MODUL 06 PROYEK AKHIR

Rafi Dasa Nanda Putra (13214102) - Samuel Julius Sahat Sihombing (13214103)
Asisten: Hansen Leonard
Tanggal Percobaan: 22/4/2016
EL2205-Praktikum Elektronika
Laboratorium Dasar Teknik Elektro - Sekolah Teknik Elektro dan Informatika ITB

Abstrak Field efect (efek medan listrik) berasal dari prinsip

kerja transistor ini yang berkenaan dengan lapisan
Transistor secara umum memiliki deplesi (depletion layer). Lapisan ini terbentuk
kegunaan sebagai komponen penguat antara semikonduktor tipe n dan tipe p, karena
dan sebagai komponen saklar. Pada bergabungnya elektron dan hole di sekitar daerah
praktikum kali ini akan dibahas perbatasan. Sama seperti medan listrik, lapisan
bagaimana kelompok kami membuat deplesi ini bisa membesar atau mengecil tergantung
transistor sebagai penguatan dengan dari tegangan antara gate dengan source.
spesifikasi tertentu. Pada proyek
Beberapa Kelebihan FET dibandingkan dengan
praktikum kali ini kami membuat proyek transistor biasa ialah antara lain penguatannya
penguat 2 tingkat dengan MOSFET yang yang besar, serta desah yang rendah. Karena harga
disusun sedemikian rupa sehingga FET yang lebih tinggi dari transistor, maka hanya
memenuhi spesifikasi yang diinginkan digunakan pada bagian-bagian yang memang
Kata kunci : Aplikasi Transistor, memerlukan. Ujud fisik FET ada berbagai macam
MOSFET, Penguat transistor 2 tingkat, yang mirip dengan transistor. Seperti halnya
dengan transistor, ada dua jenis FET yaitu Kanal N
dan Kanal P. Kecuali itu terdapat beberapa macam
1. PENDAHULUAN
FET ialah Junktion FET (JFET) dan Metal Oxide
Pada praktikum kali ini, tiap kelompok praktikkan Semiconductor FET (MOSFET).
ditugaskan untuk membuat sebuah penguat yang
didesain menggunakan transistor berjenis
MOSFET. Praktikkan menggunakan pengetahuan
yang sudah didapatkan di praktikum dan kelas
sebelumnya untuk mendesain penguat ini.
Spesifikasi penguat haruslah dibuat dua tingkat
menggunakan dua MOSFET yang diberikan dari
Labdasar. Selain itu untuk kelompok kami
diberikan spesifikasi berupa penguatan sebesar 50
kali dengan resistansi input sebesar 300 dan
resistansi output sebesar 32 .

2. STUDI PUSTAKA Karakteristik umum dari transistor MOSFET dapat

Field Effect Transistor (FET) merupakan suatu jenis
transistor khusus. Tidak seperti transistor biasa,
yang akan menghantar bila diberi arus basis,
transistor jenis ini akan menghantar bila diberikan
tegangan (jadi bukan arus). Kaki-kakinya diberi
nama Gate (G), Drain (D) dan Source (S).
Kanal n dibuat dari bahan semikonduktor tipe n
dan kanal p dibuat dari semikonduktor tipe p.
Ujung atas dinamakan Drain dan ujung bawah
dinamakan Source. Pada kedua sisi kiri dan kanan
terdapat implant semikonduktor yang berbeda tipe.
Terminal kedua sisi implant ini terhubung satu
dengan lainnya secara internal dan dinamakan
Gate.
digambarkan pada kurva yang dibagi menjadi dua,
yaitu kurva karakteristik ID vs VGS dan kurva
karakteristik ID vs VDS. Kurva karakteristik ID vs
VGS diperlihatkan pada gambar berikut. Pada
gambar tersebut terlihat bahwa terdapat VGS
minimum yang menyebabkan arus mulai mengalir.
Tegangan tersebut dinamakan tegangan threshold,
Vt. Pada MOSFET tipe depletion, Vt adalah
negative, sedangkan pada tipe enhancement, Vt
adalah positif.

1
Laporan Praktikum - Laboratorium Dasar Teknik Elektro STEI ITB
Kurva karakteristik ID vs. VDS ditunjukkan oleh
gambar di bawah ini. Pada dibawah terdapat
beberapa kurva untuk setiap VGS yang berbeda-
beda. Gambar ini digunakan untuk melakukan
desain peletakan titik operasi/titik kerja transistor.
Pada gambar ini juga ditunjukkan daerah saturasi
dan Trioda.
Gambar diatas ialah rangkaian common gate.
Karakteristik sebuah penguat common gate ialah
memiliki hambatan input yang sangat rendah,
resistansi output yang menengah dan penguatan
open sirkuit yang tidak terlalu besar.
Common source

Gambar diatas ialah skema gambar rangkaian

common source. Karakteristik dari rangkaian ini
ialah mempunyai resistansi input yang besar,
Untuk menggunakan transistor MOSFET sebagai penguatan yang terbaik, serta resistansi output
penguat, maka transistor harus berada dalam yang menengah keatas
daerah saturasinya. Hal ini dapat dicapai dengan
Common Drain/Source Follower
memberikan arus ID dan tegangan VDS tertentu.
Cara yang biasa digunakan dalam mendesain
penguat adalah dengan menggambarkan garis
beban pada kurva ID vs VDS. Setelah itu
ditentukan Q point-nya yang akan menentukan ID
dan VGS yang harus dihasilkan pada rangkaian.
Setelah Q point dicapai, maka transistor telah dapat
digunakan sebagai penguat, dalam hal ini, sinyal
yang diperkuat adalah sinyal kecil (sekitar 40-50
mVp-p dengan frekuensi 1-10 kHz). Terdapat 4
konfigurasi penguat pada transistor MOSFET, yaitu
Common Source, Common Source dengan
resistansi source, Common Gate, dan Common
Drain. Pada praktikum ini, digunakan konfigurasi
Common Source dengan resistansi source dan Gambar diatas ialah skema penguatan bertipe
Common Gate. common drain. Karakteristik dari rangkaian ini
ialah mempunyai resistansi input yang sangat
tinggi, resistansi out yang sangat rendah, serta
penguatan open sirkuit yang mendekati nilai 1

Common Gate
2
Laporan Praktikum - Laboratorium Dasar Teknik Elektro STEI ITB
3. METODOLOGI Realisasi Rangkaian

3.1 ALAT PERCOBAAN Pembelian Komponen

- Sumber tegangan searah
- Kabel-kabel
- Multimeter Digital (SANWA DMM) Pensolderan komponen ke PCB

- Breadboard
- Kapasitor 100uF
Pengecekan ketersambungan jalur
- Hasil Design PCB (Buatan Praktikkan)
- Osiloskop
Perbaikan jalur-jalur
3.2 METODE PERCOBAAN
Karakteristik Komponen Penguatan Transistor

Menerima Komponen
Memasang rangkaian

Hubungkan ke DCA Pro

menghubungkan Vdd, input, dan
output

Hubungkan ke PC
mencatat hasil osiloskop

Melihat dan menyimpan data

Kurva transistor
Menghitung Vo/Vi untuk melihat
seberapa besar penguatan

Desain Rangkaian
Resistansi Input
Studi Pustaka jenis rangkaian penguat
Memasang rangkaian
Menentukan desain penguat

menghubungkan Vdd, Vin ke

Melakukan perhitungan Kasar
osiloskop

Simulasi LTSpice
memasang Resistor variabel
Optimasi Rangkaian

Pembuatan PCB mencari Rvar tertentu agar Vin

menjadi setengah dari semula
Membuat skematik di Altium

Membuat layout board di altium

Melakukan penjaluran (routing)

Optimasi rangkaian

Mengirimkan ke tempat cetak PCB untuk dicetak

Resistansi Output
3
Laporan Praktikum - Laboratorium Dasar Teknik Elektro STEI ITB
 Memasang rangkaian
menghubungkan Vdd, Vout ke
osiloskop
memasang Resistor variabel
mencari Rvar tertentu agar Vout
menjadi setengah dari semula
Frekuensi Korner Rangkaian
Memasang rangkaian
menghubungkan Vdd, Vin, Vout ke
osiloskop
menganalisis osiloskop
mencari frekuensi (dari gensin)
ketika output menunjukkan
attenuasi
4. HASIL DAN ANALISIS
Karakteristik Transistor
Berdasarkan nilai dari percobaan sebelumnya
menggunakan program DCA Pro, kita bisa melihat
grafik Id-Vds dan Id-Vgs. Gambar gambar
tersebut bisa dilihat melalui gambar dibawah nanti.
Labdasar memberikan 3 buah transistor yang
digunakan, kami menggunakan transistor pertama
dan ketiga. Grafiknya akan disajikan dibawah ini
Kurva Id-Vds transistor 1
Kurva Id-Vgs transistor 1
Laporan Praktikum - Laboratorium Dasar Teknik Elektro STEI ITB
Kurva Id-Vds transistor 3
Kurva Id-Vgs transistor 3
Jika melihat grafik diatas, kita bisa melihat bahwa
tegangan threshold sekitar 1,5 volt untuk transistor
pertama dan sekitar 1,7 volt untuk transistor kedua.
transkonduktansinya dapat dicari dengan
menggunakan rumus gm = 2*iD / (VGS Vt) dan
nilainya berada pada sekitar 18,6 mA/V untuk
keduanya ketika arus drain di level 2mA - 5mA.
Desain Rangkaian
Untuk desain rangkaian kami menggunakan
rangkaian bersusun dari konfigurasi Common
Source dan common source, alasan kami memilih
common source ialah penguatannya yang terbaik
dibandingkan dengan common gate dan common
drain. Selain itu, melihat rangkaian common
source untuk jumlah komponennya tidak terlalu
banyak berbeda dengan konfigurasi lainnya
sehingga harga akhirnya tidak berbeda terlalu jauh.
Kami juga menyadari bahwa cukup sulit membuat
penguat dengan bahan FET sehingga kemungkinan
common source-lah yang terbaik untuk
memberikan menguatan hingga 34 db (sekitar 50
kali).
Spesifikasi yang diberikan pada kami ialah
penguatan 50 kali, Rin 300 Ohm, dan Rout 32 Ohm.
Dibawah ini akan diperlihatkan rangkaian kami
dan bagaimana LTSpice mensimulasikannya, serta
ada juga gambar input dan output hasil simulasi
dari LTSpice
4
 Rangkaian PCB Kelompok Kami
Hasil Input
Hasil Ouput
Pada hasil simulasi, kami sudah mencapai
penguatan sebesar 50 kali, namun kami menyadari
bahwa hal ini sangat mungkin tidak akan sama
dengan kenyataan karena resistor yang tidak akurat
serta spesifikasi transistor yang tidak pasti sama
dengan hasil simulasi LTSpice.
Melihat umumnya komponen yang kami
perkirakan dengan keadaan dipasaran (cukup
dengan seri jika tidak ada) maka sama sekali tidak
melakukan revisi sampai dengan hari praktikum
dilakukan. Gambar rangkaian di saat percobaan
sama ketika Tugas 1 diserahkan ke labdasar.
Pembuatan PCB
Untuk pembuatan PCB, kami menggunakan
bantuan perangkat lunak ALTIUM untuk
mendesain PCB. Awalnya kami menggunakan
skematik lalu dipindah ke board.
Untuk pembuatan PCB kami mengandalkan
Spektra (Jalan Ahmad Yani Sekitaran Pasar
Kosambi Sebelum Tugu). Untuk pembuatan PCB
pertama, kami menggunakan FR4 dengan Masking.
Laporan Praktikum - Laboratorium Dasar Teknik Elektro STEI ITB
Skematik rangkaian
PCB Board Routing
Untuk cadangan, kami juga membuat satu lagi PCB
namun kali ini tanpa masking (untuk menghemat
biaya) dan dengan ukuran yang diperluas , hal ini
dikarenakan alasan kemudahan proses penyolder-
an. Kami merasa jika titik kaki komponen terlalu
dekat maka akan terlalu sulit disolder.
Skematik rangkaian tidak berubah, hanya di PCB
Board diperluas ukurannya
Untuk komponen, kami membelinya di Jaya Plaza
dan toko Anam sebelah kanan Balubur town
Square. Beberapa komponen yang tidak ditemukan
diakali dengan melakukan resistor secara seri.
Dikarenakan waktu, maka kami tidak mencoba
sebelumnya di labdasar.
Percobaan Praktikum
Untuk percobaan, pada akhirnya kami
menggunakan rangkaian PCB hasil revisi (yang
sudah diperluas).
Hasilnya akan dijelaskan melalui beberapa gambar
dan analisis berikut :
5
Penguatan Vout
Av = 27,3 V /V
Vinp
Hasil yang didapatkan oleh kami berbeda dengan
spesifikasi yang diinginkan oleh spesifikasi
labdasar. Kami menganalisis hal ini akibat simulasi
yang tidak memperhatikan karatkeristik transistor,
serta juga nilai resistor yang beberapa menjauhi
nilai aslinya. Kami juga menambahkan resistor 50
Ohm setelah input yang juga sudah ada menyatu
dengan generator sinyal.
Resistansi Input
Resistansi spesifikasi yang kami perlukan ialah Rin
sebesar 300 Ohm. Kami menggunakan paralel 600
Ohm untuk mendapatkan Rin 300 Ohm, namun
Perbandingan Input dan Output (in kuning ,out biru / karena pasaran tidak ada, maka dari itu kami
Gambar 1) menggunakan Paralel 620 Ohm.
Hasil yang kami dapatkan ialah resistansi input
yang sebesar 700 Ohm dengan Resistor Variabel.
Menurut analisis kami, hal ini lagi-lagi disebabkan
resistor tambahan yang dari generator sinyal, serta
resistansi yang berbeda dengan hasil simulasi dan
resistor yang memiliki nilai kesalahan
Resistansi Output
Untuk resistansi output, kami diberikan spesifikasi
yang sebesar 32 Ohm, oleh karena itu kami
menggunakan resistansi 32 Ohm di resistor drain di
MOSFET kedua.
Hasil percobaan menunjukkan hal yang benar,
tepat ketika Rvar dipasang 32 Ohm maka output
menunjukkan setengah dari semulanya.
Percobaan Sinyal Bentukan Lain
Perbandingan Input dan Output (in kuning ,out biru / Kami juga melakukan analisis untuk sinyal
Gambar 2) bentukan sinyal segitiga dan sinyal persegi
panjang. Hasilnya bisa dilihat melalui gambar-
gambar berikut ini.

Perbandingan Input dan Output (in kuning ,out biru /

Gambar 3) Percobaan Menggunakan Sinyal Segitiga
Berdasarkan hasil-hasil gambar diatas maka kita
dapat mengetahui faktor penguatan dari rangkaian
yang kami buat yaitu
6
Laporan Praktikum - Laboratorium Dasar Teknik Elektro STEI ITB
 disesuaikan dengan penggunaannya
dikemudian hari
5. Simulasi yang sangat ideal dan
representatif sangat diperlukan untuk hasil
riil yang lebih akurat
6. Respon frekuensi dari rangkaian penguat
berupa pass-band filter.

Komponen Harga

Cetak PCB (tanpa Rp15.000

masking, dengan
Percobaan Menggunakan Sinyal Persegi/Kotak spesifikasi board FR2
Ketika kita memberi sinyal input berupa segitiga Through Hole)
dan kotak, maka hal yang terjadi cukup sama, yaitu
terjadi perbesaran/amplifikasi sinyal yang Resistor (51 , 620 (x2) Rp 4.500
besarnya masih sekitaran sama yaitu 25 kali. Hal ini , 16 , 33 , 15k + 1k
terlihat dari amplituda yang diamati melalui 8 (x2) , 2k2 , 4k4 ) ,
gambar diatas beberapa resistor tidak
bisa dibeli satuan
Analisis Tanggapan Frekuensi
Berdasarkan percobaan mengubah frekuensi Kapasitor 100uF (x2) Rp 2.000
generator sinyal, kami mendapatkan bahwa
frekuensi untuk bagian rendah dan tingginya ialah
500 Hz untuk frekuensi rendah dan 3 MHz untuk
frekuensi tinggi
DAFTAR PUSTAKA
[1] Jackstar H. S., Panduan Penulisan
Laporan, Jacks Publishing,
Bandung, 2008.
[2] Adel S. Sedra dan Kennet C. Smith,
Microelectronic Circuits, Oxford
University Press, USA, 1997.
[3] Hutabarat, Mervin. 2016.
Praktikum Elektronika. ITB
[4] Floyd, Thomas. 2011. Electronic
Devices. SRC Press.

Bode Plot Percobaan

5. KESIMPULAN
Berdasarkan hasil yang diperoleh dan analisis yang
dilakukan, kita dapat menyimpulkan bahwa :
1. Transistor bisa digunakan sebagai penguat
2. Transistor bisa dikuatkan berkali-kali
untuk mencapai hasil yang diinginkan
3. Sulitnya mencapai penguatan yang besar
jika kita menggunakan penguat FET
4. Setiap desain penguat memiliki
karakteristik resistansi input dan output
yang bermacam-macam sehingga dapat
7
Laporan Praktikum - Laboratorium Dasar Teknik Elektro STEI ITB