MODUL 4
Karakteristik dan Rangkaian-Rangkaian Transistor
Sarah Salsabila (118110053)
Asisten: Nama Lengkap Asisten
Tanggal Percobaan: 20/11/2023
FI2103-Elektronika Dasar
Laboratorium Fisika Instrumentasi - ITERA
Abstrak
Abstrak Pada praktikum ini dilakukan percobaan tentang
karakteristik dan rangkaian-rangkaian transistor.
Transistor adalah komponen elektronika yang terdiri dari 3
kaki yaitu: basis (B), kolektor (C), dan emitor (E).
Praktikum ini bertujuan untuk mengetahui prinsip kerja
transistor BJT dan FET sebagai saklar serta mengetahui
karakterisasi penguat dengan konfigurasi Common-Emitter.
Praktikum dilakukan sebanyak 3 kali percobaan mengikuti
panduan dari modul. Praktikum ini berusaha untuk
membuktikan transistor MOSFET dapat diguanakan
sebagai saklar, kemudian karakterisasi BJT, serta
percobaan penguat common-emitter yang mana menghasilkan
gelombang sinusoidal di ketiga percobaan.
Kata kunci: MOSFET, BJT, Penguat Common-
Emitter .
1. PENDAHULUAN
Pada tahun 1951, William Schockley menemukan
transistor persimpangan pertama, perangkat
semikonduktor yang dapat memperkuat
(memperbesar) elektronik elektronik seperti sinyal
radio dan televisi. Transistor ini memiliki
menyebabkan banyak penemuan semikonduktor
lainnya, termasuk sirkuit terpadu (IC), perangkat
kecil yang berisi ribuan transistor miniatur.
Karena IC, komputer modern dan keajaiban
elektronik lainnya menjadi mungkin [1].
Pada praktikum ini, tujuan pertama adalah
mengeksplorasi secara mendalam cara kerja
transistor BJT dan FET sebagai switch. Transistor
berperan sebagai saklar elektronik yang dapat
mengontrol aliran arus antara dua terminalnya.
Pemahaman yang baik tentang cara kerja
transistor sebagai saklar penting untuk aplikasi
kontrol dalam rangkaian listrik, seperti dalam
rangkaian digital. Praktikum ini juga bertujuan
untuk mengetahui karakterisasi penguat dengan
konfigurasi Common-Emitter pada transistor BJT.
Konfigurasi ini merupakan salah satu konfigurasi
umum dalam penguat transistor BJT yang
memiliki keunggulan tertentu. Pemahaman
tentang karakteristik penguat dalam konfigurasi
Laporan Praktikum - Laboratorium Fisika Instrumentasi – ITERA
Common-Emitter memberikan dasar yang kuat
untuk merancang dan memahami berbagai
aplikasi penguat dalam elektronika.
Dengan demikian, pemahaman tentang cara kerja
transistor sebagai switch dan karakterisasi
penguat dalam konfigurasi Common-Emitter
tidak hanya membantu praktikan memahami
dasar-dasar elektronika, tetapi juga membekali
praktikan dengan pengetahuan yang diperlukan
untuk merancang dan menganalisis rangkaian
listrik yang lebih kompleks.
2. STUDI PUSTAKA
2.1 TRANSISTOR
Transistor adalah komponen elektronika yang
tersusun dari bahan semikonduktor yang
memiliki 3 kaki yaitu : basis (B), kolektor (C) dan
emitor (E). Berdasarkan susunan semikonduktor
yang membentuknya, transistor dibedakan
menjadi dua tipe, yaitu transistor PNP dan
transistor NPN.
Untuk membedakan transistor PNP dan NPN
dapat dari arah panah pada kaki emitornya. Pada
transistor PNP anak panah mengarah ke dalam
dan pada transistor NPN arah panahnya
mengarah keluar [4].
2.2 BJT
Pada dasarnya ada dua jenis penggunaan BJT,
yaitu switching dan penguatan. Ketika transistor
bias untuk mengoperasikan daerah cutoff atau
saturasi maka itu akan berfungsi sebagai aplikasi
switching. Ketika daerah cut-off, transistor akan
bertindak sebagai switching terbuka, dan ketika
saturasi wilayah, itu akan bertindak sebagai
switching tertutup. Trans-konduktansi dan
resistansi keluaran BJT lebih tinggi dari MOSFET,
sehingga digunakan untuk merancang di banyak
sirkuit diskrit. Dalam hal aplikasi frekuensi tinggi,
BJT juga memberikan kesesuaian. Itulah alasan
BJT digunakan dalam sistem nirkabel untuk
frekuensi radio. BJT juga digunakan dalam fotosel
1
kedekatan logam. Mode kerja BJT juga
diklasifikasikan dalam tiga istilah, yaitu mode
common base, mode common emitter, dan mode
common collector. BJT diklasifikasikan dalam dua
sub kelas berdasarkan aliran kerjanya. Pertama
adalah transistor NPN dan kedua adalah
transistor PNP. Simbol rangkaian transistor NPN
dan PNP ditunjukkan pada gambar 24 dan 25. Arti
NPN dan PNP secara umum adalah 'Negatif-
Positif-Negatif, dan 'Positif-Negatif-Positif' [2].

2.3 FET
Semua transistor efek medan (FET) memiliki tiga
perangkat semikonduktor, yang disebut sumber
(S), saluran pembuangan (D), dan gerbang (G).
Tidak ada kontak fisik antara sumber dan saluran
pembuangan, tetapi jalur arus, yang disebut
saluran konduksi, terbentuk antara sumber dan
saluran pembuangan. Tegangan gerbang-ke-
sumber (Vgs) akan menghidupkan (atau
mematikan) perangkat, karena perangkat tipe FET
dapat berfungsi sebagai sakelar hidup/mati.
Kekuatan medan listrik, yang berfungsi sebagai Gambar 1. Diagram alir percobaan MOSFET sebagai
mekanisme kontrol, dikaitkan dengan tegangan saklar
yang diterapkan ke gerbang. Itu aliran arus
ditentukan oleh gerakan aktual pembawa untuk Prosedur percobaan karakterisasi BJT dapat dilihat
lebih tepatnya, dari elektron untuk saluran tipe-n pada diagram alir berikut.
atau lubang untuk saluran tipe-p. Untuk FET tipe-
n, tegangan gerbang yang diterapkan akan
menyebabkan elektron melewati saluran dari
sumber ke saluran pembuangan. Jika tegangan
positif diterapkan ke gerbang FET tipe-n, sebuah
saluran dibuat dan efek muatan pada konduktansi
melintasi saluran meningkat sesuai dengan itu.
Sebaliknya, jika tegangan gerbang negatif
diterapkan, saluran tipe-n akan terjepit. Untuk
FET tipe-p, yang terjadi adalah sebaliknya, karena
tegangan gerbang positif (negatif) akan
mematikan (on) perangkat transistor [3].

3. METODOLOGI
Praktikum modul 4 Elektronika Dasar yang
berjudul “Karakteristik dan Rangkaian-Rangkaian
Transistor” dilaksanakan pada hari Senin, 20 Gambar 2. Diagram alir percobaan karakterisasi BJT
November 2023 pukul 15..30 - 17.10 WIB di
Laboratorium Instrumentasi lantai 3. Adapun Prosedur percobaan transistor sebagai penguat
peralatan yang digunakan selama praktikum ialah (common-emutter) dapat dilihat pada diagram alir
diantaranya sumber tegangan DC, multimeter, berikut.
osiloskop, signal generator, resistor 220 Ω, resistor
variabel 10 kΩ, transistor 2N3904, transistor
IRF540 (/IN7002), kabel jumper, breadboard.

Prosedur percobaan MOSFET sebagai saklar

dapat dilihat pada diagram alir berikut.

2
Laporan Praktikum - Laboratorium Fisika Instrumentasi – ITERA
 3,6 0,046

3,7 0,045

3,8 0,045

3,9 0,043

4,0 0,041

Tabel 2. Data VDS terhadap VGS pada percobaan penguat

Common Emitter

IC (mA) VCE (V)

4,86 0,2
Gambar 3. Diagram alir percobaan penguat Common-
Emitter
4,65 0,4

4. HASIL DAN ANALISIS 4,45 0,6

Tabel 1. Data VDS terhadap VGS pada percobaan MOSFET
sebagai saklar 4,24 0,8
VDS (V) VGS (V)
4,02 1,0
0 5
3,84 1,2
0,5 5
3,63 1,4
1 5
3,40 1,6
1,5 5
3,31 1,8
2 5
3,00 2,0
2,5 4,42
2,81 2,2
2,6 0,32
2,61 2,4
2,7 0,48
2,41 2,6
2,8 0,0479
2,19 2,8
2,9 0,0255
1,97 3,0
3,0 0,013
1,31 3,2
3,1 0,010
1,59 3,4
3,2 0,078
1,38 3,6
3,3 0,060
1,18 3,8
3,4 0,058
0,97 4,0
3,5 0,058
0,72 4,2

3
Laporan Praktikum - Laboratorium Fisika Instrumentasi – ITERA
 0,51 4,4

0,36 4,6

0,13 4,8

0,10 5,0

Tabel 3. Data Percobaan penguat Common Emitter

Besaran Nilai Besaran Nilai Grafik 1. Kurva VDS terhadap VGS pada percobaan 1
MOSFET sebaai saklar
R1 1 kΩ VCE 5

R2 330 Ω f 500 Hz

R4 220 Ω

C1 47 μF

Tabel 4. Foto sinyal penguat common-emitter

Tegangan (V) Gambar

R3 = 1,3 Ω Grafik 2. Kurva IC terhadap VBE pada percobaab 2

katakterisasi BJT
VCE = 5 V
VBE = 0,7 V Pada awalnya, saat VDS = 0 V, transistor berada
VO = 3,191 V dalam kondisi cut-off, yang berarti tidak ada arus
yang mengalir antara sumber dan drain, dan nilai
Vi = 300m Vpp
VGS yang ditunjukkan bernilai 5 V yang mana
Av = menunjukkan bahwa transistor berada dalam
kondisi mati atau off. Saat VDS dinaikkan secara
R3 = 330 Ω perlahan dari 0 V hingga 2 V, transistor bernilai
VCE = 5 V tetap yaitu sebesar 5 V, dalam wilayan ini arus IDS
dinaikkan secara linier dengan VDS, dan VGS masih
VBE = 0,7 V cukup besar yaitu bernilai 5 V, sehingga transistor
VO = 1,185 V tetap dalam keadaan aktif. Ketika VDS terus
dinaikkan melampaui 2 V, mencapai 2.5 V,
Vi = 300m Vpp
transistor berada dalam wilayah saturasi karena
Av = VDS mencapai nilai puncaknya, setelah VDS
mencapai 2.6 V dengan kenaikan selang 0.1 V
R3 = 720 Ω pada VDS hingga 4.0 V, VGS secara drastis menurun
VCE = 5 V dari 5 V, 4.42 V, menjadi 0.32 V, dan seterusnya
hingga dalam satuan mili yaitu 4.1 mV pada saat
VBE = 0,7 V VDS 4.0 V. Penurunkan drastis dalam nilai VGS
VO = 4,15 V disebabkan oleh adanya kemungkinan
karakteristik khusus dari transistor atau mungkin
Vi = 0,3 V terdapat perubahan keadaan dalam perangkat
Av = yang menyebabkan penurunan VGS yang tajam,
hal tersebut dapat berkaitan dengan faktor
eksternal seperti suhu, atau karakteristik spesifik
dari resistor yang digunakan.

4
Laporan Praktikum - Laboratorium Fisika Instrumentasi – ITERA
Pada percobaan yang telah dilakukan, transistor
MOSFET dapat digunakan sebagai saklar. Syarat
agar transistor bekerja sebagai saklar adalah
daerah kerja trasnistor harus berada pada daerah
tersumbat (cut-off) dan juga saturasi (on).
Transistor bekerja sebagai saklar mempunyai dua
keadaan kerja yakni keadaan on atau keadaan
kerja penuh (saturasi) dan keadaan off atau
keadaan tidak bekerja sama sekali (cut off). Pada
praktikum yang telah dilakukan, transistor bekerja
sebagai saklar pada saat nilai VGS sebesar 5 V atau
ketika VDS dalam rentang 0 V sampai 2 V.
Selanjutnya, setelah VDS melampaui 2.5 V sampai
4.0 V, transistor mulai berfungsi dalam keadaan
off. Transistor sebagai MOSFET yang digunakan
sebagai saklar tidak sepenuhnya dapat dianggap
sebagai saklar ideal, karena dalam percobaan
tersebut terdapat adanya waktu penundaan
selama transisi.
Berdasarkan data yang diperoleh pada percobaan
2 yaitu karakterisasi BJT (Bipolar Junction
Transistor), plot kurva yang ditunjukkan
hubungan antara IC terhadap VCE, menunjukkan
grafik yang berbentuk linear. Artinya, semakin
tinggi kenaikan VCE maka arus IC yang dihasilkan
semakin menurun, dan perubahan nilai tersebut
bersifat stabil. Hubungan linear ini berpengaruh
pada penentuan titik kerja transistor, yang dapat
dicapai pada titik potong kurva tersebut. Titik
kerja dapat diartikan sebagai titik dimana
transistor bekerja secara optimal. Titik kerja dapat
ditentukan pada saat berada ditengah wilayah
operasional linear.
Pada percobaan 2 yaitu karakterisasi BJT,
digunakan transistor R1 dan R2, yang mana besar
nilai resistor R1 ialah 1 kΩ dan resistor R2 sebesar
330 Ω. Resistor yang digunakan yaitu resistor R1 dan
R2 dapat digunakan untuk mencari nilai tegangan
pada basis atau VBB yang mana nilai VBB tersebut
dapat digunakan untuk menentukan nilai VE,
maupun nilai VC yang mana nilai tersebut dapat
digunakan untuk menentukan nilai besar
penguatannya. Resistor tersebut digunakan untuk
membentuk pembagi tegangan pada basis
transistor. Kombinasi dari R1 dan R2 membentuk
pembagi tegangan yang memberikan tegangan
basis yang sesuai untuk menentukan titik kerja
transistor. Penentuan titik kerja ini sangat penting
untuk memastikan transistor beroperasi pada
kondisi linier dan stabil, sehingga dapat
merespons sinyal input dengan baik.
Pada percobaan 3 atau percobaan penguat
common emitter, bentuk sinyal yang dihasilkan
selama ketiga percobaan tersebut berbentuk
sinusoidal, dan umumnya bentuknya mirip satu
sama lain. Penguat Common Emitter biasanya
Laporan Praktikum - Laboratorium Fisika Instrumentasi – ITERA
digunakan untuk penguatan sinyal AC, akan
tetapi pada percobaan yang dilakukan bentuk
sinyal yang dihasilkan tidak terjadi beda fasa
secara signifikan, dan phase yang ditunjukkan
pada osiloskop bernilai 0.000° untuk ketiga
percobaan tersebut.
5. KESIMPULAN
Beberapa yang dapat disimpulkan dari praktikum
kali ini ialah:
a. Transistor MOSFET dapat digunakan sebagai
saklar
b. Berdasarkan data yang diperoleh pada
percobaan 2 yaitu karakterisasi BJT, plot
kurva yang ditunjukkan hubungan antara IC
terhadap VCE, menunjukkan grafik yang
berbentuk linear, yang mana berpengaruh
pada penentuan titik kerja transistor, yang
dapat dicapai pada titik potong kurva
tersebut.
c. Resistor R1 dan R2 pada percobaan penguat
common-emitter digunakan untuk membentuk
pembagi tegangan pada basis transistor.
d. Pada percobaan 3 atau percobaan penguat
common emitter, bentuk sinyal yang
dihasilkan selama ketiga percobaan tersebut
berbentuk sinusoidal dan tidak terjadi beda
fasa.
DAFTAR PUSTAKA
[1] A. Malvino and D. B. Bates, "Electronic
Principles," McGraw-Hill Education, New
York, 2016.
[2] A. Kandpal and V. Ramola, "Basic
Introduction to VLSI Technology with
Processing Steps for Bipolar Junction
Transistors: A Review."
[3] J. Park et al., "Applications of field-effect
transistor (FET)-type biosensors," Applied
Science and Convergence Technology, vol. 23,
no. 2, pp. 61-71, 2014.
[4] T. Darmana and T. Koerniawan,
"Perancangan Rangkaian Penguat Daya
Dengan Transistor," Jurnal Sutet, vol. 7, no. 2,
2017.
5
 LAMPIRAN

Gambar 4. Percobaan 1 Rangkaian MOSFET sebagai

saklar

Gambar 5. Percobaan 2 Rangkaian penguat Common-

Emitter

Gambar 6. Percobaan 3 Rangkaian penguat Common-

Emitter

6
Laporan Praktikum - Laboratorium Fisika Instrumentasi – ITERA