Percobaan II

KARAKTERISTIK BJT
Wahyu Pratama(13116053)
Asisten: Wildan Abdullah(13115048)
Tanggal Percobaan: 06 Oktober 2018
EL3102 Praktikum Elektronika
Laboratorium Dasar Teknik Elektro – Institut Teknologi Sumatera

off, aktif dan saturasi. Dalam praktikum

Abstrak- Pada praktikum kali ini praktikan
akan melakukan beberapa percobaan yang
bertujuan agar dapat lebih memahami
karakteristik yang dimiliki transistor BJT.
Percobaan yang dilakukan antara lain mengamati
kurva karakteristik input Ic –Vbe dari transistor
BJT. Kemudian dilakukan percobaan untuk
mengamati kurva karakteristik output transistor
Ic Vce. Dan yang ketiga yakni melakukan
perhitungan Efek Early dengan mengambil sampel
grafik dari dua nilai Arus basis ( ) yang berbeda.
Terakhir yaitu dilakukan pengamatan pengaruh
bias pada penguat transistor dengan mengamati
bentuk sinyal output yang dihasilkan dari beberapa
nilai yang berbeda. Dari ketiga nilai Ib yang
digunakan akhirnya diketahui bahwa transistor
berada dalam kondisi aktif saat arus basis bernilai
sekitar 200 µA, kondisi cut-off saar nilai
25µA, 200 µA serta dalam keadaan saturasi saat
bernilai 400 µA. Kemudia praktikan juga
melaukan simulasi menggunakan Multisim.
Kata Kunci : Transistor, BJT, NPN, PNP,
Karakteristik.
I.PENDAHULUAN
Pada percobaan modul kedua ini,akan
dilakukan sebuah percobaan untuk
mengamat komponen Bipolar Junction
Transistor (BJT). Transistor sendiri
berfungsi sebagai keran listrik berdasarkan
arus inputnya (BJT) atau tegangan
outputnya (FET), yang memungkinkan
pegaliran listrik yang sangat akurat dari
sumber listriknya. Pada umumnya
transistor memiliki 3 terminal, yaitu Basis
(B), Emitor (E), dan Kolektor (C).
Karakteristik pada transistor menunjukkan
adanya tiga kondisi yang dapat terjadi pada
transistor sesuai titik kerjanya, yaitu cut-
ini, akan dilakukan pengamatan terhadap
kurva karakteristik dari transistor sehingga
dapat diperoleh informasi mengenai
daerah-daerah kondisinya. pada percobaan
ini juga diamati pengaruh bias pada
transistor.
Tujuan Praktikum :
 Memahami karakteristik transistor
BJT
 Memahami teknik bias dengan
rangkaian diskrit
 Memahami teknik bias dengan
sumber arus konstan
II.LANDASAN TEORI
Transistor BJT
Transistor merupakan salah satu
komponen elektronika paling penting.
Terdapat dua jenis transistor
berdasarkan jenis muatan penghantar
listriknya, yaitu bipolar dan unipolar.
Dalam hal ini akan kita pelajari
transistor bipolar. Transistor bipolar
terdiri atas dua jenis, bergantung
susunan bahan yang digunakan, yaitu
jenis NPN dan PNP. Simbol hubungan
antara arus dan tegangan dalam
transistor ditujukkan oleh gambar
berikut ini.
Transistor BJT NPN

Laporan Praktikum – Lab Dasar Teknik Elektro-ITERA 1


Transistor BJT PNP
Terdapat suatu hubungan matematis antara
besarnya arus kolektor (IC), arus Basis
(IB), dan arus emitor (IE), yaitu beta () =
penguatan arus DC untuk common emitter,
alpha ()= penguatan arus untuk common
basis, dengan hubungan matematis sebagai
berikut.
dan
Sehingga
, Dari kurva di atas juga dapat diperoleh
Karakteristik sebuah transistor biasanya
diperoleh dengan pengukuran arus dan
tegangan pada rangkaian dengan
konfigurasi common emitter (kaki emitter
terhubung dengan ground), seperti
ditunjukkan pada gambar berikut ini.
Dari Terdapat dua buah kurva
karakteristik yang dapat diukur dari
rangkaian diatas, yaitu:
 Karakteristik IC
VBE

 Karakterinstik IC -
VCE
Kurva Karakteristik IC – VBE
Arus kolektor merupakan fungsi
eksponensial dari tegangan VBE, sesuai
⁄
dengan persamaan :
Persamaan ini dapat digambarkan sebagai
kurva sebagai berikut:
transkonduktansi dari transistor, yang
merupakan kemiringan dari kurva di atas,
yaitu:
Kurva Karakteristik IC – VCE
Arus kolektor juga bergantung pada
tegangan kolektor-emitor. Titik kerja
(mode kerja) transistor dibedakan menjadi
tiga bagian, yaitu daerah aktif, saturasi,
dan cut-off. Persyaratan kondisi ketiga
mode kerja ini dapat dirangkum dalam
tabel berikut ini.
Dalam kurva IC-VCE mode kerja
transistor ini ditunjukkan pada area-area
- dalam gambar berikut ini.
Laporan Praktikum - Lab Dasar Teknik Elektro -ITERA 2
III.METODOLOGI

3.1 Alat dan Bahan:

 Sumber tegangan DC

 Kit Percobaan Karakteristik >skala Y pada nilai 1V/div dengan
Transisitor dan Rangkaian Bias kopling DC, kemudian di invert.
 >osiloskop pada mode X-Y
 Sumber arus konstan

 Multimeter (2 buah)

 Osiloskop Tempatkan tegangan X minimum
(𝑉𝐵𝐸 0). Dan tegangan Y terkecil
3.2 Langkah Percobaan: (𝐼𝐶 0).

3.2.1 Karakteristik Input Transistor

IC-VBE.
3.2.2 Karakteristik Output Transistor
.

Gambar 2.1 percobaan karakteristik input

transistor Gambar 2.2 Percobaan Karakteristik
Output Transistor

Laporan Praktikum - Lab Dasar Teknik Elektro -ITERA 3

 gunakan setting osiloskop:
-skala X dan Y pada nilai 1V/div dengan
kopling DC dan tekan tombol invert.
-gun
IV.DATA DAN ANALISIS

Berikut ini adalah hasil data dari

Naikan atau turunkan frekuensi percobaan yang telah didapatkan dalam
generator sinyal hingga diperoleh percobaan tentang karakteristik BJT:
kurva yang lebih baik.

4.1 Karakteristik Input Transistor

.

3.2.3 Pengaruh Bias pada Penguat

Transistor

Pengaruh Bias pada Penguat

Transistor

Laporan Praktikum - Lab Dasar Teknik Elektro -ITERA 4

 2N2222A dengan BD139 dapat kita
lihat bahwa kurva dari transistor
2N2222A lebih linier dibandingkan
dengan BD139.

4.2 Karakteristik output Transistor

Gambar 2.1 Kurva percobaan karakteristik

Pada gambar 2.1 kurva karakteristik

Gambar 1.4 kurva simulasi karakteristik transistor 2N2222A dengan besar
transistor 2N2222A resistansi 100KΩ dan 25µA.Dari gambar
2.1 tersebut saat kurva sinyal osiloskop
belum di invert.

Gambar 1.5 kurva simulasi karakteristik

transistor BD139
Gambar 2.2 Kurva percobaan karakteristik
Dari gambar 1.1 menggunakan transistor
2N2222A terlihat bahwa kurva yang
dihasilkan menyerupai bentuk kurva Pada gambar 2.2 kurva karakteristik
persamaan eksponensial. Hal ini sesuai transistor 2N2222A dengan
dengan rumus persamaan yang sudah besar resistansi 10KΩ dan 200µA.Dari
diketahui sebelumnya yang menyatakan gambar 2.1 tersebut saat kurva sinyal
hubungan , yakni: osiloskop sudah di invert.
⁄

Kemudian dari gambar 1.2 menggunakan

transistor BD139 terlihat kurva yang
dihasilkan lebih menyerupai kurva dari
early effect.
Jika kita bandingkan karakteristik input
, menggunakan transistor
Laporan Praktikum - Lab Dasar Teknik Elektro -ITERA 5
 terjadi hubungan yang mendekati
linier antara . Kemudian
hampir tidak ada arus yang
mengalir apabila transistor berada
pada keadaan Cut-off.Karakteristik
input sebuah transistor untuk arus
kolektor dengan tegangan base-
Gambar 2.3 Kurva percobaan karakteristik
emitor menunjukkan hubungan
eksponensial sesuai dengan rumus
dari persamaan
Pada gambar 2.3 kurva karakteristik ⁄
. Kemudian dari
transistor 2N2222A dengan nilai
kurva karakteristik output transistor
resistansi 5,6 dan 400µA setelah di
dibagi menjadi tiga region
invert. kerja transistor yakni daerah
saturasi, daerah aktif, dan daerah
Berikut adalah hubungan kurva
cut-off.
dibawah ini diperoleh dari
hasil percobaan yang ada pada gambar 2.1  Efek Early dapat dicari dengan
sampai 2.3 pendekatan linear. Yaitu dengan
menarik garis sepanjang sumbu x
dari kemiringan kurva. Namun
nilai efek early yang didapatkan
pada percobaan ini kurang akurat
yang diduga disebabkan karena
perubahan suhu yang dialami
transistor.
 Pemberian bias dengan
Gambar 2.4 kurva hubungan menentukan tegangan VBE yang
tetap, misalnya dengan
Pada gambar 2.4 kurva hubungan menggunakan pembagi tegangan
dapat kita amati dan kita dari catu daya. Teknik ini tidak
lihat pada saat resistansi 100KΩ dan baik karena hubungan eksponensial
200µA kurva yang dihasilkan bernilai – yang sangat tajam sehingga
2mA dan nya bernilai 10V, berbeda jika ada perbedaan pada yang
halnya pada saat resistansi bernilai 5,6Ω diinginkan akan menimbulkan
dan 10KΩ, arus yang digunakan sebesar perbedaan besar pada dan .
200µA dan 400µA. Didapatkan Besar pemberian bias dengan
nya berhimpit sebesar 4mA.Hanya berbda memberikan arus konstan pada
di besar nya. base, dimana IB ≈ (VCC –
0,7)/ , juga tidak dianjurkan.
Adanya variasi yang besar pada β
akan menghasilkan variasi yang
V.KESIMPULAN besar pada IC dan VCE.
 Transistor berfungsi sebagai
penguat saat pada kondisi aktif.
Sedangkan pada daerah saturasi
Laporan Praktikum - Lab Dasar Teknik Elektro -ITERA 6
Referensi:
1. Mervin T.Hutabarat.Pejuntuk
Praktikum Elekro.
EL2205.Laboratorium Dasar
Teknik Elektro.STEI-
ITB.Bandung.2014

Laporan Praktikum - Lab Dasar Teknik Elektro -ITERA 7