MODUL II

KARAKTERISTIK BJT
Fachri Irfansyah (121130101)
Asisten : Jansen Siagian (120130013)
Tanggal Percobaan : 06/ 10/2023
EL3102_C-4_Praktikum_Elektronika
Laboratorium Teknik Elektro
Institut Teknologi Sumatera

Abstrak—Pada praktikum modul I ini berjudul
Karakteristik BJT dimana praktikan menstimulasikan
rangkaian yang terkait dengan transistor BJT. Pada
praktikum ini diminta untuk memahami karakteristik
transistor BJT, teknik bias dengan rangkaian diskrit, dan
dengan sumber arus konstan. Ada beberapa percobaan
yang saling berkaitan dengan karakteristik dari input
resistor yaitu Ib VBE, Ic VCE dan early effect. Pada
masing-masing percobaan praktikan di perintahkan
menganalisis setiap kurva keluaran dari osiloskop dan
dikaitkan dengan teori yang ada kemudian didapatkan
kesimpulan transistor jenis BJT dengan konfigurasi emiter,
basis dan kolektor yang terdapat fungsi yang berbeda-beda
yang terdapat daerah aktif, saturation dan cutt-off.
Berkurangnya nilai IB maka penambahan nilai pada VCE
semakin besar, dengan begitu kebalikan apabila nilai VCE
semakin besar maka nilai IC>VCE saturasi sampai IB=IC.
Apabila transistor diberi bias dengan sumber DC maka
akan menyebabkan arus yang mengalir di kaki resistor dan
kuat arus IC tersebut akan berubah sesuai pada tegangan
Vcc yang diberikan. Pada praktikum ini praktikan juga
diperintahkan mencoba simulasi rangkaian yang ada pada
software multism, kemudian juga membandingkannya
hasil simulasi dengan hasil yang keluar dari software.
sebuah rangkaian, penghubung arus dan pemutus
rangkaian. Pada transistor memiliki metode yang
menyangkut bias tegangan, metode ini berbeda-beda
tergantung pada rangkaian yang di simulasikan. Di
dalam resistor juga memiliki fungsi masing-masing,
salah satunya yaitu sebagai pensuplai arus ke dalam
penampung ialah fungsi dari kolektor. Jadi untuk
dapat memahami konsep dari transistor bipolar
diharuskan untuk melakukan percobaan pada tipe
PNP dan NPN. Praktikum ini juga memperintahkan
mensimulasikan rangkaian pada ssoftware multism
dan membandingkan hasil tersebut.
Adapun tujuan dari percobaan modul II ini adalah:
1. Memahami karakteristik transistor BJT
2. Memahami teknis bias dengan rangkaian
diskrit
3. Memahami teknik bias dengan sumber arus
konstan

Kata Kunci—Karakteristik, Transistor, BJT, Tegangan, II. LANDASAN TEORI

Grafik, Multism.

I. PENDAHULUAN
Pada peralatan elektronik yang ditemui di
kehidupan sehari-hari terdapat beberapa komponen
elektronik yang terdapat di dalam barang elektronik
tersebut yang salah satunya adalah transistor. Banyak
jenis transistor namun pada praktikum ini
menggunakan Bipolar Junction Transistor (BJT).
Transistor jenis ini mempunyai dua buah diode
dengan tipe N dan P yang mana jika dikombinasikan
maka akan berubah menjadi PNP dan NPN. Fungsi
resistor itu sendiri yaitu sebagai penguat dalam
A. Transistor
Transistor adalah komponen elektronika
semikonduktor yang memiliki 3 kaki elektroda,
yaitu Basis (Dasar), Kolektor (Pengumpul) dan
Emitor (Pemancar). Komponen ini berfungsi
sebagai penguat, pemutus dan penyambung
(switching), stabilitasi tegangan, modulasi sinyal
dan masih banyak lagi fungsi lainnya. Selain itu,
transistor juga dapat digunakan sebagai kran listrik
sehingga dapat mengalirkan listrik dengan sangat
akurat dan sumber listriknya.
Transistor sebenarnya berasal dari kata “transfer”
yang berarti pemindahan dan “resistor” yang berarti
penghambat. Dari kedua kata tersebut dapat kita
simpulkan,pengertian transistoradalah pemindahan
atau peralihan bahan setengah penghantar menjadi
suhu tertentu. Transistor pertama kali ditemukan
pada tahun 1948 oleh William Shockley, John
Barden dan W.H, Brattain. Tetapi, komponen ini
mulai digunakan pada tahun 1958. Jenis Transistor
terbagi menjadi 2, yaitu transistor tipe P-N-P dan
transistor N-P-N. [1]
Gambar 1. 1 Transistor
1. Jenis-Jenis Transistor
Jenis transistor pada umumnya terbagi hanya
menjadi dua jenis saja yaitu jenistransistor bipolar
atau dua kutub dan transistor efek medan atau
juga dikenal sebagai Field Effect Transistor (FET).
Tiap-tiap dari jenis transistor ini dibagi lagi
menjadi bagian yang lebih kecil sebagaimana yang
akan dijelaskan pada paragraf berikutnya.Transistor
yang pertama adalah transistor bipolar atau dwi
kutub. Transistor bipolar termasuk salah satu dari
jenis-jenis transistor yang paling banyak
digunakan dalam suatu rangkaian elektronika.
Sedangkan pengertian dari transistor bipolar itu
sendiri adalah transistor yang memiliki dua buah
persambungan kutub. Sedangkan jenis transistor
bipolar dibagi lagi menjadi tiga bagian lapisan
material semikonduktor yang kemudian
membedakan transistor bipolar kedalam dua jenis
yaitu transistor P-N-P (Positif-Negatif-Positif) dan
transistor N-P-N (Negatif-Positif-Negatif).
Masing-masing kaki dari jenis transistor ini
mempunyai nama seperti B yang berarti Basis, K
yang berarti Kolektor serta E yang berarti Emiter.
Sedangkan untuk fungsi transistor bipolar adalah
sebagai regulator arus listrik.Transistor kedua yang
paling banyak digunakan dari berbagai jenis-jenis
transistor yang ada adalah transistor efek medan
(FET). Transistor jenis ini sama seperti transistor
bipolar yang memiliki tiga kaki. Tiga kaki
terminal yang dimiliki oleh transistor efek medan
adalah Drain (D), Source (S), dan Gate (G).
Transistor efek medan ini atau dikenal pula
dengan istilah transistor unipolar memiliki hanya
satu buah kutub saja. Sedangkan cara kerja dari
transistor efek medan ini adalah mengatur dan
mengendalikan aliran elektron dari Source ke
Drain melalui tegangan yang diberikan pada Gate.
[1]
2. Fungsi Transistor
Fungsi Transistor sangat berpengaruh besar di dalam
kinerja rangkaian elektronika. Karena di dalam
sirkuit elektronik, komponen transistor berfungsi
sebagai jangkar rangkaian. Transistor adalah
komponen semi konduktor yang memiliki 3 kaki
elektroda, yaitu Basis(B), Colector (C) dan Emitor
(E). Dengan adanya 3 kaki elektroda tersebut,
tegangan atau arus yang mengalir pada satu kaki
akan mengatur arus yang lebih besar untuk
melalui 2 terminal lainnya.
Fungsi transistor lainnya, sebagai penguat
amplifier.Sebagai pemutus dan penyambung
(switching).Sebagai pengatur stabilitas
tegangan.Sebagai peratas arus.Dapat menahan
sebagian arus yang mengalir.Menguatkan arus
dalam rangkaian.Sebagai pembangkit frekuensi
rendah ataupun tinggi.Jika kita lihat dari susuan
semikonduktor, Transistor dibedakan lagi menjadi
2 bagian, yaitu Transistor PNP dan Transistor
NPN. Untuk dapat membedakan kedua jenis
tersebut, dapat kita lihat dari bentuk arah panah
yang terdapat pada kaki emitornya. Pada transistor
PNP arah panah akan mengarah ke dalam, sedangkan
pada transistor NPN arah panahnya akan
mengarah ke luar. Saat ini transistor telah
mengalami banyak perkembangan, karena sekarang
ini transistor sudah dapat kita gunakan sebagai
memory dan dapat memproses sebuah getaran
listrik dalam dunia prosesor komputer. [1]
3. Cara Kerja Transistor
Cara Kerja Transistor cukup menarik untuk
dibahas, karena macam dan fungsinya yang unik.
Secara harfiah sendiri transistor merupakan
gabungan dari dua kata yaitu transfer dan resistor Persamaan ini dapat digambarkan sebagai kurva
yang dapat diartikan secara bebas sebagai pengalir seperti ditunjukkan pada gambar berikut ini: [2]
arus atau pengatur aliran arus. Triode merupakan
istilah yang memiliki arti tiga elektroda, dan
didalam resistor sendiri memang memiliki tiga
elektroda tersebut, yaitu basis atau dasar, emitor atau
pemancar dan kolektor ataupengumpul. Transistor
dapat mengalirkan arus listrik atau juga
menguatkan tegangan dikarenakan memiliki ketiga
elektroda tersebut. Fungsi lain dari transistor adalah
sebagai saklar pemutus dan penyambung aliran
listrik ketika pada dasar atau basis diberikan arus Gambar 1. 3 Ib VBE
yang sangat besar. untuk cara kerja dari transistor
sendiri tergantung dari transistor jenis apa yang
digunakan. [1] Arus basis (IB) seperti yang ditunjukan gambar di
atas dapat dinyatakan sebesar:

Gambar 1. 2 Cara kerja transistor C. Karakteristik Ic-Vce (Karakteristik Output

BJT)
Pada dasarnya transistor ada dua jenis atau tipe
dari transistor. Ada transistor BJT atau bipolar Arus kolektor juga bergantung pada tegangan
junction transistor atau juga lebih dikenal dengan kolektor-emitor. Titik kerja (mode kerja) transistor
istilah transistor bipolar dan transistor FET atau dibedakan menjadi tiga bagian, yaitu daerah aktif,
field effect transistor atau juga lebih dikenal saturasi, dan cut-off. Persyaratan kondisi ketiga
dengan istilah transistor effect. Berikut cara kerja
mode kerja ini dapat dirangkum dalam tabel berikut
transistor BJT. Sesuai dengan namanya transistor
bipolar ( BJT ) menggunakan dua polaritas yang ini : [2]
membawa muatan untuk membawa arus listrik Mode
IC VCE VBE VCB
Bias B- Bias B-
pada kanal produksinya. Di dalam transistor bipolar kerja C E
Aktif VBE ~0.7
( BJT ) juga terdapat suatu lapisan pembatas yang .IB 0 Reverse Forward
+VCB V
dinamakan depletion zone, yang pada akhirnya Saturasi -0.7
setiap arus listrik yang akan masuk akan melewati ~0 ~0.7 V<
pembatas tersebut dan terbagi karena adanya Max Forward Forward
V V VCE
depletion zone ini. [1] <0
Cut-Off VBE
~0 + 0 0 - -
VCB
B. Karakteristik Ib-VBE (Karakteristik input
BJT)
Dalam kurva IC-VCE mode kerja transistor ini
Arus kolektor merupakan fungsi ditunjukkan pada area-area dalam gambar berikut
eksponensial dari tegangan VBE, sesuai dengan ini.
persamaan:
I C   I ES eVBE / kT .

Gambar 1. 4 Kurva transistor bipolar
D. BJT (Bipolar Junction Transistor)
BJT memiliki tiga wilayah atau terminal yang
disebut collector (kolektor), emitter (emiter), dan
base (basis). [3]
Gambar 1. 5 Bagian pada Transistor
Berdasarkan fungsinya BJT memiliki tiga daerah
operasi yang terdiri dari cut off, saturation dan
daerah aktif. Daerah operasi BJT dapat dilihat pada
gambar dibawah.
Gambar 1. 6 Daerah operasi BJT
Daerah operasi BJT terdiri atas:
1. Cut off region yaitu saat base emitter junction
dalam keadaan tidak forward biased. Maka, semua
arus pada base (basis) dan collector (kolektor) sama
dengan nol dan tegangan collector emitter atau VCE
sama dengan tegangan sumber.
2. Saturation (saturasi) yaitu saat base emitter
junction dalam keadaan forward biased. Ada cukup
arus base yang membuat arus collector dalam
keadaan maksimum serta tegangan collector emitter
atau VCE sangat kecil dibandingkan dengan
tegangan sumber.
3. Active region (Daerah aktif) yaitu saat BJT
berkerja di wilayah aktif atau di antara mode
saturation dan cut off, pada wilayah aktif BJT
bekerja sebagai amplifier dikarenakan arus base pada
BJT dapat mengendalikan arus collector yang lebih
besar. [3]
BJT dapat berfungsi sebagai sakelar dengan
memanfaatkan dua modenya yaitu saturation dan cut
off. Saturation (saturasi) adalah saat terminal base
dialiri oleh arus, maka transistor seperti sakelar
tertutup penuh atau fully on pada saat saturasi
(kondisi jenuh), penambahan besar arus basis tidak
akan menambah arus kolektor. sedangkan cut off
adalah saat terminal base tidak dialiri arus maka
transistor seperti sakelar terbuka atau off. [3]
Terdapat dua aplikasi dasar dari
penyakelaran BJT yang digunakan dalam
mengontrol aliran arus yaitu low side switching dan
high side switching. Berikut adalah gambar aplikasi
dari penyakelaran BJT yang dapat dilihat pada
gambar.
Gambar 1. 7 Aplikasi penyakelaran BJT
Gambar siatas menunjukkan aplikasi penyakelaran
BJT, rangkaian disebut sebagai low side switching Ubah bentuk sinyal ke mode X-Y dan amati gambar
dikarenakan BJT digunakan sebagai sakelar pada sisi dan foto
ground sedangkan rangkaian disebut sebagai high
switching dikarenakan beban berada pada sisi
ground dan untuk BJT PNP memiliki kondisi
pengaktifan jika basis dalam keadaan low, oleh Mengukur arus dan tegangan yang diperitahkan pada
karena itu pada basis diberi sakelar untuk tabel
menghubungkan dengan ground. [3]

Selesai praktikum membereskan alat dan bahan yang

III. METODOLOGI telah dipakai ke tempat semula

A. Alat dan bahan

1. Sumber Tegangan DC
2. Transistor 2N2222A IV. HASIL DAN ANALISIS
3. Transistor BD13
4. Resistor 82 Ohm
5. Sumber Arus Konstan A. Percobaan 1: Karakteristik Input Transistor
6. Multimeter Ib-VBE
7. Osiloskop
8. Generator Sinyal Tabel 1. Hasil Percobaan 1
Pengukuran Perhitungan
Jenis
B. Langkah Kerja Tran-
sistor
IB IC VCE VBE IC IB VCE VBE

Memulai Percobaan 1,13x

2N- 0,2 0,48 9,72 0,526 0,113 9,28 0,5656
10-3
2222A mA mA V V A V V
Sebelum memulai percobaan, mengisi dan tanda A
tangani lembar penggunaan meja yang tertempel 1,18x
BD- 0,1 0,43 8,32 14,4 0,118 10,23 0,5656
10-3
pada masing-masing meja praktikum 139 mA mA V V
A
A V V

Perhitungan:

Menyiapkan alat dan bahan yang digunakan Diketahui:

kemudian melakukan kalibrasi osiloskop
𝛽 = 100
𝑉𝐺 2𝑁2222𝐴 = 0,7
Percobaan 𝑉𝐺 𝐵𝐷139 = 0,3
𝑉𝑐𝑐 = 10 𝑉
𝑉𝑟𝑚𝑠 = 0,5656
Merangkai rangkaian sesuai dengan modul
 Transistor 2N2222A
𝑉𝐵𝐸 = 𝑉𝑟𝑚𝑠
𝑉𝐵𝐸 = 0,5656

Ubah sinyal pada osiloskop dan beri invert yang sesuai 𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐵𝐸 + (𝐼𝑐 × 𝑅𝑐)
= 0,5656 + (0,113 × 82) = 9,82 𝑉
 𝑉𝑐𝑐 − 𝑉𝐺
𝐼𝑐 =
𝑅
10 − 0,7
= = 0,113 𝐴
82
𝐼𝑐 0,113
𝐼𝐵 = = = 1,13 × 10−3 𝐴
𝛽 100

 Transistor BD139
Gambar 4, 3 Grafik Percobaan Osiloskop BD139
𝑉𝐵𝐸 = 𝑉𝑟𝑚𝑠
𝑉𝐵𝐸 = 0,5656

𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐵𝐸 + (𝐼𝑐 × 𝑅𝑐)

= 0,5656 + (0,118 × 82) = 10,23 𝑉

𝐼𝑐 0,118
𝐼𝐵 = = = 1,18 × 10−3 𝐴
𝛽 100

𝑉𝑐𝑐 − 𝑉𝐺
𝐼𝑐 =
𝑅
10 − 0,7
= = 0,118 𝐴
82 Gambar 4, 4 Grafik Percobaan Multism BD139

Gambar 4, 1 Grafik Percobaan osiloskop 2N2222A
Analisis:
Pada percobaan pertama ini didapat sinyal pada
osiloskop dengan hasil seperti gambar diatas. Pada
hasil percobaan pada osiloskop dapat dibilang sesuai
dengan hasil yang diharapkan pada transistor
2N2222A hasil pada osiloskop sudah sama dengan
hasil keluaran pada simulasi multism. Kemudian
pada transistor BD139 dapat dilihat pada hasil grafik
yang terdapat di osiloskop bahwa grafik tersebut
sudah sedikit sesuai dengan simulasi pada multism,
ketidaksamaan dikarena beberapa komponen yang
digunakan sudah kurang berfungsi dengan normal.
Pada hasil kedua transistor tersebut terlihat terdapat
daerah aktif, cut-off dan saturasi. Untuk perbedaan
kedua transistor dapat dilihat dari nilai VCE yang
mana 2N2222A lebih besar karena tegangan VBE
lebih kecil jadi hal itu mempengaruhi nilai VCE yang
keluar dan muatan akan mengaliri junction dari basis
ke emitter menuju kutub kolektor yang
menyebabkan nilai basis menjadi lebih kecil.

Gambar 4, 2 Grafik Percobaan Multism 2N2222A

B. Percobaan 2: Karakteristik Output
Transistor Ic-Vbe

Tabel 2. Hasil percobaan 2

Pengukuran Perhitungan
Jenis
Tran-
sistor
IB IC VCE VBE IC IB VCE VBE

2,5x 2,5x
2N- 0,22 0,40 1,08 4,62 4,0376 3,8326
10-5 10-4
2222A mA mA V V V V
A A
2,5x 2,5x
Gambar 4, 5 Grafik Percobaan pada Osiloskop 2N2222A
BD- 0,3 0,19 0,06 9,97 4,0376 3,8326
10-5 10-4
139 mA mA V V V V
A A

Perhitungan:
Diketahui:
𝐼𝛽 = 25𝜇𝐴
𝛽 = 100
𝑅𝑐 = 82 𝑂ℎ𝑚
𝑉𝑐 = 𝐼𝑐 × 𝑅𝑐 = 0,0025 × 82 = 0,205 𝑉
𝑉𝑟𝑚𝑠 = 4,2426

 Transistor 2N2222A

𝐼𝐵 = 2,5 × 10−5 𝐴 Gambar 4, 6 Grafik Percobaan pada Multism 2N2222A

𝐼𝑐 = 𝛽 × 𝐼𝛽 = 100 × 2,5 × 10−5 = 0,0025 𝐴

𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝑟𝑚𝑠 − 𝑉𝑐
= 4,2426 − 0,205 = 4,0376 𝐴

𝑉𝐵𝐸 = 𝑉𝐶𝐸 − 𝑉𝐶
= 4,0376 − 0,205 = 3,8326 𝑉

 Transistor BD139
Gambar 4, 7 Grafik Percobaan pada Osiloskop BD139

𝐼𝐵 = 2,5 × 10−5 𝐴

𝐼𝑐 = 𝛽 × 𝐼𝛽 = 100 × 2,5 × 10−5 = 0,0025 𝐴

𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝑟𝑚𝑠 − 𝑉𝑐
= 4,2426 − 0,205 = 4,0376 𝐴

𝑉𝐵𝐸 = 𝑉𝐶𝐸 − 𝑉𝐶
= 4,0376 − 0,205 = 3,8326 𝑉

Gambar 4, 8 Grafik Percobaan Multism BD139

Analisis:
Pada percobaan 2 ini mengubah bentuk rangkaian
dengan menambahkan sumber tegangan. Pada hasil
osiloskop dapat dilihat pada transistor 2N2222A
sudah hampir mirip dengan percobaan pada multism.
Namun pada transistor BD139 didapat hasil kurang
sesuai yang dimana salah memasukan invert pada
osiloskop sehingga hasil terbalik. Pada percobaan ini
memiliki prinsip arus yang mengalir pada kolektor
bergantung pada tegangan kolektor-emmitor, apanila
dibandingkan nilai yang telah di dapat dengan
perhitungan lumayan banyak keselisihan. Hal itu
disebabkan terdapat daerah cut-off, saturasi dan aktif
yang mana apabila arus IB dengan nilai semakin
kecil atau sama dengan 0 arus tidak akan mengalir ke
titik IC dan hingga VCE yang membuat kejadian
tersebut menjadi cut-off dan untuk saturasi terjadi
apabila IC dan VBE memiliki hubungan serta hasil
yang mendekati linear.
C. Percobaan 3: Early Effect
Perhitungan:
Diketahui:
𝑉𝐶𝐸1 = 1,3714 𝑉
𝑉𝐶𝐸2 = 2,54 𝑉
𝐼𝐶1 = 1,4159 𝐴
𝐼𝐶2 = 4,5683 𝐴
𝑉𝐶𝐸2 . 𝐼𝐶1 − 𝑉𝐶𝐸1 . 𝐼𝐶2
𝑉𝐴 =
𝐼𝐶2 − 𝐼𝐶1
1,511 . 1,4159 − 1,3715 . 4,5683
=
4,5683 − 1,4159
−2,709
= = 0,8593 𝑉
3,1524
Gambar 4, 9 Hasil Grafik percobaan pada Multism
Analisis:
Pada percobaan ketiga ini melakukan sebuah
percobaan seperti pada modul. Dapat dilihat dari
hasil keluaran pada grafik tersebut praktikan hanya
melakukan perhitungan dari nila koefisien yang
didapat.
V. KESIMPULAN
1. Transistor jenis BJT yang memiliki 3 buah
konfigurasi yaitu emitor, basis dan kolektor
yang memiliki fungsi yang berbeda-beda
kemudian terdapat daerah aktif, saturasi dan
cut-off pada grafik karakteristik transistor.
2. Semakin kecil atau berkurangnya nilai pada
IB maka penambahan di nilai VCE akan
semakin besar, apabila nilai VCE semakin
besar maka nilai IC>VCE saturasi sampai IB
>IC.
3. Jika transistor diberi bias dengan tegangan
DC, maka akan menyebabkan arus dapat
mengalir di kaki transistor dan juga kuat arus
pada Ic akan berubah sesuai dengan Vcc.
VI. REFRENSI
[1] D. Reyval, "ELEKTRONIKA DASAR TRANSISTOR
DAN CARA KERJANYA," portaldata.org, 2022.
[2] H. S. MT, "PRA -TEGANGAN TRANSISTOR
BIPOLAR".
[3] Z. W. Sukma, "Rancang Bangun Modul Praktikum
Penggunaan Bipolar Junction Transistor Sebagai
Sakelar Berbasis Arduino Mega," PoliGrid, 2020.
LAMPIRAN