dan berhasil led menyala dengan tangkaian
sebagai sepetidi bawah ini.
2. Rangkaian Aplikasi Switch.
Ragkaian switch pada aplikasi BJT yang ada pada modul
praktikum didapatkan hasil LED tidak menyala sama sekali
saya sudah melakukan perubahan rangkian dan LED tersebut
menyala tetapi mengeluarkan Tulisan eror hal ini bisa terjadi
karena kesalahan pada rangkaiannya saat merangkai, yang
membuat LED tersebut tidak menyala atau erorr dan.
Dan saya mencoba mengunkan aplikasi lain tang
benama ni multisim dan berhasil led menyala dengan tangkaian
sebagai sepetidi bawah ini.
V. KESIMPULAN
• Jika ingin mengidentifikasi daerah kerja transisitor
yang pertma dilakukan yaitu membuat kurva
karakteristiknya terlebih dahulu pada diode nya
setelah itu amati daerah kerjanya yaitu biasanya
daerah saturasi nya berada pada sebelah kanan dan
daerah ohmic nya berada pada sebelah kiri kurva
karakteristiknya.
• Transistor bias digunakan sebagai saklar dan sebagai
penguat jika transistor sebagai saklar diguanakan
untuk menyambung dan memutus arus maka harus
diset dahulu komponen komponen agar berada pada
daerah saturasi (saklar on) dan juga cut off(saklar off)
Pada saat transistor sebagai penguat daerah pada
transistor nya dibedakan menjadi common base,
common emitor, dan common collector.
• Untuk menggambarkan kurva karakteristik MOSFET
hal yang diperhatikan yaitu harus mencakup Id,Vgs,
dan harus memahami daerah saturasi nya dan daerah
ohmic nya MOSFET sebagai penguat sinyal AC yaitu
karena MOSFET terbagi menjadi NMOS dan PMOS
didalam NMOS dan PMOS tersebut terbagi menjadi
depletion layer dan enhancemet mode.
VI. REFERENCES
[1] D. F. Ramadhani, "BJT. TRANSISTOR BJT," pp. 3-6,
2016).
[2] tutorials.ws, "transistor," [Online].
[3] electronicshub.org. [Online]. Available:
https://www.electronicshub.org/different-configurations-
of-transistors.
[4] [Online].
[5] U. E. S., "pengertian Transistor," pp. 1-6, 2015.
VII. LAMPIRAN
Aplikasi BJT
-Sebagai Inverter
 -Sebagai Switch

-Sebagai Switch

Karakteristik Mosfet (Vdd 0-10) Vgs (1) mengukur Arus ID

Aplikasi Mosfet
-Sebagai Inverter
Karakteristik Mosfet
(Vgs 1) Vdd (0-10) mengukur Arus Vds
(Vgs 2) Vdd (0-10) mengukur Arus Vds
(Vgs 3) Vdd (0-10) mengukur Arus Vds

(Vgs 4) Vdd (0-10) mengukur Arus Vds

(Vgs 5) Vdd (0-10) mengukur Arus Vds
`