Percobaan IV
Karakteristik dan Penguat FET
Wahyu Pratama (13116053)
Asisten: Reymond Suluh Tarihoran (13115040)
Tanggal Percobaan: 27 Oktober 2018
EL3102 Praktikum Elektronika
Laboratorium Dasar Teknik Elektro – Institut Teknologi Sumatera
Abstrak- Abstrak-Pada praktikum modul IV
ini dilakukan beberapa percobaan diataranya
melakukan atau mencari nilai arus Id dari
tegangan Vgs yang telah ditentukan untuk
membandingkan kurva karakterisktik Id vs Vgs
dan kurva Id vs Vds. Dari kurva karakteristik Id
vs Vgs kitadapat mengetahui besarnya tegangan
threshold transistor. Kemudian dari kurva
karakteristik Id vs Vds kita dapat mengetahui
daerah kerja transistor yaitu daerah triode, daerah
saturasi (transistor digunakan sebagai penguat),
dan daerah cut off transistor. Kemudian untuk
mencari Q point dapat dilakukan dengan
𝑉
perhitungan menggunakan rumus 𝑅𝐷𝐷 . Selanjutnya
𝐷
pada percobaan rangkaian bias, dapat diperoleh
nilai-nilai tegangan dan resistansi pada gate, drain
dan source yang selanjutnya nilai tersebut
digunakan untuk menbuat rangkaian amplifier
untuk ketiga konfigurasi transistor. Ketiga
konfigurasi tersebut yaitu Common Source (input
pada Gate dan output pada drain), Common Gate
(input pada Source dan output pada drain), dan
Common Drain (input pada Gate dan output pada
Source). Kemudian dilakukan percobaan untuk
menghitung besarnya penguatan, resistansi input,
dan resistansi output untuk ketiga konfigurasi.
Kata Kunci: Mosfet, Common Drain,
Source, Gate, Transistor, Amplifier.
I.PENDAHULUAN
Field Effect Transistor (FET) adalah salah
satu jenis transistor yang menggunakan
medan listrik untuk mengendalikan
konduktifitas suatu kanal dari jenis
pembawa muatan tunggal dalam bahan
semikonduktor. Semua FET mempunyai
sebuah saluran gate (gerbang), drain, dan
source sama dengan basis, kolektor, pada
Laporan Praktikum – Lab Dasar Teknik Elektro-ITERA
BJT. Selain itu FET juga mempunyai
saluran keempat yang dinamakan body.
Saluran keempat ini melayani kegunaan
teknis dalam pemanjaran transistor
kedalam titikoperasi. Terminal ini sangat
jarang digunakan pada desain sirkuit,
tetapi keberadaanya sangat penting saat
perancangan penataan IC. Nama-nama
saluran FET mengacu pada fungsinya.
Dari praktikum ini memiliki tujuan yang
ingin dicapai yaitu :
• Mengetahui dan mempelajari
karakteristik transistor FET.
• Memahami penggunaan FET
sebagai penguat untuk konfigurasi
Common Source, Common Gate,
dan Common Drain.
• Memahami resistansi input dan
output untuk ketiga konfigurasi
tersebut.
II.LANDASAN TEORI
2.1.Transistor FET
Transistor FET adalah transistor yang bekerja
berdasarkan efek medan elektrik yang dihasilkan
oleh tegangan yang diberikan pada kedua ujung
terminalnya. Mekanisme kerja transistor
ini berbeda dengan transistor BJT. Pada transistor
ini, arus yang dihasilkan/dikontrol dari Drain
(analogi dengan kolektor pada BJT), dilakukan
oleh tegangan antara Gate dan Source (analogi
dengan Base dan Emiter pada BJT). Bandingkan
dengan arus pada Base yang digunakan untuk
menghasilkan arus kolektor pada transistor
BJT.
1
Jadi, dapat dikatakan bahwa FET adalah transistor
yang berfungsi sebagai “konverter”
tegangan kearus. Transistor FET memiliki
beberapa keluarga, yaitu JFET dan MOSFET.
Pada praktikum ini akan digunakan transistor
MOSFET walaupun sebenarnya karakteristik
umum dari JFET dan MOSFET adalah serupa.
Karakteristik umum dari transistor MOSFET
Gambar 2.2 𝐼𝐷 vs 𝑉𝐷𝑆
dapat digambarkan pada kurva yang dibagi
menjadi dua, yaitu kurva karakteristik 𝐼𝐷 vs
𝑉𝐺𝑆 dan kurva karakteristik 𝐼𝐷 vs 𝑉𝐷𝑆 . 2.2.Penguat FET Untuk menggunakan
transistor MOSFET sebagai penguat, maka
Kurva karakteristik 𝐼𝐷 vs 𝑉𝐺𝑆 diperlihatkan
transistor harus berada dalam daerah saturasinya.
pada gambar berikut. Pada gambar tersebut
Hal ini dapat dicapai dengan memberikan
terlihat bahwa terdapat 𝑉𝐺𝑆 minimum yang
arus 𝐼𝐷 dan tegangan 𝑉𝐷𝑆 tertentu.Cara yang
menyebabkan arus mulai mengalir. Tegangan
biasa digunakan dalam mendesain penguat adalah
tersebut dinamakan tegangan threshold, Vt. Pada
dengan menggambarkan garis beban pada
MOSFET tipe depletion, Vt adalah negative,
sedangkan pada tipe enhancement, Vt adalah kurva 𝐼𝐷 vs 𝑉𝐷𝑆 . Setelah itu ditentukan Q point-
positif. nya yang akan menentukan 𝐼𝐷 dan 𝑉𝐺𝑆 yang harus
dihasilkan pada rangkaian. Setelah Q point
dicapai, maka transistor telah dapat digunakan
sebagai penguat, dalam hal ini, sinyal yang
diperkuat adalah sinyal kecil (sekitar 40-50
mVp-p dengan frekuensi 1-10 kHz). Terdapat 3
konfigurasi penguat pada transistor MOSFET,
yaitu:

• Common Source
Gambar 2.1 𝐼𝐷 vs 𝑉𝐺𝑆 • Common Gate
• Common Drain
Pada gambar 2.1 tersebut terlihat bahwa
terdapat 𝑉𝐺𝑆 minimum yang menyebabkan arus Ketiganya memiliki karakteristik yang berbeda-
mulai mengalir. Tegangan tersebut dinamakan beda dari factor penguatan, resistansi
tegangan threshold, Vt. Pada MOSFET tipe input, dan resistansi output. Tabel berikut ini
depletion, Vt adalah negative, sedangkan pada merangkum karakteristik dari ketiga
tipe enhancement, Vt adalah positif. Kurva konfigurasi tersebut.
karakteristik 𝐼𝐷 vs 𝑉𝐷𝑆 ditunjukkan oleh
gambar di bawah ini. Pada gambar tersebut
terdapat beberapa kurva untuk setiap VGS III.METODOLOGI
yang berbeda-beda. Gambar ini digunakan
untuk melakukan desain peletakan titik
operasi/titik kerja transistor. Pada gambar ini juga 3.1 AlatdanBahan:
ditunjukkan daerah saturasi dan Trioda. • 2 Buah Sumber tegangan DC
• 1 Buah Generator Sinyal
• 1 Buah Osiloskop
• 3 Buah Multimeter

Laporan Praktikum - Lab Dasar Teknik Elektro -ITERA 2

 • Kit Transistor sebagai switch
• 1 Buah Breadbord
• 1 Buah 𝑅𝐺 = Potensiometer 1 MΩ
• 1 Buah 𝑅𝐷 = Potensiometer 10 kΩ
• 2 Buah 𝑅𝑆 = Potensiometer 1 kΩ
2.Atur tegangan VDS lalu catat 𝐼𝐷 yang
• 1 Buah Resistor 1 MΩ dihasilkan untuk setiap 𝑉𝐺𝑆 sesuai
• 3 Buah Kapasitor 100uF dengan table di modul.

• Kabel-kabel

3.2 LangkahPercobaan:

3.2.1.Karakteristik Transistor MOSFET 3.Buatlah plot kurva karakteristik 𝐼𝐷 𝑣𝑠 𝑉𝐺𝑆

dalam bcp anda.

A. Kurva𝐈𝐃 𝐯𝐬 𝐕𝐆𝐒

1.Susunlah rangkaian seperti gambar pada

modul.
4.Tentukan daerah saturasi dan daerah trioda

2.Aturlah tegangan 𝑉𝐺𝑆 lalu cata 𝐼𝐷 yang C. Desain Q Point

dihasilkan sesuai dengan table pada
modul.

1.Tentukan VDD terlebih dahulu kemudian

𝑉𝐷𝐷
tentukan RD, kemudian gunakan rumus .
𝑅𝐷

3.Buatlah plot kurva karakteristik

𝐼𝐷 𝑣𝑠 𝑉𝐺𝑆 dalam bcp anda.

2.Hitunglah gm dengan terlebih dahulu

kemudian cari nilai K dengan rumus 𝐼𝐷 =
𝐾(𝑉𝐺𝑠− 𝑉𝑇 )2 dan gm= 2K(𝑉𝐺𝑠− 𝑉𝑇 )

4.Tentukan tegangan Threshold (Vt).

3.Tentukan nilai gm dengan melihat

kemiringan kurvatitik Q point pada kurva
karakteristik 𝐼𝐷 𝑣𝑠 𝑉𝐺𝑆

B. Kurva ID vs VDS
3.2.2.Penguat Common Source

A. Faktor Penguat
1.Susun rangkaian seperti gambar seperti
seperti pada modul gunakan dua sumber
tegangan DC Laporan Praktikum - Lab Dasar Teknik Elektro -ITERA 3
 7.Bandingkan Nilai penguatan yang diperoleh.

Gambar 3.4 rangkaian factor penguat

IV.DATA DAN ANALISIS

1.Buatlah rangkaian seperti pada gambar Percobaan Kurva 𝑰𝑫 − 𝑽𝑮𝑺

diatas.
Tabel 4.1 Hasil Percobaan 𝐼𝐷 − 𝑉𝐺𝑆

2.Atur 𝑉𝐷𝐷 , potensiometer 𝑅𝐺 , 𝑅𝐷 , 𝑅𝑆 agar

transistor berada pada titik operasi yang
diinginkan.

3.Buatlah sinyal input sinusoidal sebesar

50mVpp dengan frekuensi 10KHz.

4.Hubungkan sinyal input sinusoidal tersebut

ke rangkaian dengan memberikan kapasitor
kopling seperti yang ditunjukan oleh gambar
dibawah ini.

Gambar 4.1 kurva 𝐼𝐷 − 𝑉𝐺𝑆

v
5.Gunakan osiloskop untuk melihat sinyal
pada Gate dan Drain transistor.
6.Tentukan penguatannya (𝐴𝑉 𝑣𝑜 /𝑣𝑖 ).
Pada percobaan kurva karakteristik 𝐼𝐷 −
𝑉𝐺𝑆 ini diperoleh data hasil percobaan
seperti pada tabel 4.1 dan didapatkan juga
kurva seperti gambar 4.1. Dapat kita lihat
kurva yang dihasilkan dari data tersebut
bergerak secara linier. Berdasarkan
gambar 4.1 diatas, terlihat bahwa kurva
yang dihasilkan telah sesuai dengan

Laporan Praktikum - Lab Dasar Teknik Elektro -ITERA 4

referensi seperti pada gambar 2.1 yang ada
pada landasan teori. Dari grafik diatas
,dapat ditentukan besarnya tegangan
threshold (VT). Tegangan threshold yaitu
pada saat nilai Vgs mulai naik (>0),
diperoleh besar tegangan threshold yaitu
sebesar 0,8 V.
Percobaan Kurva 𝑰𝑫 − 𝑽𝑫𝑺
Tabel 4.2 Hasil Percobaan 𝐼𝐷 vs 𝑉𝐷𝑆
Gambar 4.2 kurva𝐼𝐷 vs 𝑉𝐷𝑆
Pada percobaan 𝐼𝐷 vs 𝑉𝐷𝑆 ini didapatkan
data dari percobaan seperti pada table 4.2
dan kurva seperti gambar 4.2. dari data dan
kurva yang telah diperoleh dapat kita amati
kurva yang dihasilkan bergerak secara
linier. Gambar kurva diatas telah sesuai
dengan referensi seperti pada gambar
2.2.Kurva diatas memetakan nilai Id dan
Vds untuk masing-masing nilai Vgs yaitu
Laporan Praktikum - Lab Dasar Teknik Elektro -ITERA
mulai dari Vgs = 2 V hingga Vgs = 9 V.
Dapat terlihat bahwa semakin besar Id,
maka Vgsnya juga menjadi semakin besar.
Pada gambar juga terlihat bahwa transistor
memasuki keadaan saturasi saat nilai Id
untuk setiap Vgs menunjukan nilai yang
konstan. Sebelum mencapai garis yang
konstan horizontal, terlebih dahulu
transistor memasuki daerah triode yaitu
saat kurva garis memiliki kemiringan.
Kemiringan ini disebabkan karena adanya
faktor (modulasi panjang kanal) yang
serupa dengan Effek Early yang ada pada
transistor Bipolar (BJT).
Desain Q point
Selanjut nya dicari Q point dari transistor
yaitu dengan menarik garis bantu mulai
dari Vdd = 15 V hingga nilai Id = 1mA.
Dipilih garis dengan nilai Vgs sebesar 4 V.
Perpotongan garis bantu dengan garis
kurva inilah yang menjadi Q point atau
titik kerja transistor.
Gambar 4.3 kurva Q point
Kemudian dari Q point ini ditarik garis
lurus menuju sumbu Y (Id). Nilai Id yang
sejajar dengan Q point ini menjadi nilai
arus Id, nilainya 3,5 mA dan nilai Vds
yang sejajar vertical menjadi nilai Vds
yaitu 5 V. Sedangkan untuk menentukan
besarnya Rd diperoleh dengan rumus : Rd
𝑉𝐷𝐷
=1𝑚𝐴 sehinggan didapatkan nilai Rd
sebesar 2,5kΩ. Untuk nilai dari gm
diperoleh:
Gm= (Vgs=4) = 2.6,493.10-4.9(4-4,2)
= -2,5472.10-2
5
 =-0,24mA. (Resistansi output sedang).
Penguatan dengan konfigurasi
Common Gate memiliki
Percobaan Common Source karakteristik sinyal input output
tidak besifat inverting (berbeda
Pada percobaan ini kitagunakan 𝑅𝐷 = fasa00 ), memiliki penguatan
80Ω, 𝑅𝑆= 30Ω, dn 𝑅𝐺= 20 Ω. Nilai ini tegangan yang kecil, memiliki
diperoleh dengan mengunakan rumus resistansi input yang kecil (low
persentasi dimana Vdd x %𝑅𝐷 = 𝑉𝐷 voltage impedance) dan memiliki
begitu juga untuk mencari nilai resistansi output yang cukup besar
resistansi dari 𝑅𝑆 dan 𝑅𝐺 . Selanjutnya (high output impedance).
besar tegangan yang mengalir pada Penguatan dengan konfigurasi
Common Drain memiliki
tiap hambatan yaitu 12 volt pada
karakteristik sinyal input output
hambatan 𝑅𝐷 , 3 volt pada hambatan 𝑅𝑆
tidak bersifat inverting (berbeda
dan 𝑅𝐺 . Kemudian nilai dari resistansi fasa 00 ), memiliki penguatan
ini digunakan juga di percobaan penguat tegangan yang mendekati 1 (low
common drain dan common gate. voltage gain) sehingga dapat
digunakan sebagai penguat buffer,
memiliki resistansi input yang
V.KESIMPULAN
besar (high input impedance) dan
memiliki resistansi output yang
• Kurva Id vs Vgs menunjukan
sedang (moderate output
bahwa transistor MOSFET mulai
impedance).
berfungsi pada saat nilai tegangan
gate dan source pada nilai tertentu. •
Nilai tegangan ini dinamakan
tegangan Threshold (𝑉𝑇 ).Sedang
kan Kurva Id vs Vds menunjukan
daerah kerja transoistor yaitu VI. Referensi:
pertama daerah saturasi (daereah
kerja transistor yang digunakan 1. Mervin T.Hutabarat.Pejuntuk
sebagai penguat) saat kurva bernilai tetap Praktikum Elekro.
(konsisten) terhadap perubahanVds EL2205.Laboratorium Dasar
, daerah triode yaitu saat hubungan Teknik Elektro.STEI-
Id danVds berbanding lurus ITB.Bandung.2014
(linear), dan terakhir daerah cut off 2. https://slideplayer.info/slide/36753
yaitu saat transistor tidak aktif.
19/ diakses pada 28 Oktober 2018
• Penguatan dengan konfigurasi
Common Source memiliki
karakteristik sinyal input outputnya
bersifat inverting (berbeda fasa
1800 ), memiliki penguatan
tegangan yang kecil dan bernilai
negatif, memiliki high input
impedance (Resistansi input besar)
dan moderate output impedance
Laporan Praktikum - Lab Dasar Teknik Elektro -ITERA 6
Laporan Praktikum - Lab Dasar Teknik Elektro -ITERA 7