MODUL 05 KARAKTERISTIK DAN PENGUAT FET
Mikael Wahyu Diantama (13216014)
Asisten: Aziz Mustofa/13214027
Tanggal Percobaan: 19/03/2018
EL2205-Praktikum Elektronika
Laboratorium Dasar Teknik Elektro - Sekolah Teknik Elektro dan Informatika ITB
Abstrak
Percobaan yang dilakukan pada modul kelima kali ini adalah
percobaan tentang karakteristik dan penguat FET. FET
sendiri merupakan transistor yang bekerja berdasarkan efek
medan listrik yang dihasilkan oleh tegangan yang diberikan
pada kedua ujung terminalnya. Percobaan kali ini akan
menggunakan FET bertipe MOSFET. Pada praktikum kali
ini, akan dicari nilai-nilai penguatan untuk tiga konfigurasi
utama MOSFET, yakni common source, common gate, dan
common drain. Dari ketga konfigurasi itu, masing-masing juga
akan terdapat variasi, yakni untuk dengan beban 10kΩ,
beban 5kΩ, dengan sumber arus, serta dengan bebasn 5kΩ
dan sumber arus. Ada pula nilai parameter yang akan diukur,
yakni resistansi input dan resistansi output.
Kata kunci : MOSFET, penguat, konfigurasi,
resistansi.
1. PENDAHULUAN
Percobaan pada modul kelima kali ini dibagi
menjadi empat bagian. Tujuan dari praktikum kali
ini adalah mengetahui dan memelejari karakteristik
dan penguat FET, memahami konfigurasi common
source, common gate, dan common drain pada
MOSFET sebagai penguat, dan memahami
resistansi input dan resistansi output pada
MOSFET. Bagian pertama adalah percobaan untuk
mencari kurva ID vs VDS dan ID vs VGS pada
MOSFET menggunakan DCA Pro serta
perhitungan nilai parameter, lalu mencari nilai
penguatan, serta mencari nilai resistansi input dan
output.
Pada percobaan mencari kurva ID vs VDS dan ID vs
VGS pada MOSFET, dapat dilakukan dengan cara
mencari grafik berdasarkan tracing pada DCA Pro.
Setelah itu, akan terlihat kurva kurva ID vs VDS dan
ID vs VGS pada MOSFET yang bertipe VN2222LL.
Kemudian dari kurva kurva ID vs VDS, dapat
dihitung nilai parameter dengan nilai RD yang
digunakan adalah 5k dan 10k. Dari sini, dapat
ditentukan titik Q MOSFET sesuai dengan
keinginan. Lalu akan didapatkan juga nilai ID dan
gm dengan rumus yang terdapat pada modul.
Laporan Praktikum - Laboratorium Dasar Teknik Elektro – STEI ITB
Setelah itu adalah percobaan konfigurasi common
source, common gate, dan common drain MOSFET
sebagai penguat. Percobaan ini akan menggunakan
empat variasi, yaitu dengan beban 10kΩ, dengan
sumber arus, dengan beban 5kΩ, dan dengan
sumber arus berbeban 5kΩ. Dari sini akan dicari
nilai penguatannya masing-masing.
Setelah itu percobaan terakhir adalah mencari nilai
resistansi input dan resistansi output untuk setiap
tipe konfigurasi penguat.
2. STUDI PUSTAKA
2.1 TRANSISTOR FET[1]
Transistor FET adalah transistor yang bekerja
berdasarkan efek medan elektrik yang dihasilkan
oleh tegangan yang diberikan pada kedua ujung
terminalnya. Mekanisme kerja transistor ini
berbeda dengan transistor BJT. Pada transistor ini,
arus yang dihasilkan/dikontrol dari Drain (analogi
dengan kolektor pada BJT), dilakukan oleh
tegangan antara Gate dan Source (analogi dengan
Base dan Emiter pada BJT). Bandingkan dengan
arus pada Base yang digunkan untuk menghasilkan
arus kolektor pada transistor BJT.
Jadi, dapat dikatakan bahwa FET adalah transistor
yang berfungsi sebagai “konverter” tegangan ke
arus.Transistor FET memiliki beberapa keluarga,
yaitu JFET dan MOSFET. Pada praktikum ini akan
digunakan transistor MOSFET walaupun
sebenarnya karakteristik umum dari JFET dan
MOSFET adalah serupa.
Karakteristik umum dari transistor MOSFET dapat
digambarkan pada kurva yang dibagi menjadi dua,
yaitu kurva karakteristik ID vs VGS dan kurva
karakteristik ID vs VDS. Kurva karakteristik ID vs
VGS diperlihatkan pada gambar berikut. Pada
gambar tersebut terlihat bahwa terdapat VGS
minimum yang menyebabkan arus mulai mengalir.
Tegangan tersebut dinamakan tegangan threshold,
Vt. Pada MOSFET tipe depletion, Vt adalah
negative, sedangkan pada tipe enhancement, Vt
adalah positif.
1
 diperkuat adalah sinyal kecil (sekitar 40-50 mVpp
dengan frekuensi 1-10 kHz).
Terdapat 4 konfigurasi penguat pada transistor
MOSFET, yaitu Common Source, Common Source
dengan resistansi source, Common Gate, dan
Common Drain. Pada praktikum ini, digunakan
konfigurasi Common Source dengan resistansi
source dan Common Gate. Formula parameter
penguat untuk dua konfigurasi yang digunakan
dijelaskan dalam tabel berikut.

Gambar 4.1.1 Kurva ID vs VGS

Pada gambar tersebut terlihat bahwa terdapat

VGS minimum yang menyebabkan arus mulai
mengalir. Tegangan tersebut dinamakan
tegangan threshold, Vt. Pada MOSFET tipe
depletion, Vt adalah negative, sedangkan pada
tipe enhancement, Vt adalah positif.

Kurva karakteristik ID vs VDS ditunjukkan oleh 3. METODOLOGI

gambar di bawah ini. Pada gambar tersebut Berikut ini adalah alat dan bahan yang digunakan
terdapat beberapa kurva untuk setiap VGS yang pada modul kelima.
berbeda-beda. Gambar ini digunakan untuk Tabel 3.1 Alat dan Bahan Modul 05
melakukan desain peletakan titik operasi/titik
kerja transistor. Pada gambar ini juga Nama Alat dan Bahan
ditunjukkan daerah saturasi dan Trioda.
Sumber tegangan DC

Generator sinyal

Osiloskop

Multimeter

Kabel-kabel

Osiloskop

Peak Atlas DCA Pro

Gambar 4.1.2 Kurva ID vs VDS
Komputer Desktop
2.2 PENGUAT FET [1]
MOSFET VN2222LL
Untuk menggunakan transistor MOSFET sebagai
penguat, maka transistor harus berada dalam
daerah saturasinya. Hal ini dapat dicapai dengan
memberikan arus ID dan tegangan VDS tertentu. 3.1 PERCOBAAN KARAKTERISTIK FET
Cara yang biasa digunakan dalam mendesain
Percobaan pertama akan melakukan beberapa
penguat adalah dengan menggambarkan garis
percobaan. Yang pertama adalah melihat kurva ID
beban pada kurva ID vs VDS. Setelah itu ditentukan
vs VDS serta kurva ID vs VGS. Setelah itu akan
Q point-nya yang akan menentukan ID dan VGS yang
menentukan Q point dari MOSFET.
harus dihasilkan pada rangkaian. Setelah Q point
dicapai, maka transistor telah dapat digunakan
sebagai penguat, dalam hal ini, sinyal yang

Laporan Praktikum - Laboratorium Dasar Teknik Elektro – STEI ITB 2

 Komputer dinyalakan. Lalu DCA Pro disambungkan ke 3.2 PERCOBAAN RANGKAIAN PENGUAT
komputer. Kabel Atlas DCA Pro juga disambungkan ke kaki
MOSFET. Generator sinyal diatur dengan nilai input 20mVpp dan
frekuensi 10kHz. Power supply juga diatur sebesar 10V.

Testing dimulai pada untuk melihat kurva yang diinginkan Rangkaian common source pada gambar 3.2.2 dirangkai.
dengan nilai tracing sesuai dengan modul Osiloskop digunakan untuk melihat sinyal pada input dan
output transistor

Kurva ID vs VDS dan ID vs VGS diamati dan dilakukan analisis Nilai penguatan AV ditentukan (Vo/Vi). Setelah itu,
lebih mendalam pada data yang diperoleh amplitudoe generator sinyal dinaikkan hingga
terbentuk distorsi pada gelombang output

Setelah mendapatkan data, dengan nilai RD yang akan Setelah itu, resistor pada source diganti
digunakan pada praktikum, garis beban dibuat pada grafik I D dengan sumber arus
vs VDS untuk menentukan tempat titik Q. Lalu, akan dicari
nilai parameter ID dan gm dengan rumus yang terdapat pada
modul

Gambar 3.1.1 Diagram Percobaan Karakteristik Lalu dilakukan variasi dengan menggunakan
FET konfigurasi awal dengan beban bernilai 5kΩ
dan sumber arus dengan beban 5kΩ

Gambar 3.2.1 Diagram Percobaan Common

Source

Gambar 3.1.2 Penentukan Titik Kerja Q[3]

Gambar 3.2.2 Rangkaian Common Source

Gambar 3.2.3 Rangkaian Common Source dengan

Sumber Arus
Gambar 3.1.3 Penentuan Nilai gm[3]

Laporan Praktikum - Laboratorium Dasar Teknik Elektro – STEI ITB 3

3.3 MENCARI NILAI RESISTANSI INPUT DAN Gambar 3.3.3 Pengukuran Resistansi Input
OUTPUT Penguat Common Source

Resistor Variabel dihubungkan pada input

rangkaian

Osiloskop dihubungkan pada input

transistor

Resistor variabel diatur sampai amplitudo Gambar 3.3.4 Pengukuran Resistansi Output
sinyal input menjadi setengah dari sinyal Penguat Common Source
input tanpa resistor variabel

3.4 PERCOBAAN UNTUK KONFIGURASI COMMON

GATE DAN COMMON DRAIN
Resistansi input adalah nilai RVar.

Konfigurasi Common Gate dan Common Drain

Gambar 3.3.1 Diagram Percobaan Resistansi akan dilakukan percobaan faktor penguatan,
Input resistansi input, dan resistansi output seperti
pada common source.
Resistor Variabel dihubungkan pada output
rangkaian

Gambar 3.4.1 Diagram Percobaan Konfigurasi

Common Gate dan Common Drain
Osiloskop dihubungkan pada output
transistor

Resistor variabel diatur sampai

amplitudo sinyal output menjadi
setengah dari sinyal output open

Resistansi output adalah nilai RVar.

Gambar 3.4.2 Gambar Konfigurasi Common Gate

Gambar 3.3.2 Diagram Percobaan Resistansi

Output

Gambar 3.4.3 Gambar Konfigurasi Common

Drain

Laporan Praktikum - Laboratorium Dasar Teknik Elektro – STEI ITB 4

4. HASIL DAN ANALISIS

4.1 KARAKTERISTIK MOSFET

Gambar 4.1.1 Kurva ID vs VGS

Gambar 4.1.1 merupakan hasil testing yang
diperoleh dari DCA Pro terhadap kurva ID vs VGS
MOSFET VN2222LL. Ketika MOSFET digunakan
sebagai penguat, maka MOSFET haruslah berada
pada kondisi saturasi. Arus pada drain adalah
konstan dan ditentukan dari nilai VGS. Oleh karena
itu, MOSFET akan beroperasi sebagai sumber arus
voltage-controlled yang memiliki rumus

Dari sini terlihat bahwa aplikasi MOSFET tersebut

adalah sebagai penguat. Nilai Vt dari MOSFET
tersebut adalah 1V. MOSFET yang dipakai juga
terlihat adalah bertipe enhancement.
Gambar 4.1.3 Referensi Daerah Kerja MOSFET[2]
Kemudian dari kurva ID vs VDS yang diperoleh,
maka dapat menentukan daerah titik kerja Q
MOSFET.

Tabel 4.1.1 Perhitungan Nilai Parameter

RD

Gambar 4.1.2 Kurva ID vs VDS 5kΩ VDS = 6.8 V K = 0.000694

Dari hasil kurva ID vs VDS yang diperoleh, dapat VGS = 1.857 V gm = 0.00102
terlihat beberapa daerah kerja dari MOSFET. Saat ID = 0.51mA
awal keadaan baru naik, maka itulah daerah kerja
trioda. Namun, ketika nilai tegangan sudah Vt = 1V
mendatar, maka itu merupakan daerah saturasi.
Daerah cut-off adalah ketika nilai ID bernilai nol, 10kΩ VDS = 4.5 V K = 0.000644
yang artinya tidak ada arus yang mengalir. Untuk VGS = 1.857 V gm = 0.001103
berada dalam daerah triod, maka nilai VDS harus
lebih kecil dari nilai tegangan overdrive nya (V OV). ID = 0.473mA
Dan jika berada dalam daerah saturasi, maka Vt = 1V
tegangan VDS harus lebih besar sama dengan VOV.
Hasil ini sudah sesuai dengan referensi. Dari perhitungan tersebut, maka dapat diperoleh
titik kerja Q MOSFET sesuai dengan yang

Laporan Praktikum - Laboratorium Dasar Teknik Elektro – STEI ITB 5

diinginkan. Load Line dapat terlihat pada gambar
4.1.2.
Praktikan mendapatkan perbedaan hasil gm jika
dihitung menggunakan rumus tersebut,
dibandingkan dengan rumus
gm = 2ID/VOV
Hasil gm yang didapatkan dengan rumus di atas
adalah 10 kali lebih kecil. Praktikan menduga
karena hasil yang didapatkan dari testing pada
DCA Pro tidak murni kuadratik, ada titik yang
memiliki kesingularitasan. Akibatnya, akan
terdapat dua buah garis yang tentunya memiliki
dua nilai slope yang berbeda, padahal nilai gm
adalah nilai slope tersebut. Oleh karena itu, karena
terdapat pendekatan yang berbeda, maka nilai gm
yang didapatkan menjadi berbeda. Terdapatnya
kesingularitasan mungkin karena hasil testing tidak
dapat merepresentasikan setiap titik pada grafik
tersebut.
4.2 COMMON SOURCE
Gambar 4.2.1 Hasil Penguatan Konfigurasi
Common Source dan Distorsi
Nilai penguatan untuk konfigurasi common source
adalah sekitar -10 V/V. Hasil yang didapatkan juga
sudah sesuai dengan teori, yaitu akan terdapat
perbedaan fasa antara input dan output, yang
artinya penguatan akan bernilai negatif. Nilai
negatif ini dapat dilihat dari rangkaian pengganti
untuk konfigurasi common source.
Laporan Praktikum - Laboratorium Dasar Teknik Elektro – STEI ITB
Gambar 4.2.2 Rangkaian Pengganti Common
Source
Dari rangkaian tersebut dalam terlihat bahwa nilai
output akan bernilai negatif karena arus yang
digunakan akan berlawanan dengan yang
sebenarnya. Setelah itu, salah satu penyebab lain
nilai penguatan menjadi negatif karena nilai output
dibandingkan dengan ground.
Untuk rangkaian percobaan, nilai penguatan dapat
dicari dengan menggunakan rumus
Av = - gm (RD||RL)
Secara teoritis, seharusnya dari perhitungan
seharusnya dari percobaan didapatkan nilai
penguatan sebesar -3,67 V/V dengan gm. Praktikan
menduga perbedaan ini disebabkan karena
pergeseran operating point sehingga nilai
penguatan menjadi berbeda ataupun kendala dari
alat yang digunakan. Tegangan output yang
didapatkan akan terdistori ketika input diset
bernilai 200mVpp.
Gambar 4.2.3 Hasil Penguatan Konfigurasi
Common Source dengan Beban 5kΩ dan Distorsi
Nilai penguatan untuk konfigurasi common source
dengan beban 5kΩ adalah sekitar -12.5 V/V. Nilai
tersebut sudah sesuai dengan referensi juga bahwa
untuk common source, nilai penguatan akan
negatif.
Sesuai dengan perhitungan, dengan rumus yang
sama dengan sebelumnya, seharusnya nilai yang
didapatkan adalah bernilai -2,55 V/V. Namun, nilai
yang praktikan dapatkan malahan menjadi lebih
besar dibandingkan dengan yang seharusnya.
Bahkan, lebih besar dibandingkan dengan berbeban
10kΩ. Jika disesuaikan dengan rumus, maka untuk
beban 5kΩ seharusnya akan menghasilkan
penguatan yang lebih kecil, karena nilai penguatan
akan sebanding dengan nilai beban paralel RD dan
RL. Penggunaan konfigurasi tersebut juga
seharusnya sudah lumayan tepat untuk nilai
resistansi output yang berorde kilo. Karena jika
diinginkan resistansi output yang berorde satuan
6
atau puluhan, maka diharuskan untuk membuat
penguatan bertingkat.
Untuk konfigurasi common source dengan beban
5kΩ, didapatkan distorsi pada output untuk
tegangan input sebesar 400mVpp
Gambar 4.2.4 Hasil Penguatan Konfigurasi
Common Source dengan Sumber Arus dan
Distorsi
Untuk mencari nilai penguatan dengan konfigurasi
common source dengan sumber arus, maka
praktikan harus mencari nilai sumber arus yang
akan diset terlebih dahulu. Nilai sumber arus dapat
dicari dengan mengukur tegangan yang terukur
pada RS, setelah itu nilai tegangan tersebut dibagi
dengan RS. Maka nilai itulah yang akan menjadi
nilai arus yang akan diset. Namun, ketika praktikan
ingin mengeset nilai sumber arus, ternyata sumber
arus tidak dapat terukur pada multimeter.
Praktikan tidak mengetahui penyebab pasti hal ini.
Praktikan menduga hal ini dapat terjadi karena
kesalahan metode dalam memberikan sumber arus
pada rangkaian, atau sumber arus pada kit
transistor tidak dapat bekerja dengan baik.
Nilai yang terukur dari multimeter adalah sebagai
berikut.
V = 0.349 V, I = 0,349mA
Ketika sumber arus tidak dapat diatur untuk
menghasilkan nilai arus yang diingkan, maka pada
akhirnya praktikan mengatur nilai RB dengan
memutar potensiometer dari kit praktikum supaya
didapatkan nilai arus sebesar 0.349mA. Nilai
potensiometer diset sebesar sekitar 216.2kΩ.
Percobaan ini memberikan hasil penguatan sebesar
-10V/V. Hasil penguatan tentunya sama dengan
konfigurasi common source dengan beban 10kΩ.
Hal ini sudah sesuai dengan teori, bahwa
perubahan fungsi RS yang digantikan dengan
sumber arus tidak akan memengaruhi penguatan,
karena untuk konfigurasi common source, nilai
penguatan hanya akan dipengaruhi oleh nilai gm,
RD, dan RL. Mungkin perubahan RS hanya akan
menentukan perubahan titik biasnya saja.
Laporan Praktikum - Laboratorium Dasar Teknik Elektro – STEI ITB
Secara teoritis, nilai penguatan yang didapatkan
seharusny adalah -3.67V/V. Namun, ternyata yang
didapatkan berbeda. Praktikan menduga
perbedaan ini disebabkan karena kesalahan
praktikan dalam pengukuran, kendala dari alat
ukur, atau pergeseran operating point MOSFET.
Nilai distorsi terlihat pada sinyal output untuk nilai
tegangan input sebesar 400mVpp.
Gambar 4.2.5 Hasil Penguatan Konfigurasi
Common Source dengan Sumber Arus dan Beban
5kΩ
Nilai penguatan untuk konfigurasi common source
dengan sumber arus dan beban 5kΩ adalah sebesar
-12.5V/V. Nilai ini sama seperti dengan common
source dengan sumber arus. Dan tentunya nilai ini
sudah sesuai dengan teorinya bahwa perubahan
fungsi RS menjadi sumber arus tidak akan
memengaruhi nilai penguatan, karena nilai
penguatan hanya dipengaruhi oleh nilai gm, RD, dan
RL. Kendala yang dihadapi pun masih sama, bahwa
praktikan tidak dapat mengatur nilai sumber
arusnya secara langsung dari kit praktikum,
sehingga praktikan harus mengukur terlebih
dahulu nilai tegangan yang mengalir pada R S dan
mencari nilai arusnya. Nilai yang praktikan
dapatkan adalah
V=0.843V, I = 0.843mA
Lalu nilai hambatan yang praktikan atur supaya
mendapatkan arus sebesar 0.843mA adalah sebesar
230.8kΩ.
Praktikan mendapatkan tegangan output
terdistorsi dengan mengeset nilai tegangan input
menjadi sebesar 1Vpp.
Untuk membuat sebuah sinyal ground atau ac
ground, di bagian source, dapat dihubungkan
sebuah kapacitor (pada praktikum kali ini adalah
C3) antara source dengan ground. Kapasitor ini
biasanya bernilai orde mikroFarad. Kapasitor ini
berfungsi untuk membuat sebuah impedansi yang
sangat kecil atau bahkan idealnya mendekati nol,
yang akibatnya adalah untuk menjadikannya
menjadi short circuit pada segala kondisi frekuensi.
7
Oleh karena itu, arus dapat mengalir melewati C3 praktikan menambahkan resistor matriks pada
ke ground dan mem bypass RS. rangkaian setelah generator sinyal, dan harus
mencari nilai resistansi yang menyebabkan nilai
Untuk tidak mengubah operating point atau titik
tegangan menjadi setengah dari tanpa resistor
bias rangkaian pada arus dan tegangan, maka
matriks. Jika nilai resistansi diperbesar, maka akan
sumber tegangan dihubungkan dengan sebuah
diperoleh nilai tegangan yang semakin kecil.
kapasitor (pada praktikum kali ini adalah kapasitor
Namun, jika nilai resistor diperkecil, akan
C1) yang bernama kapasitor kopling. Kapasitor ini
memperoleh nilai tegangan yang semakin besar,
berperan untuk menghasilkan short circuit untuk
yang artinya nilainya akan berbanding terbalik.
sinyal AC sambil memblok sinyal DC.
Untuk resistansi output, akan memiliki
Hasil penguatan pun pada akhirnya akan
karakteristik sebagai berikut. Resistansi output
dipengaruhi oleh nilai RL juga yang terhubung
akan diperoleh ketika praktikan pertama-tama
coupled dengan C2. RL di sini dapat berperan
mengukur tegangan tanpa beban (resistor beban
sebagai resistansi output, atau resistansi beban
dicabut) yang artinya node output menjadi open.
rangkaian, dan kedua peran tersebut tentunya akan
Setelah itu, diukur nilai tegangannya. Lalu, resistor
memengaruhi nilai penguatan transistor.
matriks diletakkan pada output, dan diatur untuk
Praktikan juga menduga bahwa salah satu menghasilkan nilai tegangan output setengah dari
penyebab dari perbedaan nilai penguatan adalah tanpa beban. Jika nilai resistor dinaikkan, maka
karena kapasitor yang sudah tidak dapat bekerjai tegangan pun akan menjadi semakin besar. Namun,
dengan baik. Karena kegunaan kapasitor adalah jika nilai resistor diturunkan, maka tegangan pun
untuk memblok nilai DC, praktikan menduga akan menjadi semakin kecil, yang artinya nilainya
bahwa transistor bisa saja dapat berubah operating sebanding.
pointnya.
4.3 COMMON GATE
Konfigurasi common source sebetulnya paling
digemari untuk digunakan sebagai penguat. Untuk percobaan konfigurasi common gate,
Namun, konfigurasi ini memiliki keterbatasan praktikan hanya dapat melakukan percobaan untuk
untuk digunakan sebagai penguat pada frekuensi konfigurasi dengan beban 10kΩ dan dengan
yang lumayan tinggi. sumber arus.
Pada percobaan ini, praktikan tidak dapat mencari
nilai resistansi input dan resistansi output
rangkaian, dikarenakan praktikan tidak mendapat
giliran untuk dapat menggunakan resistor matriks.
Namun, praktikan dapat memperoleh nilai
resistansi input dan output melalui simulasi pada
LTSpice, namun dengan nilai titik bias yang
tentunya berbeda dari yang telah praktikan desain
pada percobaan secara langsung.
Tabel 4.2.1 Resistansi Input dan Output Simulasi
CS
RANGKAIAN RESISTANSI RESISTANSI
INPUT (Ω) OUTPUT (Ω)
COMMON
1.9K 4K
SOURCE Gambar 4.3.1 Rangkaian Ekuivalen Konfigurasi
COMMON Common Gate[3]
SOURCE DENGAN 2.2K 4.1K
SUMBER ARUS
COMMON
SOURCE DENGAN 2.15K 4.1K
RL 5K
COMMON
SOURCE DENGAN
2.2K 4.3K
SUMBER ARUS
DAN RL 5K

Untuk resistansi input, akan memiliki karakteristik

sebagai berikut. Resistansi input akan diperoleh jika
Laporan Praktikum - Laboratorium Dasar Teknik Elektro – STEI ITB 8
 Konfigurasi common gate karena memiliki
resistansi input yang rendah, maka aplikasinya pun
terbatas. Salah satu aplikasinya adalah untuk
memberikan penguatan terhadap sinyal
berfrekuensi tinggi yang berasal dari sumber
berresistansi rendah.
Jika dihitung dengan menggunakan rumus, maka
seharusnya praktikan mendapatkan nilai
penguatan untuk kedua konfigurasi di atas adalah
sebesar sekitar 11V/V. Kedua konfigurasi tersebut
Gambar 4.3.2 Hasil Penguatan Konfigurasi tidak terlalu memengaruhi nilai penguatan Av.
Common Gate Penggunaan komponen di source tidak
memengaruhi nilai Av. Karena jika ditinjau dari
Untuk konfigurasi common gate, praktikan
rumusnya, penguatan Av hanya akan dipengaruhi
mendapatkan nilai penguatan sebesar 21,42 V/V.
dari nilai resistansi output, yakni nilai RD dan RL.
Nilai ini sudah sesuai dengan referensi bahwa
Nilai RS tentunya hanya akan memengaruhi nilai
penguatan untuk konfigurasi common gate adalah
resistansi output dan akan memengaruhi nilai
positif.
overall voltage gain.
Nilai tegangan output akan terlihat terdistorsi
Dapat terlihat bahwa untuk kedua konfigurasi di
ketika tegangan input diset menjadi bernilai
atas, maka data yang didapatkan adalah benar,
410mVpp.
yaitu kedua penguatan hampir bernilai sama.
Namun, berbeda dari hasil perhitungan karena
praktikan menduga diakibatkan oleh kondisi alat
dan komponen yang sudah tidak baik lagi dalam
memberikan hasil. Praktikan menduga salah satu
komponen yang sudah tidak lagi ideal adalah
kapasitor yang digunakan. Kapasitor sudah tidak
dalam keadaan baik untuk memblok sinyal DC,
sehingga operating point transistor dapat berubah.
Ataupun juga resistor yang digunakan sudah tidak
dalam keadaan yang ideal.
Gambar 4.3.3 Hasil Penguatan Konfigurasi Praktikan tidak sempat mencari nilai untuk
Common Gate dengan Sumber Arus. resistansi input dan resistansi ouput konfigurasi
Untuk konfigurasi common gate, praktikan common gate. Namun, praktikan dapat mencari
mendapatkan nilai penguatan sebesar sekitar 20 karakteristiknya dari simulasi pada LTSpice.
V/V. Nilai ini sudah sesuai dengan referensi bahwa Tabel 4.3.1 Resistansi Input dan Output Simulasi
penguatan untuk konfigurasi common gate adalah CG
positif.
RESISTANSI RESISTANSI
Nilai tegangan output akan terlihat terdistorsi RANGKAIAN
INPUT (Ω) OUTPUT (Ω)
ketika tegangan input diset menjadi bernilai COMMON
220mVpp. 220 5.75k
GATE
Untuk konfigurasi common gate, rangkaian COMMON
ekuivalen lebih baik diinpeksi dengan model T. GATE
Dari model tersebut, dapat diperoleh bahwa nilai DENGAN - 5.5k
Rin akan sama dengan 1/gm. Hal ini tentu saja SUMBER
karena yang ditinjau adalah dari source hingga ke
ARUS
ground. Nilai 1/gm pun normalnya adalah orde
COMMON
ratusan ohm. Hal ini menandakan bahwa
konfigurasi CG akan memiliki resistansi input yang GATE
120 5.7K
rendah. DENGAN RL
5K
Nilai penguatan untuk konfigurasi common gate COMMON
adalah
GATE
130 5K
AV = gm.(RD||RL) DENGAN
SUMBER
Laporan Praktikum - Laboratorium Dasar Teknik Elektro – STEI ITB 9
 ARUS DAN
RL 5K
Dapat terlihat bahwa nilai-nilai resistansi input dan
output sudah mendekati referensi. Bahwa untuk
resistansi input akan bernilai ratusan ohm. Dan
untuk resistansi input, akan mendekati dengan nilai
RD nya (pada percobaan kali ini, praktikan
menggunakan RD = 5kΩ).
4.4 COMMON DRAIN
Untuk percobaan konfigurasi common drain,
praktikan hanya dapat melakukan percobaan untuk
konfigurasi dengan beban 10kΩ dan dengan
sumber arus.
Konfigurasi common drain adalah sebuah penguat
yang pada aplikasinya didesain untuk dapat
beroperasi dengan baik pada small-signal amplifier
dan large-signal amplifier sehingga dapat
memberikan sejumlah daya yang diinginkan. Salah
satu karakteristik utama dari konfigurasi common
drain adalah memiliki penguatan yang mendekati
satu (kondsi ideal).
Gambar 4.4.1 Rangkaian Ekuivalen T Konfigurasi
Common Drain[3]
Untuk permodelan tersebut, biasanya diasumsikan
bahwa nilai Rin adalah tak hingga, supaya arus di
gate bernilai nol. Lalu untuk mencari nilai
penguatan Av nya adalah dengan pembagi
tegangan antara 1/gm dengan RL. Di sini RL
diasumsikan bernilai tak hingga, oleh karena itu,
pada kondisi ideal konfigurasi common drain akan
memiliki penguatan sebesar unity. Konfigurasi
common drain juga sering disebut sebagai source
follower karena penguatan unity mengindikasikan
bahwa tegangan pada terminal source akan
mengikuti tegangan pada input.
Laporan Praktikum - Laboratorium Dasar Teknik Elektro – STEI ITB
Gambar 4.4.2 Hasil Penguatan Konfigurasi
Common Drain
Untuk konfigurasi common drain, praktikan
mendapatkan nilai penguatan sebesar 0.85 V/V.
Nilai ini sudah hampir mendekati referensi, yakni
penguatan untuk common drain adalah mendekati
unity.
Didapatkan juga bahwa tegangan output akan
menjadi mengalami distorsi pada tegangan input
yang diset sebesar 4Vpp.
Gambar 4.4.3 Hasil Penguatan Konfigurasi
Common Drain dengan Sumber Arus
Untuk konfigurasi common drain, praktikan
mendapatkan nilai penguatan sebesar 0.84 V/V.
Nilai ini sudah hampir mendekati referensi, yakni
penguatan untuk common drain adalah mendekati
unity.
Didapatkan juga bahwa tegangan output akan
menjadi mengalami distorsi pada tegangan input
yang diset sebesar 4Vpp.
Kedua konfigurasi tersebut secara teoritis
seharusnya menghasilkan nilai penguatan yang
sama (tetapi tergantung dari kondisi komponen
yang digunakan). Jika menggunakan rumus
Maka, seharusnya untuk nilai RL = 10kΩ dan gm =
0.00112, maka didapatkan Av sebesar 0.91 V/V.
nilai teoritis ini sudah sesuai dengan teorinya,
bahwa mendekati unity. Namun, hasil konkrit yang
didapatkan adalah sekitar 0.85 V/V. praktikan
menduga hal ini diakibatkan karena kondisi
1
0
 komponen yang tidak ideal. Dan juga, pada
praktikum kali ini praktikan mendapatkan kendala
yang cukup berarti karena osiloskop yang
kondisinya dapat dibilang sudah tidak baik lagi.
Supaya dapat menghasilkan gambar sinyal yang
baik, bagian atas osiloskop harus ditekan terlebih
dahulu, ataupun kabel pada channel dua harus
dipegang supaya dapat memberikan hasil yang
baik.
Tabel 4.4.1 Resistansi Input dan Output Simulasi
CD
RESISTANSI RESISTANSI
RANGKAIAN
INPUT (Ω) OUTPUT (Ω)
COMMON DRAIN 47K 80
COMMON DRAIN
DENGAN SUMBER 150K 70
ARUS
COMMON DRAIN
63K 43
DENGAN RL 5K
COMMON DRAIN
DENGAN SUMBER 180K 49
ARUS DAN RL 5K
Dari hasil simulasi, dapat terlihat jelas bahwa nilai
resistansi input pada konfigurasi common drain
cukup besar, sehingga sesuai dengan referensi.
Begitu juga dengan nilai resistansi outputnya yang
relatif kecil, didapatkan bahwa nilai resistansi
outputnya masih berada pada orde puluhan.
Penguat konfigurasi common drain sendiri
merupakan penguat yang memiliki resistansi input
sangat tinggi (bernilai tak hingga pada kondisi
ideal) dan resistansi output yang relative rendah,
serta nilai Av yang bernilai mendekati satu. Oleh
karena itu, common drain efektif untuk
diimplementasikan sebagai penguat tingkat akhir
yang yang berfungsi untuk mengumpulkan
keseluruhan penguatan dengan resistansi output
yang rendah, tanpa harus kehilangan banyak daya.
5. KESIMPULAN
Percobaan kali ini dapat memberikan hasil yang
sesuai dengan yang seharusnya, walaupun terdapat
perbedaan antara nilai riil dan nilai perhitungan
teoritis.
Karakteristik MOSFET seperti daerah kerja pada
region triode, saturasi, dan cut-off dapat ditinjau
dari kurva ID vs VGS dan ID vs VDS. Dari sini dapat
ditentukna titik kerja Q sesuai yang diinginkan.
Pencarian nilai parameter gm juga dapat dilakukan
dengan dua metode yang berbeda, namun dapat
menghasilkan hasil yang tidak terlalu berbeda jauh,
hanya pendekatannya saja yang berbeda.
Laporan Praktikum - Laboratorium Dasar Teknik Elektro – STEI ITB
Konfigurasi common source sebetulnya paling
digemari untuk digunakan sebagai penguat. Nilai
penguatan common source bernilai negatif karena
referensi node yang digunakan untuk menghitung
penguatan adalah terhadap ground. Namun,
konfigurasi ini memiliki keterbatasan untuk
digunakan sebagai penguat pada frekuensi yang
lumayan tinggi. Resistansi input akan berbanding
terbalik dengan nilai Rvar, dan resistansi output
akan berbanding lurus dengan Rvar. Pada
konfigurasi ini juga, nilai penguatan Av hanya
bergantung pada resistansi output dan beban.
Konfigurasi common gate karena memiliki
resistansi input yang rendah, maka aplikasinya pun
terbatas. Salah satu aplikasinya adalah untuk
memberikan penguatan terhadap sinyal
berfrekuensi tinggi yang berasal dari sumber
berresistansi rendah. Resistansi input common gate
adalah relatif rendah, dan resistansi outputnya
idealnya mendekati beban.
Konfigurasikonfigurasi common drain merupakan
penguat yang memiliki resistansi input sangat
tinggi (bernilai tak hingga pada kondisi ideal) dan
resistansi output yang relative rendah, serta nilai
Av yang bernilai mendekati satu. Oleh karena itu,
common drain efektif untuk diimplementasikan
sebagai penguat tingkat akhir yang yang berfungsi
untuk mengumpulkan keseluruhan penguatan
dengan resistansi output yang rendah, tanpa harus
kehilangan banyak daya.
Distorsi pada rangkaian dapat terjadi karena
beberapa factor. Yang pertama adalah karena
penguatan mungkin terjadi tidak pada keseluruhan
siklus sinyal sehingga terdapat level bias yang
keliru, sinyal input terlalu besar yang menyebabkan
transistor menjadi terbatasi dari supply tegangan,
dan mungkin karena penguatan sudah tidak linear
untuk range input tersebut. Tegangan output yang
ter-clipped-off atau terdistorsi bisa jadi karena
peletakan titik kerja Q yang terlalu rendah atau
terlalu tinggi, dan juga karena mungkin tegangan
input yang terlalu tinggi dapat men-overdrive
tegangan output itu sendiri.[2]
Pada percobana kali ini, konfigurasi MOSFET yang
baik untuk digunakan adalah konfigurasi common
source karena dapat digunakan untuk resistansi
input dan resistansi output yang beragam.
DAFTAR PUSTAKA
[1] Mervin T. Hutabarat, Petunjuk Praktikum
Elektronika EL2205, Sekolah Teknik Elektro
dan Informatika, Institut Teknologi Bandung,
2018.
1
1
[2] https://www.electronics-
tutorials.ws/amplifier/amp_4.html diakses
pada 20 Maret 2018, pk. 23.00 WIB
[3] Adel S. Sedra dan Kennet C. Smith,
Microelectronic Circuits, Oxford University Press,
USA, 2014.

Laporan Praktikum - Laboratorium Dasar Teknik Elektro – STEI ITB 1

2